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5.1 - INTRODUÇÃO
Ao aplicar vários sinais sinusoidais com uma amplitude qualquer, à entrada de um circuito
linear, apenas se obtém na saída sinais com as mesmas frequências dos sinais de entrada. Do
mesmo modo, se forem aplicados vários sinais sinusoidais, mas de pequena amplitude, a um
circuito não linear, só se obtêm na sua saída, sinais de frequências idênticas às dos sinais de
entrada. Isto acontece enquanto o ponto de funcionamento dinâmico, comandado pela amplitude
dos sinais de entrada, se mantiver numa zona onde a característica não linear pode ser aproximada
por uma recta.
A obtenção de harmónicas dos sinais aplicados (multiplicação de frequência), bem como de
sinais de frequência igual a combinações lineares das frequências dos sinais aplicados e das suas
harmónicas (mistura de frequências) surge em circuitos não lineares quando a amplitude de pelo
menos um dos sinais não permite a aproximação atrás referida. A multiplicação ou a mistura de
frequências depende do grau da não linearidade do circuito e do nível dos sinais de entrada que
comandam a excursão do ponto de funcionamento.
A existência de conversão de frequência está portanto estritamente ligada às características
de não linearidade e de amplitude dos sinais.
v S = VO + Av E + Bv E 2 + Cv E 3 + ... (5.1)
VO(V)
B2
B1
A1
A2
vE(V)
Se considerarmos o sinal de entrada com amplitude suficiente para se ter de considerar a não
linearidade da característica de transferência até à 3a ordem, a tensão de saída vem dada por:
B 3C 3 B C
VS = VSO + Ve2 + (AVe + Ve ) cos ω e t + Ve2 cos 2ω e t + Ve3 cos 3ω e t (5.2)
2 4 2 4
Esta expressão põe em evidência o aparecimento das harmónicas de 2a e 3a ordem, assim como a
variação da componente contínua e do ganho à frequência fundamental, em relação ao
funcionamento em sinais fracos. Estes fenómenos são característicos do funcionamento em sinais
fortes.
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Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.3
modulados, um com frequência da portadora igual à soma e outro igual à diferença das frequências
dos sinais de entrada.
MULTIPLICADOR
RF FI FILTRO
A(t)cosωet PASSA-BAIXO
A(t)cos(ωe-ωp)t
OL
cosωpt
A(t)cosωetcosωpt=A(t)/2[cos(ωe-ωp)t+cos(ωe+ωp)t]
No entanto, não é necessário um multiplicador ideal para realizar esta operação. Em muito
altas frequências, a conversão de frequência dum sinal contendo informação é em geral obtida por
variação periódica das características de transferência de dispositivos não lineares. Para que não se
destrua a informação a conversão deve processar-se com um mínimo de distorção, dentro de uma
certa gama dinâmica.
A mistura é usada indiferentemente para transferir informação de uma frequência dita baixa
para uma frequência elevada (frequência soma), caso dos conversores dos emissores, como de uma
frequência dita alta para uma frequência mais baixa (frequência diferença), caso dos misturadores
dos receptores.
Na maior parte dos casos a conversão realiza-se para beneficiar:
1 - Em altas frequências, das boas condições de propagação, da maior disponibilidade do espectro
rádio-eléctrico, da redução das dimensões das antenas;
2 - Em baixas frequências, das largas possibilidades do tratamento de sinal (áudio, vídeo ou
dados), com elevada fiabilidade, menor complexidade, circuitos com elementos concentrados e
monolíticos (VLSI) que conduzem a menor custo e volume (comunicações móveis e espaciais).
VS = VSO +
2
[
B 2
] [ ]
V1 (1 + cos 2ω1t ) + V22 (1 + cos 2ω 2 t ) + A V1 (1 + cos ω1t ) + V2 (1 + cos ω 2 t ) +
Um filtro na saída selecciona a frequência desejada, geralmente igual à soma ou à diferença das
frequências de entrada.
Para se obter os produtos de intermodulação, pelo menos um dos sinais terá que ter
amplitude suficiente para assegurar o funcionamento em sinais fortes. Em receptores, o sinal forte é
proveniente do oscilador local (OL) enquanto o sinal de rádio-frequência (RF) é fraco. O sinal de
saída é denominado sinal de frequência intermédia (FI). Em emissores, o sinal de entrada FI
também pode ser forte já que o importante é obter uma certa potência disponível, na saída de RF e
não um ganho elevado.
fFI=fRF-fOL (5.4)
Figura 5.4 - Espectro dos sinais espúrios que podem produzir na saída do misturador sinais de
frequência intermédia
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Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.5
A figura 5.4 ilustra algumas destas frequências espúrias. As frequências "desejáveis" são a
frequência do oscilador local fOL, a frequência de recepção fRF, e a frequência intermédia fFI.
As maiores fontes de interferências indesejáveis são as seguintes:
1 - Um sinal de frequência
fIM=2fOL-fRF=fOL-fFI (5.5)
quando presente na entrada, é convertido para a saída num sinal de frequência intermédia,
portanto indiscernível do sinal proveniente da conversão do sinal de RF. Este sinal é denominado
frequência imagem pois ao considerar-se fOL como referência, é simétrico do sinal de RF
(fFI=fOL-fIM=fRF-fOL). Deste modo, sempre que haja a possibilidade de surgir na entrada de um
misturador um sinal de frequência fIM, deve-se colocar na entrada um filtro de rejeição de
frequência imagem.
2 - Também um sinal na entrada de frequência fFI, aparece na saída, devido à amplificação normal.
3 - Um sinal de entrada fRF/2 pode ser duplicado e combinado com fOL produzindo fFI na saída.
4 - Um sinal de entrada fFI/2 pode ser duplicado pelo misturador e aparecer na saída.
5 - Finalmente, se o oscilador local apresentar uma segunda harmónica elevada ou se o misturador
a gerar, o seu batimento com 2fOL±fFI produz fFI na saída.
O misturador deve ter na entrada um circuito de acoplamento que combina os sinais de RF e
OL, antes de os aplicar ao dispositivo não linear. Esse circuito é um transformador ou, em
microondas, um acoplador híbrido que, adicionalmente, isola as duas entradas.
DC
OL FI
Malha de ENL Filtro
Acoplador adaptação passa-baixo
RF
cc de FI
Misturadores equilibrados
Os misturadores equilibrados em altas frequências utilizam geralmente transformadores ou
acopladores híbridos (microondas) que permitem que os dispositivos não lineares sejam excitados
por sinais em quadratura ou em oposição de fase e assim cancelar alguns dos produtos gerados.
A
C
OL O ENL FILTRO
P
L + FI
A
RF D ENL FILTRO
O
R
OL Acoplador X Acoplador RF
ou FI ou
Transformador
X Transformador
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Capítulo 5 5.7
Misturadores simplesmente equilibrados
A simetria da estrutura equilibrada pode proporcionar ao misturador as seguintes
propriedades:
1- O ruído gerado pelo oscilador local não aparece nos terminais de frequência intermédia;
2- Melhor isolamento entre as entradas, uma vez que os sinais de OL e de RF entram por portos
diferentes;
3- Eliminação, por cancelamento, de alguns produtos de intermodulação gerados, facilitando-se a
filtragem. No caso de o misturador usar um acoplador de 180°, todas as harmónicas pares do
oscilador local são suprimidas.
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5.8 Capítulo 5
PcFI
G C (dB) = 10 log (5.6)
PdgRF
Num misturador, mesmo no caso dum multiplicador ideal, uma das bandas convertida é
suprimida, o que provoca a perda de metade da potência convertida (-3dB). Em geral, esta perda é
ainda maior devido à potência convertida em produtos de mistura indesejáveis, a desadaptações nas
entradas e saída do misturador, a potência perdida por efeito de Joule (resistências série nos díodos
e transístores) e a potência radiada.
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Capítulo 5 5.9
5.4.2 - Factor de ruído
O factor de ruído já foi definido no Capítulo 3. Para ter uma ideia da importância do factor
de ruído de um misturador, note-se que os receptores modernos funcionam com sinais de entrada de
muito baixo nível, e que o ruído acrescido pelos componentes do sistema tende a deteriorar a
inteligibilidade desses sinais. Assim, um aumento do factor de ruído global de 3dB teria de ser
compensado com um aumento para o dobro do ganho da antena de recepção ou da potência de
emissão, o que modificaria a concepção do sistema e o seu custo, uma vez que o misturador é um
dos primeiros blocos duma cadeia de recepção.
1+ ρ
ROE∆ (5.7)
1− ρ
Z − ZO
ρ∆ ei (5.8)
Z ei + Z O
em que Zei é a impedância desse porto do misturador à frequência de trabalho (FI, RF ou OL).1
5.4.4 - Isolamento
O isolamento define-se como as perdas de inserção entre quaisquer dois portos do
misturador, a uma dada frequência. O seu valor é função do nível de oscilador local. Em geral, o
isolamento OL-RF e OL-FI são os únicos mencionados, uma vez que o sinal de OL é muito
superior ao de RF. O isolamento RF-FI só é importante se o nível de RF ou de FI for tal que
subsista na saída com valor comparável ao de OL (misturadores para emissores).
1
Em misturadores utilisa-se a noção generalizada de impedância (e factor de reflexão) para circuitos não lineares,
definida como o quociente entre a amplitude complexa das componentes da tensão e da corrente (da onda reflectida e
da onda incidente, a uma dada frequência num dado porto.
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5.10 Capítulo 5
A gama dinâmica de um misturador define-se, tal como em amplificadores, como a variação
permitida ao sinal de RF para a qual se verificam as especificações mínimas do misturador.
Geralmente, o mínimo sinal que o misturador pode processar corresponde ao caso de ter à saída a
relação sinal-ruído mínima:
S
S i min = FN i o (5.9)
N o min
gJ RS LP
vJ CJ CP vD
YJ
A corrente iJ relaciona-se com a tensão aos terminais da junção pela relação clássica:
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Capítulo 5 5.11
vJ
ηVT
i J = IS e − 1 (5.10)
IS ηVT
vJ
∂i J
g( v J )∆ = e (5.11)
∂vJ ηVT
CJO
CJ = (5.12)
1 − v j / φ bi
vOL ~
vE ~ VD
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5.12 Capítulo 5
VD V
i D ~I S exp exp OL cosω OL t (5.14)
ηVT ηVT
VD ∞
i D ~I S exp I 0 ( x OL ) + 2∑ I n ( x OL ) cos( nω OL t ) (5.15)
ηVT 1
em que xOL=VOL/ηVT e In(xOL) são as funções de Bessel de 1ª espécie, de ordem n e argumento xOL.
Para valores de xOL>>1 (isto é para valores de VOL maiores do que 25mV) são válidas a expressões
aproximadas [5.3], [5.4]:
1 1
I 0 ( x) = 1 + exp( x) (5.16)
2 πx 8 x
1 1 − 4n 2
I n ( x) = 1 + exp( x) (5.17)
2 πx 8x
VD V V
i D ~I S exp exp E cosω E t exp OL cosω OL t (5.19)
ηVT ηVT ηVT
isto é:
V ∞ ∞
i D ~I S exp D I 0 ( x E ) + 2∑ I m ( x E ) cos( mω E t ) I 0 ( x OL ) + 2∑ I n ( x OL ) cos( nω OL t )
ηVT 1 1
(5.20)
A análise da expressão (5.20) mostra que o espectro de iD contém ±mE±nOL frequências em
que m e n são inteiros e variam entre 0 e ∞.
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Capítulo 5 5.13
5.5.4 - Excitação ditonal sinal forte/sinal fraco
Na maioria dos misturadores apenas o sinal do oscilador local é forte. O sinal de entrada, vE
ao qual temos chamado sinal de RF (vRF) pode-se considerar como uma perturbação do regime
periódico descrito em 5.4.2 e a corrente no díodo toma agora o seguinte valor:
VD ∞
i D ~I S exp
ηVT
[ ]
1 + x E cos(ω E t ) I 0 ( x OL ) + 2∑ I n ( x OL ) cos( nω OL t ) (5.21)
1
onde se simplificou a expressão (5.20) usando as propriedades das funções de Bessel de 1ª espécie
com argumentos x<<1 (isto é para vRF<<25mV):
I1 ( x) x
I 0 ( x) ≅ 1 e ≅ (5.22)
I 0 ( x) 2
Neste caso as frequências de mistura são geradas a partir do sinal de entrada e das harmónicas do
sinal forte e as suas componentes são reduzidas para:
Figura 5.11 - Espectro das componentes de sinal fraco produzido pela excitação ditonal
∂f
i D = f ( VD + v OL + v E ) = f ( VD + v OL ) v = 0 + ( ) v = 0 v E + ... (5.24)
E ∂v E
em que ID=IDQI0(xOL) é a componente contínua total, e iDOL são as componentes de sinal forte
(componentes à frequência do oscilador local e das suas harmónicas) e gm(t) é dado por:
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5.14 Capítulo 5
∞
g m ( t ) = G m0 + ∑ G mn cos nω OL t (5.26)
n =1
A amplitude dos sinais representados na figura 5.11 podem-se calcular através de gm(t), que
por sua vez é obtida analiticamente através de uma análise em sinais fortes monotonal como em
5.5.2, ou numericamente a partir de dados experimentais de i(v) quando não há relação analítica.
Comparando (5.11) e (5.15) com (5.26) obtêm-se os termos de gm(t) no caso do díodo:
I exp(VD / ηVT )
G m0 = S I0 ( x OL ) (5.27)
ηVT
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Capítulo 5 5.15
400MHz
430MHz
fOL VD fFI=fRF-fOL
DC
R1
2 4 RL
D2
vRF ~ R2
vOL
~
Figura 5.13 - Esquema básico dum misturador simplesmente equilibrado com elementos
distribuídos
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5.16 Capítulo 5
As medidas na bolacha mostraram PC=5dB para uma potência de oscilador local de 12dBm,
factores de reflexão melhores que -10dB em todos os portos e isolamento OL-RF de 7,7dB.
FI
díodos
cc de RF
OL Acoplador RF
de Lange
Figura 5.14 - Máscara para fabrico de um misturador monolítico a díodos simplesmente equilibrado
O misturador é, tipicamente, o andar com factor de ruído mais elevado num receptor. Se,
como acontece com os misturadores a díodos, o andar introduzir perdas de conversão, o ruído
gerado no primeiro andar de frequência intermédia pode ainda contribuir para o factor de ruído total
do receptor.
Os misturadores com transístores de efeito de campo (FET) têm menor ganho e necessitam
de maior potência de oscilador local do que os que são concretizados com transístores de junção
bipolar (TJB) [5.6]. No entanto, são muitas vezes preferidos pois a sua característica de
transferência quadrática conduz a valores de distorção por intermodulação mais baixos e a uma
gama dinâmica de entrada maior.
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Capítulo 5 5.17
O processo de mistura num TJB é muito semelhante ao do díodo se considerarmos o sinal de
entrada aplicado na base e a tensão de saída no colector pois a característica de transferência
iC(vBE) é modelada por uma exponencial. Das equações de Ebbers-Moll tem-se para a corrente de
colector:
v BE v BC
ηVT ηVT
i C = I CES e − 1 + I CBS e − 1 (5.31)
se considerarmos que o transístor se mantém na zona activa durante toda a excursão do oscilador
local a expressão simplifica-se:
v BE
i C = I CES e ηVT (5.32)
VCC
iC vFI
vE
~ ~ vOL
vE v0L
VB
a) b)
Figura 5.15 - Misturador simples com TJB: a)Esquema simplificado; b)Esquema com polarização
2I C I n ( x OL )
G mn = com n≠0 (5.34)
ηVT I 0 ( x OL )
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5.18 Capítulo 5
que representa, tal como em (5.28) o dobro da transcondutância de conversão e relaciona as
amplitudes da corrente e da tensão à frequência de saída e de entrada respectivamente. Note-se que
IC representa o novo valor da componente contínua de iC.
∂i D 2I DSS
gm ∆ = ( VGS − VP ) (5.36)
∂VGS VP 2
VDD
iD vFI
vE
~v E
~ vOL
vOL
VG
a) b)
Figura 5.16 - Misturador simples com FET: a)Esquema simplificado; b)Esquema com polarização
donde
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Capítulo 5 5.19
2I DSS
iD = ID + ( VG − VP )( v E cos ω E t + v OL cos ω OL t ) +
VP 2
I
+ DSS
VP 2
[
v OL v E cos(ω E + ω OL ) t + cos(ω E − ω OL t ) + ] (5.38)
I I
+ DSS2 v E 2 cos 2ω E t + DSS2 v OL 2 cos 2ω OL t
2 VP 2 VP
2
V I
I D = I DSS 1 − G + DSS ( v E 2 + v OL 2 ) (5.39)
VP 2VP 2
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Apontamentos de Electrónica Rápida
5.20 Capítulo 5
2 - Para obter o ganho de conversão máximo deve-se ter adaptação conjugada de impedâncias na
entrada de RF e na saída (FI). Estas impedâncias são, como já foi referido, função da
polarização (neste caso da polarização da porta) e do nível de oscilador local.
3 - A condição de máxima transcondutância com um mínimo de intermodulação obtem-se
mantendo a excursão dinâmica provocada pelo OL em torno do PFR dentro da zona de
variação quadrática, ou seja VGS≈VP/2 e VOL≤VP/2. Contudo, podem-se obter ganhos de
conversão superiores aumentando o nível do oscilador local, fazendo com que o dispositivo
entre ao corte durante parte do ciclo do OL).
4 - Ao contrário do que acontece nos amplificadores, o factor de ruído em misturadores é mínimo,
quando o ganho é máximo.
5- Para funcionamento com baixos níveis de OL devem-se escolher transístores com valores de
IDSS/VP2 elevados, de modo a obter factores de ruído baixos e ganhos de conversão elevados.
Figura 5.17 - Misturador com injecção pela porta em fonte comum (Motorola Application)
Figura 5.18 - Misturador com injecção pela fonte em fonte comum (Motorola Application)
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Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.21
Figura 5.19 - Misturador a frio monolítico com um FET para ondas milimétricas (64GHz → 7GHz)
Figura 5.20 - Misturador com injecção pela porta (quente) monolítico com um FET para ondas
milimétricas (64GHz → 7GHz)
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5.22 Capítulo 5
entrada. Este aspecto é particularmente importante se se quiser usar o misturador como modulador
com supressão da portadora.
vRF vFI
vOL
VDD
o o
o o
vRF vFI
o o
VCC
vOL
Os potenciómetros nas portas e nos emissores servem para fazer pequenos ajustes dos PFRs
e assim compensar possíveis assimetrias nas montagens (figuras 5.21 e 5.22)
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Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 5 5.23
[5.10], quer em circuitos híbridos (MICs), quer em circuitos integrados monolíticos de microondas
(MMICSs).
O TEC de dupla porta tem uma estrutura idêntica ao de porta simples à excepção da
metalização da porta , que é dividida em duas zonas independentes. A porta mais próxima do dreno,
usualmente considerada a porta 2, tem várias efeitos nas características do dispositivo: permite
controlar a transcondutância em sinais fracos da primeira porta, e portanto o ganho em regime
dinâmico (utilização em controlo automático do ganho); como a segunda porta está normalmente à
massa em RF, actua como armadura entre o dreno e a primeira porta, diminuindo Cgd, aumentando
portanto a estabilidade e o ganho. A maior desvantagem destes dispositivos é o seu factor de ruído,
que é superior aos dispositivos de porta simples.
A dependência da transcondutância relativa à primeira porta em relação à tensão na
segunda porta faz com que o TEC de dupla porta se comporte como misturador. O sinal de OL é
aplicado na segunda porta e o sinal de RF na primeira. A variação periódica da transcondutância,
provocada pelo sinal de OL, permite a conversão de frequência.
O isolamento RF-OL, isto é, entre as duas portas, é da ordem dos 20dB, permitindo em
certos casos usar misturadores simples em vez de misturadores equilibrados ou, pelos menos,
simplificar a filtragem e adaptação dos sinais de RF e de OL. Esta simplificação dos circuitos pode
ser importante na miniaturização de receptores e pode ser imprescindível em MMICs.
Os TECs de dupla porta são normalmente modelados como se fossem dois TECs de porta
simples em série. Para explicar o seu funcionamento, supõe-se que a estrutura tecnológica de um
TEC de dupla porta é simétrica em relação ao ponto D1 (figura 5.23), o que acontece quase sempre.
Este ponto é ao mesmo tempo o dreno do primeiro transístor e a fonte do segundo.
Sendo os dois transístores idênticos, a característica tensão-corrente global dum transístor de
dupla porta pode ser formada a partir da característica tensão-corrente de um dos transístores.
D
iD
G2
V DS2
V GS2
D 1 =S 2
V G2S
G1
V DS1
V GS1
Figura 5.23 - O TEC de dupla porta modelado como dois TECs simples em série
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5.24 Capítulo 5
Com efeito, conhecendo ID(VDS1) em função de VGS1,e ID(VDS2) em função de VGS2, e
sabendo que:
VG2S=VGS1+VDS1 (5.42)
VDS=VDS1+VDS2 (5.43)
I D (m A ) 0
0
60
V GS2 V GS1
50
40
-1 -1
30
20 -2 -2
10
0
0 .0 1 .0 2 .0 3 .0 4 .0 5 .0 V DS1
5 .0 4 .0 3 .0 2 .0 1 .0 0 .0 V DS2
I D (m A )
60 V GS1= 0
+2 +3 +4
50 V GS2
+1
40
0
30 -1
20
-1
-2
10
-2
0
0 .0 1 .0 2 .0 3 .0 4 .0 5 .0 V DS1
5 .0 4 .0 3 .0 2 .0 1 .0 0 .0 V DS2
Figura 5.24 - Características I(V) de dois TECs de porta simples, usados para obter as
características I(V) do dispositivo de dupla porta: a) ID em função de VGS1 e VG2S; b) em função de
VGS1 e VG2S.
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Capítulo 5 5.25
A figura 5.24(b) mostra as curvas do mesmo dispositivo para VDD=5V, com a corrente em
função de VG2S. A figura 5.24(b) obtem-se directamente da figura 5.24(a), determinando os pontos
dos dois conjuntos de curvas que representam o lugar geométrico de VG2S constante. Para um
funcionamento óptimo como misturador ou amplificador com controlo automático de ganho, os
dois transístores devem ser polarizados na zona a tracejado da figura 5.24(b).
O isolamento intrínseco das entradas de OL e de RF tem as seguintes vantagens:
1- Possibilidade de adaptar separadamente os portos de OL e de RF;
2- Aumento do ganho de conversão pois qualquer dispositivo, para combinar os sinais de OL e
de RF, introduz perdas.
Estas vantagens, aliadas a uma grande facilidade de integração, fazem prever que este
dispositivo venha a ter uma grande utilização em circuitos integrados monolíticos.
PROBLEMAS
O sinal a detectar modula uma portadora de rádio frequência (RF) de 1500KHz e tem uma largura
de banda, em banda base, de 10kHz. Nos cálculos que efectuar despreze as componentes da
corrente i de amplitude inferior a 1µA.
a) Apresente um esquema eléctrico básico do misturador que utiliza o dispositivo acima descrito.
Para as entradas de RF e do oscilador local (OL), bem como para a saída de FI utilize
transformadores. Admita fOL<fRF.
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Capítulo 5 5.27
Indique as frequências de sintonia dos transformadores, e comente a necessidade de os sintonizar,
em face das especificações usuais dum misturador.
b) Calcule o desenvolvimento em série de Fourier da corrente no dispositivo NL para uma
excitação em tensão por um sinal do OL de 1Volt e de RF de 10mVolt. Despreze a influência do
sinal de FI aos terminais do dispositivo não linear já que um dispositivo passivo tem perdas, pelo
que o sinal de FI deve ser inferior ao de RF.
c) Admitindo que a carga à frequência intermédia vale Rc(f=fFI)=100Ω, verifique a validade da
aproximação efectuada na alínea b). Comente os valores obtidos.
d) Calcule a potência fornecida pelo OL e o ganho de potência dum conversor que utiliza o
dispositivo dado nas condições de excitação e carga das alíneas anteriores.
e) As entradas de RF e OL estão adaptadas a 50Ω? Comente a sua afirmação.
2:1
430MHz
fRF fFI
Lbloq
a 430MHz 400MHz
FFI=fRF-fOL
30MHz rejeição de fOL
fOLL VD
coaxial 50Ω
DC
a) Calcule o andamento no tempo da condutância do díodo quando modulada pelo oscilador local.
Qual o valor da transcondutância de conversão gc.
b) Supondo que o sinal de RF é de amplitude máxima 1mV, calcule a amplitude da corrente no
díodo à frequência de 400MHz e de 430MHz.
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5.28 Capítulo 5
c)Sabendo que a carga na saída é de 25Ω e que o auto-transformador de saída tem uma relação de
transformação √2:1, calcule o ganho de transdução de conversão GTC.
f1 -f2
VCC
C1 R1 fFI
vO
f1
f1
~
v1 RC
C2
V+v1 R2
f2
v2 ~
vOL
f1-f2 CD
vO(t)
iD
FI
D C3
CG G L3
Q1
f1 f1 S
VDD=20V
~ L1 C1
v1 RF RS CS VG
f2
vOL C2
v2
~
OL
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Capítulo 5 5.29
a) Para Q1 com IDSS=4mA, Vp=-4V e uma tensão máxima de oscilador local V2m=1.8V (v2=V2m
cosω2t) e V1m=1mV (v1=V1m cosω1t), determine a transcondutância de conversão gc=IDf12/Vgs1,
em que IDf12 é a amplitude da componente de frequência (ω1±ω2) da corrente de dreno id, e Vgs1 a
amplitude da componente de frequência ω1 da tensão vgs. Determine igualmente a transcondutância
de conversão referida à amplificação do sinal de frequência ω1.
b) Determine a amplitude das componentes de frequência ω1, ω2, e ω1±ω2 , da corrente de dreno
i D.
REFERÊNCIAS
[5.1] - T. Newman, W. Bishop, K. Weinreb, "A Novel Planar Diode Mixer for Submillimeter-
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[5.11] - PSPICE User´s Guide, MicroSim Corporation, Outubro, 1986.
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5.30 Capítulo 5
[5.14] - V. Volterra, Theory of Functionals and of Integral and Integro-Differencial Equations,
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[5.15] - C/NL - Linear and Nonlinear Microwave Circuit Analysis and Optimization Software,
User´s Manual, Artech House Inc., 1990.
[5.14] - PSPICE User´s Guide, MicroSim Corporation, Outubro, 1986.
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