Trabajo de FinFET – Dispositivos Electrónicos

Yuliza Margarita Jaimes Llanca - 20140438C

INTRODUCCIÓN
Desde la invención del circuito integrado, todo el mundo ha trabajado a buscado cómo
aumentar la velocidad y el rendimiento en los circuitos integrados. La industria de
semiconductores ha evolucionado de manera extraordinaria.
A medida que la tecnología se va acercando a escalas próximas a las decenas de
nanómetros los investigadores se encuentran con barreras tecnológicas de dificultad
creciente, relacionadas tanto con propia fabricación del dispositivo como con sus
características eléctricas. De todas las dificultades relacionadas con las características
eléctricas cabe destacar el progresivo incremento del consumo de corriente cuando el
chip está inactivo.

Debido a la capacidad de superar las limitaciones de la tecnología MOSFET

convencional en el proceso de escalabilidad, puede entenderse con facilidad que los
dispositivos FinFET se conviertan en la próxima generación de transistores en
tecnología CMOS.
En el campo analógico, los transistores FinFET desempeñan sus funciones de manera
eficaz en circuitos como amplificadores de potencia y en otros tipos de aplicaciones
donde se requiere una buena linealidad.

Limitaciones debidas a las características eléctricas de los dispositivos MOSFET y

comentaremos una nueva estructura de dispositivo conocida como FinFET, que permite
avanzar un paso más en la carrera hacia la reducción del tamaño.

Para reducir el tamaño de los dispositivos el factor primordial a tener en cuenta es que
el campo eléctrico debe mantenerse constante, por debajo de los límites de ruptura.

Pero la limitación definitiva a la reducción del tamaño del transistor según podría venir
impuesta por la corriente de fugas entre fuente y drenador cuando el dispositivo está en
corte.

Por estos motivos, se investigan nuevas estructuras CMOS para reducir la longitud del
canal por debajo de 45nm. La
filosofía de estas nuevas
estructuras es conseguir un
mayor control de la puerta sobre
el canal. Los transistores de
capa fina (TFTs) son uno de los
candidatos más populares.

FinFET, transistor de efecto de

campo de aleta, es un tipo de
transistor "3D" utilizado en el
diseño de procesadores
modernos.
ESTRUCTURA DEL FinFET

En esta imagen observamos la estructura de un finFET, como se observa es de un

MOSFET de doble puerta construida sobre un sustrato SOI. Su nombre se debe porque
la capa de silicio activa entre el drenador y el surtidor tiene forma de dedo (en proviene
de finger en inglés).

Los diseños de FinFET también usan un canal conductor que se eleva por encima del
nivel del aislador, creando una delgada estructura de silicio, con forma de aleta, que se
llama electrodo de compuerta.

El grosor de la aleta determina la longitud efectiva del canal del dispositivo.

En términos de su estructura, típicamente tiene una aleta vertical en un sustrato que se

extiende entre un drenaje más grande y el área fuente. Esto sobresale verticalmente
sobre el sustrato como una aleta.
Ventajas de la tecnología FinFET

VENTAJAS DE FINFET

PARÁMETRO DETALLES

Poder Mucho menos consumo de energía permite altos niveles de integración.

Tensión de Los FinFET funcionan a un voltaje más bajo como resultado de su voltaje de umbral
funcionamiento más bajo.
Tamaños de
Posible pasar a través de la barrera de 20nm previamente pensada como punto final.
funciones
Corriente de fuga
Típicamente reducido hasta en un 90%
estática
Velocidad de
A menudo, más del 30% más rápido que las versiones que no son FinFET.
operación

¿Por qué son tan importantes ahora los transistores FinFET?

La tecnología FinFET promete proporcionar los niveles superiores de escalabilidad necesarios

para garantizar que se pueda mantener el progreso actual con mayores niveles de integración
dentro de los circuitos integrados

Los transistores FinFET están diseñados para dar un mayor control sobre el transistor que los
transistores Planar tradicionales y ayudan a prevenir lo que se conoce como fuga de energía,
que se ha convertido en un problema cada vez mayor con transistores y los productos que
hacemos con ellos ahora que son más pequeños.

La mayor diferencia entre un transistor FinFET y un transistor Planar es su diseño 3D, que
permite que la puerta del transistor tenga un área mucho mayor de control sobre la distancia
entre la fuente y el drenaje de un transistor, que es donde una gran cantidad de pérdida de
potencia se produce a través de la corriente de fuga.

Los beneficios del transistor FinFET será lo que traerá al móvil a un nuevo nivel de rendimiento
y nos permitirá continuar haciendo tan grande salto en la informática de alto rendimiento en un
corto período de tiempo.

Las dificultades de lidiar con un nuevo diseño de transistor 3D en términos de extracción

parasitaria y comportamiento físico, el principal problema es el costo.

Los finFET del mundo real no tienen el mismo perfil que los dispositivos de investigación, al
menos no todavía.