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AMPLIFICADOR EN EMISOR SEGUIDOR

DARLINGTON
.

RESUMEN: En esta práctica de FIG 01: Configuración Darlington.


laboratorio se procedió a realizar el diseño y
montajes de un amplificador emisor seguidor 2. MATERIALES Y EQUIPOS
Darlington en discreto, con su respectivo
análisis en simulación como barrido de  Osciloscopio
resistencia de carga, Ancho de banda y forma  Generador de Señales
de onda etc .  Fuente de voltaje variable.
 Multímetro.
 Transistor BJT 3904.
PALABRAS CLAVE: polarización, beta,  Transistor BJT TIP41.
Darlington.  Resistencias.
 Protoboard
 Condensadores
1. OBJETIVOS  Caimanes Cables 3.
PROCEDIMIENTO
Diseñar, simular e implementar un
amplificador emisor seguidor con Darlington Diseñar e implementar un amplificador de
en discreto. audio en discreto que cumpla con las
siguientes características:
determinar las características de un  Ai=3209
amplificador emisor seguidor con un par  Resistencia de carga RL=200Ω, fuente
Darlington. de voltaje 18v.
 Impedancia de entrada Zin=741.7kΩ.
1. INTRODUCCIÓN
3.1 Escribir el procedimiento completo del
Circuito Darlington: esta configuración se diseño incluyendo el análisis matemático y
compone de dos transistores e en cascada, los criterios que se requieran. Hacer un
cual posee características deseables que diagrama de bloques que incluya la ganancia
algunas veces lo hacen lo más útil que un solo de voltaje, impedancia de entrada y la RL que
transistor. El circuito tiene alta impedancia de soporta.
entrada, baja impedancia de salida y alta
ganancia de corriente. Asumiendo que R E  RL  200

Hallamos por máxima transferencia de


potencia
Q1

Q2 Rac  RL RE  100 y RDC  200


Q2N3904
Vcc 18V
TIP41
Ic    60mA
Rac  RDC 100  200

Electrónica III Amplificador En Emisor Seguidor Darlington Página 1


VRE  I CQ .RE FIG 03: Datos de Parámetros para transistores
VRE  (60mA).(200) Q2N3904 y Tip 41 Respectivamente,
VRE  12V
VCE  VCC  VRE Teniendo en cuenta que la impedancia de
VCE  18V  12V entrada del Tip 41 es la impedancia de entrada
del transistor 3904, hallamos su valor
VCE  6V
mediante al siguiente ecuación:
A través de estos resultados, realizamos un hicTip 41  Tip 41.r Tip 41
barrido en corriente de colector para hallar
nuestra corriente de base. Obteniendo:
hicTip 41  (109).(48.3)
hicTip 41  5264.7  6.66x103
Se realizó esta aproximación teniendo en
cuenta la Rin, que exige como mínimo el
transistor 3904.

Con estos datos y mediante la siguiente


formula despejamos RB, calculamos la
ganancia de corriente y comprobamos nuestra
corriente de colector ICQ =60mA y voltaje
FIG 02: Esquema para barrido de corriente de VCE=6V a la vez los valores de VBB, R1 y
colector y parámetros de so transistores R2.

Seguido de esto hallamos los parametros Rin  RB ( 1. 2 ( RL RE ))


Zin RB Ai IC(mA) Vce VBB R1 R2
500K 716.1k 2500 60 6V 16V 6.42M 805.9K RB RE
Ai  .
600K 940.6K 3000 60 6V 16.8 14.18M 1M RB
 RL RE RE  RL
660K 1.1M 3300 60 6V 17.4V 31.4M 1.2M 1. 2
hibridos de cada uno de los transistores que
conforman el amplificador tipo darlington.
 R 
VBB  VBE  I c  B  RE 
 1. 2 
RB
R1 
V
1  BB
VCC
R .V
R2  B CC
VBB
Obteniendo los siguientes resultados

Tabla 1: Datos obtenidos mediante despeje de


Rb de la ecuación de Rin.

Optando por una Zin de 660k la cual nos


garantiza de forma aproximada nuestra

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ganancia de corriente teniendo en cuenta un FIG 07: Grafica ganancia de corriente
pequeño margen de error que podrían darnos Ai=3240 A/A.
los componentes. 1.0

0.5

0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
V(R3:2) / V(C2:1)
Frequency

FIG 08: Grafica Ganancia de voltaje


Av=0.990 v/v.
4.0K

3.0K

3.2 Simular el diseño, hallando las formas de 2.0K

onda resultantes y las ganancias obtenidas 1.0K

usando una carga resistiva RL. Incluir los 0


1.0Hz 3.0Hz
I(R3) / I(C2)
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz

Frequency
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz

diagramas esquemáticos del circuito completo FIG 09: Grafica Ancho de banda
y realizar además, un barrido de la resistencia BW=2.7KHZ.
de carga y la frecuencia de entrada del
amplificador con condiciones nominales. 150mW

¿Qué ancho de banda tiene el amplificador 100mW

diseñando?¿cuál es la potencia de salida?. 50mW

0W
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
W(R3) RMS(W(R3))
Time

R1
1.2MEG
Q2
FIG 10: Grafica de potencia P=75.16mW.
C2

100u Q1
Q2N3904
V1
18Vdc
V2 TIP41
1Vac
0Vdc
C1
Nota: Graficas ampliadas en Anexos.
100u

R2 R3
200 200 Para el ancho de banda hallamos el valor
inicial y final de la parte más conste del
0
diagrama de boode de nuestra ganancia de
FIG 05: Esquemático Seguidor Emisor corriente en su valor máximo:
Arlington con Ai=3300 A/A. finicio 56.23Hz
1.0M
f final 2.81KHz

Ancho de banda
0.5M

BW  f final  f inicio
0
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
V(C2:1) / I(C2)
Frequency

FIG 06: Grafica Impedancia de entrada BW  2.81KHz  56.23Hz


Zin=654.9kΩ. BW  2.7KHz
4.0K

3.0K

2.0K
3.3 Hallar la potencia de salida del
1.0K
amplificador y al ancho de banda. Anexar los
0
datos obtenidos para esta medición y las
formas de onda. ¿qué tan cercanos son los
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
I(R3) / I(C2)
Frequency

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resultados a los obtenidos mediante
simulación?.

Para la potencia de salida hallamos la


corriente de salida rns y el voltaje de salida
rms por lo tanto
P=Vrms*Irms.

40mA

20mA

0A

-20mA

-40mA
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
-I(R3) RMS(I(R3))
Time

FIG 11: Grafica corriente de salida del Foto 01: Señales de entra Vs Salida del
amplificador iout=17.4mA amplificador.

5.0V

0V

-5.0V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(R3:2) RMS(V(R3:2))
Time

FIG 12: Grafica voltaje de salida del


amplificador Vout=3.4Vrms.

80mW

60mW
Foto 02: Voltaje colector emisor en Práctica.
40mW

20mW

0W
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
RMS(I(R3)) * RMS(V(C1:2))
Time

FIG 13: Grafica de potencia de salida del


amplificador Pout=60.66mW.

Datos Simulación Practica


IcQ 56.89mA 60mA
Vce 6.5v 58V
BW 2.7KHz 2.5KHz
Vout (rms) 3.46Vrms 3.31Vrms
Iout (rms) 17.44mArms 16.55mArms
Foto 03: Corriente de colector en Práctica.
Tabla 2: Tabla comparativa de resultados
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obtuvieron valores de capacitores muy
grandes.
3. Durante los cálculos realizados se vio
necesario de omitir la resistencia que
va de la base del amplificador a la
tierra, ya que esta es superior a 20
MΩ, y se asimila como si fuera un
circuito abierto.
4. La corriente de entrada no se logra
medir de forma práctica debido a que
estas son en el orden de los
microamperios y no se cuenta con los
Foto 04: Señal de salida y valor Vrms de instrumentos adecuados para eso.
salida.
5. CUESTIONARIO
4. ANALISIS DE RESULTADOS 1. ¿Cómo se calcula la potencia de salida a
1. Dado que la resistencia R1 que se ubica partir del voltaje pico a pico visto en el
entre base emisor del transistor de pequeña osciloscopio?
señal Q2N3904 es muy grande R1= 31.4MΩ,
se retira del diseño. R. /: Para calcular la potencia se aplica a la
entrada del amplificador una señal de unos
2. Se realiza un cambio en la frecuencia de 1000 Hz y luego se conmuta el osciloscopio a
corte fi=20Hz a 10KHZ ya que con l
medidas de corriente alterna (AC).
frecuencia se presenta una impedancia muy
grande, la cual no permitiría que se
polarizaran los transistores. Una vez alimentado el amplificador, se
aumenta lentamente el volumen de la señal
3. Dada la magnitud de la corriente de entrada sinodal que procede del generador hasta ver
5.6uA y la característica de la ecuación de la que los extremos de la onda se corten o
ganancia de corriente Ai=iin/iout se hace aplanen.
imposible obtener este dato en la práctica ya
que no se cuenta con instrumentos de medida Entonces en el osciloscopio se cuentan
con este rango de medida. los cuadritos de división, que son los que
indican el voltaje pico/pico de la tensión de
5. CONCLUSIONES salida, y con este valor podemos averiguar
cuál es la potencia real del amplificador.
1. La configuración de este amplificador
exige un procedimiento de diseño en el 2. ¿cómo se calcula la potencia disipada por
que los betas sean los más idóneos en los transistores?
cuanto a temperaturas y dominios de
corrientes. R./: Esta potencia se calcula hallando el
2. Se observó que al trabajar en una voltaje colector emisor del transistor por la
frecuencia muy baja (10Hz) se

Electrónica III Amplificador En Emisor Seguidor Darlington Página 5


corriente de colector teniendo en cuenta que
IC≈IE.

3. Investigar sobre las posibles aplicaciones


del emisor seguidor con Darlington:

R./. Esta configuración es utilizada tanto en


amplificadores de audio discreto o en todo
aquello que requiera una ganancia de corriente
grande con impedancia de entrada alta.

4. ¿Cuáles son las limitaciones (desventajas)


de un par Darlington?

R./. Una de las desventajas del par de


transistores Darlington es que la corriente d
fuga del primer transistor se amplifica por
medio del segundo transistor.

5. Investigar sobre otras posibles topologías


de emisor seguidor con par Darlington.

R./. El par de transistores Darlington se usa


ya sea en una configuración de amplificador
SE o en una EC.

6. BIBLIOGRAFIA

-SAVANT Jr, CJ., Roden, Martin y Carpenter,


Gordon. Diseño Electrónico - Circuitos y
Sistemas. Tercera Edición. Editorial Pearson
Education. 2000.

-GUTIERREZ Humberto. Electrónica


Análoga: Teoría y Laboratorios.

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