CAPITULO II

TRANSISTORES DE POTENCIA

Sabemos que los transistores de potencia tienen características que controlan tanto los tiempos de

encendido como de apagado (tON - tOFF).

El transistor al ser usado como switch, es operado en la región de saturación, dando como

resultado una baja caida de tensión en el estado “ON”.

La velocidad de switcheo de los transistores modernos es mucho más alta que la de los elementos

de cuatro capas, como es el caso de los tryristors, razón por la cual, son ampliamente usados en

conversores DC/DC y DC/AC, en conjunción con diodos también rápidos conectadoss en paralelo

pero inversos al sentido de circulación de corriente.

B D m

E
Aunque los rateos limites tanto de tensión como de corrientes son menores que los de thyristors

GTO, ZTO, etcétera, los transistores son ampliamente usados en aplicaciones de bajas y medias

potencias.

Usualmente los transistores son clasificados en cuatro (4) categorias:

1. Bipolares “BJT”.

2. MOSFET.

3- SIT (Static Induction Transistors).

4. IGBT (Insulated - Gate Bipolar Transistor).

Usualmente estos elementos de potencia son considerados como switches, en las distintas técnicas

de conversión de potencia.

En la práctica los transistores reales se alejan bastante de los elementos ideales, estos tienen

algunas limitaciones, razón por la cual están restringidos a algunas aplicaciones.

Las características y ratios de cada tipo deben ser examinadas, a fin de determinar su ubicación en

una aplicación particular.

CARACTERISTICAS EN ESTADO ESTACIONARIO D.C.

Aunque se tienen tres posibles configuraciones, hablaremos de aplicaciones con emisor común,

para un transistor NPN de amplia aplicación bajo condiciones de switcheo.

Se tienen tres (3) regiones de operació para el transistor: a) corte; b) región activa; c)

Saturación.

En la región de corte el transistor está apagado I B=0, ambas junturas están inversamente

polarizadas.

En región activa el transistor puede operar como amplificador, la corriente de colector es

amplificado por un factor de ganancia y el voltaje colector - emisor VCE, puede decrecer con la

corriente de base.

La capacidad CCBJ aparece en la juntura C-B la cual es inversamente polarizada y/o juntura B-E es

directamente polarizada.

En la región de saturación, la corriente de base es lo suficientemente alta, tal que el voltaje V CE

llega a su bajo, actuando bajo estas condiciones el transistor como un switch cerrado (ON).

Ambas junturas C-B y B-E están directamente polarizadas, tendremos la siguiente característica de

transferencia.
 V CE

Vcc REGION
ACTIVA
corte SATURACION

V CESAT

0 IB
0 V BE

0.5 V BESAT

a continuación presentamos el modelo de el transistor N-P-N, para grandes señales, en operación

D.C. tenemos:

I E  Ie  I B

IC
con   hFE 
IB

La corriente de colector tiene dos componentes: una debido a la corriente de base y la otra que es

la corriente de fugas en la juntura.

C-B

I C  I B  I CEO
 I E  I B (1   )  I CEO
 I B (1   )
I E  I C (1  1 /  )
 1
 IC

La corriente de colector puede ser expresado como:

I C  I E con    / (   1)

Ic

I CEO

 IB

IB
B

IE

+Vcc

Rc

Ic +
R B
IB

V CE
+

+ V BE
V B
-
-
-

Consideramos el circuito anterior en el cual el transistor es operado como switch.

 V B  V BE
IB 
RB
VCE  VCC  I C RC

RC
 VCC   VB  VBE 
RB

VCE  VCB  V BE

 VCB  VCB  V BE

Expresión que indica: VCE > VBE, la juntura C-B está inversamente polarizada y el transistor se

encuentra en región activa.

La máxima corriente de colector en región activa puede ser alcanzado cuando V CB = 0 y VBE =

VCE.

VCC  VCE VCC  VBE

 I Cmax  
RC RC

Con una corriente de base correspondiente a:

I Cmax
I Bmax 


Si la corriente de Base se incrementa por arriba de Ibmáx, el voltaje BBE se incrementa al igual que la

corriente de colector, pero el voltaje VCE caerá por debajo de VBE, ésto continuará hasta que la
juntura C-B queda directamente polarizada, con una tensión VC-B  0.4 a 0.5 Volts con lo cual el

transistor cae en saturación.

Podremos bajo éstas circunstancias definir el transistor en saturación, como el punto en el cual un

incremento en la corriente de base, no produce un incremento signifivativo en la corriente de

colector.

Si VCEsat = Voltaje C - E en saturación:

VCC  VCEsat I Bsat

I Csat  ; I Bsat 
RC 

Para alcanzar la condición de saturación, normalmente el circuito es diseñado tal que IB > IBsat.

La relación de IB a Ibsat es denominado FACTOR DE SOBRE EXCITACION O.D.F. (OVER -

DRIVER - FACTOR).

IB
ODF 
I Bsat

Y la relación de Icsat a IB es llamada:  FORZADO = f.

I Csat
f 
IB
Así la potencia total de pérdidas en las dos junturas es:

PT  V BE I B  VCE I C

NOTA: Un alto valor de ODF no reducirá el voltaje C -E V CE de manera significativa, sin

embargo, VBE se incrementará debido al incremento de la corriente de base, dando como resultado

un incremento de pérdidas de potencia en la juntura B - E.

Ejemplo: Un transistor en el circuito de la figura anterior, tiene:  en el rango 8 - 40 RC = 11W;

VCC = 200V y VB = 10V; si VCEsat = 1.0V. calcular:

a- RB para saturación con un ODF = 5.

b- eta forzado f.

c- Pérdidas de potencia Pt en el transistor.

Solución:

VCC = 200V min = 8 RC = 11W

max = 40 VB = 10 volts

VCEsat = 1.0V VBEsat = 1.5V

Tenemos:
 VCC  VCEsat
I Csat 
RC
 200  1
I Csat 
11
I Csat  18.1 Amp

I Csar
De I Bsat 
 min

I Bsat  18.18
I Bsat  2,2625 Amp

con un factor ODF  5

I B  ODFxi Bsat
I B  5x 2,2625 A
I B  11,3125 A

V B  V BEsat
De IB 
RB

10  15
.
 RB   0.7514W
11,3125

I Csat 181
.
De f    1.6
IB 11,3125

De PT  V BE I B  VCE I C

PT  15
. x11,3125  1.0 x18.1  35.07 walts
A altos valores de ODF puesto que las pérdidas de potencia se incrementan, el transistor puede ser

destruido, debido al exagerado incremento de temperatura. (EFECTO JOULE).

CARACTERISTICAS BAJO CONDICIONES DE SWITCHING

Una juntura P-N directamente polarizada presenta dos capacitancias en paralelo:

a- Capacitancia de la capa de agotamiento.

B- Capacitancia de difusión.

De otro lado, una juntura inversamente polarizada tiene solamente la capacitancia de agotamiento

bajo condiciones estacionarias no juegan ningún papel.

Sin embargo bajo condiciones de transientes, tienen una alta influencia en el comportamiento en

encendido ON y apagado OF.

A continuación presentamos el modelo del transistor bajo condiciones de transientes, en donde Ccb

y Cbe son las capacitancias efectivas de las junturas C-B y B-E respectivamente. La

transconductancia gm de el transistor bipolar estádefinida como la relación DIc/DVBE.

 C cb
ib ic
C

r be C be
B iB
r o =r ce

iE
C cb
E ic
B C

r be C be r o =r ce
V be
gmV be

iE

gm= ic
V be E

V B

V 1

0 t
KT (1-K)T
V 2

IB
+I B1

0 t

-I B2
Ic

I CS
0.9I CS

0.1I CS
0 t
td tr tn ts tf t0

En el modelo las capacitancias, son dependientes de los voltajes en la juntura y de la construcción

física del transistor.

Ccb afecta significativamente la capacitancia de entrada debido a la multiplicación del efecto Miller.

Producto de las capacitancias internas el transistor no conmuta a “ON” de manera intantánea y en

la figura de tiempos se ilustran, tanto las formas de onda como los tiempos de switcheo.

En el gráfico de tiempos tenemos que si la tensión VB crece desde cero hasta V1 la corriente de

base lo hace hasta IB1, pero la corriente de colector no responde inmediatamente.

Esto debido a que existe un retardo “td”, antes de que cualquier magnitud de corriente de colector

fluya.

Este retardo es el tiempo requerido para que se cargue la capacitancia de la juntura B - E hasta el

voltaje dipolarizado directo VBE (aprosimadamente 0.7 volts).

Después de este retardo la corriente de colectos crecerá hasta su valor final de estado estacionario

Ies (saturación), requiriendo un tiempo “tr”, el cual depende de la constante de tiempo determinado

por la capacidad de juntura B - E.

Como la corriente de base IB es mayor que la requerida para saturar el transistor, como un

resultado de el exceso de portadores minoritarios, una alta carga es almacenada en la región base.

El alto factor O.D.F. es la causa de la carga extra almacenada en la base.

Esta carga extra, la cual es llamada carga de saturación, es proporcional al exceso de suministro de

corriente de base y a la correspondiente corriente de emisor Ie.

 I CS
Ie  I B 

I e  (ODF ) xI BS  I BS
I e  I BS ( ODF  1)

La carga de saturación será:

QS   s I e
 QS   s I BS (ODF  1)

En donde S es conocido como la constante de tiempo de almacenamiento del transistor.

Cuando el voltaje de entrada cambia de V 1 a -V2 (VBE), la corriente en la base también cambia

hasta -IB2, pero la corriente de colector no cambia hasta después de un tiempo “t s” es el tiempo

requerido para remover la carga de saturación desde la base.

Como VBE siendo positiva alcanza un máximo de 0.7 volts aproximadamente, la corriente de base

invierte su dirección, debido al cambio en la polaridad de VB desde V1 a - V2. La corriente inversa

-IB2, ayuda a descargar la base y remueve la carga extra desde la base.

Sin la corriente -IB2, la carga de saturación será removida solamente por recombinación y el tiempo

de almacenamiento se prolongará.
Puesto que la carga extra es removida, la capacitancia de la juntura B - E se cargará al nuevo

voltaje de entrada -V2 y la corriente de base cae a cero.

El tiempo de caida “tf” depende de la nueva constante de tiempo, la cual está determinada por la

capacitancia de la juntura B - E inversamenta polarizada 9juntura B - E).

Resumiendo tendremos:

TIEMPO DE ENCENDIDO T ON:

TON = td + tr

TIEMPO DE APAGADO TOFF:

TOFF = ts + tf

Ejemplo: # 1 Para un transistor operando como switche con una carga resistiva tenemos los

siguientes parámetros:

Vcc = 250volts, VBEsat = 3volts,IB = 8A, VCEsat = 2volts,

ICE =100A, td = 0.5msec, tr = 1msec, ts = 5msec,

tf = 3msec, f0 =10kHz, K = 50% (ciclo de dureza),

ICE0 = 3.0 mA.

Calcular: PERDIDAS DE POTENCIA DEBIDO A LA CORRIENTE DE COLECTOR.

a- Durante tON = td + tr.

b- Durante tn (tiempo de conducción).

c- Durante toff = ts + tf.

d- Durante t0.

e- Potencia promedio total de pérdidas PT.

f- Graficar la potencia instantánea debida a la corriente de colector Pc(t).

Solución:

T = 1/fs = 100msec

con K = 0.5

KT = T1 = td + tr + t n

= 50msec

 tn = 50 - 0.5 - 1 = 48.5 msec

(1-K) T = T2 = ts = tf = t0 = 50msec

 t0 = 50 - 5 - 3 = 42.0 msec
 V CE

V CC

V CESET

0 t
t ON t off
IC

I CS

I CEO
0 t
td tr tn ts tf to

IB
I BS

0 t
T=1/f (1-K)T
V BE

V BESAT

0 t

Durante el tiempo de retardo td 0 £ t £ td

ic(t) = ICE0 VCE(t) = VCC

Tendremos una potencia instantánea:

PC(t) = ICVCE = ICE0 x VCC

La potencia de pérdidas promedio durante td:

 td
I
Pd =
T P
0
C (t )dt

= ICE0 . VCC . td . fs

Pd = 3 x 10-3 x 250 x 0.5 x 10-6 x 10 x 103

= 3.75 mw

Durante:

0 £ t £ tr

I CS
iC (t )  t
tr

t  t 
VCE (t )  i cVCE  I CS VCC  (VCEsat  VCC ) tr 
tr

La potencia PC(t) será máxima cuando t = t n

en donde:

t rVCC
tn =
2 VCC  VCEsat 

1x 250
tn =  0.500m sec
2( 250  2)

La ecuación A lleva la potencia pico

2
VCC I CS
Pp =
4 VCC  VCEsat 

100
2
Pp = 250 x  6.300walts
4(250  2)
durante el tiempo t = tr

I
tr
VCC  VCEsat  VCC  
Pr 
T 0 PC ( t ) dt  f 0 I CS tr 
 2

3


 250 (2  250) 
Pr  10 x10 3 x100 x1x10 6   
 2 3
Pr  42.3walts

La potencia durante t = t ON = td + tr

PON = Pd + Pr

= 0.00375 + 42.33

PON = 42,33 walts

b- Durante el período de conducción 0 £ t £ tn

iC (t )  I CS y VCE ( t )  VCesat

tn
1
 Pn 
T P
0
C ( t ) dt  VCEsat xI CS xt n xf 0

Pn  2 x100 x 48.5x10 6 x10 x10 3

Pn  97 walts

c- Durante el período de almacenamiento 0 £ t £ ts

ic(t) = Ics , VCE(t) = VCE(sat)

 PC(t) = ic VCE = VCEsat x ICS

 = 2 x 100 = 200 walts

ts
1
 PS 
T P
0
C (t ) dt  VCesat I CS xt S xf 0

PS = 2 x 100 x 5 x 10-6 x 10 x 103

PS = 10 walts

Durante el tiempo de caida tf 0 £ t £ tf

VCC
VCE (t )  t
tf

iC (t )  I CS (1  t / t f ) Despreciando ICEO


PC ( t )  i CVCE  VCC I CS (1  t / t f ) t / t f 

Estas pérdidas de potencia durante el tiempo de caida serán máximas en t=t f/2 = 1.5msec.

La potencia pico será:

VCC I CS
Pmax 
4

250 x100
  6.250walts
4

tf
1 VCC I CS t f f 0
y Pf 
T P C ( t ) dt 
6

250 x100 x 3x10 6 x10 x10 3

Pf   125walts
6
La pérdida de potencia durante el tiempo de apagado t off.

 tf 
Poff  PS  Pf  VCC xI CS xf 0  t S  
 6

=10 + 125

= 135 W

d- Durante t0 0 £ t £ t0

iC (t 0 )  I CE 0 VCE(t) = VCC

PC(t0) = iCVCE = ICE0 x VCC

PC(t0) = iCVCE

PC(t0) = 3 x 10-3 x250 = 0.75 walts

t0
1
 P0 
T P C ( t ) dt  I CE 0 xVCC xt 0 xf 0
0

P0 = 3 x 10-3 x 250 x 42 x 10-6 x 10 x 103

P0 = 0.315 wats

e- pérdidas de potencia total debido a la corriente de colector:

PT = PON + Pn + POFF + P0

PT = 42.33 + 97 + 135 + 0.315

PT = 274. 65 walts
 6.250W
6.30watts
6.300

200

0.75
0 t
t f/2
td tr tn ts

tf

Ejemplo: #2 Con los parámetros del ejemplo anterior, calcular la potencia promedio de pérdidas

debida a la corriente de base.

Solución:

VBEast =3V IB = 8A t=1/f0 = 100msec K =0.5

KT = 50msec td = 0.5msec tr = 1msec ts = 5msec

tn = 50 - 1.5 = 48.5msec toff = ts + tf = 5+3 = 8msec tf = 3msec

tON = td + tr = 1.5msec

Durante el período: 0£ t £ (tON + tn)

ib (t )  I Bsat ,V BE (t )  V BEsar

La potencia instantánea:

Pb (t )  ibV BE  I BS xV BSsat
 = 8 x 3 = 24 walts

Durante el período 0 £ t £ t0

t0 = ( T - tON - tn - ts - tf )

 La potencia promedio de pérdida será:

PB  I BS xV BEsat (t ON  t n  t s ) f 0
.  48.5  5) x10 6 x10 x10 3
PB  8 x 3x (15
PB  13.2 walts

SNUBERS

LIMITACIONES: di / dt y dv / dt

Sabemos que los transistores requieren cierto tiempo para encenderse y/o apagarse. Si

despreciamos en principio el tiempo de retardo td y el tiempo de almacenamiento ts, y exponemos

las formas de onda de voltaje y corriente para un transistor bipolar BJT en condiciones de

switching:
 V CE

V S

IL
IC
I CS

0 tf
tr

Durante el tiempo de encendido la corriente de colector crece y la rata de crecimiento di / dt está

determinado por:

di I L I CS
 
dt tr tr

Durante el tiempo de apagado “toff” el voltaje colector emisor V CE, puede crecer en relación con la

caida )decrecimiento de la corriente de colector, la rata de crecimiento de voltaje está dada por:

dv Vs VCC
 
dt t f tf
Circuitos de protección son normalmente requeridos para mantener la operación di / dt y dv / dt

sin que se sobrepasen las condiciones máximas permisibles especificadas por un determinado

transistor.

A continuación mostraremos los circuitos tipicos de protección y las formas de onda usuales:
 +
Vs L s
iL

D
L
if

R B
C s
+ Q

R s D s
V B
-
-

FIG - B

V B

V 1

0 t
i

IL

0 t

if
IL

0 t
tr tf

El circuito R-C-DS es conocido como el snuber de limitación dv / dt (paralelo).

La bobina Ls, limita la rata de crecimiento de corriente di / dt (snuber serie).

Si asumimos el circuito bajo condiciones de estado estacionario, I l circulará libremente a través del

diodo D1, el cual tiene un tiempo de recuperación despreciable.

i IL i IL
L s L s L s

+ D 1 IL + + D 1 IL
IL

V V +
s V s s
C V s
-
Q C
- - - R

MODO 1 MODO 2 MODO 3

MODOS DE OPERACION:

Modo 1. Cuando el transistor Q es encendido la corriente de colector crece y el diodo D1 para de

conducir y durante el encendido di/dt será:

di / dt = Vs / Ls

Teniamos di / dt = Ics / tr  Ls = Vs tr / IL Ics = I1

Modo 2. Durante el apagado de el transistor el capacitor C se descargará debido a la continuidad

de circulación de la corriente de colector.

El voltaje en el capacitor aparecerá a través de el transistor y la rata de crecimiento de voltaje dv /

dt será:
 dv / dt = Vcc / tf  C = Iltf / Vs

Modo 3. Como el capacitor al apagarse el transistor, finalmente se carga a Vs, el diodo D 1 se

encenderá debido a la energía almacenada en Ls y estaremos finalemente en la operación de un

circuito R-L-C resonante.

El circuito R-L-C deberá ser escogido como normalmente critico amortiguando a fin de evitar

oscilaciones que generen sobre tensiones en el transistor d = 1 factor de amortiguación.

Ls
Debiendo cumplirse: R0  2
C

Puesto que finalemtne el capacitor deberá descargarse a través de el transistor cuando éste sea

encendido (ON), esto hará que se incremente la corriente pico a través de Q debiendo limitarse

ésta mediante una resistencia R en serie con C y en paralelo con el diodo Ds.

i cs s

0 t
ts
t=1/fs

La corriente de descarga es mostrada en la figura anterior.

Cuando se escoge el valor de Rs, el tiempo de descarga: RsCs = s deberá también ser

considerado.

En el circuito en tiempo de descarga de /3 es usualmente adecuado, así:

3RsCs = T = 1/f

 Rs= 1 / 2fCs

Ejemplo: Un transistor dipolar en un arreglo como el mostrado en la figura “B” anterior, es

operado como chopper a frecuencia f0 = 10khz, Vs = 220 Volts, I L =100A, VCEsar @ 0, para el

transistor tenemos: Td = 0, tr = msec, tf = 1.2 msec. Calcular:

a- Ls

b- Cs

c- Rs, para condición de amortiguamiento critico.

d- Rs, si el tiempo de descarga es limitado a 1/3 del período de switcheo.

e- Rs = Si la corriente pico de descarga se limita al 10% de IL.

f- Pérdidas de potencia debido al snuber Ps, despreciando el efecto del inductor Ls sobre el

snuber de voltaje Cs.

Solución:

IL = 100A, Vs = 220 Volts, F0 = 10 Khz

tr = 3msec tf = 1.2 msec

a- Teniamos:

Vs t r 220 x 3x10 6
Ls    6.6mH
IL 100

I Lt f 100 x1.2 x10 6

b- De: Cs    0.55mf
Vs 220

c- De: Rs  2 Ls / Cs  2 6.6 / 0.55  6.93W

1 1
d- De: Rs    60.6W
3 f s Cs 3x10 x10 x 0.55x10 6
3

Vs 220
e- De:  01
. IL   01
. x100  Rs  22W
Rs Rs

f- Las pérdidas en el snuber, despreciando las pérdidas en el diodo DS:

PS  0.5CsVs2 f 0
Ps  0.5x 0.55x10 6 x 220 2 x10 x10 3
Ps  1331
. watts