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CAPÍTULO 8 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

CAPÍTULO 8

CIRCUITOS DE DISPARO PARA


SEMICONDUCTORES

8.1) ELEMENTOS BÁSICOS DE UN CIRCUITO


DE DISPARO.-

T1

iG
+ Ld
220 V ref vs vd
R

Vcc
iG

vs vsinc Circuito de
disparo

Tr

vc

Fig. 8.1.: Esquema básico de un circuito de disparo.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 90


CAPÍTULO 8 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

Generador de Multivibrador
diente de sierra Comparador monoestable
Tensión de
sincronismo
vds
K Al Gate

vc
Fig. 8.2.: Diagrama en bloques de un circuito de disparo elemental.

+Vcc

-
I
+ v1
vsinc Tr1

C1

+Vcc Multivibrador
+Vcc monoestable
R0 +Vcc
-VB - a)
II +
Pulso de
+ v2 III
disparo
- v3 v6

vC

vsinc:kvs α

0 ωt
α =0º

v1

0 ωt
v2
Vm
vC
b)
0 ωt
v3

0 ωt
v6

0 ωt

Fig. 8.3.: Circuito de disparo con amplificadores operacionales: a) circuito; b) formas de
onda.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 91


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8.2) CIRCUITOS DE DISPARO CON


TRANSISTORES MONOJUNTURA.
vC τ1 τ2
+Vcc
vP

t
R R2
B2 vG
E
VBB
B1
C vC R1 vG
t
Τ1 Τ2

Fig. 8.4.: Oscilador de relajación con transistor monojuntura.


R3 D1

Carga

R
R2 a)
Tr1
+
VZ vS
C
vG

vS vS

vZ
vp=ηVBB

b)
vG
α

Fig. 8.5.: Circuito de control con transistor monojuntura.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 92


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8.3) CIRCUITOS DE DISPARO AISLADOS


PARA SCR.
A

D1
15 V
G

D2 K

RG

Señal TG
de
pulso

Fig. 8.6.: Uso de transformador de pulso para aislar SCR.

1 2

Línea

3 4

Fuente de poder
para el circuito de
disparo del Gate

Detección de
cruce por cero

Trafos de
pulsos

Retardo
Amplificador
vcontrol del
de pulsos
ángulo

Tierra del
control

Fig. 8.7.: Diagrama general del circuito de disparo para un rectificador monofásico.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 93


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8.4) CIRCUITOS DE DISPARO INTEGRADOS


PARA TIRISTORES.
Detector de
cruce por
cero
-
Sincronización 5
U syn Registro de
+ sincronismo 14 Q1
C 10 monitor de
descarga
Fuente 15 Q2
Us +
16 -
4 Q1 +
≈ 3.1 Vac + Lógica R4

2 Q2 +
R2
Control del
Iconst - comparador 3 QU + a)
R3

7 QZ +
+ R7
Transistor de
Tierra 1
descarga

8 9 10 11 6 13 12

Uref U 10

C8 R9 C10 U 11 S6 S13 C12 [ Ci]


[R R] [ CR] Selección del largo del
pulso para Q1 y Q 2
Resistencia de la
rampa Selección del largo del
pulso para Q1 y Q2
Condensador de la
rampa Inhibidor del pulso
Voltaje de control

b)

Fig. 8.8.: Circuito de disparo integrado TCA 785: a) diagrama de bloques; b) formas de
onda.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 94


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Fig. 8.9.: Control de un tiristor en el circuito TCA 785.

Fig. 8.10.: Circuito de control de fase de un convertidor AC-AC monofásico.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 95


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Fig. 8.11.: Circuito de disparo para un rectificador trifásico semicontrolado.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 96


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Fig. 8.12.: Circuito de disparo con doble pulso para un rectificador trifásico puente
totalmente controlado.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 97


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8.5) CIRCUITOS DE DISPARO PARA


TRANSISTORES DE POTENCIA.

V GG

+
Comparador
Del circuito G
de control
-

VGG

IC RG
Del circuito DS0026
de control o
UC1706/07

Fig. 8.13.: Amplificación de la corriente por el gate.

+15 V

3 kΩ RG

µF

Del circuito
100pF
de control

IXLD4425
Optoacoplador
(HPL-4503)

Fig. 8.14.: Circuito de disparo con aislación galvánica mediante acoplador óptico.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 98


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Aislación Diodos
auxiliar de poder antisaturación y/o
para circuitos de conexiones de
control base protección de
sobrecorriente

Vcc
Circuito
Aislación
de control T+ Df+
Lógica y de señal
+ + base
vS Vd electrónica
de control Circuito
- Aislación T-
- de control Df-
de señal
base
Entradas
de control

Tierra de
seguridad

Fig. 8.15.: Sobre la necesidad de la aislación de los pulsos de disparo.

Módulo
iL
+

300 V
Circuito de vL
disparo
R

Fig.8.16.: Chopper de un cuadrante.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 99


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Fig.8.17: Encendido del transistor; a) VGE : 5V/div; b) VCE : 50V/div, tiempo: 500ns/div.

Fig.8.18: Corte del transistor, VCE : 50V/div, tiempo: 100ns/div.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 100


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Fig.8.19: Operación a 100 kHz, VCE : 50 V/div, IC : 10 A/div, Tiempo: 2 µs/div.

Fig.8.20: Operación a 100 kHz, I C : 10 A/div, Tiempo: 2 µs/div.

Fig.8.21: Cortocircuito en la carga, IC : 20 A/div, Tiempo: 2 µs/div.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Pág. 101

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