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INTRODUCCION
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de
Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más
corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas
fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina cuándo el
rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente
sólo la polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo. En la región de conducción
la resistencia dinámica el SCR es típicamente de 0.01 a 0.1
Material a utilizar
-Computadora
-software multisim
Objetivo
Familiarizar al estudiante con el uso del scr asi como su comportamiento mediante la
simulacion en el software multisim.
Desarrollo de la practica
Se procedio a armar el siguiente circuito en multisim para empezar a familiarizarnos con el
uso del scr.
Ya que tenemos el circuito armado procedemos a conectarle el osciloscopio. podemos
observar que el canal 1 esta directo a la fuente, el canal 2 a la puerta del scr y el canal
numero 4 a la resistencia que se observa.
Podemos observar que para medir el tiempo situamos los cursores verdes del canal 4 en
los extremos de la onda que da el scr obteniendo delta = 4.13ms..
Tambien se puede observar que al cambiar los valores de tiempo en la fuente de pulso la
onda en la puerta sufre modificaciones cambiaremos a 4 msec. para observarlo
ahora medimos la señal en el canal 2 es decir la puerta del scr. Nos da un delta =3.91
Podemos observar que a 4 msec la señal es mas amplia en la puerta del scr. y si vamos
subiendo los msec esta se va ananchando cada ves mas. cambiamos a 7 msec para
confirmarlo. arrojandonos que delta = 6.96