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Profesor Alumno
Ing. Jhonny Garcia Camilo Vizcaya
Este es un amplificador de microondas de alta ganancia, bajo ruido y largo ancho de banda. Fue inventado
por Rudolf Kompfner en la última parte de la Segunda Guerra Mundial y desarrollado en un dispositivo
practico por J. R. Pierce y L. M. Field en los laboratorios de la Bell Telephone en 1945. Hoy en día el TWT
encuentra diversas aplicaciones en comunicaciones, radar, proyectiles teledirigidos y sistemas electrónicos de
contramedidas. El TWT es capaz de ganar más de 40 dB con anchos de banda que excede una octava. (Un
ancho de banda de 1 octava es uno en el que la frecuencia superior es dos veces la frecuencia más baja). Se
han diseñado tubos de ondas progresivas para frecuencias tan bajas como 300 MHz y tan alto como 50
GHz. El TWT es principalmente un amplificador de voltaje.
Tubos de campos cruzados (crossed-field): El haz de electrones se origina a partir de un
cañón de electrones, que generalmente comprende un cátodo (la fuente de emisión), un
electrodo de enfoque, un electrodo de modulación y un ánodo. Los electrones se generan
por emisión termoiónica, manteniendo el cátodo a una alta tensión negativa con respecto al
ánodo, que generalmente se conecta a tierra. También se le conoce por las siglas ( CFA )
Este es un tubo de vacío especializado , que se introdujo por primera vez a mediados de la
década de 1950 y se utiliza con frecuencia como amplificador de microondas en transmisores
de muy alta potencia .
Fue inventada en 1937 por los hermanos Russell y Sigurd Varian quienes estudiaban y
trabajaban en la universidad estadounidense de Stanford.
Se distinguen dos tipos de klistrones:
klistrón reflex: sólo contiene una cavidad. El haz de electrones la atraviesa dos
veces: en la primera se modula con la señal; se refleja en un electrodo negativo,
llamado reflector, y regresa a la cavidad, donde se extrae la señal. Fue de amplio
uso como oscilador de microondas en radares y equipos de laboratorio.
En un klistrón, los circuitos de RF son cavidades resonantes que actúan como
transformadores para acoplar el haz de alta impedancia a líneas de transmisión de
baja impedancia. La respuesta frecuencial viene limitada por el producto
impedancia-ancho de banda de las cavidades, pero puede aumentarse por una
sintonía escalonada y por cavidades de tipo filtro de resonancia múltiple
Magnetrón Inglés En 1935, en Gran Bretaña, se fabricó el primer radar que tuvo condiciones operativas y
en 1939 Henry Boot, John T. Randall y los hermanos Russel y Sigurd Varian inventan el Magnetrón de
Cavidad Resonante que hace posible el radar tal como lo conocemos ahora. El magnetrón permite
generar señales de alta frecuencia y muy alta potencia con gran estabilidad.
• El radar, donde ahora tiene la competencia del Klistrón, el carcinotrón, el tubo de ondas
progresivas y los semiconductores.
• El horno microondas. Se dice que se descubrió la aplicación cuando los técnicos veían a los
gorriones quemados tras pasar cerca de las antenas de los primeros radares ingleses, las
ondas expulsadas por el dispositivo son guiadas por un orificio para llegar hasta los alimentos
a calentar, excitando sus moléculas de agua e incrementando su temperatura, por ello los
que son en su mayor parte líquidos con un punto de ebullición menor a de otros sólidos se
calientan más rápidamente. La principal empresa fabricante de magnetrones en la segunda
guerra mundial fue la Raytheon Inc. Uno de sus ingenieros descubrió con sorpresa cómo una
chocolatina que llevaba en el bolsillo para almorzar se había convertido en crema al estar
trabajando al lado del radar. Esto le llevó a pensar en el uso doméstico de este invento,
llevando a la preparación del primer horno microondas.
Girotrón
En 1975, el Laboratorio Nacional de Oak Ridge eligió a CPI para estudiar dispositivos
capaces de producir cientos de kilovatios de potencia de CW en frecuencias en el
rango de 100 GHz. El estudio dio como resultado la adjudicación de un contrato a
CPI para la producción de un girotrón de 200 kW CW a 28 GHz. Desde la finalización
del programa en 1980, los osciladores gyrotron se han diseñado, desarrollado y
enviado a muchas otras frecuencias. Las innovaciones tecnológicas han llevado a
avances impresionantes en el estado del arte. Las ventanas de salida de diamante de
deposición química de vapor (CVD) han permitido el desarrollo de fuentes de CW a
niveles de potencia de megavatios. Los convertidores de modo cuasi ópticos internos
permiten que los modos de cavidad de la galería de susurros en el girotrón se
conviertan en haces de salida gaussianos con una pérdida de difracción mínima.
Los osciladores YIG pueden alcanzar frecuencias superiores a 100 GHz si se utilizan como elementos
activos diodos Gunn. Los YIG basados en diodos son más inestables que los basados en transistores y
tienen una eficiencia sensiblemente menor, del orden del 10%.
El oscilador YIG está formado por una resistencia negativa que produce las oscilaciones y un resonador
con un elevado factor de calidad que proporciona una señal de una gran pureza espectral.
Es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel
que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su
utilización como componente activo (amplificador/oscilador).
Este diodo fue inventado en 1958 por el físico japonés Leo Esaki,
por lo cual recibió un Premio Nobel en 1973. Descubrió que los
diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminación
del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una
característica tensión-corriente muy particular. La corriente
comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión
aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado corriente de
cresta.
Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de baja frecuencia. A frecuencias más altas, el diodo se parece a
una resistencia casi perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada en la región intrínseca. A bajas frecuencias, la carga se puede
quitar y el diodo se apaga. A frecuencias más altas, no hay tiempo suficiente para retirar la acusación, por lo que el diodo no se apaga
nunca. El diodo PIN tiene un mal tiempo de recuperación inverso. La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la
corriente continua de polarización a través del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgada, por lo tanto, actúa como una resistencia
variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio intervalo.
La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una capacitancia baja polarizado inversamente.
En un diodo PIN, la región de agotamiento existe casi por completo dentro de la región intrínseca. Esta región de agotamiento es
mucho más grande que en un diodo PN, y casi constante de tamaño, independiente de la polarización inversa aplicada al diodo. Esto
aumenta el volumen en el que los pares electrón-hueco pueden ser generados por un fotón incidente. Algunos dispositivos foto
detectores, tales como fotodiodos PIN y fototransistores, utilizan una unión pin en su construcción.
Diodo de Schottky
El nombre de este diodo se da después del físico alemán Walter.H.Schottky. Aparte del
nombre Diodo de Schottky, también se conoce como diodo de barrera Schottky o como diodo
portador en caliente. Se trata de un diodo con unión metal-semiconductor.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta
200 GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
El espectro de las ondas electro-magnéticas muestra las frecuencias hasta 1024 Hz. Esta extensa y
completa gama es subdivida en subgrupos para tener en cuenta las propiedades físicas de las ondas que
lo componen.
La división de las frecuencias en los distintos rangos fue determinada teniendo en cuenta criterios
pasados, los cuales surgieron históricamente y se fueron quedando obsoletos, entonces una nueva
división de las bandas de frecuencia que se utilizan a nivel internacional surgió mientras tanto.
Esta banda de frecuencia es ampliamente usada por radares civiles y militares para la navegación marítima. Las
antenas más pequeñas y económicas, con alta velocidad de rotación son perfectas para proporcionar una cobertura
suficiente y una buena precisión. La guía de ondas ranurada y las pequeñas antenas de remiendo son usadas como
antenas de radar protegidas bajo una cúpula protectora.
Esta banda de frecuencia es también popular para los radares de imágenes espaciales o aéreas usando como base
el radar de apertura sintética (Synthetic Aperture Radar, SAR), tanto para la inteligencia electrónica militar y/o para
ser aplicado en el estudio geográfico de la superficie terrestre (creación de mapas). Un radar de apertura sintética
inversa especial es usado como instrumento de vigilancia marítima para el control de la polución, buscando prevenir
la contaminación del medio ambiente.
Banda K (Banda Radar K & Ka)
Cuanto más alta es la frecuencia, más altas son la absorción y la atenuación atmosféricas de las ondas.
Por otra parte, la exactitud y la resolución en distancia se incrementan también. Los usos del radar en
esta banda de frecuencia proporcionan muy poco cubrimiento en distancia, resolución muy alta y
datos de alta tasa de renovación. En el ATM estos sistemas de radar son llamados: Radares de
Movimiento en la Superficie (Surface Movement Radar, SMR) o Equipo de detección en la superficie del
aeropuerto (Airport Surface Detection Equipment, ASDE). La utilización de pulsos de transmisión muy
cortos de unos nanosegundos permite una resolución en distancia que deja visualizar el contorno del
avión en la pantalla de los radares.
Banda V
Debido a la dispersión molecular (En este caso se trata de la influencia de la humedad del aire). Esta
banda de frecuencia genera una alta atenuación. La aplicación para los radares esta limitada para
una corta distancia de un par de metros.
W-Band
Aquí aparecen dos fenómenos de atenuación atmosférica: un máximo de atenuación de
alrededor de unos 75 GHz y un mínimo relativo a unos 96 GHz Ambos rangos de frecuencia
prácticamente están en uso. En la ingeniería automotriz pequeños dispositivos de radar que
funcionan a 75…76 GHz para asistentes de frenado y asistente de estacionamiento. La
atenuación alta (aquí la influencia de las moléculas de oxígeno O 2) mejora la inmunidad a la
injerencia de estos conjuntos de radar.
Hay conjuntos de radar operando de 96 a 98 GHz como equipos de laboratorio aún. Estas
aplicaciones ofrecen una vista preliminar para un uso del radar en frecuencias
extremadamente más altas como 100 GHz.
GRACIAS POR SU ATENCION