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CONVERSORES DE FREQUÊNCIA

5.1 - INTRODUÇÃO

Ao aplicar vários sinais sinusoidais com uma amplitude qualquer, à entrada de um circuito
linear, apenas se obtém na saída sinais com as mesmas frequências dos sinais de entrada. Do
mesmo modo, se forem aplicados vários sinais sinusoidais, mas de pequena amplitude, a um
circuito não linear, só se obtêm na sua saída, sinais de frequências idênticas às dos sinais de
entrada. Isto acontece enquanto o ponto de funcionamento dinâmico, comandado pela amplitude
dos sinais de entrada, se mantiver numa zona onde a característica não linear pode ser aproximada
por uma recta.
A obtenção de harmónicas dos sinais aplicados (multiplicação de frequência), bem como de
sinais de frequência igual a combinações lineares das frequências dos sinais aplicados e das suas
harmónicas (mistura de frequências) surge em circuitos não lineares quando a amplitude de pelo
menos um dos sinais não permite a aproximação atrás referida. A multiplicação ou a mistura de
frequências depende do grau da não linearidade do circuito e do nível dos sinais de entrada que
comandam a excursão do ponto de funcionamento.
A existência de conversão de frequência está portanto estritamente ligada às características
de não linearidade e de amplitude dos sinais.

5.2 - NÃO LINEARIDADE E SINAL FORTE


Consideremos um circuito cuja não linearidade da sua característica de transferência se
explicita analiticamente pela expressão polinomial:

v S = VO + Av E + Bv E 2 + Cv E 3 + ... (5.1)

onde vE e vS são as tensões de entrada e saída, respectivamente.


Se a excursão do sinal de entrada ve, sobre a característica de transferência vS(vE) (figura
5.1), em torno de um ponto de funcionamento em repouso VE, for pequena, o arco A1B1 descrito
pode ser aproximado por uma recta tangente. Nestas condições, só é necessário, em (5.1), ter em
conta o termo de primeira ordem do polinómio. Para se obter a componente dinâmica da tensão de
saída, vs=vS-VSO, a partir da tensão de entrada, tem-se a relação: vs=Ave. O conceito de sinal fraco
está associado a este tipo de comportamento, sendo A o ganho de tensão em sinais fracos do
circuito linear.
5.2 Capítulo 5
Se a amplitude Ve da tensão de entrada suposta sinusoidal, ve=Vecosωet, aumentar de modo
a que a excursão do sinal se afaste da tangente à característica de transferência no ponto de
funcionamento em repouso (por exemplo arco A2B2), o número de termos do polinómio a ter em
consideração para uma análise precisa aumenta, aparecendo assim na saída harmónicas de fe
(multiplicação de frequências). Este comportamento traduz o conceito de sinal forte.

VO(V)

B2

B1
A1
A2

vE(V)

Figura 5.1 - Característica de transferência de um circuito não linear

Se considerarmos o sinal de entrada com amplitude suficiente para se ter de considerar a não
linearidade da característica de transferência até à 3a ordem, a tensão de saída vem dada por:
B 3C 3 B C
VS = VSO + Ve2 + (AVe + Ve ) cos ω e t + Ve2 cos 2ω e t + Ve3 cos 3ω e t (5.2)
2 4 2 4

Esta expressão põe em evidência o aparecimento das harmónicas de 2a e 3a ordem, assim como a
variação da componente contínua e do ganho à frequência fundamental, em relação ao
funcionamento em sinais fracos. Estes fenómenos são característicos do funcionamento em sinais
fortes.

5.3 - CIRCUITOS MISTURADORES: DEFINIÇÕES


O conceito de misturador pode ser introduzido a partir do estudo dum simples multiplicador.
Este facto está ilustrado na figura 5.2, que mostra um multiplicador analógico ideal em cujas
entradas são aplicados dois sinais sinusoidais. O sinal aplicado na entrada de RF (rádio-frequência)
tem uma frequência de portadora ωe e tem a amplitude modulada pela função A(t). O sinal aplicado
na outra entrada, OL (oscilador local), é um sinal não modulado de frequência ωP. Recorrendo a
relações trigonométricas simples determina-se o sinal de saída que é constituído por dois sinais

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Capítulo 5 5.3
modulados, um com frequência da portadora igual à soma e outro igual à diferença das frequências
dos sinais de entrada.
MULTIPLICADOR

RF FI FILTRO
A(t)cosωet PASSA-BAIXO
A(t)cos(ωe-ωp)t
OL
cosωpt

A(t)cosωetcosωpt=A(t)/2[cos(ωe-ωp)t+cos(ωe+ωp)t]

Figura 5.2 - Um multiplicador é um misturador: a frequência diferença resulta do


produto de duas sinusóides

No entanto, não é necessário um multiplicador ideal para realizar esta operação. Em muito
altas frequências, a conversão de frequência dum sinal contendo informação é em geral obtida por
variação periódica das características de transferência de dispositivos não lineares. Para que não se
destrua a informação a conversão deve processar-se com um mínimo de distorção, dentro de uma
certa gama dinâmica.
A mistura é usada indiferentemente para transferir informação de uma frequência dita baixa
para uma frequência elevada (frequência soma), caso dos conversores dos emissores, como de uma
frequência dita alta para uma frequência mais baixa (frequência diferença), caso dos misturadores
dos receptores.
Na maior parte dos casos a conversão realiza-se para beneficiar:
1 - Em altas frequências, das boas condições de propagação, da maior disponibilidade do espectro
rádio-eléctrico, da redução das dimensões das antenas;
2 - Em baixas frequências, das largas possibilidades do tratamento de sinal (áudio, vídeo ou
dados), com elevada fiabilidade, menor complexidade, circuitos com elementos concentrados e
monolíticos (VLSI) que conduzem a menor custo e volume (comunicações móveis e espaciais).

5.3.1 - Princípio de funcionamento


Quando são aplicados dois sinais sinusoidais (frequências f1 e f2) a um circuito não linear
(figura 5.3), obtem-se na saída um conjunto de sinais cujas frequências são combinações lineares
das frequências dos sinais de entrada |mf1+nf2| com m,n=-∞,...,-1,0,1,...,∞. Se a um circuito com a
função de transferência (1) se aplicar um sinal VE=V1cosω1t+V2cosω2t com amplitude suficiente
para ter de se considerar a não linearidade da característica de transferência até à segunda ordem, a
tensão de saída vem dada por:
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5.4 Capítulo 5

VS = VSO +
2
[
B 2
] [ ]
V1 (1 + cos 2ω1t ) + V22 (1 + cos 2ω 2 t ) + A V1 (1 + cos ω1t ) + V2 (1 + cos ω 2 t ) +

+ BV1V2 cos(ω1 + ω 2 ) t + BV1V2 cos(ω1 − ω 2 ) t (5.3)

Um filtro na saída selecciona a frequência desejada, geralmente igual à soma ou à diferença das
frequências de entrada.
Para se obter os produtos de intermodulação, pelo menos um dos sinais terá que ter
amplitude suficiente para assegurar o funcionamento em sinais fortes. Em receptores, o sinal forte é
proveniente do oscilador local (OL) enquanto o sinal de rádio-frequência (RF) é fraco. O sinal de
saída é denominado sinal de frequência intermédia (FI). Em emissores, o sinal de entrada FI
também pode ser forte já que o importante é obter uma certa potência disponível, na saída de RF e
não um ganho elevado.
fFI=fRF-fOL (5.4)

Por forma a facilitar a filtragem (figura 5.3), o ponto de funcionamento em repouso e a


excursão sobre a característica não linear, devem ser tais que os produtos de intermodulação de
ordem superior à 2a sejam desprezáveis, nomeadamente os que surgem próximos do sinal de saída.

fRF Elemento não linear Filtro fFI


fOL

Figura 5.3 - Esquema de um misturador

Um problema comum a todos os circuitos misturadores em receptores é a resposta a


frequências espúrias, isto é, o aparecimento na saída de sinais de frequência intermédia obtidos por
batimento com frequências diferentes da frequência de RF. Estas frequência podem vir: (1)
directamente da antena se não houver amplificador de RF sintonizado; (2) do amplificador de RF se
ele tiver distorção; (3) ser produzidos no próprio misturador; (4) ser atribuídos às harmónicas do
oscilador local.

fFI/2 fFI fRF/2 fIM fOL fRF 2fOL-fFI 2fOL 2fOL+fFI


ou
fRF+fOL

Figura 5.4 - Espectro dos sinais espúrios que podem produzir na saída do misturador sinais de
frequência intermédia

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Capítulo 5 5.5
A figura 5.4 ilustra algumas destas frequências espúrias. As frequências "desejáveis" são a
frequência do oscilador local fOL, a frequência de recepção fRF, e a frequência intermédia fFI.
As maiores fontes de interferências indesejáveis são as seguintes:
1 - Um sinal de frequência
fIM=2fOL-fRF=fOL-fFI (5.5)

quando presente na entrada, é convertido para a saída num sinal de frequência intermédia,
portanto indiscernível do sinal proveniente da conversão do sinal de RF. Este sinal é denominado
frequência imagem pois ao considerar-se fOL como referência, é simétrico do sinal de RF
(fFI=fOL-fIM=fRF-fOL). Deste modo, sempre que haja a possibilidade de surgir na entrada de um
misturador um sinal de frequência fIM, deve-se colocar na entrada um filtro de rejeição de
frequência imagem.
2 - Também um sinal na entrada de frequência fFI, aparece na saída, devido à amplificação normal.
3 - Um sinal de entrada fRF/2 pode ser duplicado e combinado com fOL produzindo fFI na saída.
4 - Um sinal de entrada fFI/2 pode ser duplicado pelo misturador e aparecer na saída.
5 - Finalmente, se o oscilador local apresentar uma segunda harmónica elevada ou se o misturador
a gerar, o seu batimento com 2fOL±fFI produz fFI na saída.
O misturador deve ter na entrada um circuito de acoplamento que combina os sinais de RF e
OL, antes de os aplicar ao dispositivo não linear. Esse circuito é um transformador ou, em
microondas, um acoplador híbrido que, adicionalmente, isola as duas entradas.

5.3.2 - Tipos de misturadores. Apresentação geral


A característica não linear dum misturador pode ser obtida por variação periódica da
condutância dinâmica g(t) (misturadores resistivos) ou da reactância dinâmica c(t) (misturadores
paramétricos) de díodos (misturadores passivos) ou de transístores (misturadores activos). Nos
misturadores activos a mistura pode ainda ser obtida da variação periódica da característica de
transferência tensão/corrente do transístor (misturadores de transferência).
Pode ainda considerar-se, como caso extremo da variação da característica não linear, a
situação em que a condutância g(t) tem apenas dois valores, correspondentes ao estado de corte
(g(t)=0) ou condução (g(t)=∞) do dispositivo não linear (misturadores por comutação).
Consoante o número de dispositivos não lineares que utilizam podem-se classificar os
misturadores em três tipos:
1 - Misturador simples, quando tem só um dispositivo não linear (figura 5.5);
2 - Misturador simplesmente equilibrado com dois elementos não lineares (figura 5.6);
3 - Misturador duplamente equilibrado com quatro dispositivos não lineares (figuras 5.7).
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5.6 Capítulo 5
O aumento do número de componentes permite eliminar, por cancelamento, produtos de
intermodulação de ordem superior, e melhorar a característica de conversão, embora à custa de
maiores níveis de potência de oscilador local.

DC

OL FI
Malha de ENL Filtro
Acoplador adaptação passa-baixo
RF
cc de FI

Figura 5.5 - Misturador simples

Misturadores equilibrados
Os misturadores equilibrados em altas frequências utilizam geralmente transformadores ou
acopladores híbridos (microondas) que permitem que os dispositivos não lineares sejam excitados
por sinais em quadratura ou em oposição de fase e assim cancelar alguns dos produtos gerados.

A
C
OL O ENL FILTRO
P
L + FI
A
RF D ENL FILTRO
O
R

Figura 5.6 - Misturador simplesmente equilibrado

OL Acoplador X Acoplador RF
ou FI ou
Transformador
X Transformador

X - Misturador simplesmente equilibrado

Figura 5.7 - Misturador duplamente equilibrado

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Capítulo 5 5.7
Misturadores simplesmente equilibrados
A simetria da estrutura equilibrada pode proporcionar ao misturador as seguintes
propriedades:
1- O ruído gerado pelo oscilador local não aparece nos terminais de frequência intermédia;
2- Melhor isolamento entre as entradas, uma vez que os sinais de OL e de RF entram por portos
diferentes;
3- Eliminação, por cancelamento, de alguns produtos de intermodulação gerados, facilitando-se a
filtragem. No caso de o misturador usar um acoplador de 180°, todas as harmónicas pares do
oscilador local são suprimidas.

Misturadores duplamente equilibrados


Com estes misturadores, além das vantagens mencionadas para os simplesmente
equilibrados, consegue-se o anulamento de maior número de produtos de intermodulação e um
melhor isolamento RF-OL. No caso dos acopladores serem de 180°, todas as harmónicas pares do
oscilador local e do sinal de RF são suprimidas. No entanto, o aumento do número de componentes
tem as seguintes desvantagens:
1 -O ganho total pode diminuir devido a perdas nos transformadores ou nos acopladores;
2 - A complexidade tecnológica aumenta:
3 - O custo torna-se mais elevado.

Misturadores com rejeição da frequência imagem


Já foi mencionado que dois sinais de RF, (fRF=fOL±fFI), produzem na saída de um misturador
a mesma frequência fFI, quando misturados com um oscilador local de frequência. FOL. Estes dois
sinais podem ser vistos como a banda lateral superior (USB - fRF=fOL+fFI) e a banda lateral inferior
(LSB - fRF=fOL-fFI) de fOL quando modulado por fFI. O sinal desejado pode ser selecciondo,
arbitrariamnete, como USB ou LSB. O misturador de rejeição da frequência imagem da figura 5.8 é
utilizado para isolar estes dois sinais em dois portos separarados. Quando usado em emissão ou
como modulador, consegue-se obter, com este misturador, um sinal de saída em banda lateral única
Com este tipo de misturador consegue-se obter rejeição da frequência imagem e isolamento
entre portos da ordem dos 20dB.

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5.8 Capítulo 5

RF Acoplador X Divisor de Acoplador LSB


de 90° potência OL de 90°
-3dB USB
X

X - Misturador simplesmente equilibrado

Figura 5.8 - Misturador de rejeição da frequência imagem

Misturadores por comutação


Para obter mistura por comutação é necessário ter um nível de OL tal que a forma de onda
no dispositivo seja praticamente quadrada. Em circuitos de microondas não é usual este tipo de
misturadores, pois não é fácil conseguir osciladores com elevada potência e baixa distorção
harmónica.

5.4 - GRANDEZAS CARACTERÍSTICAS DOS MISTURADORES


Embora se especifique para um conversor dum receptor as definições são facilmente
generalizáveis.

5.4.1 - Ganho de conversão


Num misturador, a característica de desempenho mais importante é o ganho de conversão,
GC, que dá conta de eficácia da conversão, e que se define como o quociente entre a potência
entregue à carga à frequência intermédia, PcFI, e a potência disponível do gerador do sinal de rádio
frequência presente na entrada, PdRF.
É usual expressar-se o ganho de conversão em dB:

PcFI
G C (dB) = 10 log (5.6)
PdgRF

Num misturador, mesmo no caso dum multiplicador ideal, uma das bandas convertida é
suprimida, o que provoca a perda de metade da potência convertida (-3dB). Em geral, esta perda é
ainda maior devido à potência convertida em produtos de mistura indesejáveis, a desadaptações nas
entradas e saída do misturador, a potência perdida por efeito de Joule (resistências série nos díodos
e transístores) e a potência radiada.

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Capítulo 5 5.9
5.4.2 - Factor de ruído
O factor de ruído já foi definido no Capítulo 3. Para ter uma ideia da importância do factor
de ruído de um misturador, note-se que os receptores modernos funcionam com sinais de entrada de
muito baixo nível, e que o ruído acrescido pelos componentes do sistema tende a deteriorar a
inteligibilidade desses sinais. Assim, um aumento do factor de ruído global de 3dB teria de ser
compensado com um aumento para o dobro do ganho da antena de recepção ou da potência de
emissão, o que modificaria a concepção do sistema e o seu custo, uma vez que o misturador é um
dos primeiros blocos duma cadeia de recepção.

5.4.3 - Relação de onda estacionária


A relação de onda estacionária caracteriza a desadaptação entre os portos do misturador e os
restantes componentes do sistema. Ela depende fundamentalmente do nível do sinal de oscilador
local, que impõe o funcionamento dinâmico do componente não linear, modificando portanto as
"impedâncias" que o misturador apresenta.
A relação de onda estacionária define-se em cada porto "i" do misturador, como em (1.24):

1+ ρ
ROE∆ (5.7)
1− ρ

com o factor de reflexão ρ definido como:

Z − ZO
ρ∆ ei (5.8)
Z ei + Z O

em que Zei é a impedância desse porto do misturador à frequência de trabalho (FI, RF ou OL).1

5.4.4 - Isolamento
O isolamento define-se como as perdas de inserção entre quaisquer dois portos do
misturador, a uma dada frequência. O seu valor é função do nível de oscilador local. Em geral, o
isolamento OL-RF e OL-FI são os únicos mencionados, uma vez que o sinal de OL é muito
superior ao de RF. O isolamento RF-FI só é importante se o nível de RF ou de FI for tal que
subsista na saída com valor comparável ao de OL (misturadores para emissores).

5.4.5 - Gama dinâmica

1
Em misturadores utilisa-se a noção generalizada de impedância (e factor de reflexão) para circuitos não lineares,
definida como o quociente entre a amplitude complexa das componentes da tensão e da corrente (da onda reflectida e
da onda incidente, a uma dada frequência num dado porto.
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5.10 Capítulo 5
A gama dinâmica de um misturador define-se, tal como em amplificadores, como a variação
permitida ao sinal de RF para a qual se verificam as especificações mínimas do misturador.
Geralmente, o mínimo sinal que o misturador pode processar corresponde ao caso de ter à saída a
relação sinal-ruído mínima:
S 
S i min = FN i  o  (5.9)
 N o  min

O limite máximo da potência na saída corresponde ao ponto de compressão a 1dB do ganho, de


conversão. Um misturador possui, para potências de entrada reduzidas, ganhos de conversão quase
constantes. Ao aumentar-se o nível de RF, a característica PFI=f(PRF) satura. O nível de RF que
corresponde a uma redução de 1dB no nível de FI, obtido por extrapolação do comportamento
linear da característica PFI=f(PRF), chama-se ponto de compressão a 1dB. De notar que, para além
de depender da característica não linear do dispositivo misturador e da sua polarização, o valor do
ponto de compressão a 1dB está também ligado ao nível de injecção de OL.
Na prática, quando é necessário aumentar a potência de saída de um misturador, tem de se
aumentar o nível de sinal do oscilador local, pois tem de se usar circuitos com mais de um
dispositivo em topologias equilibradas ou duplamente equilibradas de modo a dividir o sinal de OL
e de RF, recombinando na saída o sinal de FI.

5.5 - MISTURADORES ANALÓGICOS A DÍODOS

5.5.1 - Caracterização não linear do díodo


Os díodos mais utilizados em misturadores de alta frequência são os díodos de Schottky.
Eles são escolhidos pela sua relação corrente-tensão exponencial (fortemente não-linear) e pela sua
rapidez de comutação (alguns pico segundos), o qual permite a sua utilização em frequências
superiores a 100GHz [5.1].
O esquema equivalente de um díodo de Schottky, tendo em conta os efeitos parasitas do
encapsulamento, está representada na figura 5.9.
iD

gJ RS LP
vJ CJ CP vD
YJ

Figura 5.9 - Modelo do díodo Schottky em sinais fortes

A corrente iJ relaciona-se com a tensão aos terminais da junção pela relação clássica:
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Capítulo 5 5.11
 vJ 
 ηVT 
i J = IS  e − 1 (5.10)
 
 

e a condutância dinâmica g(vJ) obtem-se a partir de (5.10):

IS  ηVT 
vJ
∂i J
g( v J )∆ = e  (5.11)
∂vJ ηVT  

A capacidade da junção, C(vJ), no caso do díodo de Schottky, é essencialmente a capacidade


da zona de carga espacial (Ct) e vem dada por [5.2]:

CJO
CJ = (5.12)
1 − v j / φ bi

Os elementos extrínsecos, RS (resistência série), LP (bobina parasita) e CP (capacidade


parasita), são lineares e dependem só da geometria do dispositivo e do material em que foi
fabricado.

5.5.2 - Excitação monotonal em sinais fortes


No caso geral o díodo está polarizado por uma tensão contínua (VD) e é excitado por dois
sinais (vE e vOL), como se apresenta na figura 5.10. Vamos considerar numa primeira análise vE=0.
iD

vOL ~
vE ~ VD

Figura 5.10 - Misturador a díodo simples

Em baixas frequências e desprezando os elementos extrínsecos, a corrente no díodo, iD, é


igual à corrente na junção, iJ.
 V + v OL  
i D = i J = I S  D  − 1 (5.13)
 η VT  

Fazendo vOL=VOLcos(ωOL t) em (5.13) e admitindo que em sinais fortes iJ>>IS obtem-se:

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5.12 Capítulo 5
 VD  V 
i D ~I S exp  exp OL cosω OL t (5.14)
 ηVT   ηVT 

A exponencial de um coseno pode ser desenvolvida em série usando a expansão de Jacobi-


Anger:

 VD   ∞ 
i D ~I S exp   I 0 ( x OL ) + 2∑ I n ( x OL ) cos( nω OL t )  (5.15)
 ηVT   1 

em que xOL=VOL/ηVT e In(xOL) são as funções de Bessel de 1ª espécie, de ordem n e argumento xOL.
Para valores de xOL>>1 (isto é para valores de VOL maiores do que 25mV) são válidas a expressões
aproximadas [5.3], [5.4]:

1  1
I 0 ( x) =  1 +  exp( x) (5.16)
2 πx  8 x 

1  1 − 4n 2 
I n ( x) = 1 +  exp( x) (5.17)
2 πx  8x 

5.5.3 - Excitação ditonal em sinais fortes


Considerando agora vE=VEcos(ωEt), a tensão aos terminais do díodo (figura 5.10) é dada
por:

vD=VD+ vOL+ vE (5.18)

e a corrente no díodo (5.13) tem agora o seguinte valor:

 VD   V  V 
i D ~I S exp   exp E cosω E t exp OL cosω OL t (5.19)
 ηVT   ηVT   ηVT 

isto é:

 V  ∞  ∞ 
i D ~I S exp D  I 0 ( x E ) + 2∑ I m ( x E ) cos( mω E t )  I 0 ( x OL ) + 2∑ I n ( x OL ) cos( nω OL t ) 
 ηVT   1   1 
(5.20)
A análise da expressão (5.20) mostra que o espectro de iD contém ±mE±nOL frequências em
que m e n são inteiros e variam entre 0 e ∞.

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Capítulo 5 5.13
5.5.4 - Excitação ditonal sinal forte/sinal fraco

Na maioria dos misturadores apenas o sinal do oscilador local é forte. O sinal de entrada, vE
ao qual temos chamado sinal de RF (vRF) pode-se considerar como uma perturbação do regime
periódico descrito em 5.4.2 e a corrente no díodo toma agora o seguinte valor:

 VD   ∞ 
i D ~I S exp
 ηVT 
[ ]
 1 + x E cos(ω E t ) I 0 ( x OL ) + 2∑ I n ( x OL ) cos( nω OL t )  (5.21)
 1 

onde se simplificou a expressão (5.20) usando as propriedades das funções de Bessel de 1ª espécie
com argumentos x<<1 (isto é para vRF<<25mV):

I1 ( x) x
I 0 ( x) ≅ 1 e ≅ (5.22)
I 0 ( x) 2

Neste caso as frequências de mistura são geradas a partir do sinal de entrada e das harmónicas do
sinal forte e as suas componentes são reduzidas para:

ω=mωE+nωOL (m=0,±1; n=-∞,...,0,...,∞) (5.23)

-2ωOL −ωOL 0 ωFI ωOL ωRF 2ωOL

Figura 5.11 - Espectro das componentes de sinal fraco produzido pela excitação ditonal

A condutância num misturador em que se considera o sinal de RF suficientemente pequeno


para não gerar harmónicas é uma função com período 1/fOL e resulta da generalização da definição
de condutância para circuitos lineares. De (5.18) temos que:

∂f
i D = f ( VD + v OL + v E ) = f ( VD + v OL ) v = 0 + ( ) v = 0 v E + ... (5.24)
E ∂v E

i D = I D + i DOL + g m ( t ) v E cosω E t (5.25)

em que ID=IDQI0(xOL) é a componente contínua total, e iDOL são as componentes de sinal forte
(componentes à frequência do oscilador local e das suas harmónicas) e gm(t) é dado por:

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5.14 Capítulo 5

g m ( t ) = G m0 + ∑ G mn cos nω OL t (5.26)
n =1

A amplitude dos sinais representados na figura 5.11 podem-se calcular através de gm(t), que
por sua vez é obtida analiticamente através de uma análise em sinais fortes monotonal como em
5.5.2, ou numericamente a partir de dados experimentais de i(v) quando não há relação analítica.
Comparando (5.11) e (5.15) com (5.26) obtêm-se os termos de gm(t) no caso do díodo:

I exp(VD / ηVT )
G m0 = S I0 ( x OL ) (5.27)
ηVT

que representa a condutância directa e portanto relaciona as amplitudes da corrente e da tensão à


mesma frequência e
2I D In ( x OL )
G mn = com n≠0 (5.28)
ηVT I0 ( x OL )

que representa o dobro da condutância de conversão e relaciona as amplitudes da corrente e da


tensão à frequência de saída e de entrada respectivamente. No caso de se pretender obter na saída a
diferença ou a soma do sinal de entrada com o do oscilador local a condutância de conversão gc é
dada por:
gc =(1/2)Gm1 (5. 29)
e o ganho de conversão por (5.6):

Re{Z E ( RF)} Re{Z C ( FI )}


2
G c = 4 gc (5.30)

5.5.5 - Concretização de misturadores simples e equilibrados com díodos


Os misturadores simples utilizam apenas um díodo e em geral têm na entrada um filtro
passa-banda centrado em RF que inclui um curto circuito (baixa impedância) à FI e um filtro passa-
banda centrado em fOL que inclui um circuito aberto (alta impedância) em RF de modo a isolar os
dois sinais de entrada.
Na saída tem um filtro passa-banda centrado em FI (em conversores inferiores o filtro de
saída é passa-baixo com fc=fFI) que inclui um curto circuito à fOL. Na figura 5.12 apresenta-se um
misturador com elementos concentrados para UHF.

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Capítulo 5 5.15

400MHz
430MHz

fRF Lbloq fFI


a 430 MHz

30MHz rejeição de fOL

fOL VD fFI=fRF-fOL
DC

Figura 5.12 - Circuito típico dum misturador simples de RF (UHF)

Na figura 5.13 apresenta-se


D1
1 3

R1
2 4 RL
D2
vRF ~ R2

vOL
~
Figura 5.13 - Esquema básico dum misturador simplesmente equilibrado com elementos
distribuídos

Exemplo 5.2 - Misturador monolítico para a banda V


Pretende-se dimensionar um misturador a díodos, simplesmente equilibrado, em tecnologia
de GaAS. Pretende-se minimizar as perdas de conversão, PC e a área ocupada. O misturador deve
poder funcionar em emissão e recepção com desempenhos semelhantes. O modelo do díodo é
fornecido pelo fabricante. As frequências são: fRF=62-66GHz, fOL=56,8GHz e fFI=5,2-9,2GHz.
O misturador começa a ser projectado com um modelo simplificado do díodo como foi
descrito nos parágrafos anteriores. Com a ajuda de um programa comercial com balanço harmónico
[5.5] optimizam-se as malhas de adaptação
A figura 5.14 mostra a máscara para fabrico do misturador (8,8mm2). Os sinais de OL e RF
são aplicados através de um acoplador de Lange (180° de desfasagem) e a malha de adaptação é
feita com um transformador de λ/4. Note-se a hipótese de polarizar os díodos através de duas
malhas colocadas entre as malhas de adaptação e os portos de RF e OL. As malhas de polarização
funcionam também como cc de FI. A malha de adaptação de FI é constituída por uma linha de alta
impedância.

________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.16 Capítulo 5
As medidas na bolacha mostraram PC=5dB para uma potência de oscilador local de 12dBm,
factores de reflexão melhores que -10dB em todos os portos e isolamento OL-RF de 7,7dB.
FI

díodos

cc de RF

OL Acoplador RF
de Lange

Figura 5.14 - Máscara para fabrico de um misturador monolítico a díodos simplesmente equilibrado

5.6 - MISTURADORES ANALÓGICOS A TRANSÍSTORES

O misturador é, tipicamente, o andar com factor de ruído mais elevado num receptor. Se,
como acontece com os misturadores a díodos, o andar introduzir perdas de conversão, o ruído
gerado no primeiro andar de frequência intermédia pode ainda contribuir para o factor de ruído total
do receptor.
Os misturadores com transístores de efeito de campo (FET) têm menor ganho e necessitam
de maior potência de oscilador local do que os que são concretizados com transístores de junção
bipolar (TJB) [5.6]. No entanto, são muitas vezes preferidos pois a sua característica de
transferência quadrática conduz a valores de distorção por intermodulação mais baixos e a uma
gama dinâmica de entrada maior.

5.6.1 - Caracterização não linear de transístores


5.6.1.1 - Transístores de junção bipolares
A não linearidade mais usada em misturadores com transístores de junção bipolares (TJB) é
a relação exponencial da corrente de colector com a tensão base-emissor, IC(VBE).
O misturador pode apresentar-se em diferentes configurações tais como montagem em
emissor comum (um só transístor), em cascata ou em montagem cascode (dois transístores).
De sublinhar que estes componentes de silício, cuja utilização é plenamente satisfatória até à
banda de UHF, têm limitações de realização tecnológica em microondas. O aparecimento de
transístores bipolares de heterojunção GaAs/(Ga,Al)As, e o melhoramento do seu desempenho, que
já é promissor até 40GHz [5.7], podem contrariar a tendência de só usar transístores de feito de
campo em microondas.

_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.17
O processo de mistura num TJB é muito semelhante ao do díodo se considerarmos o sinal de
entrada aplicado na base e a tensão de saída no colector pois a característica de transferência
iC(vBE) é modelada por uma exponencial. Das equações de Ebbers-Moll tem-se para a corrente de
colector:

 v BE   v BC 
 ηVT   ηVT 
i C = I CES  e − 1 + I CBS  e − 1 (5.31)
   
   

se considerarmos que o transístor se mantém na zona activa durante toda a excursão do oscilador
local a expressão simplifica-se:

 v BE 
 
i C = I CES  e ηVT  (5.32)
 
 

VCC
iC vFI

vE
~ ~ vOL
vE v0L

VB

a) b)
Figura 5.15 - Misturador simples com TJB: a)Esquema simplificado; b)Esquema com polarização

Seguindo os mesmos passos para o desenvolvimento da corrente de colector na presença de


um sinal forte e de um sinal fraco obtem-se:

I exp( VBE / ηVT )


G m0 = CES I 0 ( x OL ) (5.33)
ηVT

que representa a transcondutância directa e portanto relaciona as amplitudes da corrente e da tensão


à mesma frequência e

2I C I n ( x OL )
G mn = com n≠0 (5.34)
ηVT I 0 ( x OL )

________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.18 Capítulo 5
que representa, tal como em (5.28) o dobro da transcondutância de conversão e relaciona as
amplitudes da corrente e da tensão à frequência de saída e de entrada respectivamente. Note-se que
IC representa o novo valor da componente contínua de iC.

5.6.1.2 - Transístores de efeito de campo


Os TECs são preferíveis aos TJBs para a mistura em altas frequências pois produzem menor
distorção de intermodulação e a sua menor capacidade de realimentação conduz a circuitos mais
estáveis [5.6].
Para compreender com é que se efectua a mistura num FET, vamos considerar a sua
característica de transferência iD(vGS) ideal [5.8]:
2
 v 
i D = I DSS  1 − GS  (5.35)
 VP 

donde se obtém a transcondutância em sinais fracos:

∂i D 2I DSS
gm ∆ = ( VGS − VP ) (5.36)
∂VGS VP 2

sendo vGS=VG+vE+vOL, com vE=VEcos(ωEt) e vOL=VOLcos(ωOLt) obtem-se para a corrente no


dreno:
2
 VG + v E cos ω E t + v OL cos ω OL t 
i D = I DSS  1 −  (5.37)
 VP 

VDD
iD vFI

vE

~v E
~ vOL
vOL

VG
a) b)
Figura 5.16 - Misturador simples com FET: a)Esquema simplificado; b)Esquema com polarização

donde

_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.19
2I DSS
iD = ID + ( VG − VP )( v E cos ω E t + v OL cos ω OL t ) +
VP 2
I
+ DSS
VP 2
[
v OL v E cos(ω E + ω OL ) t + cos(ω E − ω OL t ) + ] (5.38)

I I
+ DSS2 v E 2 cos 2ω E t + DSS2 v OL 2 cos 2ω OL t
2 VP 2 VP

em que ID é a nova componente contínua da corrente de dreno:

2
 V  I
I D = I DSS 1 − G  + DSS ( v E 2 + v OL 2 ) (5.39)
 VP  2VP 2

A componente da corrente de saída à frequência soma e frequência diferença relaciona-se


com a tensão de entrada através da transcondutância de conversão gc que se pode obter da
expressão (5.38):
I
g c = Dss2 v OL (5.40)
VP
Tal como nos outros casos o ganho de conversão vem dado por:

Re{Z E ( RF)} Re{Z C ( FI )}


2
G c = 4 gc (5.41)

5.6.2 - Projecto de misturadores com TEC


Os transístores de efeito de campo (de junção pn ou de junção tipo Schottky) oferecem ao
projectista três características corrente-tensão não linear: IGS(VGS), IDS(VGS) e IDS(VDS).
Além disso, tal como os TJBs, apresentam uma estrutura com três terminais (porta, fonte e
dreno) oferecendo assim igual número de possibilidades de explorar a transcondutância, gm, e a
condutância do canal gd, que são as principais não linearidades do componente, do ponto de vista
da mistura.
A aproximação experimental ao projecto de misturadores com TECs tem sido explorado por
vários autores e podem-se concluir algumas regras gerais que se passam a expor:
1 - O oscilador local pode ser aplicado na porta como na figura 5.17 ou na fonte como na figura
5.18. A injecção na fonte conduz a ganhos de conversão mais baixos por causa da impedância
que aparece entre a fonte e a massa mas permite isolar os portos de OL e RF. Em ambos os
exemplos é necessário um circuito rejeita banda (LC paralelo) para retirar o oscilador local da
saída [5.3].

________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.20 Capítulo 5
2 - Para obter o ganho de conversão máximo deve-se ter adaptação conjugada de impedâncias na
entrada de RF e na saída (FI). Estas impedâncias são, como já foi referido, função da
polarização (neste caso da polarização da porta) e do nível de oscilador local.
3 - A condição de máxima transcondutância com um mínimo de intermodulação obtem-se
mantendo a excursão dinâmica provocada pelo OL em torno do PFR dentro da zona de
variação quadrática, ou seja VGS≈VP/2 e VOL≤VP/2. Contudo, podem-se obter ganhos de
conversão superiores aumentando o nível do oscilador local, fazendo com que o dispositivo
entre ao corte durante parte do ciclo do OL).
4 - Ao contrário do que acontece nos amplificadores, o factor de ruído em misturadores é mínimo,
quando o ganho é máximo.
5- Para funcionamento com baixos níveis de OL devem-se escolher transístores com valores de
IDSS/VP2 elevados, de modo a obter factores de ruído baixos e ganhos de conversão elevados.

Figura 5.17 - Misturador com injecção pela porta em fonte comum (Motorola Application)

Figura 5.18 - Misturador com injecção pela fonte em fonte comum (Motorola Application)

_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.21

Figura 5.19 - Misturador a frio monolítico com um FET para ondas milimétricas (64GHz → 7GHz)

Figura 5.20 - Misturador com injecção pela porta (quente) monolítico com um FET para ondas
milimétricas (64GHz → 7GHz)

5.6.2.1 - Misturadores equilibrados com transístores


Os misturadores equilibrados com transístores têm as mesmas propriedades de
cancelamento de harmónicas indesejáveis que os misturadores equilibrados a díodos.
A montagem mais usual é a montagem em push-pull que conduz ao anulamento do oscilador
local e suas harmónicas bem como dos termos de intermodulação com harmónicas pares do sinal de

________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.22 Capítulo 5
entrada. Este aspecto é particularmente importante se se quiser usar o misturador como modulador
com supressão da portadora.

vRF vFI

vOL
VDD

Figura 5.21 - Misturador push-pull com FETs em porta comum

No caso do FET a montagem push-pull diminui a impedância de entrada facilitando a


adaptação.

o o

o o
vRF vFI
o o

VCC

vOL

Figura 5.22 - Misturador push-pull com TJBs em emissor comum

Os potenciómetros nas portas e nos emissores servem para fazer pequenos ajustes dos PFRs
e assim compensar possíveis assimetrias nas montagens (figuras 5.21 e 5.22)

5.6.2.2 - Misturadores com TECs de dupla porta


Desfasadores, moduladores, multiplicadores de frequência, bem como misturadores, têm
vindo a ser realizados com transístores de efeito de campo de dupla porta, até aos 40GHz [5.9],

_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.23
[5.10], quer em circuitos híbridos (MICs), quer em circuitos integrados monolíticos de microondas
(MMICSs).
O TEC de dupla porta tem uma estrutura idêntica ao de porta simples à excepção da
metalização da porta , que é dividida em duas zonas independentes. A porta mais próxima do dreno,
usualmente considerada a porta 2, tem várias efeitos nas características do dispositivo: permite
controlar a transcondutância em sinais fracos da primeira porta, e portanto o ganho em regime
dinâmico (utilização em controlo automático do ganho); como a segunda porta está normalmente à
massa em RF, actua como armadura entre o dreno e a primeira porta, diminuindo Cgd, aumentando
portanto a estabilidade e o ganho. A maior desvantagem destes dispositivos é o seu factor de ruído,
que é superior aos dispositivos de porta simples.
A dependência da transcondutância relativa à primeira porta em relação à tensão na
segunda porta faz com que o TEC de dupla porta se comporte como misturador. O sinal de OL é
aplicado na segunda porta e o sinal de RF na primeira. A variação periódica da transcondutância,
provocada pelo sinal de OL, permite a conversão de frequência.
O isolamento RF-OL, isto é, entre as duas portas, é da ordem dos 20dB, permitindo em
certos casos usar misturadores simples em vez de misturadores equilibrados ou, pelos menos,
simplificar a filtragem e adaptação dos sinais de RF e de OL. Esta simplificação dos circuitos pode
ser importante na miniaturização de receptores e pode ser imprescindível em MMICs.
Os TECs de dupla porta são normalmente modelados como se fossem dois TECs de porta
simples em série. Para explicar o seu funcionamento, supõe-se que a estrutura tecnológica de um
TEC de dupla porta é simétrica em relação ao ponto D1 (figura 5.23), o que acontece quase sempre.
Este ponto é ao mesmo tempo o dreno do primeiro transístor e a fonte do segundo.
Sendo os dois transístores idênticos, a característica tensão-corrente global dum transístor de
dupla porta pode ser formada a partir da característica tensão-corrente de um dos transístores.
D

iD

G2
V DS2
V GS2
D 1 =S 2
V G2S
G1
V DS1
V GS1

Figura 5.23 - O TEC de dupla porta modelado como dois TECs simples em série

________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.24 Capítulo 5
Com efeito, conhecendo ID(VDS1) em função de VGS1,e ID(VDS2) em função de VGS2, e
sabendo que:
VG2S=VGS1+VDS1 (5.42)

VDS=VDS1+VDS2 (5.43)

deduz-se ID(VDS) com VGS1 e VG2S variáveis.


A figura (5.24) mostra como as características I(V) de um TEC de dupla porta podem ser
obtidas a partir das características individuais de dois TECs de porta simples. A figura 5.24(a)
mostra, sobrepostas, as características de dreno de dois dispositivos, para VDD=5V. As curvas são
dispostas de tal maneira que a soma das tensões dreno-fonte em cada dispositivo seja igual a VDD. A
corrente de dreno do dispositivo de dupla porta corresponde ao ponto onde as curvas dos dois
transístores se intersectam.

I D (m A ) 0
0
60
V GS2 V GS1
50

40
-1 -1
30

20 -2 -2

10

0
0 .0 1 .0 2 .0 3 .0 4 .0 5 .0 V DS1
5 .0 4 .0 3 .0 2 .0 1 .0 0 .0 V DS2

I D (m A )
60 V GS1= 0

+2 +3 +4
50 V GS2
+1
40
0
30 -1

20
-1
-2
10
-2
0
0 .0 1 .0 2 .0 3 .0 4 .0 5 .0 V DS1
5 .0 4 .0 3 .0 2 .0 1 .0 0 .0 V DS2

Figura 5.24 - Características I(V) de dois TECs de porta simples, usados para obter as
características I(V) do dispositivo de dupla porta: a) ID em função de VGS1 e VG2S; b) em função de
VGS1 e VG2S.

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Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.25
A figura 5.24(b) mostra as curvas do mesmo dispositivo para VDD=5V, com a corrente em
função de VG2S. A figura 5.24(b) obtem-se directamente da figura 5.24(a), determinando os pontos
dos dois conjuntos de curvas que representam o lugar geométrico de VG2S constante. Para um
funcionamento óptimo como misturador ou amplificador com controlo automático de ganho, os
dois transístores devem ser polarizados na zona a tracejado da figura 5.24(b).
O isolamento intrínseco das entradas de OL e de RF tem as seguintes vantagens:
1- Possibilidade de adaptar separadamente os portos de OL e de RF;
2- Aumento do ganho de conversão pois qualquer dispositivo, para combinar os sinais de OL e
de RF, introduz perdas.
Estas vantagens, aliadas a uma grande facilidade de integração, fazem prever que este
dispositivo venha a ter uma grande utilização em circuitos integrados monolíticos.

5.7- MÉTODOS DE ANÁLISE DE SISTEMAS NÃO LINEARES


Um dos principais e mais difíceis problemas a resolver na simulação de circuitos
electrónicos é a obtenção da resposta periódica em circuitos não-lineares. Em princípio, esta
resposta pode ser calculada por integração das equações diferenciais pelas quais se regem, até se
esgotar o regime transitório [5.11]. Este método de análise no tempo não se adapta porém aos
circuitos de microondas, onde os elementos reactivos presentes no circuito, associados à
polarização e filtragem introduzem constantes de tempo muito elevadas (tipicamente da ordem dos
segundos) em comparação com o período do sinal aplicado (inferior a nanosegundos). O cálculo do
regime transitório requer portanto um número muito elevado de passos de integração, crescente
com o factor de qualidade do circuito, com acréscimo considerável do tempo de cálculo.
Mais recentemente, para evitar a necessidade de uma longa análise transitória, foi proposto
o método do balanço harmónico [5.12]), que evoluiu rapidamente e tornou-se hoje num dos
métodos mais utilizados na análise de circuitos não lineares de microondas.
Ò princípio da simulação de conversores de frequência pelo método do balanço harmónico é
simples e particularmente eficiente para circuitos com excitação monotónica e constantes de tempo
que diferem de várias ordens de grandeza. Nestas condições, os métodos de análise no domínio do
tempo necessitam de tempos de cálculo elevados, e nem sempre conduzem a soluções precisas,
devido a erros numéricos associados a truncagens. Na prática, é um problema complexo, em que o
circuito é objecto de uma decomposiçào em dois sub-circuitos, um contendo apenas os elementos
lineares e o outro todos os não lineares. Dos dois sub-circuitos, o linear é analisado no domínio da
frequência e o não linear no domínio do tempo, procurando-se, iterativamente, uma soluçào que
conduza à igualdade das condições fronteira. Para compatibilizar estas condições, é necessário o
________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.26 Capítulo 5
recurso a transformadas directas e inversas de Fourier, o que requer a utilização de métodos
numéricos avançados que fogem ao âmbito deste livro. Para mais detalhes aconselha-se a consulta
das referências [5.3], [5.5] e [5.13].
É de referir ainda os métodos de análise no domínio da frequência, dos quais a análise com
base nas séries de Volterra [5.14] é o mais conhecido e que consiste no desenvolvimento em série
da função de transferência do sistema. A relação entrada-saída do circuito é considerada como a
generalização do teorema integral da convolução, utilizado na análise de circuitos lineares. Estes
métodos são, portanto, de utilização restrita pelo facto de só permitirem a obtenção de uma solução
razoavelmente aproximada para circuitos com não linearidades fracas. Tal é o caso do estudo da
intermodulação em circuitos de recepção ou de emissão em classe A. O programa de análise de
circuitos C/NL emprega esta técnica [5.15].

PROBLEMAS

Problema 5.1 - Factor de ruído em receptores


Um receptor é constituído por um misturador a díodos com perdas de conversão de 8dB e factor de
ruído de 10dB, e por um amplificador de FI tem factor de ruído de 3dB. Calcule o factor de ruído
do receptor.

Problema 5.2 - Misturador com dipolo não linear


Pretende-se utilizar num misturador de frequência intermédia (FI) de um receptor de modulação de
amplitude (fFI=300KHz) um dispositivo não linear (NL) caracterizado pela seguinte relação i(v):
i=Io+I1v+I2v2
com
i
1 2 Io=10mA
I1=2mAV-1
v I2=1mAV-2

O sinal a detectar modula uma portadora de rádio frequência (RF) de 1500KHz e tem uma largura
de banda, em banda base, de 10kHz. Nos cálculos que efectuar despreze as componentes da
corrente i de amplitude inferior a 1µA.
a) Apresente um esquema eléctrico básico do misturador que utiliza o dispositivo acima descrito.
Para as entradas de RF e do oscilador local (OL), bem como para a saída de FI utilize
transformadores. Admita fOL<fRF.

_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.27
Indique as frequências de sintonia dos transformadores, e comente a necessidade de os sintonizar,
em face das especificações usuais dum misturador.
b) Calcule o desenvolvimento em série de Fourier da corrente no dispositivo NL para uma
excitação em tensão por um sinal do OL de 1Volt e de RF de 10mVolt. Despreze a influência do
sinal de FI aos terminais do dispositivo não linear já que um dispositivo passivo tem perdas, pelo
que o sinal de FI deve ser inferior ao de RF.
c) Admitindo que a carga à frequência intermédia vale Rc(f=fFI)=100Ω, verifique a validade da
aproximação efectuada na alínea b). Comente os valores obtidos.
d) Calcule a potência fornecida pelo OL e o ganho de potência dum conversor que utiliza o
dispositivo dado nas condições de excitação e carga das alíneas anteriores.
e) As entradas de RF e OL estão adaptadas a 50Ω? Comente a sua afirmação.

Problema 5.3 - Misturador a díodos


O misturador de UHF da figura utiliza um díodo com as seguintes características: IS=0.6µA e n=1.
A tensão de polarização vD=0.2V e aos terminais do díodo tem-se:
Volm=400mV(vOL=Volmcos(ωOLt)).
Fazendo as aproximações que achar convenientes, resolva as alíneas que se seguem onde se supõe
que os filtros LC têm um Q elevado, tal que apenas se produzem tensões aos seus terminais à
frequência de ressonância; esta aproximação é grosseira para o circuito da figura já que 400MHz e
430MHz são frequências muito próximas, as redes LC são de 2ª ordem (transformadores ideais) e
as bobinas reais a estas frequências têm um factor de qualidade dificilmente superior a 100.

2:1
430MHz

fRF fFI
Lbloq
a 430MHz 400MHz

FFI=fRF-fOL
30MHz rejeição de fOL

fOLL VD
coaxial 50Ω
DC

a) Calcule o andamento no tempo da condutância do díodo quando modulada pelo oscilador local.
Qual o valor da transcondutância de conversão gc.
b) Supondo que o sinal de RF é de amplitude máxima 1mV, calcule a amplitude da corrente no
díodo à frequência de 400MHz e de 430MHz.
________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.28 Capítulo 5
c)Sabendo que a carga na saída é de 25Ω e que o auto-transformador de saída tem uma relação de
transformação √2:1, calcule o ganho de transdução de conversão GTC.

Problema 5.4 - Misturador com Transístor Bipolar (TJB)


Considere o misturador com um TJB da figura onde RL=50Ω, IEQ=1mA, v1=V1m cosω1t com
V1m=6.5mV, e v2=V2m cosω2t com V2m=104mV.
a) Determine o valor da transcondutância de conversão para a frequência intermédia ω1-ω2 supondo
que VBEQ é constante (polarização com fonte de tensão). Note-se que deste modo a corrente
contínua alterar-se-á quando em regime de sinais fortes, devido à distorção.
b) Determine a amplitude das componentes de iC(t) de frequências ω1, ω2 e ω1-ω2.
c) Repita as alíneas anteriores supondo que a corrente contínua é constante (polarização com fonte
de corrente). Nesta situação será a tensão contínua VBE que se alterará quando em regime de sinais
fortes.

f1 -f2
VCC

C1 R1 fFI
vO
f1
f1
~
v1 RC
C2
V+v1 R2

f2

v2 ~
vOL

Problema 5.5 - Misturador com JFET


Considere o circuito misturador da figura.

f1-f2 CD
vO(t)
iD
FI
D C3
CG G L3
Q1

f1 f1 S
VDD=20V
~ L1 C1
v1 RF RS CS VG

f2

vOL C2
v2
~
OL

_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.29
a) Para Q1 com IDSS=4mA, Vp=-4V e uma tensão máxima de oscilador local V2m=1.8V (v2=V2m
cosω2t) e V1m=1mV (v1=V1m cosω1t), determine a transcondutância de conversão gc=IDf12/Vgs1,
em que IDf12 é a amplitude da componente de frequência (ω1±ω2) da corrente de dreno id, e Vgs1 a
amplitude da componente de frequência ω1 da tensão vgs. Determine igualmente a transcondutância
de conversão referida à amplificação do sinal de frequência ω1.
b) Determine a amplitude das componentes de frequência ω1, ω2, e ω1±ω2 , da corrente de dreno
i D.

REFERÊNCIAS
[5.1] - T. Newman, W. Bishop, K. Weinreb, "A Novel Planar Diode Mixer for Submillimeter-
Wave Applications", IEEE Trans. on Microwave Theory and Tech., MTT-39, vol.n012, pp.
1964-1971, Dezembro 1991.
[5.2] - S. M. Sze, Phisics of Semiconductor Devices (2a ed.), Jonh Wiley and Sons, New York,
1981.
[5.3] - Stephen Maas, Microwave Mixers, 2nd Ed., Artech House, 1991
[5.4] - M. Abramovitz, Handbook of Mathematical Functions, Dover Publications, Inc., 1972.
[5.5] - Hewlett Packard Company, “Microwave and RF Design Systems User’s Manual”, release
b.06.01, April 1994.
[5.6] - Herbert L. Krauss, C. W. Bostian, F. H. Raab, "Solid State Radio Engineering", Jonh
Wiley & Sons, 1980.
[5.7] - Fazal Ali, Aditya Gupta, "HEMTs & HBTs: Devices, Fabrication, and Circuits", Artech
House, 1991.
[5.8] - W. Shockley, "A Unipolar Field Effect Transistor". Proc. IRE, vol. 40, pag. 1365, 1952.
[5.9] - E. Allamandro, N. Radhhy, E. Constant, "Broadband High-order Frequency Multipliers by
Using Dual Gate MESFET's", 15th European Microwave Conference, pp. 617-622, Paris,
Setembro, 1985.
[5.10] - C. Tsironis, R. Meierer, R. Stahlmann, "Modelling and Evaluation.of Dual Gate
MESFET's as Low Noise, Self Oscillating and Image-Rejection Mixers", IEEE-MTTS, Int.
Microwave Symposium, Boston, Maio 1983.
[5.11] - PSPICE User´s Guide, MicroSim Corporation, Outubro, 1986.
[5.12] – W. R. Curtice, “Non Linear Analysis of GaAs MESFET Amplifiers, Mixers and
Distributed amplifiers Using the Harmonic Balance Technique”, IEEE Trans. On
Microwave Theory and Tech., vol. MTT-34, nº12, pp.441-447, Dezembro 1986.
[5.13] - Stephen A. Maas, ed, Nonlinear Microwave Circuits, Artech House, 1988.
________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
5.30 Capítulo 5
[5.14] - V. Volterra, Theory of Functionals and of Integral and Integro-Differencial Equations,
Dover, New York,1959.
[5.15] - C/NL - Linear and Nonlinear Microwave Circuit Analysis and Optimization Software,
User´s Manual, Artech House Inc., 1990.
[5.14] - PSPICE User´s Guide, MicroSim Corporation, Outubro, 1986.

ANEXO - Funções de Bessel modificadas In(x)

x I0(x) I1(x) I2(x) I3(x)


0 1.0 0 0 0
0.5 1.0635 0.2579 0.0319 0.0026
1.0 1.2661 0.5651 0.1357 0.0222
1.5 1.6467 0.9817 0.3378 0.0808
2.0 2.2796 1.5906 0.6889 0.2127
2.5 3.2898 2.5167 1.2765 0.4744
3.0 4.8808 3.9534 2.2452 0.9597
3.5 7.3782 6.2058 3.8320 1.8264
4.0 11.3019 9.7595 6.4222 3.3373
4.5 17.4812 15.3892 10.6415 5.9301
5.0 27.2399 24.3356 17.5056 10.3312
5.5 42.6946 38.5882 28.6626 17.7426
6.0 67.2344 61.3419 46.7871 30.1505
6.5 106.2929 97.7350 76.2205 50.8301
7.0 168.5939 156.0391 124.0113 85.1755
7.5 268.1613 249.5844 201.6055 142.0614
8.0 427.5641 399.8731 327.5958 236.0752

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