LABORATORIO DE ELECTRÓNICA1

PRACTICA Nº 2
El Diodo. Estudio del componente

Objetivos:
1. Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el
cátodo (zona N) y el ánodo (zona P).
2. Realizar un circuito eléctrico con un diodo y comprobar
prácticamente su comportamiento ante la tensión y su polaridad.
3. Comprobar la curva característica Tensión-Corriente de un diodo.

Material necesario:

Esta práctica se realizará en equipos de 3 ó 4 alumnos por equipo. Cada

Equipo de trabajo requiere el siguiente material:

• Un protoboard mediano.
• 1 fuente de alimentación.
• 1 resistencia de 1000 Ohm, 1/4 de watt.
• 1 potenciómetro de 1 K.
• 1 resistencia de 180 Ohm, 1/4 de watt.
• 1 diodo de silicio 1N4007.
• 1 diodo de germanio 1N34A.
• 1 multímetro.

Objetivos de la práctica

Comprobar el estado de un diodo semiconductor e identificar el cátodo

(zona
N) y el ánodo (zona P).

Materiales necesarios

Un multímetro analógico, un diodo de Ge “1N2222”, un diodo de Si

“1N3904”.

Consideraciones generales
1. Para la verificación del normal funcionamiento de un diodo se realiza
una prueba con un óhmetro, previa identificación de la polaridad de las
puntas de prueba. En sentido directo la resistencia media es del orden
 de 10 a 30: con polarización inversa se pueden observar lecturas de 200
a 300 K: para el germanio y de varios M: para el silicio. El óhmetro ha de
proporcionar suficiente intensidad para polarizar el diodo, siendo
preferible la utilización de multímetros analógicos.

2. En el diseño de circuitos habrá que seleccionar un tipo de diodo cuya

tensión máxima aplicable en sentido inverso (VRmáx) sea mayor (del
orden de tres veces) que la máxima que se espere aplicarle en su
funcionamiento.

3. El circuito exterior debe limitar la intensidad IF, ya que ha de ser inferior a

la IFmáx indicada por el fabricante.

4. La potencia disipada por el componente es conveniente limitarla a la

mitad de la potencia nominal. Toda disipación de potencia genera
calor, aumento de temperatura, lo que provoca el aumento de la
corriente inversa.

5. El diodo de germanio se utiliza en detección de bajas señales, el diodo

de silicio se utiliza en el resto de los casos.

Desarrollo de la práctica

1. Comprobación del estado de un diodo

a) Con el multímetro preparado para medir ohmios, colocar sus puntas
de prueba sobre los extremos de un diodo y anotar el resultado de la
medición.
b) Seguidamente repetir la medida, intercambiando las puntas del
multímetro, para averiguar la resistencia directa (baja) y la
resistencia inversa (alta).
c) Registrar los resultados:

DIODO Resistencia Resistencia

2N2222 directa inversa
DIODO Resistencia Resistencia
2N3904 directa inversa

En el caso de que, en las dos mediciones, se obtenga una resistencia baja

o nula, el diodo estará en cortocircuito (defectuoso). Si la resistencia en
ambas medidas es alta, el diodo se encuentra a circuito abierto
(defectuoso).

2. Identificación de los terminales de un diodo

Normalmente, sobre la cápsula del diodo, el fabricante imprime una línea

o marca en el extremo del diodo, indica el CÁTODO tal como observamos
en la siguiente figura (encapsulado diodo 1N4007, Fairchild
Semiconductor©):

Para identificar los terminales de un diodo con el multímetro analógico,

colocar las puntas de prueba sobre sus extremos, de tal manera que la
resistencia que indique el instrumento sea baja (polarización directa).

El extremo del diodo conectado a la punta roja (por la que sale el

negativo de la pila interna del multímetro analógico) corresponde al
cátodo o zona N, mientras que el conectado a la punta negra (positivo de
la pila interna) es el ánodo o zona P.

NO DATA
DC V

punta punta
negra D1 roja
DIODE

anodo catodo

Comprobar en la práctica como coincide la zona que señaliza el cátodo

en los dos diodos propuestos: 1N34A y 1N4007.
 II-COMPORTAMIENTO DEL DIODO

Objetivos de la práctica

Realizar un circuito eléctrico con un diodo y comprobar en la práctica su

comportamiento ante la tensión y su polaridad.
Materiales necesarios

Un multímetro, un diodo de GERMANIO, un diodo de SILICIO, una

resistencia de 180: y una alimentación de c.c. de 5 V de tensión.

Desarrollo de la práctica

1. Comportamiento del diodo polarizado directamente

Realizar el montaje del circuito eléctrico de la figura y rellenar los valores

de las dos tensiones y la intensidad que se indican en la tabla de la misma
figura.

R1 D1
100 DIODE

V1
5V
+

Vres Vdiodo Ir
DIODO 1
DIODO 2

2. Comportamiento del diodo polarizado inversamente

Montar el circuito de la figura (cambiar los polos de la alimentación) y

rellenar los valores de la tabla.

R1 D1
100 DIODE

V1
5V
+
 Vres Vdiodo Ir
DIODO 1
DIODO 2

III-CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO

Objetivos de la práctica

Obtener la curva I-V característica de un diodo.

Materiales necesarios

Un multímetro, un diodo de Si 1N4007 (D1), una resistencia de 1 K: (R1), un

potenciómetro de 1 K: (P1) y una alimentación de c.c. de 9 V de tensión.

Esquema del montaje

D1
DIODE

+ V1
9V 1k 40%
R1
100

Desarrollo de la práctica

1. Regular P1 para que Ve sea lo más próximo a 0 V; luego completar la

tabla siguiente:

Ve 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,6 2 2,6 3 3,6 4 4,6 6 6,6 7 7,6 8
Id
VD1
VR1

Id: intensidad de corriente continua en el circuito.

VD1: tensión en los extremos del diodo.
VR1: tensión entre los bornes de la resistencia.

2. Cambiar los terminales del diodo (polarización inversa) y completar la

tabla de la figura
Ve 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,6 2 2,6 3 3,6 4 4,6 6 6,6 7 7,6 8
Id
VD1
VR1

3. Con los datos de las tablas anteriores construir la gráfica I-V del diodo
(eje vertical: I, eje horizontal: V).