DIODO SEMICONDUCTOR CARÁCTERÍSTICAS BÁSICAS

1. Buscar manuales y detallar las características básicas de los

diodos a utilizar (uno de Silicio y otro de Germanio).
Diodo de Silicio. - El diodo es un semiconductor y un dispositivo fabricado de
material n y p. Los materiales semiconductores del diodo semiconductor están
dopados o contaminados con impurezas, de tal manera que insertan una cantidad
de huecos o electrones en el material. El material con más electrones se le conoce
como tipo n. El material con más huecos se le conoce como tipo p. Se les conoce
como portadores mayoritarios a los huecos o electrones excedentes, estos
portadores mayoritarios son los principales encargados de la conducción. A
continuación, se presentan las figuras de un diodo de empaquetado PTH axial y el
símbolo electrónico del diodo.

DIODO SEMICONDUCTOR SIN POLARIZACIÓN – NO VOLTAJE EXTERNO

Cuando el material tipo n y p se unen, los electrones y huecos cercanos a la unión
se recombinan. Esto provoca que disminuya la cantidad de portadores libres cerca
de la unión. Esta región con pocos portadores libres, se le conoce como región de
agotamiento o empobrecimiento.

Diodo de Germanio. - El diodo de germanio es un diodo discreto de uso general con

una velocidad de cambio alta y una corriente máxima y puntuación de voltaje
inverso regulares para aplicaciones radiales, digitales y de audio.

Características:

El diodo de germanio es un pequeño y rápido componente electrónico fabricado de

silicio, de alta conductividad, usado en el procesamiento y detección de señales de
radiofrecuencias de manera muy eficaz, con un tiempo de recuperación inversa de
no más de 4 ns, su nombre sigue la nomenclatura JEDEC (sistema americano para
la identificación de los semiconductores, se encuentra generalmente en un
encapsulado de vidrio de tipo DO-35 (Cristal de excelente estabilidad y fiabilidad a
largo plazo).

Los diodos de germanio a diferencia de los diodos de silicio se utilizar en circuitos

eléctricos que requieran de una baja potencia; la polarización de voltaje en estos
diodos es mucho más baja y esto permite que el circuito donde se emplee un diodo
de germanio sea más eficiente eléctricamente, es por esto que son más usados en
circuitos de precisión.

Otra diferencia entre estos diodos y los diodos de silicio es que tiene su voltaje de
polarización directa en 0.3 V, y los diodos de silicio su voltaje de polarización
directa es de 0.7 V.

Aplicaciones:

Detección de señales de radiofrecuencia.

Circuitos de conmutación de alta velocidad.

2. Explicar los conceptos de Resistencia Dinámica, Corriente de

Polarización Directa, Corriente de Polarización Directa y Tensión
de Pico Inverso.

Resistencia Dinámica

Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequeña señal (o sea una

señal alterna), aparece para dicha señal una resistencia que depende del punto Q de
funcionamiento. El valor de dicha resistencia se la denomina resistencia dinámica
del diodo. Y como en el caso de la resistencia estática, se la puede calcular de dos
formas, una gráfica y otra analítica. La resistencia dinámica posee dos componentes,
una el valor de resistencia que presenta la juntura PN (llamado ru), y otro es el valor
de la resistencia óhmica del cuerpo del diodo (llamada rb). O sea la resistencia
dinámica es:

rd=ru+rb

Para valores chicos de corriente de polarización (o sea la corriente continua),

predomina ru (ru>>rb), y para valores grandes de corriente predomina rb
(rb>>ru).

Gráficamente la resistencia dinámica representa la pendiente de la recta que pasa

por el punto Q.

La resistencia dinámica se calcula como:

O sea la variación de la tensión dividido la variación de la corriente. Se observa que
para valores grandes de corriente Ay>>Ax con lo cual el valor de resistencia es
chico, y para valores chicos de corriente pasa lo contrario Ax>>Ay con lo cual el
valor de resistencia es grande.

EL DIODO EN POLARIZACIÓN EN INVERSA – VOLTAJE EXTERNO

Considerando la aplicación de un voltaje externo en la unión de materiales p-n, en
donde la terminal positiva está conectada al material del tipo n. El número de iones
positivos en el material n se incrementa en la unión, esto debido a la gran cantidad
de electrones libres en la unión en el material p. Igual con los iones negativos y los
huecos. El efecto final, es un incremento en la región de empobrecimiento. Una
barrera tan ancha que los portadores mayoritarios no pueden pasar a través de esta.
Sin embargo, los portadores minoritarios generan una corriente muy pequeña, esta
corriente se le conoce como corriente inversa de saturación Is. Is suele tener valores
de micros.

DIODO EN POLARIZACIÓN EN DIRECTA – VOLTAJE EXTERNO

La polarización directa es cuando el diodo se conecta en su ter minal p a el positivo
y su terminal n al negativo de la fuente. Esta configuración de polarización
“empujará” a los huecos en el material tipo p y a los electrones al material tipo n.
De tal manera que estos se recombinarán cerca del límite por lo que se reducirá la
región de agotamiento. El flujo de portadores minoritarios sigue igual que en Is. En
polarización directa, el flujo depende principalmente en los portadores
mayoritarios. Debido a la región de empobrecimiento reducida, y a la atracción del
potencial contrario al material, se incrementa la corriente que fluye a través del
diodo.
Para esta polarización podemos demostrar por medido de las características
generales de un diodo semiconductor con la siguiente ecuación:

En donde
Is Es la corriente de saturación inversa.
Vd es el voltaje de polarización en directa.
n es un factor de idealidad. n=1.
Vt Voltaje terminco Vt=kT/q
k constante de Boltzmann = 1.38×10-23 J/K
T temperatura absoluta en Kelvin = 273 + Temperatura en ºC
q magnitud de carga del electrón = 1.6×10-19 C.