INTRODUCCION

Recientemente los convertidores multinivel se han consolidado como una opción competitiva
para la conversión de energía en el rango de media-alta potencia, principalmente desde el
punto de vista económico, que en la actualidad es uno de los factores que más pesa a la hora
de realizar un proyecto. Esta competitividad de la que hablamos se logra gracias a la capacidad
de estos inversores para generar grandes cantidades de voltaje y corriente partiendo de
topologías integradas de dispositivos semiconductores relativamente económicos y de uso
comercial.

Los convertidores multinivel utilizan técnicas muy variadas para la conversión de energía,
desde topologías básicas como el inversor de medio puente y puente completo, hasta
convertidores con conexión en cascada de puentes 'H'. El uso de estos convertidores aplicado
a diferentes áreas en la industria ha sido de vital importancia, tal es el caso de fuentes de
potencia (UPS'S, calentadores por inducción, soldadores-cortadoras, fuentes de voltaje
conmutadas, etc.) y drivers

En la actualidad se esta utilizando mucho la técnica multinivel para el diseño de inversores de

voltaje puesto que presenta características mejores comparadas con la técnica convencional
PWM (Modulación por Ancho de Pulso), algunas de estas características son un contenido
armónico menor, utilización de transistores de menor velocidad de conmutación, permite
salidas de voltaje altos, entre otras. Por esta razón en este Trabajo de Graduación se ocupa la
técnica multinivel para el “DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN INVERSOR MONOFÁSICO
MULTINIVEL DE CUATRO

ETAPAS”, el cual generará 81 niveles o escalones en un período de la señal alterna de salida

con magnitud de 120V AC y podrá suministrar un máximo corriente de 5A; estos niveles son
generados a partir de una fuente de voltaje continuo de 80V DC.
 INVERSOR

INVERSOR MULTINIVEL

La función principal de un Inversor Multinivel es la de generar un voltaje alterno a partir de

diferentes niveles de voltaje continuo. Estos inversores pueden ser conectados en serie (con
fuentes DC flotantes galvánicamente aisladas) o en paralelo (con fuente DC común y
galvánicamente aislados con transformadores de potencia en la carga).

Un inversor multinivel individual se caracteriza por generar cierto número de niveles de

tensión en la salida. Un inversor de dos niveles genera dos niveles de voltaje de salida, uno de
tres niveles generará tres niveles de tensión de salida y así sucesivamente pueden aumentarse
los niveles de salida tanto como se deseen. En la figura 1.a se muestra un esquema básico de
inversor con dos niveles, en la figura

1.b un esquema básico de inversor con tres niveles y en la figura 1.c un esquema básico de
inversor con m niveles de tensión, donde los semiconductores se representan por medio de
interruptores ideales con varias posiciones.

INVERSOR DE MEDIO PUENTE

Como se menciono anteriormente la función principal de un inversor multinivel es la de

generar un voltaje alterno a partir de distintos niveles de voltaje. La topología básica de un
invasor monofásico es la de un inversor de medio puente, como el mostrado en la figura 2. El
inversor está constituido por un par de interruptores los cuales funcionan de forma
complementaria, es decir, al estar activo , se mantiene abierto y el voltaje del condensador se
ve reflejado en la carga; mientras que al estar activo , se abre y el voltaje de entrada aparece a
través de la carga. y nunca deben estar activos al mismo tiempo, ya que de estarlo se
produciría un cortocircuito en la fuente de alimentación. El voltaje de salida en la carga
corresponderá a una señal cuadrada. Considerando que C 1 y C 2 están cargados a la mitad del
voltaje V s , tal como se observa en los condensadores de la figura 2.

INVERSOR DE PUENTE COMPLETO

El inversor de puente completo o puente 'H', que se presenta en la figura 3, esta constituido
por cuatro interruptores ( S1 , S 2 , S 3 y S 4 ), y su estrategia de control se define de la
siguiente forma: cuando los interruptores S 1 y S 4 se activan simultáneamente, el voltaje de
entrada V s aparece a través de la carga. Si los interruptores S 2 y S 3N se activan al mismo
tiempo el voltaje a través de la carga se invierte y adquiere el valor de −V s .

INVERSOR MULTIETAPA EN CASCADA CON FUENTE COMÚN

Utilizando un esquema similar al del inversor con fuentes independientes, como los estudiados
anteriormente, pero poniendo transformadores en la salida, se puede construir un Inversor
Multietapa con Fuente Común, como se muestra en la figura 12, puede observarse que a
diferencia del inversor con fuentes independientes, ambos puentes están alimentados desde
una misma fuente de voltaje DC, y además los transformadores utilizados poseen la misma
relación de transformación. Este inversor sería equivalente al Inversor Multietapa en Cascada
con Fuentes Independientes y Simétrico, y por lo tanto, es capaz de generar cinco niveles de
tensión (dos positivos, dos negativos y el cero). Para generar estos niveles de tensión se debe
utilizar la misma secuencia de combinación que la mostrada en la tabla 3.

MATERIALES PARA LA ELABORACION DEL PROYECTO

TRANSISTOR MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-

semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en
circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular
en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D,
Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
FUNCIONAMIENTO

Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros
son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el
drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es
decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término
enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un
aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal
puede formarse con un incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o
NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye
con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se
construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

ESTRUCTURA METAL OXIDO SEMICONDUCTOR

Una estructura metal-óxido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una

capa de dióxido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de
metal o silicio policristalino, siendo el segundo el más utilizado. Debido a que el dióxido de
silicio es un material dieléctrico, esta estructura equivale a un condensador plano, en donde
uno de los electrodos ha sido reemplazado por un semiconductor.

ESTRUCTURA MOSFET Y FORMACION DE CANAL

Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar

la concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la puerta. La puerta está localizada encima del sustrato y aislada de
todas las demás regiones del dispositivo por una capa de dieléctrico, que en el caso del
MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio. Si se utilizan otros materiales dieléctricos que
no sean óxidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-
aislante-semiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos
terminales adicionales (fuente y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas
que están separadas por la región del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero
deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. la fuente y el drenador (de
forma distinta al sustrato) están fuertemente dopadas y en la notación se indica con un signo
'+' después del tipo de dopado.

MODOS DE OPERACIÓN

Corriente de drenador vs. tensión drenador-surtidor para distintos valores de {\displaystyle

V_{GS}-V_{th}} {\displaystyle V_{GS}-V_{th}}; el límite entre la región lineal (óhhmica) y la
región de saturación (activa) se indica por la parábola en rojo.

El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de

operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusión se utiliza
un modelo algebraico que es válido para las tecnologías básicas antiguas, y se incluye aquí con
fines didácticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben
un comportamiento mucho más complejo.

Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:

Corte

NMOS en modo de corte. La región blanca indica que no existen portadores libres en esta
zona, debido a que los electrones son repelidos del canal.

Cuando VGS < Vth donde Vth es la tensión de umbral del transistor

De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentra
apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor abierto.
Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la distribución de
Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta
energía presentes en la fuente ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una
corriente subumbral, que es una función exponencial de la tensión entre puerta-fuente. La
corriente subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuación:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje térmico,

n = 1 + CD/COX

donde CD es la capacidad de la región de agotamiento, y

COX es la capacidad de la capa de óxido.

Región lineal u óhmica

NMOS en la región lineal. Se forma un canal de tipo n al lograr la inversión del sustrato, y la
corriente fluye de drenador a fuente.

Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea una región de
agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la región de
agotamiento, que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado
de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y fuente dará lugar a
una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de
puerta.

La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente es modelada por medio de la
ecuación:
Saturación o activa

NMOS en la región de saturación. Al aplicar una tensión de drenador más alta, los electrones
son atraídos con más fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente que
entra por el drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.

En esta región la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuación:

Efectos de segundo orden

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, pero
no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como por ejemplo:

Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de drenador no

crece cuadráticamente en transistores de canal corto.

Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión umbral
que da lugar al canal de conducción.