UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO - PUNO

INGENIERIA ELECTRONICA

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO - PUNO

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y SISTEMAS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CURSO : LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA II
Midwar Elias VALENCIA VILCA
DOCENTE :

DOCENTE DE
Midwar Elias VALENCIA VILCA
PRACTICAS :
SEMESTRE /
GRUPO : QUINTO / A

EXPERIENCIA
NÚMERO : 01

INFORME : PREIVIO
PRESENTADO
VILAVILA GUTIERREZ Damian
POR :

PUNO - PERÚ
2017 – II
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EXPERIENCIA N 01
¨AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA¨
I.INTRODUCCION:
Como los transistores de juntura se fabrican en tipos PNP y NPN, pueden usarse ambos en los
circuitos de simetría complementaria para obtener todas las ventajas de los amplificadores push-
pull convencionales, sumadas a las que surgen del acoplamiento directo.
Se denomina transistores complementarios a un par de transistores tipo PNP y NPN cuyas
características de ganancia, potencia, etc., sean iguales o muy similares.

Estos transistores pueden conectarse en serie siempre que se respete el sentido de conducción de
cada uno de ellos. En la misma figura se observa que el colector del transistor NPN está
conectado al potencial positivo de la fuente de alimentación mientras que el colector del
transistor PNP está conectado al potencial negativo (masa) de la misma.

Esta disposición permite realizar un amplificador clase B de un modo sencillo.

II. INFORME PREVIO:

A. Responda las siguientes preguntas
1. ¿Qué es un transistor polarizado?
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones
continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en
corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

2. ¿Cómo se calcula la corriente de un transistor?

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3. ¿de que depende la corriente de colector de un transistor?

Depende de varios factores como ganancia o beta del transistor, el tipo de
configuración, la intensidad de base,

4. ¿Qué es la curva característica de entrada y salida?

Es la curva que se expresa la señal de entrada y salida para facilitar su configuración
en las zonas en el cual se desee hacer funcionar correctamente uno o varios
transistores,

5. ¿Cuáles son las zonas o regiones de trabajo de un transistor?

 Regiones activa, corte y saturación
 Región de avalancha o ruptura
 Hipérbola de máxima disipación
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CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y

Emisor también es nula.La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.

IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat

SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un

incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se
puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el
Colector.

ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en

conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.

La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores

ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de
la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de
características, también aparece con la denominación hFE. Se expresa de la
siguiente manera:

ß = IC / IB

6. ¿Cómo se debe de polarizar el transistor?

Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo
mismo polarizar un transistor NPN que PNP. Generalmente podemos decir que la
unión base - emisor se polariza directamente y la unión base - colector
inversamente.
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7. ¿mencione y dibuje ud, las aproximaciones para un transistor?

1ª aproximación (ideal)

Esta es la aproximación ideal, por lo tanto la menos exacta de las tres, las
características de entrada y salida son estas:

2ª aproximación

Esta aproximación no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece más al
funcionamiento real del transistor.

3ª aproximación

La aproximación más exacta o la que más se parece a la realidad, por lo tanto algo
más compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero también en complejidad.
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8. ¿Cómo se lee una hoja de características?

Identificar bien el componente electrónico,
Identificar los patillajes teniendo en cuenta el modelo
Un ejemplo de un transistor

Explicación de cada punto:

 Icbo: Es la corriente máxima que va a circular nuestro transistor cuando este en

estado de corte, ya hemos dicho que en corte es como si pusiéramos el
potenciometro al máximo de resistencia (cientos de mega ohmios ) pero aun así algo
de corriente puede circular y este es el parámetro donde te lo indica, según el
fabricante aplicando una tensión de 30 voltios entre colector y base circularan tan
solo 15 nano Amperios, podemos aplicar la ley de ohm y sabiendo que R=V/I,
sabiendo V=30, I= 0,000000015 A nos da un R=2000000000 Ohmios.
 Hfe ó Beta: En otros manuales y libros puede venir como Beta del transistor, es el
parámetro que relaciona la corriente de colector y la corriente de base, el
fabricante nos da el valor máximo ( 800 )y el mínimo (110), ¿Por qué nos da valores
aproximados y ademas tan lejanos uno de otro?, pues por que por el proceso de
fabricación cada uno puede tener una diferencia con otros de la misma tirada y tipo,
el fabricante nos garantiza el mínimo, y ese es el que usaremos para los
cálculos.
 Vce (sat): Tensión entre colector y emisor cuando esta en saturación, se comporta
como un potenciometro al mínimo, pero incluso al mínimo siempre hay algo de
resistencia interna, esta resistencia interna te va a producir una caída de
voltaje de como máximo 250 mV, que apenas afecta a nada, despreciable.
 Vbe (sat): Tensión de saturación del transistor, es la tensión que hay que aplicar
a la base para que se sature, si aplicamos menos realmente no estaremos
trabajando en saturación sino en la región activa lineal, ademas el fabricante nos
dice que debe circular la base un total de 0.5 mA para que este en saturación.
 Vbe (on): tensión a aplicar para que trabaje en la región activa lineal,
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B. Conceptualice lo siguiente:
Recta de carga
Punto Q
Circuito en contra fase
Defina ud amplificador clase a,b,c
Formula de potencia en la clase b
Que es crossover
Como se polarizan los amplicador en clase b

C. Bibliografía y web grafía:

 Electrónica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos Robert Boylestad decima
edición
 unicrom.com/punto-trabajo-q-recta-carga-estatica-transistor
 www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina13.htm