Вы находитесь на странице: 1из 4

Slide 1

Я «Фамилия Имя» представляю вашему вниманию выпускную


квалификационную работу на тему моделирование процесса
наклонной ионной имплантацей .
Slide 2
• Через математическое моделирование провести анализ влияние
наклонных пучков ионов на боковое отклонение и влияние на
распределение ионов в профиле имплантация.

Slide 3
Актуальность
Развитие микроэлектронной технологии за последние 30 лет стало
возможным благодаря усилиям, предпринятым в фундаментальных
исследованиях технологических процессов, которые являются ее
частью. Тем не менее, это базовое исследование имеет очень высокую
стоимость, поскольку оно требует узкоспециализированных
исследовательских систем
В попытке снизить затраты и понять, что происходит внутри
полупроводника, была разработана за эти годы симуляция
технологических процессов и связанных с этим физических эффектов.

Slide 4
метод ионной имплантации процесс конструирования материалов, при
котором ионы материала ускоряются в электрическом поле и попадают
в твердое тело. Этот процесс используется для изменения физических,
химических или электрических свойств твердого тела., метод ионной
имплантации за последние 30 лет стал одним из наиболее
распространенных способов введения примесей в полупроводники .В
важных для практических применений случаях максимум
концентранионной ионно имплатированой примеси должен
находиться в пределах 5-10 нм от поверхности подложки.Такое
распределение может быть достигнуто лишь применением
низкоэнергетических ионных пучков.Однако большинство
технологических установок не в состоянии обеспечить стабильные
пучки при низких энергий. В посленее время для формрования
мелькозалегающих слоев используется ионная имплантации
наклонными пучками так можно получить необходимое распределние
имплантированой примеси в энергетическом диапазоне доступном для
современных ускорителей .
Slide 5
Основные параметры наклоyой имплантацей ябляются
Выди примесей:
В современной полупроводниковой технологии используется несколько
видов примесей различного назначения. Наиболее важными являются
атомы третьей и пятой группы периодической таблицы. Они
используются для генерации положительно (p-типа) или отрицательно
(n-типа) легированных областя
Энергия ионного пучка:
Глубина проникновения имплантированных частиц в основном
определяется энергией ионов. Типичный диапазон энергий,
используемый в полупроводниковой технологии, составляет 100 эВ для
неглубокого легирования.
Доза имплантацей:
Доза имплантации определяет количество ионов, которые попадают в
цель имплантации
Угол наклона и закручивания:
Ненулевой угол наклона используется, чтобы избежать каналирования
в кристаллическом кремнии, для введения легирующих примесей в
боковые стенки траншеи или для имплантации легирующих примесей
под краем маски. Кроме того, угол закручивания необходим для
полного описания направления падения ионного пучка.
Профиль Имлантации
Когда ион попадает на поверхность пластины, он сталкивается с
атомами в решетке и взаимодействует с электронами в кристалле.
Каждое ядерное или электронное взаимодействие уменьшает энергию
иона до тех пор, пока он, наконец, не остановится внутри цели.
Взаимодействие с кристаллом является статистическим процессом, они
образуют профиль имплантации \ΔR┴, Rp, ΔRp.
Общее расстояние, которое ион проходит до покоя, называется пробег
R, как показано на следующем рисунке. Проекция этого расстояния на
ось падения называется проекция пробега, Rp. Поскольку число
столкновений на единицу пройденного расстояния и энергия,
потерянная в каждом столкновении, являются случайными
величинами, поэтому не все ионы окажутся на одном и том же
расстоянии от поверхности, но будет пространственное распределение
ионов, которое они имеют. та же масса и та же начальная энергия.
Статистические колебания в прогнозируемом диапазоне называются
рассеяние пробегов ΔRp. Существует также статистическая флуктуация
вдоль оси, перпендикулярной направлению падения, которая
называется боковой дисперсией ΔR┴.

Slide 6
Математическое Модель
Взаимодействие с кристаллом является статистическим процессом, и
имплантированный профиль может быть аппроксимирован функцией
распределения Гаусса: проекция пробега и равен среднему расстоянию,
которое ион проходит до своего останова. Пиковая концентрация Np
возникает при x = Rp, поскольку из-за статистической природы процесса
некоторые ионы не дойдут до Rp.Распределение характеризуется
стандартным отклонением Drp. Под кривой распределения примесей
находится имплантированная доза Q.

Slide 7

Профиль Имлантации
Когда ион попадает на поверхность пластины, он сталкивается с
атомами в решетке и взаимодействует с электронами в кристалле.
Каждое ядерное или электронное взаимодействие уменьшает энергию
иона до тех пор, пока он, наконец, не остановится внутри цели.
Взаимодействие с кристаллом является статистическим процессом, они
образуют профиль имплантации \.
Общее расстояние, которое ион проходит до покоя, называется пробег
R, как показано на следующем рисунке. Проекция этого расстояния на
ось падения называется проекция пробега, Rp. Поскольку число
столкновений на единицу пройденного расстояния и энергия,
потерянная в каждом столкновении, являются случайными
величинами, поэтому не все ионы окажутся на одном и том же
расстоянии от поверхности, но будет пространственное распределение
ионов, которое они имеют. та же масса и та же начальная энергия.
Статистические колебания в проекцируемом пробегом называются
рассеяние пробегов ΔRp. Существует также статистическая флуктуация
вдоль оси, перпендикулярной направлению падения, которая
называется боковой дисперсией ΔR┴.

Slide 8
Боковое распределение

Боковое отклонение имплантируемых ионов обусловлено их


отклонением за счет взаимодействия с краем защитной маски Им
обычно пренебрегают, поскольку оно значительно меньше среднего
пробега ионов и среднеквадратичного отклонения пробега ионов Однако
с микронными и субмикронными размерами элементов боковое
отклонение становится очень важным, поскольку двумерные эффекты
вблизи края маски сильно влияют на выходные характеристики
приборов Также одним из основных параметров процесса ионной
имплантации является угол падения пучка ионов относительно нормали
к поверхности мишени. При этом у краев маски наблюдаются два
эффекта: образование теневого участка, имплантация под край
защитной маски.
Slide 9- 10-11

Распределние в зависимости от угла

На кремиевую пластинку проводиться наклонную ионную имплантацию


фосфора под углом 10º и 40º относительо нормали к кремниевой
пластине при энергии 60 кэВ и дозе 10^12 ион/см^2.

Наблюдается что под углом 10º градусов на глубине 75 нм достигается


пик концентрации, а при увеличении угла до 40º градусов максимальная
концентрация находиться на глубине 55 нм, следовательно, можно
сделать вывод что тем большее угла внедрения ионов тем меньше
глубина максимальной концентрацией и проецированного пробега.

Slide 12-13-14

Отклонение в зависимости от угла

Проводится наклонная имплантация сурьмы в щель шириной 5 мкм в


слое тольщиной 1,5 мкм. Угол наклона ионного пучка составляет 10 и
15 относительно нормали к поверхности.Энергия ионов равнв 100 кэВ а
доза-1014см-2.

От полученных графиков можно наблюдать влияние угол наклонных


пучков на боковое распределение примесей в первом случае под углом
10 градусов теневой участок формируется в координате а во
втором случае под углом 15 градусов в итоге а2 увеличивался в
0,29 мкм, а так же есть влияние на отклонении под защитной маски по
сравнению при увеличении 5 градусов боковое отклонение под
защитной маски увеличилось 0.02 мкм.