TEORÍA DEL ACOPLAMIENTO ELECTRÓN-PLASMÓN EN SEMICONDUCTORES.

Fabio Caruso y Feliciano Giustino

Departamento de Materiales, Universidad de Oxford, Parks Road, Oxford, OX1 3PH
(Fechado: 12 de septiembre de 2016)

Resumen: La capacidad de manipular plasmones está impulsando nuevos desarrollos en

electrónica, óptica, detección, energía y medicina. A pesar del impulso
masivo de la investigación experimental en esta dirección, todavía falta
un marco cuantitativo-mecánico predictivo para describir las interacciones
electrón-plasmón en materiales reales. Aquí, a partir de un enfoque de
función de muchos cuerpos de Green, desarrollamos un enfoque ab initio para
investigar el acoplamiento de electrones y plasmones en sólidos. Como
primera demostración de esta metodología, mostramos que la dispersión de
electrones y plasmones es el mecanismo principal para enfriar los
transportadores calientes en silicio dopado, es clave para explicar las
movilidades electrónicas medidas en dopaje alto y conduce a un punto cero
cuántico. renormalización de la brecha de banda de acuerdo con
experimentar.

Los plasmones son oscilaciones colectivas electrón-plasmón son más espectaculares. A

de electrones en sólidos que pueden existir diferencia de los metales y los aislantes,
incluso en ausencia de un campo de los semiconductores dopados pueden sostener
conducción externo. Durante la última "plasmones térmicos", es decir, plasmones
década, los plasmones generaron un gran con energías comparables a las de las
interés debido al aumento de la plasmónica, vibraciones de la red. En estas
la ciencia de la manipulación de las condiciones, las interacciones electrón-
interacciones de luz y materia ligera plasmón pueden modificar la vida útil de
utilizando polaritones de plasmón de los portadores, las movilidades y las
superficie1. Los materiales y dispositivos brechas ópticas de manera similar a las
plasmónicos muestran una promesa interacciones electrón-fonón. Usando este
excepcional en las áreas de método, encontramos que, en el caso del
nanoelectrónica2, fotovoltaica3,4 y de silicio degenerado de tipo n, los plasmones
radioterapia5,6. Si bien las leyes térmicos conducen a una relajación
electrodinámicas que regulan la plasmónica ultrarrápida de los portadores calientes,
en escalas de longitud macroscópicas son proporcionan el principal cuello de botella
bien entendidas7,8, poco se sabe sobre la para la movilidad del portador e inducen
interacción de los plasmones con la materia una renormalización del punto cero de la
en la escala atómica. Por ejemplo, las brecha de banda que excede el fonón
preguntas relacionadas con la interacción inducido. renormalización.
entre los plasmones y los portadores de
En los metales de electrones libres, la
carga en semiconductores no se han abordado 1
en términos cuantitativos, pero son energía de un plasmón es ℏ𝜔𝑃 = (ℏ2 𝑒 2 𝑛/𝜀𝑜 𝑚𝑜 )2 ,
fundamentales en los materiales de donde ℏ es la constante de Planck, εo es la
ingeniería para semiconductores permitividad dieléctrica del vacío, y e, me
plasmónicos9. Hasta ahora, las teorías y n son la carga de electrones, la masa, y
microscópicas cuánticas de las densidad, respectivamente. En densidades
interacciones electrón-plasmón se han metálicas típicas, como en metales
limitado a modelos idealizados de sólidos, plasmónicos comunes como Au y Ag (n = 3-
como el gas de electrones homogéneo10,11. Si 8·1022 cm-3), los plasmones tienen energías
bien estos modelos establecieron los características en el rango de 5-10 eV. En
fundamentos teóricos de la teoría, no son estos casos, la dispersión de electrones y
adecuados para los cálculos predictivos. plasmones se suprime por la regla de
En este trabajo presentamos un método de selección de conservación de energía. A
primeros principios para estudiar el diferencia de este escenario, en los
acoplamiento de electrones y plasmones en semiconductores dopados, la masa de
sólidos. Como primera aplicación, nos electrones en la expresión anterior se
centramos en los semiconductores dopados, reemplaza por la masa efectiva de la banda,
donde las manifestaciones de acoplamiento y la permitividad del vacío se reemplaza
por la constante dieléctrica. Como
 resultado, la energía del plasmón es intercambiar energía con los plasmones, por
considerablemente menor, y en niveles de lo que las poblaciones de portadores y
dopaje estándar puede alcanzar fácilmente plasmones se acoplan mutuamente.
el rango térmico, ℏ𝜔𝑃 = 10 − 100 𝑚𝑒𝑉. En estas
condiciones, los electrones pueden

Figura 1. (a – c) Función calculada de pérdida de energía electrónica de silicio tipo n

para transferencias de momento q a lo largo de la línea de alta simetría 􀀀X. La densidad
de la portadora aumenta de izquierda a derecha, de 1017 a 1020 cm−3. (d) Estructura de la
banda LDA de silicio y nivel de Fermi (EF) para n = 2.5·1020 cm−3. Las estructuras
escalonadas en (b) y (c) son solo un artefacto numérico que surge del muestreo limitado
de la zona de Brillouin. (e) Variación del pico de plasmón en la función de pérdida en
función de la densidad del portador, evaluada a q = 0. (f) Energías plasmáticas extraídas
de los picos en (e), representadas en función de la concentración del portador (puntos
azules). La línea roja corresponde al resultado analítico obtenido para un gas de
electrones homogéneo con la masa efectiva isotrópica calculada y la constante dieléctrica
de silicio (meff = 0.25, 𝜖𝑆𝑖 = 12).

Para investigar las consecuencias de este la Fig. 1c muestran la función de pérdida de

acoplamiento, comenzamos por caracterizar las
excitaciones plasmónicas en silicio dopado a
partir de los primeros principios. La figura
1 muestra la función de pérdida de energía
electrónica calculada, 𝐼𝑚 𝜖 −1 (𝒒, 𝜔), que
codifica información sobre cómo un electrón
que viaja a través de un sólido disipa
energía12. Aquí 𝜖 −1 (𝒒, 𝜔) denota la inversa de
la matriz dieléctrica para el vector de onda
𝒒 y la frecuencia 𝜔, evaluada dentro de la
aproximación de fase aleatoria13,14. En el caso
del silicio intrínseco a temperatura cero
(Fig. 1a), la función de pérdida exhibe una
distribución continua de energía (región
marrón) con un umbral establecido por la
brecha fundamental. Esta amplia la estructura
surge de las transiciones entre bandas de las
bandas de valencia rellenas a las bandas de
conducción vacías, y corresponde físicamente
a la generación de pares de agujeros de
electrones por ionización de impacto. Esto se
indica esquemáticamente como “proceso 1” en
la Fig. 1d. El escenario cambia drásticamente
en el caso del silicio dopado. La Fig. 1b y
silicio fuertemente dopado negativo, que
corresponde a n = 2.5·1019 cm−3 y n =
2.5·1020cm−3, respectivamente. Como resultado
del llenado parcial del valle de la banda de
conducción cerca del punto X de la zona de
Brillouin, quedan disponibles nuevos canales
de disipación. En particular, el “proceso 2”
en la Fig. 1b corresponde a la generación de
pares de orificios de electrones de baja
energía. En este caso, vemos estructuras
agudas que definen bandas de “espectro” como
una función de la pérdida de momento ℏ𝒒. Estas
características se entienden en términos de
transiciones internas y entre bandas desde los
estados iniciales ocupados con el vector de
onda 𝒌 cerca de la parte inferior de la banda
de conducción para vaciar los estados finales
del vector de onda 𝒌 + 𝒒. La intensidad de
estas características aumenta con el nivel de
dopaje de la Fig. 1b a la Fig. 1c. Los picos
en la función de pérdida denotados por
“proceso 3” no se pueden explicar en términos
de los dos mecanismos anteriores. De hecho,
para 𝒒 = 0 estas estructuras son mucho más
nítidas que las descritas anteriormente y Fermi, respectivamente. El detector de ondas
existen por debajo del umbral de energía crítico 𝑞𝑐 marca el inicio de la amortiguación
(momento) para la generación de pares de de Landau, es decir, la descomposición de un
orificios de electrones mediante transiciones plasmón tras la excitación de un par de
entre bandas (intraband). Estos procesos orificios de electrones. Así, para 𝑞 < 𝑞𝑐 los
corresponden a la emisión de plasmones y se plasmones térmicos son fenómenos colectivos
caracterizan por resonancias de energía bien no amortiguados con tiempos de vida
definidas, como se muestra en la Fig. 1e para establecidos por los procesos de dispersión
𝒒 = 0. Al mapear estos picos de plasmones en plasmón-fonón y plasmón-plasmón16. Este límite
la función de pérdida, podemos ver en la Fig. se muestra como líneas discontinuas blancas
1f que La energía del plasmón ℏ𝜔𝑃 se escala en la Fig. 1b y 1c.
con la concentración del portador, siguiendo Con el fin de investigar los efectos de los
la misma tendencia esperada para un gas de plasmones en la estructura electrónica,
electrones homogéneo. En esta figura también generalizamos la teoría de Pine de las
vemos que la energía del plasmón es altamente interacciones electrón-plasmón en el gas de
sintonizable a través del dopaje, desde las electrones homogéneo15 a ab initio para los
energías térmicas a densidades de portadores sólidos cristalinos. Nuestra estrategia
de alrededor de 1018 cm−3, hasta la mitad de un consiste en los siguientes pasos: (i)
voltaje electrónico a densidades cercanas a Identificamos las relaciones de dispersión de
1021 cm−3. energía frente a onda de los plasmones
En una gran transferencia de momento ℏ𝒒 la térmicos. Esto se logra determinando las
distinción entre los plásmidos y los pares de energías plasmáticas de los polos de
orificios de electrones ya no es 𝐼𝑚 𝜖 −1 (𝒒, 𝜔) para los momentos por debajo del
significativa, ya que las fluctuaciones de la vector de onda crítica 𝑞𝑐 20. (ii) Seleccionamos
densidad de la carga ocurren en escalas de la contribución plasmónica a la función
longitud que se aproximan al tamaño de la dieléctrica macroscópica 𝜖𝑀 a través de la
célula de la unidad de cristal. A 𝜕
expansión de Taylor 𝜖𝑃 (𝑞 + 𝐺, 𝜔) = 𝜖𝑀 | [𝜔 −
continuación, identificamos los plasmones en 𝜕𝜔 𝜔= 𝜔𝑝(𝑞)
la función de pérdida por analogía con el gas 𝜔𝑃 (𝑞)] + 𝑖𝜂 en la vecindad de la frecuencia de
de electrones homogéneo, donde existen plasmón 𝜔𝑃 (𝑞). (iii) Calculamos la autoenergía
excitaciones de plasma bien definidas solo electrón-plasmón a partir de la teoría de la
para los momentos bajo el continuo de perturbación de muchos cuerpos, y retenemos
electrones15. Para un plasmón de energía ℏ𝜔𝑃 , solo el cribado plasmónico. Esto conduce a la
el impulso crítico viene dado por el vector auto-energía electrónica retardada en la
1
de onda 𝑞𝑐 = 𝑘𝐹 [ (1 + ℏ𝜔𝑃 /𝜀𝐹 )2 − 1], Siendo 𝑘𝐹 y 𝜀𝐹 teoría de perturbación de Raleigh-
el vector de onda de Fermi y la energía de Schrödinger21:
𝑒𝑃
𝑑𝑞 𝑒𝑃 (𝒌,
𝑛𝒒 + 𝑓𝑚𝒌+𝒒 𝑛𝒒 + 1 − 𝑓𝑚𝒌+𝒒
Σ𝑛𝑘 =∫ ∑|𝑔𝑚𝑛 𝒒)|2 [ + ]
Ω𝐵𝑍 𝜀𝑛𝒌 − 𝜀𝑚𝒌+𝒒 + ℏ𝜔𝑃 (𝒒) + 𝑖𝜂 𝜀𝑛𝒌 − 𝜀𝑚𝒌+𝒒 − ℏ𝜔𝑃 (𝒒) + 𝑖𝜂
𝑚
En esta expresión, 𝒌 y 𝒒 son vectores de onda particular, el 1/|𝒒| La divergencia de los
de Bloch, m y n índices de banda, 𝜀𝑛𝑘 y 𝜀𝑚𝑘+𝑞 elementos de la matriz de electrones y
valores propios de Kohn-Sham, 𝑛𝒒 y 𝑓𝑚𝒌+𝒒 Bose- plasmones en longitudes de onda largas
Einstein y Fermi-Dirac ocupaciones, recuerda la interacción de Fróhlich entre los
respectivamente, y η un infinitesimal electrones y los fonones ópticos
positivo. La suma recorre todos los estados y longitudinales en los semiconductores
la integral está sobre la zona de Brillouin polares23,24. Esta analogía es consistente con
𝑒𝑃 (𝒌, el hecho de que los plasmones en masa son
del volumen Ω𝐵𝑍 . Las cantidades 𝑔𝑚𝑛 𝒒)
ondas longitudinales. Ahora analizamos las
representan los elementos de la matriz de
consecuencias de la auto-energía en la
dispersión del electrón-plasmón entre el
ecuación. (1).
estado inicial 𝜓𝑛𝒌 y el estado final 𝜓𝑚𝒌+𝒒 , y De la parte imaginaria de la auto-energía en
están dados por: la ecuación (1) obtenemos la tasa de
1
𝜀𝑜 Ω 𝜕𝜖(𝑞, 𝜔) 2
−
1 dispersión de electrones mediante plasmones
𝑒𝑃 (𝒌,
𝑔𝑚𝑛 𝒒) = [ 2 ] ⟨𝜓𝑚𝒌+𝒒 |𝑒 𝑖(𝑞+𝑮)∙𝒓 |𝜓𝑛𝑘 ⟩ térmicos, utilizando Γ𝑛𝑘 = 2𝐼𝑚Σ𝑛𝒌 /ℏ.
𝑒 ℏ 𝜕𝜔 |𝑞|
𝜔 (𝑞)
𝑃 Físicamente los dos denominadores en la
siendo Ωel volumen de una celda unitaria. Las ecuación (1) describe los procesos de
ecuaciones (1) y (2) se derivan en el absorción y emisión de un plasmón,
Apéndice. El enfoque del acoplamiento respectivamente. Una representación
electrón-plasmón en semiconductores es diagramática de estos procesos se da en la
formalmente idéntico a la teoría estándar de Fig. 2g. Los procesos multi-plasmón no están
las interacciones electrón-fonón22. En incluidos en el formalismo actual, de manera
similar al caso de las interacciones electrón-
fonón22, por lo tanto, limitamos nuestra
discusión a bajas temperaturas (𝑛𝑞 ≪ 1). La
Fig. 2a muestra las tasas calculadas de
dispersión de electrón-plasmón en silicio de
tipo n. Las energías portadoras se refieren
al borde de la banda de conducción. Para los
niveles de dopaje estándar (n <1018 cm-3), las
tasas de dispersión caen por debajo de 1011 s-
1 como resultado de la baja intensidad de los
picos de plasmón en la Fig. 1e, que se refleja
en la fuerza de los elementos de la matriz en
la ecuación. (2). Sin embargo, a niveles de
dopaje superiores a 1018 cm-3, la fuerza del
pico de plasmón en la función de pérdida
aumenta considerablemente, y la frecuencia de
dispersión por los plasmones térmicos es
comparable a las tasas de dispersión de
electrones de fonón, 1012 -1014s-1 25,26. La Fig.
2a muestra que incluso en niveles de dopaje
aún más altos, estas tasas siguen aumentando
en órdenes de magnitud, y eventualmente
dominan la dinámica de enfriamiento de los
portadores excitados.

Figura 2. (a) Tasas calculadas de dispersión de electrones por plasmones, y (b) Vidas
electrónicas correspondientes en silicio dopado, para varias concentraciones de
portadores. La energía electrónica se refiere al borde de la banda de conducción. (c –
e) Comparación entre la parte imaginaria de la energía propia de electrones de electrones,
la energía propia de fonones de electrones y la energía propia asociada con la generación
de pares de agujeros de electrones. La concentración de la portadora aumenta de (c) a
(e), y la energía electrónica se refiere al borde de la banda de conducción. Las regiones
sombreadas indican el mecanismo de dispersión dominante en una energía de electrones
dada, y 'PL', 'PH', 'EH' representan plasmones, fonones y pares de agujeros de electrones,
respectivamente. (f) Energía contra el mapa de dopaje de la mayor contribución a la
energía propia del electrón. La energía se refiere al borde de la banda de conducción.
(g) Representación esquemática del proceso de dispersión de plasmón electrónico. (h)
Renormalización del intervalo de banda inducida por plasmón en silicio en función de la
densidad transportada (cuadrados y líneas naranjas), en comparación con los datos ópticos
de Ref.17 (experimento 1) y Ref.18 (experimento 2). La línea discontinua horizontal
indica la renormalización de la brecha de banda por las interacciones electrón-phonon,
según lo informado por Ref.19.

La Fig. 2b proporciona una perspectiva
complementaria de la dinámica del portador.
Aquí mostramos los tiempos de vida de los
electrones correspondientes a las
velocidades en la Fig. 2a, calculadas como
𝜏𝑛𝑘 = 1/Γ𝑛𝑘 . Las mediciones de reflectividad
resuelta en el tiempo de silicio no
degenerado (n = 1017 cm−3 electrones
fotoexcitados a ∼0.8 eV por encima del
borde de la banda) indican tasas de
termalización de alrededor de 350 fs27. En
el mismo rango de dopaje, nuestros cálculos
arrojan vidas de portador limitadas por
plasmón muy por encima de 10 ps, lo que
indica que en estas condiciones la
dispersión de electrón-plasmón es ineficaz.
Sin embargo, el escenario cambia
drásticamente para el silicio degenerado,
para el cual calculamos vidas en el régimen
de subpicosegundos. En particular, para
niveles de dopaje en el rango de 1019 – 1020
cm-3, la dispersión del electrón-plasmón
reduce la vida útil del portador a 25-150
fs. En estas condiciones, el electrón-fonón
y la dispersión de electrones y plasmones
se convierte en un mecanismo competitivo
para la termalización de los portadores en despertó un gran interés últimamente28–33,
caliente. aquí nos concentramos en la renormalización
cuántica del punto cero de la brecha
Para cuantificar la importancia de la
fundamental del silicio. Los detalles
dispersión electrón-plasmón, comparamos en
computacionales de los cálculos y las
la Fig. 2c-e la parte imaginaria de la auto-
pruebas de convergencia se informan en el
energía electrónica asociada con (i)
Material suplementario16. Considerando
interacciones electrón-plasmón, (ii)
definitivamente una densidad de portador de
interacciones electrón-fonón, y (iii)
n = 2.5·1020 cm−3, encontramos que el
generación de pares de electrón-hueco. Los
acoplamiento electrón-plasmón reduce el
métodos de cálculo de (ii) y (iii) se
borde de la banda de conducción en ΔEc = −37
describen en los Materiales
meV a temperatura cero, y eleva el borde de
complementarios16. A partir de esta
la banda de valencia en ΔEv = 30 meV. Para
comparación, deducimos que los plasmones
concentraciones de portadores de 2.5·1019
son cada vez más importantes para un mayor
cm−3 y 2.5·1020 cm−3, verificamos que el BGN
dopaje, y su efecto es más pronunciado en
cambia en menos de 1 meV para temperaturas
la vecindad del borde de la banda. Al
de hasta 600 K (consulte Material
identificar la mayor contribución para cada
suplementario16). Como resultado de esta
nivel de dopaje y para cada energía de
concentración de dopaje, la diferencia
electrones, podemos construir el "diagrama
entre bandas se reduce en, por ejemplo, ΔEg
de fase de dispersión" que se muestra en la
= ΔEc – ΔEv = −67 meV. Esta fenomenología es
Fig.2f. Este diagrama ilustra las regiones
completamente análoga a la renormalización
en el espacio de energía vs. dopaje donde
del punto cero de las interacciones
domina cada mecanismo de dispersión.
electrón-phonon29. Nuestro hallazgo es
Inesperadamente, en la dispersión
consistente con el hecho de que la auto-
degenerada de silicio electrón-plasmón
energía en la ecuación. (1) y el elemento
representa el mecanismo dominante para la
de matriz en la ecuación (2) son formalmente
relajación del portador caliente. Este
idénticas a las que uno encuentra en el
hallazgo podría proporcionar nuevas
estudio de la interacción Fröhlich. La
oportunidades en el estudio de la
renormalización de la brecha de banda
plasmónica basada en semiconductores, por
inducida por dopaje también se informó en
ejemplo, mediante la ingeniería de la
un trabajo reciente en la mono-capa MoS2 34,
concentración de dopaje para apuntar
por lo que esperamos que esta
selectivamente a la “región plasmón” en la
característica tenga validez general en los
Fig. 2f.
semiconductores dopados. Para realizar una
También evaluamos el impacto de los comparación cuantitativa con el
procesos de dispersión de electrones y experimento, mostramos en la Fig. 2h
plasmones en la movilidad del portador en nuestra renormalización de brecha de banda
el silicio, utilizando los tiempos de vida plasmónica calculada y las mediciones del
calculados anteriormente como una primera inicio de absorción indirecta en silicio
aproximación a los tiempos de relajación dopado17,18. Podemos ver que ya hay un buen
del portador. Como se muestra en la Fig. acuerdo entre la teoría y el experimento,
S116, la inclusión explícita de la incluso si estamos considerando solo los
dispersión de fonones de electrones es acoplamientos de electrones y plasmones
esencial para lograr un buen acuerdo con el como la única fuente de renormalización de
experimento. Por otro lado, si tuviéramos la brecha de banda. Sorprendentemente, la
que considerar solo la dispersión de magnitud de la renormalización, 15-70 meV,
fonones de electrones y la generación de es comparable al cambio de punto cero
pares de huecos de electrones, inducido por la interacción electrón-fonón,
sobrestimaríamos las movilidades 60-72 meV19.
experimentales en más de un orden de
En resumen, presentamos un enfoque ab
magnitud.
initio para el acoplamiento electrón-
La parte real de la energía propia del plasmón en semiconductores dopados.
electrón en la ecuación (1) nos permite Demostramos que las interacciones electrón-
evaluar la renormalización de los niveles plasmón son fuertes y ubicuas en un
de energía de los electrones derivados del semiconductor prototípico como el silicio
apósito de las quasi-partículas de dopado, como lo revela su efecto sobre la
electrones mediante plasmones virtuales. dinámica del portador, el transporte y las
Debido a que la renormalización de las propiedades ópticas. Este hallazgo requiere
brechas en la banda semiconductora inducida una investigación sistemática de los
por las interacciones electrón-fonón acoplamientos de electrones y plasmones en
una amplia clase de materiales. De manera fuerte acoplamiento. Por último, la
más general, una comprensión detallada de sorprendente similitud entre el
la interacción entre los electrones y los acoplamiento electrón-plasmón y el
plasmones térmicos mediante cálculos acoplamiento de Fröhlich en materiales
predictivos a escala atómica podría polares puede abrir nuevas vías para
proporcionar una clave en el diseño de sondear las torceduras de fotoemisión
semiconductores plasmónicos, por ejemplo, inducidas por plasmón35, los satélites
mediante el uso de diagramas de fase como polarón36–38, así como la superconductividad,
los de la Fig. 2f para adaptar los niveles en analogía con el caso de las interacciones
de dopaje y las energías de excitación. para electrón-fonón39–44.
seleccionar selectivamente los regímenes de

Apéndice A: Energía propia electrónica para la

interacción electrón-plasmón

Aquí proporcionamos una derivación de la fuerza de acoplamiento electrón-plasmón y la

energía propia [Ecuación (1) y (2)] al generalizar la teoría de la interacción electrón-
plasmón para el gas electrónico homogéneo en el caso de los sólidos cristalinos. Partimos
de la energía propia del electrón en la aproximación GW45–47:
𝑖ℏ 𝑑𝒒 𝑚𝑛 𝑊𝑮𝑮´ (𝒒, 𝜔′ )
𝑒𝑃
Σ𝑛𝑘 = ∑ ∫ 𝑀𝑮 (𝒌, 𝒒)∗ 𝑀𝐺𝑚𝑛
′ (𝒌, 𝒒) ∫ 𝑑𝜔
′
2𝜋 ′
Ω𝐵𝑍 ℏ𝜔 + ℏ𝜔 ′ + 𝜇 − 𝜖̃𝑚𝒌+𝒒
𝑚𝐺𝐺
donde 𝑀𝑮𝑚𝑛 (𝒌, 𝒒) = ⟨𝜓𝑚𝒌+𝒒 |𝑒 𝑖(𝑞+𝑮)∙𝒓 |𝜓𝑛𝑘 ⟩ son los elementos de la matriz óptica, μ es el potencial
−1
químico, y 𝜖̃𝑚𝒌+𝒒 = 𝜖𝑚𝒌+𝒒 + 𝑖𝜂 ∙ 𝑠𝑖𝑛𝑔(𝜇 − 𝜖𝑚𝒌+𝒒 ). La matriz 𝑊𝑮𝑮´ (𝒒, 𝜔′ ) = 𝜐(𝒒 + 𝑮)𝜖𝑮𝑮 ′
′ (𝒒, 𝜔 ) representa la

interacción de Coulomb filtrada, y se obtiene de la interacción de Coulomb libre 𝜐(𝒒) =

−1
𝑒 2 /𝜖𝑜 Ω|𝒒|2 a través de la matriz dieléctrica inversa 𝜖𝑮𝑮 ′
′ (𝒒, 𝜔 ). La representación espectral
de W está dada por:
𝑣(𝒒 + 𝑮) ∞ 2𝜔′ −1
𝑊𝑮𝑮´ (𝒒, 𝜔′ ) = ∫ 𝑑𝜔′ 2 ′ )2
𝐼𝑚𝜖𝑮𝑮 ′
′ (𝒒, 𝜔 )
𝜋 0 𝜔 − (𝜔
La matriz dieléctrica puede ser descompuesta en:
−1 −1 −1
𝜖𝐺𝐺 ′ (𝑞, 𝜔) = 𝜖𝑀 (𝑞 + 𝐺, 𝜔)𝛿𝐺𝐺′ + 𝜖𝐺𝐺 ′ (𝑞, 𝜔)(1 − 𝛿𝐺𝐺 ′ )
−1 (𝑞
donde 𝜖𝑀 + 𝐺, 𝜔) es la función dieléctrica macroscópica inversa. Dado que la energía del
plasmón ℏ𝜔𝑃 (𝒒) se define por la condición 𝜖𝑀 (𝑞 + 𝐺, 𝜔𝑃 (𝑞)) = 0, la contribución plasmónica a
la matriz dieléctrica 𝜖𝑃 se puede diferenciar mediante la expansión de Taylor alrededor
de la energía del plasmón 𝜖𝑀 . Siguiendo a Pines y Schrieffer11 tenemos:
𝜕𝜖𝑀
𝜖𝑀 (𝑞 + 𝐺, 𝜔) = | [𝜔 − 𝜔𝑃 (𝑞)] + 𝑖𝜂
𝜕𝜔 𝜔=𝜔𝑃(𝑞)
1
Haciendo uso de la identidad (𝑎 + 𝑖𝜂)−1 = 𝑃 ( ) + 𝑖𝜋𝛿(𝑎), y combinando las ecuaciones. (A1),
𝑎
(A2) y (A4) producen la auto-energía electrón-plasmón:
−1
𝑖ℏ 𝑑𝒒 2𝜔𝑃 (𝑞) 𝜕𝜖𝑀 𝑣(𝒒 + 𝑮)
𝑒𝑃
Σ𝑛𝑘 = ∑ ∫ |𝑀𝑮𝑚𝑛 (𝒌, 𝒒)|2 ∫ 𝑑𝜔′ 2 2
[ | ]
2𝜋 Ω𝐵𝑍 𝜔′ − [𝜔𝑃 (𝑞)] 𝜕𝜔 𝜔=𝜔𝑃 (𝑞) ℏ𝜔 + ℏ𝜔 ′ + 𝜇 − 𝜖̃𝑚𝒌+𝒒
𝑚𝐺𝐺 ′
Esta expresión puede reformularse en la forma de una auto-energía que describe la
interacción entre los electrones y los bosones en la aproximación Migdal21,48–51:
𝑒𝑃
𝑖ℏ 𝑑𝒒
Σ𝑛𝑘 = ∑ ∫ ∫ 𝑑𝜔′ |𝑔𝑚𝑛
𝑒𝑃 (𝒌,
𝒒)|2 𝐷𝑞 (𝜔′ )𝐺𝑚𝑘+𝑞 (𝜔 + 𝜔′ )
2𝜋 Ω 𝐵𝑍
𝑚𝐺𝐺 ′
Como para los semiconductores dopados, qc está típicamente dentro de la primera zona de
Brillouin, descartamos la dependencia de los vectores de red recíprocos G. Los elementos
de la matriz que aparecen en esta expresión se definen en la ecuación (2); G representa
la función estándar de Green de no interacción (Kohn-Sham), 𝐺𝑛𝑘 (𝜔) = [ℏ𝜔 − (𝜖̃𝑚𝒌 − 𝜇)]−1 , e
introdujimos el “propagador de plasmón”: 𝐷𝑞 (𝜔) = 2𝜔𝑃 (𝑞) [ℏ(𝜔2 − 𝜔𝑃2 (𝑞))]. La ecuación (A6)
representa la auto-energía electrónica prototípica que surge de las interacciones
electrón-bosón. De esta expresión el resultado en la ec. (1) Sigue por integración
estándar en el plano complejo21.
Para completar, observamos que la ecuacion (A6) también se puede derivar del acoplamiento
electrón-bosón hamiltoniano 𝐻 ̂𝑒𝑃 = Ω−2 𝑒𝑃 † ̂ ̂† ̂†
B𝑍 ∑𝑛𝑚 ∫ 𝑑𝑘𝑑𝑞 𝑔𝑚𝑛 (𝒌, 𝒒) 𝑐̂ 𝑚𝑘+𝑞 𝑐̂𝑛𝑘 (𝑏𝑞 + 𝑏 −𝑞 ), donde 𝑏 −𝑞 , 𝑏𝑞
̂ y
†
𝑐̂ 𝑚𝑘+𝑞 , 𝑐̂𝑛𝑘 son el bosón y los operadores de creación (destrucción) de fermión,
respectivamente. Como comprobación de consistencia, observamos que los coeficientes de
acoplamiento electrón-plasmón ecuación (2) reducir los resultados de Pines y Schrieffer
para sistemas homogéneos11. En particular, para un electrón homogéneo gas, tenemos
𝑀𝑮𝑚𝑛 (𝒌, 𝒒) = 𝛿𝑛𝑚 y 𝜖𝑀 = 1 − 𝜔𝑃 (𝑞)/𝜔2 . En este caso, la derivada parcial en la definición de los
coeficientes de acoplamiento electrón-plasmón se puede evaluar analíticamente, dando los
1
𝑒𝑃 (𝑞)
resultados de Ref.11, 𝑔𝑚𝑛 = (2𝜋𝑒 2 ℏ𝜔𝑃 (𝑞)/𝜖𝑜 𝑞 2 )2 12.