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TRANSISTORES
Un Semiconductor puede contaminarse de tal manera que se obtenga un cristal npn. Un cristal
como este (ver la Figura Nº 3.1), se denomina Transistor de Juntura. Las regiones n tienen una gran
cantidad de electrones en la banda de conducción, y las regiones p muchísimos huecos. Por tal razón, el
Transistor de Juntura se llama Transistor Bipolar.
n p n p n p
Emisor Emisor
Colector Colector
Base Base
a) b)
La figura Nº 3.1 a), muestra un cristal npn. El Emisor (llamado así, ya que es la fuente de la
mayor parte del flujo de portadores), esta fuertemente contaminado, su función es emitir o inyectar
electrones en la Base. Esta base (llamada así, por que era la base de la estructura original), está
levemente contaminada y es muy delgada, permitiendo el mayor paso de electrones que han sido
inyectados desde el emisor, los cuales van a dar al Colector. Este colector (llamado así por que “colecta”
la mayor cantidad de flujo de portadores), tiene una contaminación que esta entre la fuerte del emisor y la
suave de la base. Su función es colectar o reunir los electrones que vienen de la base. Esta región es la
mas grande de las tres, por que debe disipar mayor cantidad de calor que el emisor y la base.
Este transistor tiene dos junturas, una entre la base y el emisor y la otra entre la base y el
colector. Debido a esto el transistor es como dos diodos. El diodo de la izquierda se denomina diodo base
emisor o diodo del emisor. El diodo de la derecha es el diodo base colector o diodo del colector.
La figura Nº 3.1 b), muestra la otra posibilidad, el Transistor pnp. Este transistor es el
complemento del npn, esto quiere decir que las corrientes y los voltajes implicados en la operación del
transistor pnp, son opuestos al npn.
Existen varias formas de polarizar un transistor, pero para poder entender el concepto básico y
asociarlo con los diodos, se analizarán para empezar dos métodos, que son la polarización directa -
directa y la polarización inversa - inversa.
TRANSISTORES
UNIDAD III 2
n p n
- - - -
VBE VBC
+ + + +
a)
IE IC
- - - -
VBE VBC
+ + + +
b)
Figura Nº 3.2: Polarización FF;
a) Cto. Real, b) Cto. Eq.
La figura Nº 3.2 a) muestra la polarización Directa - Directa (FF), así llamada por que los diodos
del emisor y el colector están polarizados directamente. Los circuitos que excitan los diodos del emisor y
del colector pueden concentrarse como se muestran en la figura, o pueden representarse por circuitos
equivalentes de Thevenin. De cualquier forma, los portadores cruzan la juntura y fluyen hacia abajo por la
base hacia la conexión externa de la base como se muestra en la figura.
La figura Nº 3.2 b) muestra el circuito equivalente para la polarización FF. El voltaje Base -
Emisor VBE polariza directamente al diodo del Emisor y genera una corriente convencional IE, en forma
similar el voltaje VBC tambien polariza directamente al diodo del colector, causando con esto que fluya
una corriente convencional IC.
TRANSISTORES
UNIDAD III 3
n p n
+ + + +
VBE VBC
- - - -
a)
+ +
+ +
VBE VBC
- - - -
b)
Figura Nº 3.3: Polarización RR;
a) Cto. Real, b) Cto. Eq.
Otra posibilidad es polarizar en forma Inversa – Inversa (RR), al transistor, como lo muestra la
figura Nº 3.3 a), donde ambos diodos están polarizados inversamente. Para esta condición, fluye solo una
pequeña corriente compuesta por la corriente de saturación producida térmicamente y por la corriente de
fuga superficial. La corriente producida térmicamente es dependiente de la temperatura y se duplica
aproximadamente cada 10 ºC de aumento de la temperatura. Por otra parte, la corriente de fuga
superficial, se incrementa con el voltaje, sin embargo, ambas corrientes son despreciables.
La figura Nº 3.3 b) es el circuito equivalente para la polarización RR. Ambos diodos están
abiertos, a menos que VBE o VBC excedan los voltajes de ruptura de los diodos.
TRANSISTORES
UNIDAD III 4
RELACIONES IMPORTANTES
Algunas de las relaciones importantes para el análisis de los Transistores Bipolares son las
siguientes:
ALFA DE CC.
Decir que el 95 % de los electrones inyectados alcanzan el colector, es lo mismo que decir que
la corriente del colector es casi igual a la del emisor, la Alfa de CC del transistor indica que tan próximos
están los valores de las dos corrientes y se define así.
IC
α CC =
IE
BETA DE CC.
También se puede relacionar la corriente del colector con la de la base definiendo la Beta de
CC. de un transistor de la siguiente manera:
IC
β CC =
IB
IE = I C + IB
IE I
=1+ B
IC IC
O bien:
1 1
=1+
α CC β CC
α CC
β CC =
1 − α CC
TRANSISTORES
UNIDAD III 5
SIMBOLO ESQUEMATICO
IC
n
IB
p
n IE
La figura muestra el símbolo esquemático de un transistor npn. El emisor tiene una punta de
flecha y el colector no tiene. La flecha indica el sentido de la corriente convencional del emisor. En otras
palabras los electrones fluyen hacia dentro del emisor y salen de la base y el colector. Las corrientes
convencionales fluyen en las direcciones contrarias a los electrones como se muestra en la figura.
POLARIZACION DE BASE
IC Saturación
RC Q
I B > I B(SAT)
V CC I B = I B(SAT)
RC
IC
RB +
VCE
IB VCC IB )
-
+
VBB VBE Corte
-
IB = 0
0 V CC
VCE
a) b)
La figura muestra un ejemplo de la polarización de base. VBB, polariza directo el diodo del
emisor mediante el resistor limitador RB. Por ley de kirchhoff el voltaje en RB es VBB - VBE. Con esto, la Ley
de Ohm nos da la corriente de base que es:
TRANSISTORES
UNIDAD III 6
VBB − VBE
IB = ,
RB
Donde:
VCE = VCC − I C R C
En este circuito, dado que VCC y RC son constantes y VCE e IC son variables, la ecuación
anterior puede rearreglarse como sigue:
− VCE VCC
IC = + ,
RC RC
VCE = VCC − I C R C
VCE(CORTE) = VCC
VCC
IC(SAT ) ≅
RC
VCE = VCC − I C R C
Además:
TRANSISTORES
UNIDAD III 7
IC ( SAT )
IB ( SAT ) ≅ y
β CC
VCE = VCE(SAT),
Todos los puntos de operación entre el corte y la saturación se conocen como la región
activa del transistor.
EJEMPLO 3.1:
El 2N3904 de la figura, es un transistor de silicio con una βCC de 100 ¿qué mediría un
voltímetro de CC en los terminales Colector - Emisor?.
5 KΩ
1 MΩ
2N3904
20 V
10 V
El voltaje Colector Emisor, es igual al voltaje de la fuente de voltaje del Colector menos la caída
en el resistor del colector:
TRANSISTORES
UNIDAD III 8
EJEMPLO 3.2:
El 2N4401 de la figura, es un transistor de silicio cuya βCC es 80. dibújese la recta de carga de
CC. ¿dónde se encuentra el punto Q si RB = 390 kΩ?
+ 30 V
RB 1.5 KΩ
2N4401
Sabemos que:
= 20 [mA ]
VCC 30 V
IC( SAT ) ≅ =
RC 1. 5 K Ω
Y además:
IC
20 mA
6 mA Q
VCE
0 21 V 30 V
TRANSISTORES
UNIDAD III 9
(
VCE = VCC − IC R C = 30 − 6 10 −3 1.5 10 3 ) ( )
VCE = 21 V
+ VCC
R1 RC
+
VCE
-
+ +
R2 V2 RE VE
- -
Esta figura nos muestra un divisor de voltaje de polarización. El nombre “Divisor de Voltaje”, se
debe a que el circuito divide el voltaje mediante los resistores R1 y R2. el voltaje a través de R2 polariza
directamente al diodo del Emisor y la fuente VCC polariza inversamente al diodo del Colector.
R2
V2 = • VCC
R1 + R 2
TRANSISTORES
UNIDAD III 10
VE = V2 − VBE
V2 − VBE
IE =
RE
VC = VCC − I C R C
VE = IE R E
El voltaje colector emisor es:
VCE = VC − VE = VCC − IC R C − IE R E
VCE = VCC − I C (R C + R E )
Si circula mucha corriente por el colector, el transistor se satura, esto significa, idealmente, que
existe un cortocircuito entre los terminales del colector y emisor, donde:
VCC
IC( SAT ) ≅
R C + RE
Y además:
VCE(CORTE) = VCC
VCC
Por lo tanto, la recta de carga de CC intersecta el eje vertical en , y el eje horizontal
R C + RE
en VCC.
El punto Q siempre se encontrará en esta recta de carga, especificada por las siguientes
ecuaciones:
V2 − VBE
IE =
RE
VCE = VCC − I C (R C + R E )
TRANSISTORES
UNIDAD III 11
EJEMPLO 3.3
+ 30 V
20 KΩ 4 KΩ
2N3904
+
V2 10 KΩ 5 KΩ
-
= 3.33 [mA ]
VCC 30
IC( SAT ) ≅ =
R C + R E 9 KΩ
IC
3.33 mA
Q
1.86 mA
VCE
0 13.3 V 30 V
TRANSISTORES
UNIDAD III 12
• 30 = 10 [V ]
R2 10
V2 = • VCC =
R1 + R 2 10 + 20
V2 − VBE 10 − 0.7
IE = = = 1.86 [mA ]
RE 5 10 3
IC ≅ IE = 1.86 [mA]
( )
VCE = VCC − I C (R C + R E ) = 30 − 1.86 10 −3 ∗ 9 10 3 ( )
VCE = 13.3 [V ]
Con estas dos últimas ecuaciones se puede encontrar el punto Q en la recta de carga.
+ VCC
RC
RB
VCE
TRANSISTORES
UNIDAD III 13
VCC − VBE
IC =
RC + RB
β CC
VCE ≅ VCC − I C R C
R B = β CC R C
+ VCC
RC
RB RE
+ VEE
Figura Nº 3.13: Polarización del Emisor.
VEE
IE ≅
RE
TRANSISTORES
UNIDAD III 14
VCE ≅ VCC − I C R C
VCC + VEE
IC( SAT ) ≅
RC + RE
Una de las características principales de los transistores bipolares es su uso en amplificar una
señal pequeña.
Para entender mejor este tipo de amplificadores usando transistores utilizaremos un ejemplo
para introducir este tema.
Además se utilizará la Polarización por Divisor de Voltaje, la cual es la mas usada para
amplificar, dejando en claro que se pueden utilizar otras configuraciones.
EJEMPLO 3.4
9V
724 KΩ 2.4 KΩ C2
1 KΩ C1
2N2712
1.8 KΩ V0
V2
1 MΩ
Primero tenemos que calcular las condiciones de operación del transistor en corriente continua,
para lo cual utilizaremos las ecuaciones obtenidas de la figura Nº 3.15 del circuito de corriente continua:
TRANSISTORES
UNIDAD III 15
9V
724 KΩ 2.4 KΩ
2N2712
1 MΩ
• 9 = 5.22 [V ]
R2 1000
V2 = • VCC =
R1 + R 2 1000 + 724
R1 • R 2 724 • 1000
RB = = = 419.9536 KΩ
R 1 + R 2 724 + 1000
Con estos datos tenemos polarizado el transistor y tenemos el punto Q donde operará para
poder amplificar.
TRANSISTORES
UNIDAD III 16
Ahora utilizaremos el circuito equivalente en corriente alterna para poder calcular la ganancia
de voltaje, donde se entregaran las dos formulas fundamentales para poder llegar al resultado final.
C1 C2
1 KΩ
V1 β ib
724 KΩ 1 MΩ 1.28 KΩ 2.4 KΩ 1.8 KΩ V0
V1 R S R1 R2 rπ
ib = ∗
RS rπ
R1 • R 2 724 • 1000
RB = = = 419.9536 KΩ
R 1 + R 2 724 + 1000
1 • 419.9536
R E1 = = 0.9976 KΩ
1 + 419.9536
0.9976 • 1.28
R E2 = = 0.5606 KΩ
0.9976 + 1.28
561
i b = V1 ∗ = 4.3828 • 10 − 4 V1
1000 ∗ 1280
V0 = − β ∗ i b (R C RL )
2.4 • 1.8
RC RL = = 1.029 KΩ
2.4 + 1.8
TRANSISTORES
UNIDAD III 17
V0
= − 45.1
V1
Bueno el signo nos indica que el amplificador, nos está invirtiendo la señal de entrada.
Esta es una de las tantas aplicaciones del transistor Bipolar, la cual se entrega por ser una de
las mas importantes del punto de vista electrónico.
BIBLIOGRAFÍA
Malvino, Alvert.
Principios de Electrónica.
Boylestad, Robert.
Fundamentos de Electrónica.
Boylestad, Robert.
Electrónica: Teoría de Circuitos.
Apuntes Personales.
www.elprisma.com
www.universia.cl
TRANSISTORES