CIRCUITOS ELECTRONICOS

INFORME Nº5

DOCENTE: SUMOSO HUAMAN ANGEL ORLANDO

ALUMNOS:
 Auccapiña Gomez Pablo Raphael
 Barrionuevo Alcibia Daniel
 Delgado Tecsi Arturo
 Velille Barrios Luis Enrique

Villa El Salvador, 27 de junio del 2019

Lima - Peru
 EXPERIENCIA N° 5
ELTRANSITOR BIPOLAR NPN.CARACTERISTICAS BASICAS

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

 Comprobar las características de Funcionamiento de un
transistor bipolar NPN

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro
 Microamperímetro
 Miliamperímetro
 Cables de conexión diversos
 01 transistor 2N4646 o 2N3904
 Resistores: Re=220 Ω, Rc=1K Ω,R1=56K Ω, R2=22K Ω
 Condensadores: Ci=0.1µF, Co=0.1µ, Ce=3.3µF.
 Potenciómetro de 1MΩ (p1)
 01 computadora con Multisim
 III. INFORME

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de

un transistor bipolar.

Transistor NPN
Así es como funciona un transistor NPN:

A medida que aumenta la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se

activa cada vez más hasta que se conduce completamente desde el colector al emisor.
Y a medida que disminuye la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se
enciende cada vez menos, hasta que la corriente es tan baja, el transistor ya no
conduce a través del colector al emisor y se apaga.
Transistor PNP
Un transistor PNP funciona de manera totalmente opuesta.
A medida que la corriente se hunde desde la base (fluye desde la base hasta la tierra),
el transistor está encendido y conduce a través de la alimentación en la carga de salida.

Estos son los conceptos principales de los transistores NPN y PNP.

 2. De los manuales, obtener los datos de
los transistores bipolares: 2N3904, AC127,
25C784Y, TR59 y 2N2222.
3. Realizar el análisis teórico de los circuitos
mostrados Determinar el punto de operación del
circuito del experimento.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados,

realizar la simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere
todos los casos indicados en el paso 3. Llenar los valores
correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5

Verificar el estado operativo del transistor, usando la función ohmímetro del

multímetro. Llene la tabla 5.1
Tabla 5.1
Resistencia Directa Inversa
Base – Emisor 2.781 2.790
Base – Colector 3.762 3.50
Colector – Emisor 682.817 682.591
2. Implementar el circuito de la figura 5.1

Figura 5.1

a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic), el emisor (Ie) y la
base (Ib) cuando el potenciómetro P1 está ajustado para tener una
resistencia de 0Ω.
b. Medir las tensiones entre el colector–emisor (Vce), entre base–emisor
(Vbe) y entre emisor–tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en
la tabla 5.3
e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ.
Observar lo que sucede con las corrientes Ib y con la tensión Vc (usar
Re=0) llenar la tabla 5.4.
f. Ajustar el generador de señales a 50mV pp, 1KHz, onda sinusoidal.
Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.

Tabla 5.2
Valores (R1=56KΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos 7.7 74 67 2.701 0.54 1.693
Simulados 7.65 76.870 69.250 2.702 0.8 1.692
Medidos 7.72 77.04 69.4 2.801 0.6 1.701
 Tabla 5.3
Valores (R1=68KΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe V
e
Teóricos 6.2 63.101 56.901 4.22 0.54 1.393
Simulados 6.241 63.086 56.842 4.84 0.62 1.381
Medidos 6.4 63.201 57.02 4.9 0.72 1.401

Tabla 5.4
Valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(u Vce
A)
Teóricos 2.1 22 17.8 9.43
P1 = 100KΩ Simulados 1.974 19.961 17.983 9.587

Medidos 2.3 20.2 18.01 9.8

Teóricos 0.44 4.40 4 10.7
P1 = 250KΩ Simulados 0.42 4.340 3.911 10.624
Medidos 0.49 4.42 4.01 10.7
Teóricos 1.02 10.8 9.90 10.70
P1 = 500KΩ Simulados 1.077 10.876 9.8 10.685

Medidos 1.123 10.94 9.9 10.700

Teóricos 0.55 5.8 5.30 11.100
P1 = 1MΩ Simulados 0.571 5.840 5.263 11.295
Medidos 0.3 5.6 5.1 11.3

V. CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el multímetro en función ohmímetro.

Un transistor puede ser BIPOLAR, FET, MOSFET,etc

Para testearlos tenemos que saber que tipo de transistor es.
Por ejemplo, un transistor bipolar puede ser simple o tener integrado un diodo
damper y tambien puede tener integradas resistencias o ser un darlington (dos
transistores en cascada) y al medir la continuidad nos dará una medida diferente al
transistor unipolar simple lo cual nos puede confundir si no conocemos las clases
de transistores que existen.
2. Representar la recta de carga en un grafico Ic vs Vce del circuito del
experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y
5.4.
3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?

En saturación.
 4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R 1 a 150KΩ?
5. Explicar los valores e indicar el valor teórico.

6. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP)

Dado que la asignación de tensión es diferente, la forma en que funciona el flujo de

corriente para activarlos es diferente. Un transistor NPN está alimentado cuando se
suministra una corriente suficiente a la base del transistor. Por lo tanto, la base de un
transistor NPN debe estar conectada a una tensión positiva para corriente a flujo en la
base. Un transistor PNP es lo opuesto. En un transistor PNP, la corriente fluye fuera de la
base (corriente negativa a la base) dando a la terminal de base una más negativa (una
inferior) tensión que lo que es suministrado al terminal emisor. Mientras el voltaje en el
terminal base es menor que en el terminal emisor en un transistor PNP, la polarización
correcta y la corriente negativa efecto se logrará.

Otro concepto que diferencia los transistores NPN y PNP es que dado que el voltaje se
asigna de manera diferente, tienen corrientes de corriente opuestas en la salida. En un
transistor NPN, la corriente de salida fluye desde el colector al emisor. En un transistor
PNP, la corriente de salida fluye desde el emisor al colector.
 .

VI. OBSERVACIONES

 Si no se obtiene los dispositivos con las medidas cercanas

Tratar de aproximar o obtener valores similares.
 Mantener los instrumentos perfectamente calibrados para su mejor medición.
 Tratar de analizar el punto de trabajo y realizar minuciosamente la zona de corte,
activa o saturación.

VII. BIBLIOGRAFÍA

http://www.learningaboutelectronics.com/Articulos/Diferencia-entre-transistores-NPN-y-
PNP.php

http://karengonzaleztorres.blogspot.com/2012/09/zona-de-trabajo-de-los-transistores.html

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/regionestrabajo.html

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.html