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FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA DE SISTEMAS
TEMA:
“BANDA PROHIBIDA DE UN SEMICONDUCTOR”
CURSO:
FÍSICA ELECTRONICA
DOCENTE:
FERNANDO HURTADO
GRUPO:
ATAUCURI YNFANTE ISAAC DANIEL
HUERTAS FRANCO MAX ALEC
PAULINO VIGO ARTURO JAVIER
ZAVALETA TAUCETT JHERSON JHANPOUL
CICLO:
2019-I
ÍNDICE
I. PROBLEMA………………………………………….Pág.03
II. INFORMACIÓN TEORICA……………………...Pág.03
III. HIPÓTESIS………………………………………….. Pág.05
IV. CONTRASTACIÓN DE HIPÓTESIS………………. Pág.05
V. DISEÑO EXPERIMENTAL………………………… Pág.07
VI. REALIZACIÓN DE EXPERIMENTO Y OBTENCIÓN DE
DATOS………………………………………………. Pág.08
VII. TABLA DE DATOS………………………………….Pág.08
VIII. ANÁLISIS Y DISCUSIÓN DE RESULTADOS……..Pág.09
IX. CONCLUSIONES…………………………………….Pág.09
X. TRANSFERENCIA…………………………………...Pág.10
XI. ANEXO……………………………………………….Pág.12
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CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR
1) PROBLEMA
¿Cómo obtener la magnitud de la banda prohibida para un
semiconductor?
2) INFORMACION TEORICA
𝑣𝑑𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎 = 𝜇𝐸
∆𝐸
𝑛 = 𝑛𝑜 𝑒 −2𝑘𝑇 (2)
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Como puede verse en el caso de los semiconductores puros esta misma
relación se verifica para la conductividad, o sea:
∆𝐸
𝜎 = 𝜎0 𝑒 −2𝑘𝑇 (3) Dónde: 𝜎 = 𝑒(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑛 )𝑛0
1
Teniendo en cuenta (3) para la resistividad 𝜌 = podemos plantear:
𝜎
∆𝐸
𝜌 = 𝜌𝑜 𝑒 2𝑘𝑇 (4)
∆𝐸
𝑅 = 𝑅𝑜 𝑒 2𝑘𝑇 (5)
∆𝐸
𝑙𝑛𝑅 = 𝑙𝑛𝑅0 + (6)
2𝑘𝑇
y = a1 x+ a0 (7)
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Que es la ecuación de una línea recta con pendiente 𝑎1 e intercepto 𝑎0 .
Así vemos que del ploteo de la dependencia del logaritmo natural de
los valores de la resistencia contra el inverso de 2kT debemos obtener
una línea recta cuya pendiente debe ser igual al valor del ancho de la
banda prohibida del semiconductor que se trate.
Descripción de la instalación experimental.
3) HIPÓTESIS
4) CONTRASTACIÓN DE HIPÓTESIS
A) Equipo:
Un semiconductor del tipo termistor.
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Un calentador de agua
Un vaso pírex
Un Ohmímetro
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Un termómetro de laboratorio (0 a 100°C)
5) DISEÑO EXPERIMENTAL
Fig.1
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6) REALIZACIÓN DE EXPERIMENTO Y OBTENCIÓN DE
DATOS
7) TABLA DE DATOS
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8) ANÁLISIS Y DISCUSIÓN DE RESULTADOS
4
3
2
1
0
0 5 10 15 20 25
1/2KT
9) CONCLUSIONES
a) Resumen Experimental
Se utilizó silicio hiperpuro con impurezas de boro que es trivalente. A
temperatura ambiente, la muestra es de tipo p, o sea la densidad de huecos
es mayor a la de electrones por lo que la variación de conductividad se debe
principalmente a la variación de la movilidad de los huecos, esta es la
llamada zona extrínseca. Pero a medida que se eleva la temperatura los
electrones van adquiriendo la energía necesaria para pasar a la banda de
conducción, lo que hace que las densidades de los distintos portadores se
vayan equiparando. Esta zona se denomina intrínseca y en el silicio
comienza a partir de los 200K aproximadamente.
b) Resultado
El valor calculado del band-gap a temperatura cero es muy próximo al valor
encontrado en la bibliografía: Eg (0) = 1,17 eV2.
c) Conclusiones
Descartando los datos de temperaturas menores a 425K (que se apartan del
régimen lineal), ya que no pertenecen a la zona intrínseca del
semiconductor. En cuanto al desarrollo experimental, se decidió que la
adquisición de datos en forma manual era la más confiable. Cabe destacar
la importancia del termostato, ya que permitió mantener una temperatura
aproximadamente constante al realizar todas las mediciones necesarias para
calcular la resistividad.
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d) Método alternativo:
Otro método para determinar el valor de band-gap en los semiconductores
es mediante la utilización de transistores de germanio o silicio6. En este
caso las mediciones se realizan a temperaturas inferiores a la ambiental
(300K aprox.) llegando a la temperatura del nitrógeno líquido (77K aprox.)
por lo cual requiere de la preparación de diferentes baños térmico.
a) Resultado
El valor de la banda de energía prohibida encontrada para el teluro de
cadmio en este trabajo es de 1.501eV
b) Método Empleado:
El método de punto de inflexión para el cálculo de la banda de energía
prohibida de semiconductores, en este caso mostro ser eficiente por su
sencillez y operaciones fáciles involucradas; el valor obtenido concuerda
muy bien con los valores estándares que se encuentran en la literatura de
semiconductores.
c) Observación:
Para la determinación de la banda de energía prohibida de CdTe con el
método de punto de inflexión, no fue necesario calcular el coeficiente de
absorción, como ocurre con otros métodos.
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10)ANEXO
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