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AUTOR:
VICTOR HUGO PERILLA MARTINEZ
AUTOR:
VICTOR HUGO PERILLA MARTINEZ
TRABAJO DE GRADO
MONOGRAFÍA
DIRECTOR:
GUSTAVO ADOLFO PUERTO LEGUIZAMÓN.
Charlie Chaplin
Agradecimientos
Agradezco al docente Gustavo Puerto principalmente por su calidad como persona, por su
guía y su colaboración en el desarrollo de este trabajo. A la Universidad Distrital Francisco
José de Caldas por darme la oportunidad de aprender y de crecer como persona. A todos
mis profesores quienes aportaron en conocimientos y en ideales, a mis compañeros que
me apoyaron en este logro y en mi vida.
Resumen V
Resumen
Este trabajo de grado se centra en el estudio del Amplificador Óptico de Semiconductor y
en las configuraciones que basadas en este dispositivo permiten la regeneración de la
onda tanto en su amplitud como en la forma de la señal digital. Para lograr esto se han
analizado los principios básicos de funcionamiento del amplificador, las estructuras físicas
que se han desarrollado para su construcción, además de diferentes modelamientos
matemáticos que se han realizado a partir de la forma en que se analiza el material
debido a sus dimensiones y a su construcción. Se hace un estudio de las diferentes
configuraciones basadas en el Amplificador Óptico de Semiconductor que permiten la
regeneración de onda tanto en su amplitud como en la forma de la señal digital y que se
conoce como regeneración 2R. Se analizan principalmente tres configuraciones, en la
primera configuración se hace uso de un dispositivo conocido como Interferómetro Mach
Zehnder (Mach Zehnder Interformer, MZI por sus siglas en inglés), en la segunda
configuración usa un elemento llamado Absorbente Saturable, en específico un
Absorbente de electrones usado en cascada con un Amplificador Óptico de
Semiconductor, la tercera configuración es basada en la compresión cruzada de ganancia
(Cross Gain Compression, XGC por sus siglas en inglés) y usa modulación cruzada de
ganancia (Cross Gain Modulation, XGM por sus siglas en inglés). Por último se escoge
una de las configuraciones para implementarla en una herramienta informática de
simulación, en este caso se selecciona la configuración que usa XGC debido a sus
características, además se utilizó un Amplificador Óptico de Semiconductor de múltiples
pozos cuánticos el cual se ajustó de tal forma que cumpliera con algunos parámetros que
se especifican en las hojas de datos de un par de amplificadores comerciales que se
tuvieron como referencia, así mediante esta configuración se obtiene la regeneración de
una señal y se hace un análisis de los resultados obtenidos además de las conclusiones
pertinentes.
Abstract VI
Abstract
This undergraduate dissertation work deals with the study of the Semiconductor Optical
Amplifier and its configurations to carry out wave regeneration in amplitude and shape of a
digital signal. To this aim, we have analyzed the basic operating principles of the amplifier,
the physical structures that have been proposed for its construction and mathematical
modeling based on material analysis following its size and construction. Mathematical
modeling varies if this device is studied as a bulk element, or if considered a device
formed by quantum wells or multiple quantum wells. A study of different configurations
based on Semiconductor Optical Amplifier allowing wave regeneration in both amplitude
and shape was performed. This is known as 2R regeneration of digital signal. Three
configurations are mainly analyzed. The first analyzed configuration is known as Mach
Zehnder interferometer (MZI).The second configuration uses an element called saturable
absorber, in particular an electro-absorber used in cascade with the Semiconductor
Optical Amplifier. The third and final configuration is based on cross-gain compression
(XGC) and uses cross-gain-modulation (XGM). Finally one of the configurations was
chosen to be implemented in a computer simulation tool; in this case the settings used
XGC due to their characteristics. Also, a Semiconductor Optical Amplifier of multiple
quantum wells was used which was adjusted in such a way that meets certain parameters
specified in data sheets. By using this configuration a regenerated signal was obtained
and a subsequent analysis of the results was made describing the obtained relevant
findings.
Contenido
Pág.
Resumen .......................................................................................................................... V
Lista de figuras ................................................................................................................ IX
Lista de tablas ................................................................................................................ XIV
Introducción .......................................................................................................................1
1. Generalidades ...........................................................................................................3
1.1 Planteamiento del Problema ............................................................................ 3
1.2 Justificación ..................................................................................................... 4
1.3 Objetivos .......................................................................................................... 5
1.3.1 Objetivo General.................................................................................... 5
1.3.2 Objetivos Específicos ............................................................................ 5
1.4 Alcances y Limitaciones ................................................................................... 5
1.4.1 Alcances ................................................................................................ 5
1.4.2 Limitaciones .......................................................................................... 6
2. Marco Teórico .............................................................................................................7
2.1 Fibra Óptica ..................................................................................................... 7
2.2 Comunicaciones Ópticas.................................................................................. 8
2.3 Redes Ópticas ............................................................................................... 10
2.4 La necesidad del Amplificador Optico ............................................................ 13
2.5 La necesidad de la Regeneración de Onda.................................................... 15
3. Amplificador Óptico de Semiconductor .....................................................................17
3.1 Breve Historia del Amplificador Óptico de Semiconductor .............................. 17
3.2 Principios Básicos del SOA ............................................................................ 18
3.2.1 Descripción básica del SOA ................................................................ 18
3.2.2 Principios de amplificación del SOA .................................................... 20
3.3 Estructuras del SOA....................................................................................... 24
3.3.1 Estructura básica del SOA ................................................................... 24
3.3.2 Supresión de la cavidad de resonancia ............................................... 27
3.3.2.1 Coberturas anti-reflexión .......................................................... 27
3.3.2.2 Ángulo de la cara de la estructura ............................................ 28
3.3.2.3 Ventanas en la estructura de la cara ........................................ 29
3.3.3 Estructuras no sensibles a la polarización ........................................... 29
3.3.3.1 Guía de onda de sección transversal cuadrada ........................ 30
3.3.3.2 Guía de onda corrugada........................................................... 31
VIII Contenido
5. Simulación ................................................................................................................75
5.1 El Software VPI .............................................................................................. 75
5.1.1 Generalidades del software ................................................................. 76
5.1.2 Jerarquía del simulador ....................................................................... 76
5.1.3 Representación de la señal ................................................................. 77
5.1.4 Parámetros globales ............................................................................ 78
5.1.5 Parámetros módulos ........................................................................... 80
5.1.6 Configuración del barrido de parámetros ............................................. 82
5.2 Selección y Ajuste del SOA en VPI ................................................................ 83
5.3 Selección y Simulación de la Configuración de Regeneración de Onda 2R ... 93
Figura 4-1: Regenerador 2R, Interferómetro Mach Zehnder con señal de bombeo [23]. 60
Figura 4-2: Regenerador 2R, Interferómetro Mach Zehnder con diferencia de
corrientes [24] ..............................................................................................60
Figura 4-3: Regenerador 2R, MZI con MMI-SOA en un brazo [25] .................................63
Figura 4-4: Regenerador 2R, MZI con QD-SOA [26] ......................................................63
Figura 4-5: Regenerador 2R basado en SOA-EA [14] ....................................................64
Figura 4-6: Diagrama esquemático y fotografía del dispositivo que consta de dos
secciones concatenados de SOA-EA [27] ....................................................64
Figura 4-7: Medidas de función de transferencia con un SOA-EA y dos SOA-EA [27] ...65
Figura 4-8: BER con regeneradores de uno, dos y tres SOA-EA [8] ..............................65
Figura 4-9: Diagrama esquemático del efecto de XGC es un SOA saturado con dos .......
señales digitales de diferente longitud de onda y una invertida respecto ........
a la otra [29] .................................................................................................66
Figura 4-10: Contribuciones de los diferentes términos de ruido en los términos de fase ...
y cuadratura de la señal 1 es un marcador en la salida del SOA [32] ...........69
Figura 4-11: Diagrama esquemático de la compresión y supresión del ruido en .................
regeneradores de onda basados en XGC y seguidos de un filtro ....................
óptico [32].....................................................................................................69
Figura 4-12: Diagrama esquemático de la conversión de longitud de onda basada en .......
XGC [33] ......................................................................................................70
Figura 4-12: Diagrama esquemático de un regenerador 2R basada en XGC y un ..............
circulador [28] ...............................................................................................71
Figura 4-13: Diagrama esquemático de un regenerador 2R basada en XGC [29] ............72
Figura 4-14: Diagrama esquemático de un regenerador 2R basada en XGC y con ...........
absorbente saturable, además de una prueba en lazo cerrado [34] .............73
XII Lista de figuras
Figura 5-19: Resultados regeneración de onda 2R NRZ (a) Relación de BER ....................
(b) Relación de ER ......................................................................................98
Figura 5-20: Resultados regeneración de onda 2R RZ (a)Relación de BER ......................
(b) Relación de ER ......................................................................................98
Figura 5-21: Diagramas de Ojo Señal Nº1 NRZ (a) Sin regeneración (b) Regenerada; ......
Diagramas de Ojo Señal Nº7 NRZ (c) Sin regeneración (d) Regenerada. ...99
Figura 5-22: Diagramas de Ojo Señal Nº1 RZ (a) Sin regeneración (b) Regenerada;
Diagramas de Ojo Señal Nº7 RZ (c) Sin regeneración (d) Regenerada.....100
Figura 5-23: Señal Nº7 NRZ (a) Sin regeneración (b) Regenerada; 50 bits. ..................102
Figura 5-24: Sistema de línea de transmisión con 5 nodos, sin y con regenerador en .......
cada nodo. ................................................................................................103
Figura 5-25: Señal NRZ en el nodo Nº 5 (a) Sin regeneradores (b) Con regeneradores; ....
Diagramas de Ojo de la señal NRZ en el nodo Nº 5 (c) Sin regeneradores ....
(d) Con regeneradores. .............................................................................104
Figura 5-26: Señal RZ en el nodo 5 (a) Sin regeneradores (b) Con regeneradores; ..........
Diagramas de Ojo de la señal RZ en el nodo 5 (c) Sin regeneradores ..........
(d) Con regeneradores. .............................................................................105
Figura B-1: Medición de variables para determinar el factor de calidad [45] .............114
Figura B-2: Medición del ER [46] .................................................................................115
Lista de tablas
Pág.
Tabla 3-1: Factores de anisotropía para QW [5].............................................................47
Tabla 3-2: Algunos parámetros de materiales para y [5] ................................51
En la Universidad Distrital Francisco José De Caldas por medio del grupo de investigación
GRECO (Grupo de Investigación en Radiación Electromagnética y Comunicaciones
Ópticas) se está iniciando el estudio e investigación de tecnología óptica de
semiconductor, este proyecto busca fomentar la investigación en este ámbito explorando
un área que no ha sido profundizada en el país y buscando producir conocimiento que
permita mejorar los sistemas de comunicación ópticos.
1.2 Justificación
Académica.
El nivel de conceptualización que se tiene en este proyecto permite realizar un avance y
un progreso en la adquisición de conocimientos sobre una temática poco explorada en el
país, esto permitirá tener bases para lograr una producción científica e investigación para
la academia en Colombia. Con esto se consigue una ampliación del espectro de
investigación y profundización a nuevas áreas de conocimiento en este caso a
dispositivos de ópticos de semiconductor.
Económica y Social
Proyectos de este tipo permiten que un país como Colombia empiece a figurar en el
estudio e investigación a nivel mundial en tecnologías ópticas actuales en un área donde
es casi nula su intervención, además se fomenta y se motiva la investigación por parte de
los colombianos en temas como la tecnología óptica de semiconductor.
Personal
Realizar un proyecto de este tipo constituyó un gran reto personal, me dio la oportunidad
para aplicar conocimientos, realizar un aprendizaje y poner a prueba mis capacidades
como ingeniero, aparte de realizar el ingreso al estudio de un área poco trabajada en el
país, el esfuerzo realizado ha marcado el inicio de mi carrera, este proyecto no sólo
ayudará a impulsar el reconocimiento personal sino el reconocimiento de la Universidad
Distrital, lo cual me satisface y me lleva a ser parte de una generación que ingresa a la
vida profesional adquiriendo conocimientos y aportando al progreso de la sociedad
colombiana.
Generalidades 5
1.3 Objetivos
1.4.1 Alcances
El alcance principal de este proyecto se enfoca en el estudio de los aspectos más
relevantes acerca del funcionamiento y modelamiento del amplificador óptico de
semiconductor, asimismo basado en este estudio se implementa en simulación un
Amplificador Óptico de Semiconductor el cual tiene algunas características de potencia y
ganancia en los mismos rangos que se tienen en algunos amplificadores comerciales que
se usaron de referencia. También se realiza un estudio con el fin de comprender las
diferentes configuraciones que usando Amplificadores Ópticos de Semiconductor
permiten la regeneración de Onda 2R, además se escoge la mejor configuración teniendo
en cuenta las prestaciones que ofrece cada una y esta se implementa en simulación
usando como base el Amplificador Óptico ya simulado y caracterizado, así es posible
diseñar un dispositivo de regeneración el cual se puede implementar físicamente con los
amplificadores comerciales que se usaron de referencia.
6 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
El estudio realizado trae al alcance del estudiante colombiano este tipo de tecnología y
permitirá dar una base para trabajos posteriores en los cuales se exploren otras
características y prestaciones que tiene este amplificador en el procesamiento de señales
ópticas.
1.4.2 Limitaciones
El trabajo estará limitado a los modelos de simulación que se pueden realizar en
herramientas de computación y a las restricciones que esta provea. No se realizará una
implementación física debido a las restricciones en la elaboración del dispositivo de
amplificación óptica las cuales son principalmente el costo de las materias primas y el
proceso de construcción, además al realizar la compra de los amplificadores comerciales
que se tuvieron como referencia y que tienen características similares al amplificador
logrado en simulación se tienen dificultades debido a que no existe un laboratorio de
comunicaciones ópticas y no se tiene acceso a equipos de medición, por lo cual se hace
inviable llevar el dispositivo de regeneración a la práctica.
2. Marco Teórico
monomodo aún no había superado los obstáculos del acoplamiento con la fuente de luz.
Al lograr la transmisión se inició la primera generación de sistemas de comunicación [2].
La primera generación usaba una longitud de onda de 820nm, un tipo de fibra multimodo
de cambio salto de índice para un solo canal por hilo de fibra, la distancia del enlace era
de 7km y se lograron velocidades de 45Mb/s en 1980 y después de 90Mb/s en 1983. A
esto se le llamó la primera ventana y el obstáculo para sobrepasar lo logrado era poder
trasladarse de ventana a una alrededor de los 1330nm o de los 1550nm pero esto
requería fuentes ópticas y foto-detectores que funcionarán a estas longitudes de onda [2].
La segunda generación usaba una longitud de onda de 1330nm y llego gracias a la
fabricación de láseres Fabry Perot (Fosfato de Arseniuro, Galio e indio) y foto-
detectores de (Germanio), se usó un tipo de fibra multimodo de índice gradual para un
solo canal por hilo de fibra, la dispersión fue mínima, la distancia del enlace logro estar
entre los 40km y 80km, además se lograron velocidades de 280Mb/s, 417Mb/s y 1.7Gb/s.
A esto se le llamo la segunda ventana y su mayor problema era el de atenuación y por
ello se veía la necesidad de migrar a una tercera ventana alrededor de 1550nm [2].
por Longitud de Onda (Wavelength División Multiplexing, WDM por sus siglas en inglés)
que permitía la inclusión de varios canales en un hilo de fibra óptica y se ha logrado la
implementación de DWDM en la cual se tiene una Multiplexación densa que puede llegar
a tener hasta 40 canales por un solo hilo de fibra y esto permite llegar a velocidades de
400Gb/s usando un solo hilo de fibra óptica [2].
Red óptica pasiva: En una red óptica pasiva, la fibra óptica se va ramificando mediante
acopladores ópticos y divisores ópticos por lo cual se trata es de un sistema de
distribución que permite difundir la señal a varias estaciones, es usado comúnmente en
una red local debido al corto alcance en distancia [3].
Redes ópticas activas: En una red óptica activa, la fibra óptica también se va ramificando
mediante acopladores ópticos y divisores ópticos o matrices de conmutación óptica en
redes de transporte. También pueden implementar sistemas de distribución que permiten
difundir la señal a varias estaciones, la gran diferencia es el uso de elementos que
proporcionan energía a la señal como lo son los amplificadores ópticos, estos elementos
se encargan de compensar la atenuación de la señal, también se usan a veces elementos
de compensación de dispersión y además varios dispositivos optoelectrónicos que
permiten gestionar la red, el objetivo de esto es lograr que la señal llegue a una gran
distancia de tal forma que lleve satisfactoriamente la información al destinatario [2], [3].
Red Troncal (WAN): Tiene la más alta jerarquía en la red, opera a altos regímenes
binarios, cubre casi la totalidad de los enlaces de larga distancia que componen a la red
por lo cual es donde más se usan amplificadores, además interconecta a los grandes
núcleos urbanos, por esto llega a cubrir distancias continentales y de países, debido al
crecimiento exponencial y a la necesidad de actualizarse ha sido mejorada con nuevas
infraestructuras ópticas basadas en DWDM y con esto logran soportar lo requerido en
cuanto a capacidad de ancho de banda [2].
Red de Acceso (AN): Este tramo de red lleva y recoge la información al usuario, es la red
más costosa debido a los arreglos locativos necesarios para su despliegue, esta red en la
actualidad se basa en el par trenzado de cobre, lo que lo restringe a distancias cortas y
permite una velocidad máxima de 50 Mb/s. Una de las soluciones para darle un mayor
ancho de banda es usar cable coaxial pero presenta el problema de tener un canal de
retorno limitado [2].
Marco Teórico 13
Figura 2-4: Espectro de atenuación típica de una fibra monomodo de silicio convencional de bajas
pérdidas [5].
Figura 2-5: Espectro de dispersión total típica de una fibra monomodo de silicio convencional [5].
14 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Figura 2-6: Tecnologías aplicadas a Amplificadores Ópticos para trabajar a diferentes longitudes de
onda y cubrir mayores rangos espectrales [2].
Marco Teórico 15
Al ser el amplificador óptico una parte fundamental, se han creado dos dispositivos con
diferente tecnología, el SOA y el OFA, ya se conoce que los OFAs con el EDFA son los
usados en el despliegue de enlaces de fibra óptica pero sin embargo el SOA tiene un
atractivo interés para ser utilizado como el amplificador por preferencia y es que aparte de
poder amplificar en todo el espectro de las comunicaciones ópticas en anchos de banda
de 30nm aproximadamente y ganancias de 25dB también tiene aplicaciones funcionales
en la redes de comunicación ópticas y puede ser usado como dispositivo de
procesamiento de señal en el dominio óptico, esto hace que el SOA tenga unas
características de amplificación similares a la de los EDFA y permita la regeneración de
los pulsos de información [2], [4], [5], [6], [7].
Desde este periodo se inició el diseño de un dispositivo con esa estructura de guía de
onda pero de forma simétrica dando una reducción de la sensibilidad del dispositivo a la
polarización. Además los desarrollos en el diseño del SOA han sido progresivos y han ido
de la mano con los avances en materiales semiconductores, mejoras en la tecnología
para la fabricación del dispositivo, mejoras en las coberturas anti-reflexión, circuitos
fotónicos integrados, entre otros que han llevado a que el SOA tenga un costo que pueda
competir con los amplificadores ópticos de otras tecnologías que se encuentran en el
mercado. Las funcionalidades del SOA aparte de amplificar y la idea del uso del SOA en
circuitos fotónicos integrados han sido un gran atractivo en la investigación sobre este
dispositivo y es lo que lleva a nuevos desarrollos que permitirán al SOA ser parte
fundamental en los sistemas de comunicación óptica [5].
Para que el SOA pueda funcionar como amplificador es necesario que tenga una corriente
eléctrica que lo polarice de forma correcta, este dispositivo se puede ver como una guía
de onda que no tiene un confinamiento fuerte sino que permite que la señal se escape,
por esto tiene altas pérdidas de inserción y es uno de sus defectos, ha sido bastante difícil
el acople entre la fibra óptica y el tramo de semiconductor lo cual también afecta los
niveles de amplificación que puede proporcionar el dispositivo. Además un problema que
se da con el SOA son los niveles de ruido que tiene la señal fotónica a la salida del
dispositivo, este ruido es producido por el propio SOA y no puede ser evitado
completamente. Las caras del amplificador pueden producir reflexión y con esto causar
rizado en el espectro de ganancia. Otra aparente desventaja es la no linealidad en el
SOA, puede generar productos de intermodulación y distorsión en la frecuencia pero esta
característica puede ser usada para que el dispositivo pueda hacer conversión de longitud
de onda. También existe el problema de la distorsión debido al tiempo de vida de la
recombinación de electrones lo cual hace que la ganancia sea dinámica [5], [10].
Figura 3-2: Comparación de los FP-SOA y TW-SOA, Diagrama de estructura respecto a la señal y
espectros de ganancia. (El rizado del FP-SOA está exagerado) [5].
Para entender los principios de amplificación se debe tener claro los conceptos de
conducción que hay en un semiconductor, se debe tener en cuenta que un átomo tiene
una órbita de valencia que es la que se encuentra más lejos de su núcleo y una órbita de
excitación en la están los electrones libres. Cada órbita tiene asociada una cantidad finita
de energía, y se dice que los electrones ocupan niveles de energía. Un electrón que
ocupa un nivel de energía puede ir hacia un nivel de energía si el átomo recibe una
energía igual a la cual se conoce como cuanto de energía, esto puede hacer que
un electrón pase de la banda de valencia (BV) a la banda de conducción (BC), es decir
pasa un electrón del orbital de valencia a un orbital donde no se ve dominado por la
fuerza del núcleo de átomo. Esto se modela de forma discreta, la estimulación que puede
producir el cambio de nivel del electrón puede ser dada por un fotón, y al haber un salto
del electrón de un nivel a otro se produce un fotón debido al cambio de energía [11].
Figura 3-3: Modelo atómico simplificado: (a) Los electrones se encuentran girando alrededor del
núcleo en órbitas discretas; (b) Diagrama de niveles discretos de energía para un átomo [11].
En un SOA los electrones son inyectados por una fuente de corriente externa lo cual lleva
al SOA a una región activa. Al energizar el SOA los electrones pasan a ocupar la BC que
tiene un nivel de energía y deja una serie de huecos en la BV, es decir átomos sin
electrones en el orbital de valencia. En un semiconductor son posibles tres mecanismos
de radiación. La absorción estimulada, la emisión estimulada y la emisión espontánea [5].
Figura 3-4: Procesos de emisión espontánea y estimulada en los niveles de energía [5].
de valencia, este proceso genera un nuevo fotón que tiene la misma frecuencia y fase que
el fotón que inicia el proceso y el fotón que inicia el proceso no se extingue. Este es el
proceso por el cual se puede hacer la amplificación debido a que la señal fotónica puede
causar ese efecto en el semiconductor. El proceso de emisión estimulada con la señal
fotónica trae de forma implícita el de absorción estimulada pero al mantenerse el proceso
de emisión estimulada en un tramo de semiconductor se logra una alta ganancia [5].
( ) (3. 1)
( )
Donde es la velocidad de transmisión de un portador según el mecanismo de
recombinación, es el parámetro de emisión espontánea La emisión estimulada, es
el parámetro de emisión estimulada y es el parámetro de absorción estimulada. La
densidad de energía de radiación incidente en una frecuencia es ( ). El fotón inducido
tiene una energía siendo la constante de Planck. Basados en esta
caracterización de calcula el coeficiente de ganancia ( ) [5]
Amplificador Óptico de Semiconductor 23
( )( )
( ) (3. 2)
Figura 3-5: Amplificador óptico de semiconductor, tiene un medio de ganancia de diámetro D entre
dos pantallas, además de un filtro para el ruido [5].
(3. 5)
( )
Siendo la potencia del ruido a la salida. Con este resultado se observa que la
ganancia aumenta exponencialmente pero el ruido también lo hace y por esto habrá
siempre una limitante en el SOA. Aun así implementando un filtro óptico de banda
estrecha se puede reducir la potencia del ruido sin afectar la señal lo cual mejora la figura
de ruido ya que se elimina el ruido generado por el SOA en otras frecuencias [5].
24 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Las estructuras de construcción del SOA buscan que el dispositivo tenga varias
características como: Alta ganancia, un gran ancho de banda, baja sensibilidad a la
polarización, niveles de ruido cercanos al teórico, correcto funcionamiento para cualquier
tipo de modulación, amplificación multicanal sin perturbación entre los canales y disminuir
la no linealidad. Además de acentuar o disminuir algunas de estas características debido
a aplicaciones particulares que usan el SOA [5].
Con la corriente de polarización entran los portadores al dispositivo y tiene que pasar a
través de las capas de semiconductor extrínseco para llegar a la región activa, si no hay
confinamiento estos portadores se dispersan por el dispositivo y en la región activa
habrían pocos portadores disponibles para darle ganancia a la señal, lo cual causaría una
operación ineficiente. En la doble hetero-estructura se logra el confinamiento mediante la
diferencia del GAP entre la región activa y la región de revestimiento y así se confinan los
portadores entre las barreras. Sin embargo vale aclarar que aun así la densidad de
portadores en la región activa debe ser bastante alta para lograr una amplificación de
forma correcta [5].
Con el confinamiento el SOA necesita una fuente de corriente de menor poder, hay una
reducción de las pérdidas de potencia en el dispositivo y se genera una menor demanda
al control de temperatura que debe haber en el lugar donde se use el dispositivo. La
eficiencia del SOA aumenta si la señal fotónica se dirige sobre la región activa por lo cual
el acople entre la fibra y el dispositivo además del confinamiento de la señal en la fibra y
en el SOA son factores muy importantes [5].
Para lograr un TW-SOA es necesaria la supresión de la reflexión de las caras. Hay varios
métodos para lograr esto y se mostrarán en esta sección.
( * (3. 6)
Para lograr un mayor ancho de banda con un valor bajo de reflexión de las caras es
necesario usar varias capaz de cobertura dieléctrica. El análisis de estas coberturas es
complejo y más aún cuando se aplican a SOAs. Esto es debido a que el modo de
propagación de la onda en el SOA se distribuye entre la región activa y la región de
revestimiento las cuales tienen diferente índice de refracción [5].
28 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Al usar varias capas de cobertura anti-reflexión se logra que los modos TE y TM reduzcan
su dependencia a la polarización y también amplían el rango de longitudes de ondas para
las cuales se tiene baja reflexión. Bajo varias técnicas como evaporación y pulverización
catódica se le modifica el índice en algunas zonas de la cobertura anti-reflexión y al tener
este control en la fabricación permite su uso en el SOA con resultados satisfactorios [5].
Al inclinar la región activa a lo largo de la estructura se inclina la guía de onda como tal y
el ángulo en el que viaja la onda, de este modo se reduce el efecto de la reflexión de las
caras. La reflectividad disminuye cuando el ángulo aumenta. Sin embargo hay una
degradación de la señal debido a que hay una mayor dificultad entre el acople de la fibra y
el dispositivo. Además al combinar este método con el de cobertura anti-reflexión se tiene
una mayor sensibilidad a la polarización lo cual no es bueno. Este método no se ha
logrado modelar satisfactoriamente y hay desfases en el ángulo óptimo entre lo teórico y
los resultados de la implementación [5].
Amplificador Óptico de Semiconductor 29
Con el uso de las ventanas se puede reducir el efecto de la reflexión y tener una menor
sensibilidad a la polarización, esta estructura es conformada de una región sin
semiconductor intrínseco entre la región activa y las caras. Está región tiene un GAP muy
alto a comparación de la energía de la señal fotónica, lo cual significa que la absorción
estimulada no es posible aunque estará presente en la guía de onda. Cuando la onda
propagada llega a la región de la ventana va con un ángulo debido a la refracción en la
guía de semiconductor y esta es parcialmente reflejada por la cara de salida, el campo
reflejado continua esparciéndose en el espacio de modo que sólo una pequeña fracción
se acopla de vuelta a la región activa, la reflectividad decrementa con el incremento de la
longitud de la ventana y al usar está estructura y la cobertura anti-reflexión es posible
lograr coeficientes de reflectividad menores a [5].
Figura 3-9: Vista superior de un SOA con la región activa inclinada [5].
Figura 3-10: Vista superior de un SOA con las ventanas de la región activa [5].
Se desea que el SOA no sea sensible a la polarización, esto es importante debido a que
el estado de polarización de la señal de entrada puede cambiar lentamente con el tiempo.
La principal causa de la sensibilidad a la polarización es la diferencia entre y ,
30 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Figura 3-11: Sección frontal y vista superior de la franja de SOA con el final adelgazado y región de
ventanas. La guía cuadrada tiene de lado [5].
Pero con esta estructura entre más larga sea la guía de onda el campo diverge más lo
cual causa un acople poco eficiente entre el SOA y la fibra óptica. Adelgazando la guía de
onda en sus puntas como se muestra en la figura 3-11 se logra reducir la divergencia y
tener una mejor eficiencia del acople con la fibra. El confinamiento de la señal es fuerte en
la guía de onda de sección transversal cuadrada, pero hay un menor confinamiento en las
secciones adelgazadas en resultados de experimentación. El dispositivo también tiene
ventanas en los extremos de la guía con el fin de reducir las reflexiones. Con esta
estructura se logra una sensibilidad a la polarización menor a 1dB [5].
Amplificador Óptico de Semiconductor 31
Este dispositivo tiene una región activa mucho más alargada aunque puede variar su
geometría para lograr la igualación de y , la estructura corrugada en los bordes de
la sección transversal permite una baja reflexión con la cobertura anti-reflexión y la
inclinación de la región activa, asimismo se hace innecesario el uso de las regiones de
ventana en los extremos de la guía [5].
Figura 3-12: Ganancia fibra a fibra para polarizaciones TE y TM versus corrientes de polarización
de un SOA con extremos de guía cónicos. [5].
Figura 3-13: Sección transversal de un SOA con guía de onda corrugada gruesa [5].
Al utilizar una geometría que mantenga la guía de onda con sección transversal
rectangular y usando un material tensado en la región activa para incrementar el
coeficiente de ganancia del modo TM muy cerca al coeficiente de ganancia del modo TE
se puede compensar el factor hasta igualarlos. Las reducciones en la
sensibilidad de polarización se han registrado en estructuras de dispositivos con barreras
de tracción tensadas, de tracción tensada en pozos cuánticos, tracción y compresión
32 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Con el uso de las técnicas para reducir la sensibilidad de polarización se pueden lograr un
rango de tolerancia de la corriente de polarización y rangos más grandes de longitud de
onda con la ventaja adicional de una alta potencia de saturación a la salida [5].
( ) (3. 9)
( ( ) ) (3.10)
( *( ) (3. 11)
Amplificador Óptico de Semiconductor 33
(3. 12)
En donde es el área de la sección frontal de la región activa y es el área de la
región activa en modo de amplificador, esto tiene sentido debido a que con mayor área
van a haber mayores portadores para la amplificación lo cual permitiría una potencia de
saturación más alta pero si es alto quiere decir que en esta área la señal de entrada
está más confinada lo cual significaría que es más fácil saturar la guía de onda, por lo cual
la potencia de saturación es menor. Esto muestra que hay una relación de costo-beneficio
en la elección de estos dos parámetros para fabricar un SOA. La ecuación (3. 11) se
puede escribir de la siguiente forma [5]
Para mejorar la saturación aparte de jugar con los parámetros de y se puede usar una
bomba láser continuamente inyectada con la señal de entrada. Sin embargo la longitud de
onda de este bombeo debe ser escogida de tal forma que no quede en los bordes del
ancho de banda del amplificador. Está técnica no es costosa y es muy efectiva [5].
Al fabricar un SOA de tal forma que tenga alta potencia a la salida puede llevar a la
perturbación multicanal de las señales que pasan por él. Este problema puede ser
reducido con el uso de SOAs con ganancia fija. Este dispositivo produce una emisión
láser que se logra al introducir una longitud de onda de retroalimentación específica, esto
genera una longitud de onda bastante alejada de la longitud de onda de la señal que
atraviesa el SOA [5].
Una vez que comienza la emisión láser la densidad de portadores se fija en un valor. Los
cambios en la potencia de la señal de entrada permiten la oposición a los cambios en el
modo de potencia de la emisión láser. Esto tiene el efecto de mantener la densidad de
portadores fija haciendo que la ganancia de la señal sea relativamente insensible a los
cambios en la potencia de la señal de entrada. Los métodos comunes para proporcionar
esta retroalimentación son mediante el uso de reflectores de Bragg distribuidos
(Dristributed Bragg reflector, DBR por sus siglas en inglés) o de una estructura de
realimentación distribuida (Distributed Feedback, DFB por sus siglas en inglés) como se
muestra en la figura 3-15 Una ganancia típica proporcionada por un SOA de ganancia fija
se muestra en la figura 3-16 donde la ganancia de la señal es constante en potencias
bajas, pero se cae rápidamente una vez que se alcanza la saturación [5].
Figura 3-15: SOA de ganancia fija con (a) región DBR (b) región DFB [5].
Amplificador Óptico de Semiconductor 35
Figura 3-16: Típico SOA de ganancia fija versus potencia de salida óptica característica [5].
mismos materiales usados para fabricar láseres en estas regiones. Los materiales usados
para fabricar los semiconductores son del grupo III y IV de la tabla periódica y con ellos se
puede fabricar semiconductores de , , , e [5].
Para que un SOA sea considerado como un dispositivo de volumen la región activa tiene
que tener dimensiones significativamente más grandes que la longitud de onda de Broglie
de portadores ( donde es el momento del portador). Si la región activa tiene
una o más de sus dimensiones (por lo general el espesor) del orden del el SOA se
debe analizar como un dispositivo de pozo cuántico (quantum-well, QW por sus siglas en
inglés). Asimismo es posible tener dispositivos de múltiples pozos cuánticos (Multiple QW,
MQW por sus siglas en inglés) que se constituyen por un número de capas activas
apiladas separadas por delgadas capas de barrera (no-activas) y punto cuántico
(quantum-dot, QD por sus siglas en inglés) [5].
Asumir que las bandas tienen una forma parabólica es una buena aproximación aun
debido a su complejidad. En este modelo la energía de un electrón ( ) en la BC o hueco
( ) en la BV es medida desde la parte inferior a la superior de la banda, y está dada
respectivamente por [5]
Amplificador Óptico de Semiconductor 37
y (3. 15)
Donde es la masa efectiva del electrón en la BC, es la masa efectiva del hueco en
la BV y es la magnitud del vector de momento. Cuando el SOA está polarizado la
probabilidad de ocupación de un electrón con energía en la BC y la probabilidad de
ocupación de un electrón con energía en la BV están determinadas por las
estadísticas de Fermi-Dirac dadas por [5]
y
( ) ( ) (3. 16)
( ) ( * √ (3. 17)
√
∫ ( ) ( * ∫
( *
(3. 18)
√
∫ ( ) ( * ∫
( *
(3. 19)
( ) ( * √ (3. 22)
√ ( )
Así que la tasa de transición neta es
( ) ( )( ( ) ( )) (3. 23)
Amplificador Óptico de Semiconductor 39
( ) ∫ ( ) ( )( ( ) ( )) (3. 25)
(3. 28)
(a) (b)
Figura 3-18: (a) Diagramas espectrales típicos de , y para un de volumen. (b)
Espectro típico del coeficiente de ganancia para un de volumen. El parámetro es la
densidad de los portadores [5].
{ } (3. 29)
( ) ( )
Donde es el coeficiente de recombinación radiativa bimolecular, los valores típicos de
para el material son . es la concentración neta de
portadores ionizados, suponiendo un semiconductor de tipo p. El tiempo de vida de
recombinación de portadores radiativos se puede modelar como [5]
(3. 30)
Los electrones también pueden recombinarse con huecos de forma no radiativa y
disminuir la población de electrones y disminuye la recombinación radiativa. Por lo general
la recombinación de Auger es el mecanismo más importante de recombinación no
radiactiva. Hay muchas formas de procesos de recombinación de Auger, un ejemplo es el
proceso CCHC que se ilustra en la figura 3-19, en la que un electrón de la BC y un hueco
pesado de la BV se combinan y transfieren su exceso de energía e impulso a un segundo
electrón de la BC y este pasa a tener una alta excitación en la BC. Este proceso destruye
un par electrón-hueco. El proceso de CCHC implica dos electrones en la BC y un hueco
en la BV la tasa de recombinación Auger es [5]
( ) ( ) (3. 31)
Los defectos de los materiales, sus impurezas y efectos de la superficie forman trampas
que también pueden causar recombinación no radiactiva significativa debido a que
cualquier portador cerca de la trampa puede recombinarse. La tasa de recombinación
de estos fenómenos es proporcional a y se puede modelar por [5]
(3. 32)
Donde es el coeficiente de recombinación de las trampas del material. El valor de
depende de la calidad del material y el proceso de fabricación. Un valor típico para
está en el rango de . Cuando un SOA se opera a una baja densidad de
portadores los efectos de la no son significativos [5].
{ } (3. 33)
discretos. Un pozo cuántico es una capa activa delgada intercalada entre dos capas de
revestimiento de mayor energía de GAP. En un SOA al hablar de pozo cuanto se refiere a
su capa activa por lo general, asimismo las capas de barreras son las capas de
revestimiento adyacentes [5].
Los SOA de pozos cuánticos tienen ancho de banda óptica más grande, una mayor
potencia de salida de saturación, y mediante la introducción del tensado en el material da
la capacidad de controlar la sensibilidad a la polarización, con referencia al SOA de
volumen. Los diagramas de bandas de energía de cuatro estructuras típicas de pozos
cuánticos se muestran en la figura 3-21 [5].
√
√ { }( ){ } (3. 38)
Figura 3-22: Modelo de bandas de energía para un pozo cuántico. Los subíndices y se
refieren a los huecos pesados y ligeros en las sub-bandas respectivamente [5].
que son las masas efectivas de los huecos ligeros en el pozo y la barrera respectivamente
[5].
(∑ ( ))
(3. 41)
( ∑ ( ) ∑ ( ))
( ) (∑ ∑ ( )
( ( ) ( )) ) (3. 42)
(∑ ∑ ( )( ( ) ( )),
)
Donde es el parámetro de matriz óptica y para los huecos pesados
( ) ( ) (Huecos pesados)
(3. 43)
( ) ( ) (Huecos ligeros)
Donde y son las masas efectivas reducidas de los huecos pesados y ligeros
respectivamente, y están dadas por
Amplificador Óptico de Semiconductor 47
(3. 44)
La transición de energía de la sub-banda de la BC a la sub-banda de la BV está dada
por
(Huecos pesados)
(3. 45)
(Huecos ligeros)
{ } (3. 47)
es un factor que tiene en cuenta el factor de anisotropía para la polarización del campo
electromagnético. Los factores de anisotropía aproximados se dan en la tabla 3-1 [5].
Figura 3-24: Típico diagrama espectral del coeficiente de ganancia para una señal con polarización
TE, en un material de pozos cuánticos de de 6nm de espesor [5].
Figura 3-25: Forma de las funciones de densidad de estados para semiconductor de volumen y
pozos cuánticos [5].
En donde
(3. 49)
Amplificador Óptico de Semiconductor 51
Figura 3-26: Perfil del borde de las bandas para pozos cuánticos de tensión de compresión, sin
tensión y tensión de tracción [5].
Parámetro Símbolo
Constante de tensado 6.0584 5.6533
BC deformación de potencial (eV) -5.0800 -7.1700
BV deformación de potencial (eV) 1.0000 1.1600
Corte deformación de potencial (eV) -1.8000 -1.7000
Coeficiente de elasticidad ( ) 8.3290 11.8790
Coeficiente de elasticidad ( ) 4.5260 5.3760
Tabla 3-2: Algunos parámetros de materiales para y [5].
determinar la composición de los pozos y las barreras requeridas para igualar las
ganancias TE y TM y así lograr una insensibilidad de la ganancia a la polarización. El uso
de pozos cuánticos con tensión de tracción puede conducir a un aumento en la densidad
de portadores transparencia y con ello un aumento de la cifra de ruido [5].
Un MQW SOA puede ser fabricado por el apilamiento de pozos y capas de barrera. Las
capas son muy delgadas y se fabrican mediante técnicas con alta capacidad de control
como la epitaxia de haz molecular (Molecular Beam Epitaxial, MBE por sus siglas en
inglés) y Órgano-metálico de vapor en fase epitaxial (Organo-Metallic vapour phase
epitaxy, OMVPE por sus siglas en inglés) [5].
Un MQW SOA insensible a la polarización puede ser fabricado usando pozos cuánticos
de tensión de tracción y compresión en una sola capa activa (En la composición o
anchura del pozo) con el fin de igualar los coeficientes de ganancia modo TE y TM.
También la relación entre el número de ambos pozos se puede ajustar para compensar la
diferencia entre los factores de confinamiento óptico TE y TM. Un MQW SOA insensible a
la polarización también se ha fabricado donde la tensión se introduce en las capas de
barrera de la capa activa de pozos cuánticos. El diseño y fabricación del área del SOA de
pozo cuántico está pasando por la investigación y el desarrollo rápido. Muchas
configuraciones de pozos cuánticos son posibles y ofrecen mejoras en las características
particulares de SOA y su rendimiento [5].
Los demás factores en un MQW SOA son similares a un QW SOA, se debe tener en
cuenta que el diseño del QW SOA para la construcción del MQW SOA es muy importante.
Vale aclarar que desde el punto de vista del modelamiento se hace muy complejo debido
a la gran robustez de las ecuaciones aunque no se haya usado análisis basados en
mecánica cuántica, esto hace que el modelamiento matemático se busque hacer desde
un punto de vista más general, para esto se han hecho análisis tomando características
del sistema un poco alejadas a la física del material, se cuantifican ciertas características
que tienen un impacto en el comportamiento del SOA y mediante estás se hace una
construcción de ecuaciones diferenciales que permiten obtener resultados similares a los
que se obtienen usando la descripción física compleja.
diferenciales que describen al láser, la ecuación (3. 50) modela la evolución del fotón
dentro de la sección de semiconductor
( ) (3. 50)
( ) (3. 51)
(3. 52)
resultados similares en el comportamiento del dispositivo pero varios autores como [15] y
[16] apuntan que cuando se está cerca del umbral de saturación el comportamiento de la
concentración de portadores tiene un comportamiento no lineal, y es por ello que el
modelo lineal de la concentración promedio de portadores no se ajusta adecuadamente.
La ganancia del MQW- SOA puede ser caracterizada de las siguientes dos formas según
el comportamiento deseado [13], [14].
( )
(3. 53)
( )
( ) (3. 54)
Siendo ( )
( )
(3. 55)
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
(3. 56)
( )
( )
( )
(3. 57)
( ) ( ) (3. 58)
4. Configuraciones para la Regeneración de
Onda 2R Basadas en SOA
En este capítulo se explican algunas de las configuraciones desarrolladas para la
regeneración de onda 2R con el uso de SOAs, para ver la efectividad de estás
configuraciones los desarrolladores han usado dos tipos de medida, la primera es la
relación de extinción (Extinction Ratio, ER por sus siglas en inglés) que mide la relación
de potencia entre el nivel “1” y el nivel “0” y la segunda es la tasa de error de bit (Bit Error
Rate, BER por sus siglas en inglés), no existe un estándar adoptado para la medición de
la regeneración 2R por lo cual algunos investigadores lo han hecho por medio del ER y
otros por medio del BER. Estas medidas se explican en el Anexo B.
El Interferómetro Mach Zehnder (Mach Zehnder Interformer, MZI por sus siglas en inglés)
es una configuración que permite lograr la regeneración de la señal tanto en amplitud
como en forma de onda, está configuración también es usada para la conversión de la
longitud de onda aunque está característica puede ser funcional en redes ópticas de gran
escala ha sido mal vista desde el punto de vista teórico debido a que puede aumentar el
factor de reúso de longitudes de onda. Esta configuración funciona muy bien para señales
con formato RZ, pero no con NRZ, lo cual la hace dependiente del formato de la señal y
esto también es un problema desde el punto de vista de redes ópticas, aun así es la
configuración usada por excelencia en los sistemas ópticos actualmente y funciona a
tasas de bit de y se ha demostrado que puede funcionar tasas de bit hasta de
[8], [22], [23], [24].
60 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Figura 4-1: Regenerador 2R, Interferómetro Mach Zehnder con señal de bombeo [23].
Figura 4-2: Regenerador 2R, Interferómetro Mach Zehnder con diferencia de corrientes [24].
Configuraciones para la Regeneración de Onda 2R Basadas en SOA 61
( √ ( )) (4. 1)
( ) ( ( ) ( )* (4. 2)
Si se usa solamente la potencia de bombeo para lograr el desfase en las señales por lo
general se usan dos amplificadores idénticos con la misma polarización, por lo cual
y , mediante esto y uniendo las ecuaciones (4. 1) y (4. 2) se pueden reducir a la
ecuación (4. 3) [23].
( * ; ( ) (4. 3)
el SOA debido a que la señal de bombeo ocupa al SOA y hace que la señal que ingrese a
ese SOA vea una menor potencia de saturación. Con esto se puede alcanzar fácilmente
el desfase y se logra la regeneración, aunque las aproximaciones supuestas no son
logradas en la realidad el pequeño desfase de error es pequeño por lo cual no afecta
demasiado en los resultados alcanzados [23].
Si se usa la diferencia de corrientes para lograr el desfase entre las señales como se
muestra en la figura (4. 2) además si se tiene y , mediante esto y uniendo
las ecuaciones (4. 1) y (4. 2) se pueden reducir a la ecuación (4. 4) [23].
( * ; ( ) (4. 4)
El principio del desfase se basa en que al tener diferentes corrientes de polarización los
dos SOAs no tendrán la misma potencia de saturación por lo cual de esta forma también
es posible lograr el desfase requerido para regenerar la señal. Vale aclarar que estos
sistemas no son muy estables debido a la necesidad de controles de temperatura para
mantener las corrientes en su valor y las características del SOA, la calidad que debe
tener el sistema de polarización, la precisión necesaria para mantener el ángulo de
desfase en su valor, además de que las ganancias en los SOAs pueden ser diferentes y
se debe tener en cuenta que esta característica va cambiando con el tiempo debido al uso
del SOA [23], [24].
Para lograr una configuración de MZI más estable los SOAs deben ser fabricados en un
mismo sustrato, esto permite que los dos SOAs tengan las misma característica y se
encuentren a la misma temperatura, por lo general estos integrados se fabrican con
sustratos para construir MQW-SOAs, aunque el control de temperatura debe seguir
siendo robusto al tener variaciones en el SOA por su uso se puede ajustar la potencia de
bombeo o la corriente de polarización del integrado para mantener el ángulo de desfase y
así de una forma más fácil volver a la estabilidad [23].
destrucción total muy cerca pero si la entrada es de baja potencia se puede alcanzar la
regeneración y en comparación en el MZI convencional se logra una mejor regeneración
de la señal ya que logra un mejoramiento del ER desde unos 6dB a 20dB [25].
Con la introducción del QD-SOA se ha logrado una configuración de MZI la cual puede
lograr una regeneración de señal a una tasa de bit de en formato RZ, pero se
debe tener en cuenta que los resultados aunque son promisorios no mostraron un gran
mejora de la señal aunque mejoro el BER el ER no tuvo un aumento tan significativo
como se espera en un MZI-SOA [26].
así lograr que la señal herede este cambio abrupto y así recupere su forma de onda
cuadrada y además se amplifique [14], [27].
Figura 4-6: Diagrama esquemático y fotografía del dispositivo que consta de dos secciones
concatenados de SOA-EA [27].
y 6dB y mejoramiento del BER de 2dB. En el dispositivo conformado por un par de SOA-
EA o más se debe tener en cuenta que la mayor ganancia se debe lograr en el primer
SOA debido a que este determinará la figura de ruido [14], [27].
Figura 4-7: Medidas de función de transferencia con un SOA-EA y dos SOA-EA [27].
Este desarrollo de SOA-EA muestra un mejoramiento del BER significativo, esto cuando
se usa varios regeneradores en cascada pero no concatenados sino en diferentes nodos
separados por enlaces que introducen ruido a la señal, vale aclara que está medición del
BER no se hizo de la manera convencional sino mediante una modificación a la forma de
medición. En [8] se explica que tanto el BER, como el ER no son mediciones que
permitan evaluar de forma óptima la regeneración 2R, por ello realiza una medición del
BER mediante otra ecuación además que en la simulación se hace una aproximación del
SOA y del EA y esto idealiza el resultado, mediante esto se obtuvieron los resultados
mostrados en la figura 4-8 y se muestra las prestaciones del sistema de regeneración en
una red [8].
Figura 4-8: BER con regeneradores de uno, dos y tres SOA-EA [8].
66 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
La investigación y el desarrollo del SOA han permitido lograr un diseño el cual permite la
regeneración de señal que es independiente del formato RZ o NRZ y permite un gran
tráfico de datos, con estás dos características está configuración basada en la compresión
de cruce de ganancia (Cross Gain Compression, XGC por sus siglas en inglés) ha tomado
ventaja en los desarrollos de investigación debido a sus prestaciones, está forma de
lograr la regeneración 2R ha sido basada en la lógica por lo cual su desarrollo matemático
es un poco atrasado aun así los resultados obtenidos han permitido visualizar este
dispositivo en el futuro de las redes ópticas [28], [29], [30], [31].
Figura 4-9: Diagrama esquemático del efecto de XGC es un SOA saturado con dos señales
digitales de diferente longitud de onda y una invertida respecto a la otra [29].
Configuraciones para la Regeneración de Onda 2R Basadas en SOA 67
( ) ⃑ ⁄ ( ⁄ ( ) ⁄ ( )) (( ⁄ ⁄ ( )) (4. 5)
̅
( )
( ) (4. 6)
̅
( ∑ +
̅ ( )
( ) ⃑ ⁄ ( ⁄ ( ) ⁄ ( )) ( ) (( ⁄
̅ ( )) (4. 7)
Las ecuación (4. 9) muestra las varianzas del ruido de salida en , estas siendo
función de las señales de ruido a la entrada, de la potencia de las señales de entrada, de
las variaciones de la ganancia, además de la correlación entre ( ) y ( ) en
representada por [32].
̅ ̅ ̅
̅ ̅
(4. 9)
̅ ̅
̅ ̅
Los términos de varianza pueden ser calculados mediante la teoría de análisis espectral
de sistemas con entrada aleatoria y relación Wiener-Khinchin y expresado en una
transformada de Fourier inversa de la densidad de potencia espectral en , para ver
esto a profundidad y el efecto de la supresión de ruido mediante un filtro óptico pasa
banda se puede ir al artículo de la referencia [32]. Para este caso lo importante es
observar en las ecuaciones (4. 9) que la variación del ruido de la señal de entrada se
reduce a la mitad, las variaciones de potencia se reduce a la cuarta parte y la potencia de
ruido debida a la correlación de la potencia de las variaciones de ganancia y potencia de
entrada ( )y ( ) en representada por se reduce a la mitad, con ello
Configuraciones para la Regeneración de Onda 2R Basadas en SOA 69
se puede observar la compresión del ruido en la señal de salida, se debe tener en cuenta
̅
que ⁄ representa la llamada fase de ruido no línea la cual es proporcional al
Figura 4-10: Contribuciones de los diferentes términos de ruido en los términos de fase y
cuadratura de la señal 1 es un marcador en la salida del SOA [32].
Para lograr la regeneración de señal mediante XGC se necesitan dos señales digitales, la
señal principal y la señal invertida, para lograr la señal invertida se puede usar modulación
de cruce de ganancia (Cross Gain Modulation, por sus siglas en inglés) y esto también se
puede hacer mediante el uso de XGC en un SOA, para ello es necesario una señal de
bombeo continua (Continuos Wave, CW por sus siglas en inglés) que está a diferente
longitud de onda de la señal y las dos señales son inyectadas en un SOA. XGM es
resultado de la saturación de la ganancia en el SOA mediante la ocupación de potencia
de las dos señales en el SOA y la compresión que hace sobre la señal de bombeo la
señal digital a copiar, así la señal de bombeo siendo comprimida por los “1” lógico de la
señal de entrada y siendo amplificada cuando la señal de entrada es un “0” lógico logra
ser una señal invertida lógicamente a la señal de entrada pero con diferente longitud de
onda [29], [33].
Figura 4-12: Diagrama esquemático de la conversión de longitud de onda basada en XGC [33].
Este proceso de XGM mediante XGC también es independiente del formato de la señal,
además de que provee ganancia a la señal invertida como a la señal de entrada, este
proceso es bastante importante ya que es el complemento ideal para crear una
configuración que permita la regeneración de onda 2R mediante dos SOAs.
Configuraciones para la Regeneración de Onda 2R Basadas en SOA 71
debe tener en cuenta que debido al absorbente saturable no se puede aumentar la tasa
de bit por la limitación que este presenta [34].
En [35] se presenta un esquema como el de la figura 4-13 pero sin el SOA3 como se
muestra en la figura 4-15, se probó este esquema a con lo cual se lograron
resultados similares de forma satisfactoria, pero también se muestra la dificultad para
llegar a los aun así se obtienen unos resultados preliminares, está estructura se
hizo usando MQW-SOA y esto también es una novedad. En [36] estos mismos
investigadores obtuvieron mediante la misma configuración de la figura 4-15 pero con el
uso de QD-SOA la regeneración a , este resultado se evaluó mediante el factor Q
al cuadrado, en donde se tuvo mejoras de 2.5dB, la señal de entrada tiene un OSNR de
25dB y una potencia de 13dBm [30], [35], [36].
Por último en [31] se realiza una configuración diferente a las mostradas en donde se
prueba a una tasa de bit de con resultados satisfactorios, esto usando MQW-
SOA, la gran diferencia con los esquemas anteriores es que la señal de entrada en los
esquemas mostrados debe tener una potencia de entre 12dBm y 13dBm mientras en la
configuración propuesta en la figura 4-16 la señal de entrada tiene -2.2dBm lo cual es aún
mejor debido a que la señal puede tener un mayor recorrido en la fibra antes de llegar al
regenerador, se debe tener en cuenta que respecto al esquema de la figura 4-15 se usa
un BPF y un atenuador adicionales. Para esta configuración se logró un mejoramiento del
BER entre 1.7dB y 2dB y se demuestra que es posible el uso de regeneradores a una
tasa de bit bastante alta como lo es el régimen de [31].
El software Virtual Photonics Incorpored (VPI, por sus siglas en inglés) es una
herramienta de simulación en el cual se puede probar el funcionamiento de dispositivos
ópticos en este caso una configuración de regeneración de onda 2R. Se hace una breve
introducción del simulador mostrando una visión general acerca de sus características,
funciones y formas de uso. Se explicará la Jerarquía en donde se explican los
subsistemas que conforman la herramienta informática; asimismo se hablará acerca de la
representación de la señal en donde el intercambio de información puede organizarse de
dos formas: transmisión de la información en bloques o por muestras individuales.
También se explica de forma general la configuración de los parámetros del software VPI,
específicamente los parámetros globales y los parámetros de módulo, los parámetros
globales son comunes para todos los módulos en una simulación; cuando una
conformación de elementos se lleva a una vista esquemática permite a la creación de una
instancia del módulo, cada instancia puede tener valores únicos para los parámetros del
módulo y de esta forma se le da al módulo características funcionales propias en la
simulación. El software VPI da la posibilidad de hacer barridos de parámetros de esta
manera es posible analizar la influencia de los parámetros dados en el comportamiento de
la configuración [37].
que permite la medición para realizar un análisis del rendimiento del dispositivo y
eficiencia como regenerador de señal [37].
El software de simulación VPI es una herramienta robusta que posibilita verificar los
diseños realizados en el dominio óptico y establece un estándar industrial para la
automatización del diseño fotónico de extremo a extremo que comprende el diseño,
análisis, optimización de componentes, sistemas y redes. Es usado para evaluar nuevos
componentes, para realizar investigaciones y para optimizar las nuevas tecnologías ya
que ofrece el soporte necesario para simular elementos ópticos pasivos y activos,
aplicaciones de fibra óptica, sistemas de transmisión óptica y aplicaciones de red, además
se enfoca en la elaboración de una generación moderna y próxima de circuitos fotónicos
integrados (Photonic Integrated Circuits, PICs por sus siglas en inglés). Esta herramienta
informática es bastante compleja, debido a esto y con el fin de comprender los resultados,
se prefiere primero explicar sus principios básicos de funcionamiento. Es importante
comprender cómo el software está estructurado y cómo deben definirse algunos
parámetros básicos de simulación para así lograr resultados satisfactorios [37].
Las estrellas son los elementos que están en el nivel más bajo de la simulación,
representan componentes individuales, instrumentos o módulos que no se pueden
subdividir y que necesitan ser parte de un universo para poder ejecutar su función. Estos
elementos básicos tienen una serie de parámetros que se pueden configurar de forma
manual y que permiten caracterizar a cada elemento según sus propiedades [37].
Las galaxias son esquemas compuestos por estrellas enlazadas entre ellas, se les
pueden configurar ciertos atributos que se heredan por los elementos que la componen.
Las galaxias presentan puertos de entrada y de salida que permite realizar
Simulación 77
Cuando se configura en modo bloque (Block Mode) se puede simular de manera más
eficiente ya que el modulo solo trabaja cuando la señal pasa a través de él. Este es
apropiado en simulaciones donde los componentes ampliamente espaciados comparado
con el tiempo de ejecución del modelo, también si la señal fluye en una sola dirección. En
este modo cada módulo genera muestras que se van empaquetando y cuando se tiene un
paquete completo lo envía al siguiente módulo [37].
Los parámetros a definirse para lograr la simulación se dividen en dos grupos de acuerdo
a su uso: Parámetros globales y Parámetros del módulo [37].
Los parámetros globales son los mismos para todos los módulos en una simulación. Un
ajuste adecuado de estos parámetros es importante para lograr un funcionamiento
correcto del simulador. Debido a esto se hará una explicación de los parámetros globales
más usados y se describirá algunas especificaciones acerca de la configuración de estos.
El software VPI ya tiene definidos los siguientes parámetros globales:
Simulación 79
LogicalInformation: es una herramienta usada por el software VPI, permite hacer el envío
de información entre los módulos dentro de la misma simulación. Por lo cual se hace
innecesario el uso de cables entre los transmisores y módulos como los estimadores de
BER, módulos de recuperación de reloj y el Analizador de canal, y esto puede facilitar la
medición ya que no se tiene en cuenta la conexión del módulo como carga en el sistema
[37].
BitRateDefault: Este parámetro define la velocidad binaria de transmisión que es fijada por
el parámetro de velocidad de bits de emisores, generadores de bits [37].
Dado que VPI trabaja con el algoritmo FFT, cuando se trabaja con señales periódicas, se
debe considerar algunas restricciones. La primera es que el número de muestras por
ventana de tiempo tiene que ser una potencia de dos. Esta condición establece una
limitación al seleccionar la ventana de tiempo y la frecuencia de muestreo (SampleRate),
debido a que el producto de estas dos variables resultados en el número de muestras, tal
como aparece en la ecuación (5. 1) [37].
(5. 1)
(5. 2)
Se crea una instancia del módulo cuando un módulo se coloca en un esquema. Cada
módulo en el esquema puede tener valores únicos en sus parámetros. Se pueden editar
los valores de los parámetros con el editor de parámetros, este editor se puede acceder
mediante click derecho sobre el icono del módulo dentro del esquema y seleccionando la
opción de "Edit Parameter" o con un doble click sobre el icono del módulo en el esquema
[37].
En la figura 5-2 se puede observar la ventana del editor de parámetros, en ella se observa
el nombre, el valor y la unidad de cualquier parámetro, la información se muestra en texto.
Simulación 81
Los parámetros están agrupados en categorías y cada parámetro pertenece a una sola
categoría. Dentro del panel de edición de parámetros las categorías se muestran en
carpetas. Para tener una simulación con su propia configuración de parámetros las
categorías pueden ser modificadas; por ejemplo, para modificar el dispositivo se debe
cambiar los parámetros físicos. El cambio de los valores es sencillo, sólo se necesita
modificar su valor en la celda correspondiente y hacer click en el botón “Apply” para
validar el cambio. Además durante la simulación se puede abrir un editor de parámetros,
pero los valores no se pueden modificar. Los parámetros solo se pueden cambiar antes
de realizar cada ejecución de la simulación [37].
Este dispositivo ofrecido por el software se puede configurar de dos maneras, con
ganancia lineal o con ganancia logarítmica como se explicó en la sección 3.4.3 se tiene
que el mejor modelo es el logarítmico pero el lineal no se abandona debido a que los
desarrollos en teoría se hacen con este modelo debido a que el logarítmico aumenta
bastante la complejidad matemática, por lo tanto se decidió modelar un SOA con las
mismas características de estas dos maneras. Debido a que se debe tener unas
características de referencia se observaron los diferentes dispositivos usados en las
aplicaciones de regeneración 2R basadas en XGC, esto debido a que como se dijo en el
capítulo 4 esta configuración de regeneración es la que tiene mejores prestaciones. En la
tabla 4-1 se muestran las características de los diferentes SOAs usados.
Se debe tener en cuenta que los dispositivos de la tabla 4-1 y la tabla 4-2 funcionan a una
longitud de onda central de , como se puede observar los dispositivos comerciales
no tienen especificaciones tan diferentes a los usados en los artículos para los
dispositivos de regeneración. Por ello se decide que los MQW-SOAs a simular deben
cumplir las características de la tabla 5-2.
Tabla 5-3: Parámetros iniciales MQW-SOA modelo Lineal/Logarítmico [38], [41], [42], [43].
86 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Además se predispone que el MQW-SOA va a ser polarizado con una fuente de corriente
de 600mA.
Lo primero que se realizará es el ajuste del MQW-SOA con modelo lineal, para ello se
debe tener en cuenta el resultado de este dispositivo referente a la ganancia y a la
potencia de saturación, para ello se hizo unas gráficas de referencia, una de la función de
transferencia del dispositivo y otra de la ganancia respecto a la potencia de la señal de
entrada, la configuración para realizar esta prueba se muestra en la figura 5-5.
Figura 5-6: MQW-SOA modelo lineal sin ajustes (a) Función de transferencia (b) Saturación de
ganancia.
Simulación 87
Figura 5-7: MQW-SOA modelo lineal ajuste de coeficiente de ganancia lineal del material (a)
Función de transferencia (b) Saturación de ganancia.
Figura 5-8: MQW-SOA modelo lineal ajuste de pérdidas por difusión (a) Función de transferencia
(b) Saturación de ganancia.
Con los resultados obtenidos en la figura 5-8 el siguiente paso es mejorar la ganancia del
SOA, para lograr esto se puede alargar la longitud del SOA pero esto aumentaría el ruido
en el dispositivo y según las referencia [43] se logró un dispositivo con una longitud de
con la ganancia requerida, además teniendo en cuenta los avances en la
construcción del MQW-SOA se considera una buena opción aumentar el confinamiento de
los pozos cuánticos dentro de un rango aceptable, los resultados de esta modificación son
presentados en la figura 5-9 en dónde el confinamiento de los pozos cuánticos que
permiten lograr el requerimiento es de , teniendo un cambio relativo del 150% del
valor inicial.
Se debe tener en cuenta que estos ajustes son el resultado de un grupo de variaciones
realizadas de las cuales se muestran algunas como resultado, puede existir una mejor
forma de lograr el ajuste, en este caso se tuvo como prioridad lograr que el MQW-SOA
cumpliera con las características dadas en la tabla 5-2 sin tener en cuenta si hay una
Simulación 89
afectación significativa en la física del material, aun así con el resultado logrado se
pueden simular SOAs que son comerciales y este factor es muy importante debido a que
si el MQW-SOA cumple las características dadas la compresión de cruce de ganancia se
realizará de forma correcta en el dispositivo regenerador.
Figura 5-9: MQW-SOA modelo lineal ajuste del confinamiento de los pozos (a) Función de
transferencia (b) Saturación de ganancia.
Figura 5-10: MQW-SOA modelo lineal ajustado (a) Función de transferencia (b) Saturación de
ganancia.
90 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
En la figura 5-10 se muestran los resultado obtenidos del ajuste del MQW-SOA en donde
con un modelo lineal se logra una ganancia de 24dB, una potencia de saturación de
14.8dBm y una polarización de corriente de 600mA, la lista de parámetros para este
MQW-SOA se muestra en la tabla 5-4, se debe tener en cuenta que lo obtenido está
dentro de los rangos de valores de las hojas de datos referenciadas [39] y [40].
Parámetro Físicos Valor Unidades
Longitud de onda nominal
Longitud de la sección láser
Ancho de la región activa
Grosor total de los pozos cuánticos
La mitad del grosor de la SCH
Factor de confinamiento de los pozos
cuánticos
Factor de confinamiento de la SCH
Índice de efectividad de grupo
Reflectividad de potencia de la cara
izquierda
Reflectividad de potencia de la cara
derecha
Eficiencia de acoplamiento óptico
Pérdidas de dispersión del material ⁄
Factor de mejoramiento de ancho de línea
Diferencial de índice refractivo de MQW
Densidad de portadores para cero chirp ⁄
inducido en frecuencia
Eficiencia de inyección de corriente
Coeficiente de recombinación lineal ⁄
Coeficiente de recombinación bimolecular ⁄
Coeficiente de recombinación de Auger ⁄
Coeficiente de ganancia del material
Ganancia Lineal
Densidad de portadores de transparencia ⁄
Coeficiente de reducción de ganancia no ⁄
lineal
Constante de tiempo para la ganancia no
lineal (Mezclado de 4 ondas)
Constante de tiempo de captura de la
difusión de portadores hacia los pozos
Constante de tiempo de escape de la
difusión de portadores desde los pozos
Pico de frecuencia de ganancia
Coeficiente de ganancia de ancho
espectral
Parámetro de inversión de población
Ancho espectral de la emisión espontánea
Densidad inicial de portadores ⁄
Para el MQW-SOA con modelo logarítmico se parte de lo logrado con el MQW-SOA con
modelo lineal, por ello el factor de confinamiento de los pozos será de , y las
pérdidas por difusión en el material serán de ⁄ y se ajusta el coeficiente ganancia
logarítmico del material ya que el único cambio fundamental de pasar de un modelo la
modificación de este parámetro. Se toma como base el parámetro inicial de
⁄ , en la figura 5-11 se observa que un buen resultado se logra cuando este
parámetro tiene un valor de ⁄ y de esta forma queda ajustado.
Figura 5-11: MQW-SOA modelo logarítmico ajuste de coeficiente de ganancia logarítmica del
material (a) Función de transferencia (b) Saturación de ganancia.
En la figura 5-12 se muestran los resultado obtenidos del ajuste del MQW-SOA en donde
con un modelo logarítmico se logra una ganancia de 24dB, una potencia de saturación de
15dBm y una polarización de corriente de 600mA, la lista de parametros para este MQW-
SOA se muestra en la tabla 5-5, se debe tener en cuenta que lo obtenido esta dentro de
los ragos de valores de las hojas de datos referenciadas [39] y [40].
más concava, es decir tiene un cambio más abrupto tanto en la función de transferencia
como en la saturación de la ganancia y esto es una buena caracteristica para su
implementación en el dispositivo de regeneración.
Figura 5-12: MQW-SOA modelo logarítmico ajustado (a) Función de transferencia (b) Saturación
de ganancia.
Con el estudio realizado en el capítulo 4 se pudo observar que existe una configuración
para la regeneración de onda 2R basada en XGC que por sus principios de
funcionamiento tiene todas las características deseadas, alto tráfico de datos,
independencia del formato de la señal y estabilidad, además de ofrecer resultados
satisfactorios en la regeneración de onda 2R. De los diferentes esquemas que se
mostraron en la sección 4.3.3 hay un esquema propuesto en [31] y mostrado en la figura
4-16 que en comparación con los demás tiene la ventaja de que la potencia de la señal de
entrada es relativamente baja con un valor de , los otros esquemas necesitan
que la señal de entrada tenga una potencia entre y , el valor de la potencia
de entrada afecta directamente la regeneración en la amplitud de la señal además de la
distancia que puede recorrer la señal antes de llegar al regenerador, por estos motivos el
esquema a simular es el de la figura 4-16 [29], [31], [34], [35].
94 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
El primer paso fue implementar la configuración dentro del software en el cual se creó una
galaxia del sistema de regeneración como se observa en la figura 5-13 y la cual tiene la
misma forma esquemática de la figura 4-16. La señal de entrada tiene una frecuencia
y una potencia de , La señal de bombeo tiene frecuencia de
y tiene una potencia de , los MQW-SOA están
configurados con el modelo logarítmico de la tabla 5-5 y están polarizados cada uno con
una corriente de , los filtros usados están a centrados en y respectivamente,
son filtros Gaussianos con un ancho de banda de cuatro veces la tasa de bit.
Se usó un visualizador para la señal de entrada y otro para la señal de salida, cada
visualizador muestra la señal recibida en cada punto respectivamente, cada uno se
incluyó dentro de una galaxia como se muestran en las figuras 5-14 y 5-15, para la
demodulación se usó un diodo pin y un filtro Bessel con una frecuencia de corte de
veces la tasa de bit, además se utilizó un re-sincronizador de señal.
mediante filtros y en tercera medida porque el ruido en otras longitudes de onda afectan el
funcionamiento del regenerador debido a que pueden distorsionar la señal de bombeo y
tienen una ocupación de potencia dentro del SOA.
El sistema transmisor tiene un retardo de señal, esto es debido a que el MQW-SOA tiene
un comportamiento transitorio al inicio de la simulación debido a la polarización y a la
ocupación del SOA con la señal de bombeo, este estado transitorio causa distorsión en la
señal a regenerar y para evitar que los datos sean afectados se decide colocar un retardo
y de esta forma la señal es procesada en régimen estable. El retardo se configura de
y el transitorio de la señal se muestra en la figura 5-17.
En la figura 5-17 se puede observar el transitorio además del funcionamiento del MQW-
SOA que se encarga de la generación de la señal con diferente longitud de onda e
invertida lógicamente, esta prueba se hizo a y con un formato NRZ. Se intentó
agregar un sistema de medición de BER y ER para cuantificar la regeneración de la señal
pero esto no fue posible debido al retraso introducido tanto en la señal transmitida como
en cada MQW-SOA, este retraso afecta directamente la medida de ER. Teniendo la
posibilidad de exportar los datos obtenidos en formato .cvs se decide tratar estos datos
para las mediciones en MATLAB, lo cual da la oportunidad de tener un trato transparente
sobre la forma de medición de cada parámetro. En el Anexo B se muestra la información
usada para realizar la medición del BER y el ER además del código en MATLAB.
Simulación 97
Teniendo esto se ejecutó una serie de simulaciones en las que se varió el nivel de ruido
de la señal de entrada al regenerador, se hicieron simulaciones con la señal en formato
NRZ y en formato RZ, el tiempo de simulación para obtener una señal regenerada estuvo
entre cuatro horas y siete horas, esto debido a gran costo computacional que requería el
procesamiento de la señal en los MQW-SOAs, ya que la señal en estos dispositivos debe
estar en modo de muestras individuales (Sample Mode) y por cada bit habían 256
muestras por procesar. Los resultados obtenidos se muestran en la tabla 5-6 para las
simulaciones realizadas en formato NRZ y en la tabla 5-7 para las simulaciones realizadas
en formato RZ, se tuvieron en cuenta bits por señal debido a los retrasos.
Nº Señal BER Señal de BER Señal ER Señal de ER Señal Promedio de
NRZ entrada Regenerada entrada regenerada Ganancia
dB dB dB
1 4.048247e-38 1.223533e-48 8.155938 7.910774 10.275349
2 5.604714e-20 4.002015e-26 8.076700 7.892365 10.264642
3 6.807015e-14 7.541795e-19 7.999690 7.866058 10.253111
4 7.814398e-11 1.310152e-14 7.924668 7.837346 10.242141
5 5.485183e-09 4.841761e-12 7.851495 7.817108 10.229600
6 9.479494e-08 2.091854e-10 7.780068 7.794639 10.217712
7 3.245772e-06 2.604596e-08 7.614705 7.740268 10.200991
8 2.916225e-05 5.559081e-07 7.479185 7.695461 10.180401
Tabla 5-6: Resultados obtenidos para la regeneración de onda 2R de una señal con formato NRZ.
98 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Tabla 5-7: Resultados obtenidos para la regeneración de onda 2R de una señal con formato RZ.
Figura 5-19: Resultados regeneración de onda 2R NRZ (a) Relación de BER (b) Relación de ER.
Figura 5-20: Resultados regeneración de onda 2R RZ (a)Relación de BER (b) Relación de ER.
Simulación 99
En las figuras 5-19 y 5-20 se muestran las gráficas de las relaciones de BER y ER para el
sistema de regeneración en formato NRZ y RZ respectivamente. En la figura 5-21 se
muestran los diagramas de ojo para las señales Nº 1 y Nº 7 en formato NRZ y en la figura
5-22 se muestran los diagramas de ojo para las señales Nº 1 y Nº 7 en formato RZ, éstas
son las misma señales que se midieron en la tabla 5-6 y en la 5-7 respectivamente.
Figura 5-21: Diagramas de Ojo Señal Nº1 NRZ (a) Sin regeneración (b) Regenerada; Diagramas
de Ojo Señal Nº7 NRZ (c) Sin regeneración (d) Regenerada.
100 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Figura 5-22: Diagramas de Ojo Señal Nº1 RZ (a) Sin regeneración (b) Regenerada; Diagramas de
Ojo Señal Nº7 RZ (c) Sin regeneración (d) Regenerada.
Con los resultados obtenidos se puede observar que realmente la regeneración de onda
2R muestra buenos resultados, el BER siempre mejora como se observa en la tabla 5-6 y
5-7 y en las figuras 5-19 (a) y 5-20 (a), como se observa en dichas figuras la tendencia es
lineal en las relaciones del BER de la señal de entrada y el BER de la señal de salida, al
realizar una ecuación de ajuste para cada relación y se obtiene las ecuaciones (5. 3)
( ) ( ( ))
para NRZ
(5. 3)
( ) ( ( ))
para RZ
Simulación 101
Las ecuaciones (5. 3) tienen un error de exactitud y precisión, pero permiten hacer una
estimación del nuevo BER y permiten analizar que existe siempre una mejora del BER de
la señal porque las pendientes son mayores a cero, además de ver que entre más
aumenta el BER le es más difícil regenerar al dispositivo esto debido al offset en la
ecuación, asimismo se puede deducir que el regenerador funciona mejor con señales
NRZ que RZ, esto debido a que los bits unos que están entre bits ceros se ven más
afectados en la compresión. Se puede observar en las figuras 5-21 y 5-22 que la mejora
del BER se hace significativa por la compresión del ruido en los unos de la señal ya que
aunque su promedio de potencia disminuye y su desviación estándar disminuye aún más,
los ceros tiene una menor compresión pero esto no significa que no aporten a la mejora
del BER.
En cuanto al ER no hubo mejoras, por lo general empeoró excepto cuando la señal tenía
un ruido alto y estaba en formato NRZ, esto se debe a que el promedio de la potencia del
unos disminuye en la relación debido a la compresión y afecta directamente en la medida,
esto permite analizar que está medida no permite estimar la regeneración en la forma de
onda, se usaba en sistemas SOA-EA ya que el EA disminuía el promedio de potencia de
los ceros y el SOA aumentaba la potencia de los unos y al hacer la relación de potencias
en la salida del regenerador se veía una gran mejora de esta medida. Para poner un
ejemplo de porque el ER no es una buena medida de estimación para la regeneración 2R
es que si la potencia promedio de los ceros tiende a cero el ER tiende a infinito esto sin
importar a forma de onda de los unos de la señal, asimismo mientras el promedio del
unos y del ceros se mantengan se tendrían los mismos resultados en la medida sin
importar la forma de onda de los bits, esto no sucede con el BER ya que el BER tiene en
cuenta las desviaciones estándar de la potencia de los unos y de los ceros, de esta forma
la medida del BER tiene en cuenta el ruido en la señal.
Figura 5-23: Señal Nº7 NRZ (a) Sin regeneración (b) Regenerada; 50 bits.
decide realizar el sistema de la figura 5-24 en la cual se realiza una línea con cinco nodos
sin regenerador en los nodos y otra en la cual se incluye un regenerador en cada nodo, se
va sumando la misma distribución de ruido a cada nodo con el fin de simular la línea de
transmisión.
Figura 5-24: Sistema de línea de transmisión con 5 nodos, sin y con regenerador en cada nodo.
Teniendo en cuenta que el sistema de la figura 5-24 es ideal debido a que el ruido
producido por una línea de transmisión de fibra óptica no tiene una distribución de forma
gaussiana, la causa es la variación de la atenuación a diferentes longitudes de onda como
se mostró en la figura 2-4, se debe tener en cuenta que el objetivo es realizar un análisis
académico del comportamiento del regenerador en este sistema. En la tabla 5-8 se
muestran los resultados de las mediciones de BER en cada nodo, tanto para resultados
con la señal en formato NRZ como RZ, estas simulaciones se hicieron a y se
usaron , la simulación duro cinco horas y la medición se hizo sobre .
Nº BER en línea sin BER en línea con BER en línea sin BER en línea con
NODO regeneradores regeneradores regeneradores regeneradores
(NRZ) (NRZ) (RZ) (RZ)
1 4.054461e-39 2.264352e-48 1.756796e-37 1.132068e-40
2 4.829743e-20 3.488656e-26 2.126084e-19 1.148710e-19
3 4.918571e-14 6.078652e-17 1.311032e-13 1.289999e-12
4 3.026785e-11 1.479136e-11 6.389367e-11 3.957994e-09
5 2.331580e-09 1.059863e-08 4.197022e-09 1.551851e-05
Tabla 5-8: Resultados obtenidos para sistema de línea de transmisión con 5 nodos.
104 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Figura 5-25: Señal NRZ en el nodo Nº 5 (a) Sin regeneradores (b) Con regeneradores; Diagramas
de Ojo de la señal NRZ en el nodo Nº 5 (c) Sin regeneradores (d) Con regeneradores.
Como se observa en la figura 5-25 y en la tabla 5-8 el sistema de transmisión con 5 nodos
con una señal NRZ logra regenerar la amplitud y la forma de onda de la señal pero en el
quinto nodo presenta un peor BER en la señal comparado con el sistema sin
regeneradores, esto supone que hay una limitante de regeneradores en una línea de
transmisión, al observar los bit en el quinto nodo se observa una gran mejora en la
compresión del ruido y en la forma de onda como muestra la figura 5-25 (a) y 5-25(b), al
Simulación 105
analizar se entiende que el BER se ve afectado por la diferencia de potencias entre los
unos de la señal y los ceros mas no por su forma de onda, los ceros de la señal se
amplifican más que los unos de la señal debido a que la compresión no es lineal, esto
permite entender que el sistema de regeneración de onda 2R basado en XGC tiene
ciertos defectos que lo limitan debido a que aunque contrarresta el ruido aumenta la
degradación de la señal en los niveles de potencia de cada bit.
Figura 5-26: Señal RZ en el nodo 5 (a) Sin regeneradores (b) Con regeneradores; Diagramas de
Ojo de la señal RZ en el nodo 5 (c) Sin regeneradores (d) Con regeneradores.
106 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas de
Regeneración de Onda 2R
Los resultados del sistema de transmisión con 5 nodos para una señal RZ vistos en la
tabla 5-8 y en la figura 5-26 permiten observar que la señal con formato RZ se ve muy
afectada, se observa claramente que aunque el ruido es comprimido se distorsiona la
señal en sus niveles de potencia y esto limita realmente al dispositivo regenerador para
ser parte de una red. Para poder observar la diferencia de potencia entre los unos y los
ceros de una señal que se regenera se vuelve a los datos obtenidos con un solo
regenerador y variando el BER de la señal de entrada, con estos datos se puede obtener
la ganancia de los bits unos y la ganancia de los bits ceros de forma independiente, la
tabla 5-9 es un complemento de información de las tablas 5-6 y 5-7.
Tabla 5-9: Ganancias de ceros y unos para la regeneración de onda 2R de una señal con formato
NRZ y RZ.
Con los resultados obtenidos en la tabla 5-9 se puede observar que la ganancia promedio
de los ceros es por lo general mayor a la ganancia promedio de los unos en un sistema de
regeneración 2R con XGC excepto en señales con formato NRZ que tengan altos niveles
de ruido, esto muestra la degradación de la señal y con la medida de ER en las tablas 5-6
y 5-7 se puede observar este tipo de degradación que es producto de la compresión que
sufre la señal en el proceso, esto empeora la relación de extinción y como se pudo
observar en los resultados de la tabla 5-8 se afecta el BER de la señal cuando los
dispositivos se colocan en cascada debido a que se acentúa este efecto, esta desventaja
del sistema de regeneración de onda 2R basado en XGC limita su uso en un sistema
óptico y en una red óptica.
6. Conclusiones y Líneas Futuras
6.1 Conclusiones
Este trabajo ha considerado un estudio bastante profundo sobre el Amplificador Óptico de
Semiconductor, además de su uso en dispositivos de regeneración de onda 2R, mediante
esto se logra conformar una base que permitirá con una mayor facilidad obtener
desarrollos en esta área de las comunicaciones ópticas.
estimación de la forma de onda de la señal pero aun así se podría tener un mejor
sistema de medición que permita de forma clara determinar la calidad de la
regeneración de la forma de onda de la señal.
Determinar un sistema de medición que permita tener de una forma clara una
medida cuantitativa de la regeneración de la forma de onda de la señal, pueden
ser un grupo de medidas que permita diferenciar la degradación por ruido o por
niveles de potencia en la señal.
Investigar sobre el posible uso de sistemas de control de lazo hacia delante y/o de
lazo de retroalimentación que permitan mediante el control de la polarización del
SOA o de XGC realizar un sistema de regeneración óptico 2R que comprima el
ruido y evite la degradación en la potencia de la señal.
A. Anexo A: Análisis Básico de
Amplificación Óptica en un
Semiconductor
Los principios básicos de la amplificación óptica son muy importantes para el
entendimiento de sistemas de amplificación más robustos, por esto en este anexo se
muestra una explicación de este fenómeno. Para ello se caracteriza un y un que
son el numero promedio de átomos por unidad de volumen de un sistema modelado por
las bandas de energía y siendo la BV y la BC respectivamente. Teniendo esto se
puede definir la ecuación (A. 1) [5].
(A. 1)
( ) (A. 2)
( ) (A. 3)
(A. 4)
∫ ( ) (A. 7)
(A. 7)
( ) ( ) (A. 9)
(A. 11)
( ) (A. 12)
(A. 13)
Este ruido es emitido isotrópicamente sobre un ángulo sólido, donde cada emisión
puede tener una probabilidad igual pero al ser mutuamente ortogonales dependiendo del
estado de polarización el polarizador pasa la señal mientras el ruido se reduce a la mitad.
Así la potencia de ruido emitida por un elemento de ángulo sólido con un ancho de
banda está dada por la ecuación (A. 14) [5].
( )
(A. 14)
El ángulo sólido más pequeño que puede ser usado sin pérdida de potencia de la señal
está dado por la ecuación (A. 15) [5].
(A. 15)
Anexo A: Análisis Básico de Amplificación Óptica en un Semiconductor 113
Este ángulo sólido puede ser obtenido con el uso de una apertura de salida apropiada que
sea reducida. En este caso la potencia neta generada se puede escribir como la ecuación
(A. 16) [5].
( ) (A. 16)
Siendo el factor de emisión espontánea. La potencia total de haz puede ser descrita
por la ecuación (A. 17) [5].
( )
( ) ( ) ( ) (A. 17)
( ) ( ) (A. 18)
Siendo la potencia del ruido a la salida. Con este resultado se observa que la
ganancia aumenta exponencialmente pero el ruido también lo hace y por esto habrá
siempre una limitante en el SOA. Aun así implementando un filtro óptico de banda
estrecha se puede reducir la potencia del ruido sin afectar la señal lo cual mejora la figura
de ruido [5].
B. Anexo B: Medición de BER, ER y
Ganancia de una Señal
El BER hace referencia a la cantidad de bits erróneos, por ejemplo un BER de
significa que por cada 10 millones de bits un bit es erróneo, este valor es justo el valor
umbral aceptado en una señal óptica. Para la medición de BER se utilizó una forma de
medida convencional en la cual se analiza la potencia media de los “1”, la potencia media
de los “0” y además las desviaciones estándar del “1” y del “0”, con esto se puede obtener
el factor de calidad de la señal por medio de la ecuación (B. 1), teniendo en cuenta como
referencia la figura B-1 en la cual se muestra la forma en que se miden estás variables, se
debe tener en cuenta que la sección de medida está en la mitad del diagrama de ojo de la
señal, además tiene un tamaño del 10% del tiempo de bit aproximadamente, la precisión y
la exactitud de la medida depende del número de muestras por bit [44], [45].
(B. 1)
Obteniendo el valor de se puede obtener el valor del BER mediante la ecuación (B. 2)
[44].
( * (B. 2)
√
El código usado en MATLAB para realizar la medida es el siguiente:
t=csvread('SignalNoise_0-05_N.csv',5,0,[5 0 512004 0]);
SignalNoise1=csvread('SignalNoise_0-05_N.csv',5,1,[5 1 512004 1]);
%PUNTO DE MEDIDA BER UN BIT 256 MUESTRAS
NumM_bit=256;
PuntoM=NumM_bit*0.5;
umbral_=0.0004;
N=13
bits=length(t)/NumM_bit
%BER
SignalN1=zeros((N*2+1)*bits,1);
for i=-N:N
SignalN1(1+bits*(i+N):bits*(i+N+1))=SignalNoise1(PuntoM-i:256:end);
end
SignalN1=sort(SignalN1);
i_SN1=max(find(SignalN1<umbral_));
Zeros_SN1=SignalN1(1:1:i_SN1);
Ones_SN1=SignalN1(i_SN1+1:1:end);
Q_SN1=(abs(mean(Ones_SN1)-
mean(Zeros_SN1)))/((std(Ones_SN1)+std(Zeros_SN1)));
BER_SN1=(1/2)*erfc(Q_SN1/sqrt(2))
Para la medida del ER se usa la ecuación (B. 3), esta medida es la relación entre la
potencia del “1” y la potencia del “0” de la señal [46].
( ) ( * (B. 3)
Como se muestra las medidas en MATLAB son muy sencillas de realizar y permiten tener
una transparencia total en la forma de medición.
Bibliografía
[1] E. H. Pérez, Tecnologías y redes de transmisión de datos: Editorial Limusa,
2003.
[2] A. Carballar, Comunicaciones Ópticas: “Introducción a la Fotónica de
Comunicaciones”, 2002.
[3] M. C. España Boquera, Comunicaciones ópticas: conceptos esenciales y
resolución de ejercicios, 2005.
[4] J. C. Gomez Paredes, Sistemas de Telecomunicaciones: Planeación y
Cálculo de Enlaces vol. 1, 2006.
[5] M. J. Connelly, Semiconductor Optical Amplifiers, 2002.
[6] K. M. Sivalingam and S. Subramaniam, Optical WDM networks: Principles
and practice: Springer Science & Business Media, 2000.
[7] C. Headley and G. Agrawal, Raman amplification in fiber optical
communication systems: Academic Press, 2005.
[8] F. Öhman, S. Bischoff, B. Tromborg, and J. Mørk, "Semiconductor devices
for all-optical regeneration," 5th International Conference on Transparent
Optical Networks, pp. 41-46, 2003.
[9] J. Simon, "GaInAsP semiconductor laser amplifiers for single-mode fiber
communications," Lightwave Technology, Journal of, vol. 5, pp. 1286-1295,
1987.
[10] A. M. de Melo, "Nonlinear Applications of Semiconductor Optical Amplifiers
for All-Optical Networks," 2007.
[11] R. G. Maldonado Basilo, "Dispositivos semiconductores, amplificadores de
luz y sus aplicaciones.," 2001.
[12] G. P. Agrawal and N. K. Dutta, "Long wavelength semiconductor lasers,"
1986.
[13] V. Systems, VPI Component Marker - Active Photonics User's Manual,
2002.
[14] T. R. Vivero Palmer, "Analysis of Photonic Structures for Optical Networks,"
Telecomunicacion, 2010.
[15] T.-A. Ma, Z.-M. Li, T. Makino, and M. Wartak, "Approximate optical gain
formulas for 1.55-μm strained quaternary quantum-well lasers," Quantum
Electronics, IEEE Journal of, vol. 31, pp. 29-34, 1995.
[16] J. Wilcox, G. Peterson, S. Ou, J. Yang, M. Jansen, and D. Schechter, "Gain‐
and threshold‐current dependence for multiple‐quantum‐well lasers,"
Journal of applied physics, vol. 64, pp. 6564-6567, 1988.
[17] V. M. Ustinov, Quantum dot lasers vol. 11: Oxford University Press, 2003.
118 Análisis del Amplificador Óptico de Semiconductor y su Aplicación a Sistemas
de Regeneración de Onda 2R