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ELETRÔNICA A NALÓGICA E DIGITAL

3.8 C IRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO:


 Teoria do quadripolo.
 Os parâmetros são geralmente fornecidos pelo
fabricante do transistor.
 Estes parâmetros podem ser medidos diretamente Fig. 50
no transistor com muito mais facilidades do que
outros parâmetros.
 O transistor é considerado um quadripolo.
Para um quadripolo, temos:
v 1  hi .i1  hr .v 2
i 2  hf .i1  ho .v 2
Onde: Os termos “h” são os parâmetros do quadripolo (chamados de “híbridos” 
mistura: número adimensional, resistência e condutância).
A) Fazendo: v2 =0  colocando a saída em curto. Temos:
v i
hi  1       e     hf  2    
i1 v  0 i1 v  0
2 2

Sendo:
 O termo hi uma resistência (v/i) de entrada do quadripolo.
 O termo hf é a relação entre a corrente de saída e a corrente de entrada do
quadripolo. Seria o ganho de corrente.
B) Fazendo: i1 =0  deixando a entrada em aberto. Temos:
v i
hr  1       e     ho  2    
v 2 i 0 v 2 i 0
1 1

Sendo:
 O termo hr é a relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída do
quadripolo. Seria a realimentação de tensão no quadripolo.
 O termo ho é a relação entre a corrente de saída e a tensão de saída. Seria a
condutância (i/v) de saída do quadripolo.
 Resumo:
Os termos hf e hr são números adimensionais  são uma relação;
O termo hi é uma resistência (  Ohms);
O termo h o é uma condutância (S  Siemens).
Estes parâmetros servem para um quadripolo genérico, inclusive, seria possível
adotar outras equações para representar o quadripolo  Teoria de circuitos.
 O circuito equivalente pode ser visto na Figura 51.
hi  input  entrada;
ho  output  saída;
hf  forward  para frente;
hr  reverse  reverso.
Ao lado do índice é indicado se for base comum (b),
emissor comum (e) ou coletor comum (c).
Fig. 51 hie  resistência de entrada do transistor em emissor
comum;
hoe  condutância de saída do transistor em emissor comum;
hfe  relação entre a corrente de saída e a corrente de entrada do transistor em emissor
comum;
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hre  relação entre a tensão de saída e tensão de entrada do transistor em emissor


comum;.
hfe  
 Simplificando:
hfb  
Valores típicos para os parâmetros:
hie  2,7 k;
hoe  18 S ;
hfe  220;
hre  150 10-6.
 Os parâmetros têm uma certa tolerância em função do transistor e podem variar
em função do ponto de operação, frequência e a temperatura.
 Nos cálculos aproximados, pode-se desprezar o termos “hre” e “hoe” que sendo
valores pequenos tem pouca influência no resultado final.
 MODELOS:
Modelos compactos descrevem o comportamento dos transistores por meio de um
modelo abstrato, conceitual, gráfico e/ou matemático utilizando técnicas, métodos e teoria
fundamentada na física dos semicondutores e formam a base dos simuladores de
circuitos eletrônicos.
Modelo conceitual: É a representação de um fenômeno, dado ou teoria usando a
lógica e a matemática por meio de funções, relações, tabelas, processos estocásticos,
fórmulas, axiomas e regras de inferência.
Modelo matemático: É a representação de um sistema por meio de equações
matemáticas. Para os transistores, destaca-se o modelo de projetos:
Modelo para o projeto de circuitos eletrônicos: As ferramentas para projetos
eletrônicos automatizados usam modelos dos componentes para emular o funcionamento
de um circuito, sendo necessário modelar nestas circunstâncias os efeitos do transistor,
como: características de alimentação, capacitância parasita, indutância e resistência
interna e efeitos da temperatura. Este tipo de modelo utiliza resistores, fontes de tensão e
corrente para simular o efeito elétrico do transistor.
3.10 EXEMPLO:
1 - Dado: vg = 0,1 Vp; Rg = 1 k; RC = 1 k.
hie = 2,7k; hfe = 220; hre = 150.10-6; hoe = 18 S.
Calcule o ganho do estágio amplificador Figura 52
e utilize o modelo simplificado da Figura 53.
vg 0,1Vp
ib    27,0270 Ap Fig. 52
Rg  hie 1k   2700
hfe .i b  220.27,0270  A  5,94595mAp
v ce  hfe .i b .RC  220.27,0270  A.1k   5,94595Vp
v out v ce 5,94595Vp
Ganho  tensão   Av     59,4595
v in vg 0,1Vp

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3.11 R ESISTÊNCIA DE ENTRADA DO T RANSISTOR:


 Calcule a resistência de entrada do transistor do modelo híbrido.
Veja as Figura 53 e 54.
v be  i b .hie  hre .v ce  Equação  1
 
v ce  hfe .i b .  hoe / / Rc 
1 1 1 1 1
    hoe  gc  Req. 
Req. Roe Rc Req. hoe  g c
hfe .i b
v ce    Equação   2  Fig. 53
hoe  g c
Substituindo   a   equação   2  na   equação  1
  ,  temos :
hre .hfe .i b  h .h 
 i b .  hie  re fe 
v be  i b .hie  hre .v ce  i b .hie 
hoe  g c  hoe  g c 
Resistência de Entrada do Transistor :
v be i b  h .h  hre .hfe
rin   .  hie  re fe   hie 
ib ib  hoe  g c  hoe  gc
  
3.12 R EPETIR O EXEMPLO 3.10:
1 - Dado: vg = 0,1 Vp; Rg = 1 k; RC = 1 k.
hie = 2,7k; hfe = 220; hre = 150.10-6; hoe = 18 S.
Calcule o ganho do estágio amplificador com o
modelo completo. Fig. 54
hre .hfe h .h 150.106.220
rin  hie   hie  re fe  2700   2700  1,73684  2698,263158
hoe  gc 1 1
hoe  18mS 
Rc 1k 
vg 0,1Vp
ib    27,0397 Ap
Rg  rin 1k   2698,263158
hfe .i b  220.27,0397  A  5,94874mAp
v ce  hfe .i b .RC  220.27,0397  Ax1k   5,94874Vp
v out v ce 5,94874Vp
Ganho  tensão   Av     59,4874
v in vg 0,1Vp Fig. 55
3.10 EXERCÍCIOS RESOLVIDOS:
1 – Considerando a Figura 55. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = 68 k, Rb2 = 12 k, Rc =
5,1 k e Re = 1 k. Calcule o ganho do circuito para o sinal (G = vc/v g). Considerando: hie
= 2,7 k, hfe = 220, hre = 150.10-6 e hoe = 18 S. Considere que todos os capacitores
sejam um curto para o sinal “v g”. Sendo: rg = 500  e v g = 20 mVp. Utilize no cálculo o
circuito equivalente completo mostrado na Figura 54.

Fig. 56

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Fig. 57
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Resistência de Entrada do Transistor :


hre .hfe 150.106.220
rin  hie   2700   2545,850889
hoe  g c 1
18 S 
5100
  
Na Figura 57 temos a substituição do circuito de entrada do transistor (hie e hre) pela
resistência de entrada (rin). Desta forma, fica fácil o cálculo da corrente ib.
1 1 1 1 1 1 1
Req .         Req .  2037,3437045
Req. Rb1 R b 2 rin 68k  12k  2545,850889
vg 20mV
itotal  irg    7,8822589 A p
Rg  Req . 500+2037,3437045
Req . 2037,3437045
ib  irg .  7,8822589 A.  6,3078598 A p
rin 2545,850889
1 1 1 1 1
Sendo : Roe   R Out  Roe / / Rc     hoe  g c  R Out 
hoe R Out Roe Rc hoe  g c
1 h .i 220.6,3078598 A
vce  vc    h fe .ib  .ROut    h fe .ib    fe b    6, 482340V p
hoe  g c hoe  g c 1
18  S 
5100
vc 6, 482340Vp
Ganho  G    324,116995
vg 20mVp

2 – Considerando a Figura 58. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = Rb3 = 15 k, Rb2 = Rb4 =
3,3 k, Rc1 = Rc2 = 1 k e Re1 = Re2 = 180 . Calcule o ganho total do circuito para o sinal
(G = vc2/v g). Considerando: hie = 1,5 k, hfe = 100, hre = 250.10-6 e hoe = 50 S para os
dois transistores. Considere que todos os capacitores sejam um curto para o sinal “vg”.
Sendo: Rg = 100  e v g = 10 mVp.
Na Figura 59, temos o circuito equivalente completo.

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Resistência de Entrada do Transistor :


h .h
Rin  hie  re fe 
hoe  g c
250.106.100
Rin T 2  1500   1476,1905
1
50 S 
1000
O valor real do Rc 1 é igual a :
R"c 1  Rin T 2 / /Rb 4 / /Rb 3 / /Rc 1.
1 1 1 1 1 Fig. 58
"
    
Rc1 Rin T 2 R b 4 Rb 3 Rc1
1 1 1 1 1
"
   
Rc1 1476,19047 3,3k  15k  1k 
 R"c 1  488,4920
250.10 6.100
Rin T 1  1500   1488,0789
1
50 S 
488,4920
  

Fig. 59
Na Figura 60, temos o circuito equivalente completo substituindo os valores de RinT2 e

Fig. 60
RinT1. O valor real do Rc1 é igual a: R’C = RinT2//Rb4//Rb3//Rc1.
Cálculo de iRg:
1 1 1 1
Req .    
Req . Rb1 Rb 2 Rin T 1
1 1 1 1
    Req .  959,9653
Req. 15k  3,3k  1488,0789
vg 10mV
i Rg    9,4343  Ap
Rg  Req. 100  959,9653
Cálculo de ib1:

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v b1 i .R 9,4343  A.959,9653
i b1   Rg eq .   6,08610  Ap
Rin T 1 Rin T 1 1488,0789
Cálculo de ib2:
 1 
hfe .i b1.  
 Rin T 2  hfe .i b1.g in T 2
i b2   
 1 1 1 1  hoe  g b 4  g b 3  gc 1  g in T 2
 hoe     
 Rb 4 Rb 3 Rc 1 Rin T 2 
 1 
100.6,08610  A.  
i b2    1476,19047   196,596  Ap
 1 1 1 1 
 50 S  15k   3,3k   1k   1476,19047 
 
Cálculo de ib2:
h .i 100.  -196,596  A 
v c 2  - fe b 2  -  18,7234V
hoe  gc 2 1
50 S 
1k 
Cálculo do ganho final:
v 18,7234V
Ganho  G  c 2   1872,34
vg 10mV

3.11 EXERCÍCIOS COM RESPOSTAS:


1 – Considerando a Figura 55. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = 68 k, Rb2 = 12 k, Rc =
5,1 k e Re = 1 k. Calcule o ganho do circuito para o sinal (G = vc/v g). Considerando: hie
= 1 k, hfe = 100, hre = 250.10-6 e hoe = 20 S. Considere que todos os capacitores sejam
um curto para o sinal “vg”. Sendo: rg = 100  e v g = 10 mVp. Utilize no cálculo o circuito
equivalente completo mostrado na Figura 54.
Resposta:
IRg = 10,94389 A; Ib = 10,07079 A; v c = -4,66071 V; G = v c/vg = -466,07098
2 – Considerando a Figura 55. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = 68 k, Rb2 = 12 k, Rc =
5,1 k e Re = 1 k. Calcule o ganho do circuito para o sinal (G = vc/v g). Considerando: hie
= 1,5 k, hfe = 100, hre = 200.10-6 e hoe = 20 S. Considere que todos os capacitores
sejam um curto para o sinal “v g”. Sendo: rg = 50  e v g = 10 mVp. Utilize no cálculo o
circuito equivalente completo mostrado na Figura 54.
Resposta:
IRg = 7,77131 A; Ib = 6,82901 A; vc = -3,16043 V; G = vc/v g = -316,043298
3 – Considerando a Figura 55. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = 15 k, Rb2 = 3,3 k, Rc = 1
k e Re = 680 . Calcule o ganho do circuito para o sinal (G = vc/v g). Considerando: hie =
2,5 k, hfe = 120, hre = 150.10-6 e hoe = 18 S. Considere que todos os capacitores sejam
um curto para o sinal “vg”. Sendo: rg = 500  e v g = 20 mVp. Utilize no cálculo o circuito
equivalente completo mostrado na Figura 54.
Resposta:
IRg = 7,43815 A; Ib = 3,87867 A; vc = - 457,21057 V; G = vc/v g = -45,7210574
4 – Considerando a Figura 55. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = 68 k, Rb2 = 12 k, Rc =
5,1 k e Re = 1,2 k. Calcule o ganho do circuito para o sinal (G = vc/v g). Considerando:
hie = 1,7 k, hfe = 150, hre = 250.10-6 e hoe = 15 S. Considere que todos os capacitores
sejam um curto para o sinal “v g”. Sendo: rg = 120  e v g = 10 mVp. Utilize no cálculo o
circuito equivalente completo mostrado na Figura 54.
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Resposta:
IRg = 6,92214 A; Ib = 6,02319 A; vc = -4,28029 V; G = vc/v g = -428,029498
5 – Considerando a Figura 58. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = Rb3 = 15 k, Rb2 = Rb4 =
3,3 k, Rc1 = Rc2 = 1 k e Re1 = Re2 = 180 . Calcule o ganho total do circuito para o sinal
(G = vc2/v g). Considerando: hie = 2,7 k, hfe = 220, hre = 150.10-6 e hoe = 58 S para os
dois transistores. Considere que todos os capacitores sejam um curto para o sinal “vg”.
Sendo: Rg = 100  e v g = 10 mVp. Utilize no cálculo o circuito equivalente completo
mostrado na Figura 59.
Resposta:
IRg = 6,91263 A; Ib1 = 3,47122 A; Ib2 = 158,7585 A;
v c2 = 33,01216 V; G = vc/v g = +3.301,21648
6 – Considerando a Figura 58. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = Rb3 = 15 k, Rb2 = Rb4 =
3,3 k, Rc1 = Rc2 = 1 k e Re1 = Re2 = 180 . Calcule o ganho total do circuito para o sinal
(G = vc2/v g). Considerando: hie = 2,5 k, hfe = 100, hre = 180.10-6 e hoe = 52 S para os
dois transistores. Considere que todos os capacitores sejam um curto para o sinal “v g”.
Sendo: Rg = 100  e v g = 10 mVp. Utilize no cálculo o circuito equivalente completo
mostrado na Figura 59.
Resposta:
IRg = 7,16054 A; Ib1 = 3,72829 A; Ib2 = -82,3038 A;
v c2 = 7,82355 V; G = v c/v g = +782,35511
7 – Considerando a Figura 58. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = Rb3 = 15 k, Rb2 = Rb4 =
3,3 k, Rc1 = Rc2 = 1 k e Re1 = Re2 = 180 . Calcule o ganho total do circuito para o sinal
(G = vc2/v g). Considerando: hie = 2,5 k, hfe = 110, hre = 180.10-6 e hoe = 52 S para os
dois transistores. Considere que todos os capacitores sejam um curto para o sinal “vg”.
Sendo: Rg = 80  e v g = 20 mVp. Utilize no cálculo o circuito equivalente completo
mostrado na Figura 59.
Resposta:
IRg = 14,53197 A; Ib1 = 7,56782 A; Ib2 = -183,8683 A;
v c2 = 19,22577 V; G = v c/v g = +961,28843

8 – Considerando a Figura 58. Sendo: Vcc = 15 V, Rb1 = Rb3 = 68 k, Rb2 = Rb4 =
3,3 k, Rc1 = Rc2 = 5,1 k e Re1 = Re2 = 180 . Calcule o ganho total do circuito para o
sinal (G = vc2/v g). Considerando: hie = 2,7 k, hfe = 100, hre = 180.10-6 e hoe = 50 S para
os dois transistores. Considere que todos os capacitores sejam um curto para o sinal “vg”.
Sendo: Rg = 80  e v g = 20 mVp. Utilize no cálculo o circuito equivalente completo
mostrado na Figura 59.
Resposta:
IRg = 13,08925 A; Ib1 = 7,06724 A; Ib2 = -266,4834 A;
v c2 = 25,37937 V; G = v c/v g = +1268,9687

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