Transistores Bipolares de Junção - TJB

Fotografias do aparato experimental de teste do primeiro transistor inventado em 1947.

Construção básica do transistor:

O transistor Bipolar tem este nome pois opera com dois tipos de portadores de carga, os elétrons e as
lacunas. É um dispositivo que pode ser formado por uma camada p dentro de duas camadas n sendo
denominado então de npn ou então por uma camada n dentro de duas p, sendo assim denominado de
pnp.

Para os transistores mostrados na figura 1 abaixo, a razão entre a largura total e a largura da camada
central é de 0,150/0,001 = 150:1.

Figura 1 – (a) Transistor pnp. (b) Transistor npn.

A dopagem da camada interna é também consideravelmente menor do que as camadas externas,

tipicamente 10:1 ou menor.

 Esse nível de dopagem menor reduz a condutividade (aumenta a resistência) desse material,
diminuindo o número de portadores “livres”.

Para análise da polarização a ser efetuada a seguir, os terminais são normalmente indicados pela letra
maiúscula E para emissor, C para coletor e B para base. O termo bipolar reflete o fato de que buracos e
elétrons participam do processo de injeção no material opostamente polarizado.

1
Operação do transistor:
Fluxo de corrente
Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo de corrente através das junções e
que se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais p ou n. Como descrito anteriormente, essas
camadas não tem a mesma espessura e dopagem de tal forma que:

1. A camada da base é mais fina e fracamente dopada;

2. A camada do emissor é fortemente dopada;
3. A camada do coletor é mais dopada do que a base e menos dopada que o emissor.

A operação básica do transistor será descrita utilizando o transistor pnp. A operação do transistor npn
é exatamente a mesma se as funções dos elétrons e buracos forem trocadas.

 Atenção: nas figuras é indicado o fluxo convencional de corrente (buracos) ao invés do fluxo
de elétrons.

Vamos configurar o transistor com a junção base-emissor diretamente polarizada. Assim o fluxo de
portadores ocorre da mesma forma que em um diodo diretamente polarizado, tal como mostra a
Figura 2.

Figura 2 - Junção Base-Emissor diretamente polarizada.

A região de depleção foi reduzida em largura devido à tensão aplicada, resultando em um fluxo de
portadores majoritários (buracos do material tipo p) para o material tipo n.

Vamos agora remover a polarização direta da junção base-emissor e polarizar reversamente a junção
base-coletor. Esta situação é mostrada na figura 3.

Nessa situação o fluxo de portadores majoritários é zero, havendo tão somente um pequeno fluxo de
portadores minoritários (buracos do material tipo n) tal como no caso de um diodo reversamente
polarizado.

Observa-se também um alargamento da região de depleção.

2
 Figura 3 – Junção Base-Coletor reversamente polarizada.

Por fim, vamos aplicar as duas polarizações anteriores, ou seja, a junção base-emissor estará
diretamente polarizada e a junção base-coletor estará reversamente polarizada, como mostra a
Figura 4, onde se observa os fluxos de portadores majoritários e minoritários.

 As larguras das regiões de depleção indicam claramente qual junção está diretamente
polarizada e qual está reversamente polarizada.

Figura 4 – Fluxo de portadores majoritários e minoritários de um transistor pnp.

Conforme se vê, inúmeros portadores majoritários (buracos) são injetados através da junção p-n
diretamente polarizada (junção base-emissor) no material tipo n, mas como o material tipo n é muito
fino e fracamente dopado (alta resistência), um número muito pequeno desses portadores adotará o
caminho para o terminal de base.

Assim a maior parte destes portadores majoritários (tipo p) entrará através da junção reversamente
polarizada (junção base-coletor) no material tipo p conectado ao terminal de coletor, conforme
também se observa na Figura 4.

3
A razão da relativa facilidade com que os portadores majoritários podem atravessar a junção
reversamente polarizada (base coletor) é facilmente compreendida de considerarmos o seguinte:

 Tal como foi visto no diodo reversamente polarizado, os portadores majoritários (buracos)
irão se comportar como portadores minoritários no material tipo n (base).

 Em outras palavras, houve injeção de portadores minoritários (buracos) no material tipo n da

base.

Esta injeção de portadores minoritários somada ao fato de que todos os portadores minoritários
(buracos) na região de depleção atravessarão a junção reversamente polarizada de um diodo (tal como
visto anteriormente na formação da região de depleção dos diodos), é responsável pelo fluxo de
cargas da Figura 4.

Aplicando-se a lei das correntes de Kirchhoff nos terminais do transistor obtemos:

I E  IC  I B ( 1 )

A corrente de coletor, entretanto, é composta por dois elementos: os portadores majoritários e

minoritários conforme a Figura 4.

 A corrente de portadores minoritários é chamada corrente de fuga e é dado o símbolo ICO –

corrente IC com terminal do emissor aberto (Open).

Desta maneira a corrente de coletor é dada pela equação

IC = ICmajoritário + ICOminoritário ( 2 )

 Para os transistores usuais, IC é da ordem de miliampères enquanto ICO é medido em

microampères.

Porém ICO, como a corrente reversa dos diodos, é sensível à temperatura e deve ser analisado
cuidadosamente quando a faixa de variação de temperatura for extensa. Em temperaturas elevadas,
esse parâmetro pode afetar consideravelmente a estabilidade de um sistema que não considera
apropriadamente o seu efeito.

 Nas aplicações normais, o valor da corrente ICO é tão baixo em relação à corrente de coletor
que pode ser ignorado.

4
Simbologia
Os símbolos para os transistores npn e pnp são mostrados na figura 5:

(a) Transistor npn (b) Transistor pnp

Figura 5 – Simbologia para os transistores bipolares npn e pnp

A figura 6 mostra os elementos constituintes do primeiro transistor experimental.

Separador de Plástico

Figura 6 – Descrição dos elementos que compunham o primeiro transistor

A figura 7 mostra como são construídos os transistores epitaxiais ou de mesa modernos.

Figura 7 – Transistor bipolar epitaxial

5
Configurações possíveis para os transistores:
1) Configuração Base-Comum
2) Configuração Emissor-Comum
3) Configuração Coletor-Comum

Os nomes das configurações derivam de qual terminal do transístor é comum (ligado à terra ou a
uma referência) tanto à entrada quanto à saída da configuração.

1) Configuração Base-Comum
Nessa configuração a base é normalmente o terminal aterrado ou com nível de potencial mais
próximo ao terra. A figura 8 esquematiza a notação, símbolos e fluxo de correntes na configuração
base-comum para transistores npn e pnp.

Entrada Saída Entrada Saída

Figura 8 – (a) Transistor pnp (b) Transistor npn

Para descrever o totalmente o comportamento de um dispositivo de três terminais são exigidos dois
conjuntos de curvas características – um para o ponto de excitação, ou parâmetros de entrada e o
outro para a saída. Para a configuração base-comum, o conjunto de entrada relacionará uma corrente
de entrada (IE) e uma tensão de entrada (VBE), como mostra a figura 9.

Figura 9 – Curvas características de entrada para um transistor amplificador de silício em base comum.

6
Essas curvas revelam que para valores fixos de tensão de coletor (VCB), a corrente base-emissor
aumenta quando a tensão base-emissor aumenta. Porém na prática os valores crescentes de VCB
podem ser desprezados que podemos desenhá-las tal como na figura 10.

Figura 10 - Curvas características de entrada para qualquer VCB.

Assim a tensão base-emissor quando diretamente polarizada será dada por:

VBE  0,7V ( 3 )

O conjunto de curvas de saída relacionará uma corrente de saída (IC) a uma tensão de saída (VCB) para
vários níveis de corrente de entrada (IE).

O conjunto de curvas características de saída ou de coletor tem três regiões de interesse como mostra
a figura 11:

 Ativa;
 Corte;
 Saturação.

Figura 11 – Curvas características de saída ou de coletor para um transistor amplificador em base

comum.

7
A região ativa é aquela normalmente empregada em amplificadores lineares. Em particular:

 Na região ativa, a junção coletor-base está reversamente polarizada enquanto a junção base-
emissor está diretamente polarizada.

No extremo inferior da região ativa, a corrente de emissor (IE) é zero, a corrente de coletor é devida
exclusivamente à corrente de saturação reversa ICO.

O valor de ICO é tão pequeno (microampères) comparado á escala vertical de IC (miliampères) que ele
localiza-se virtualmente na mesma linha horizontal de IC = 0.

As condições de circuito que existem quando IE = 0 para a configuração base-comum estão mostradas
na figura 12.

Figura 12 – Corrente de saturação reversa

Observe na figura 11 que à medida que a corrente de emissor aumenta a partir de zero, a corrente de
coletor aumenta até um valor essencialmente igual à corrente de emissor.

 Note o efeito quase desprezível de VCB sobre a corrente de coletor para a região ativa.

Assim, na região ativa tem-se que:

IC  I E ( 4 )

A região de corte é definida como a região onde a corrente de coletor é 0A.

Além disso:

 Na região de corte, as junções coletor-base e base-emissor de um transistor estão

reversamente polarizadas.

A região de saturação é definida como aquela que se situa à esquerda de VCB = 0 V.

Atenção: No gráfico a escala horizontal foi expandida para mostrar as diferenças marcantes desta
região.

Nesta região do gráfico admite-se que tensão aplicada na junção coletor-base está variando de -1V até
zero. Estando a base no potencial de terra (0V), tem-se a junção coletor-base polarizada reversamente
(coletor em menor potencial que a base) enquanto a tensão no coletor aumentar até alcançar 0V.

Observe o aumento exponencial da corrente de coletor à medida que a tensão VCB aumenta de um
valor negativo à 0 V.

8
  Na região de saturação, as junções coletor-base e base-emissor estão diretamente
polarizadas.

Observe o aumento exponencial da corrente de coletor à medida que a tensão VCB aumenta de um
valor negativo à 0 V.

Região de ruptura

À medida que a tensão VCB aplicada aumenta, há um ponto em que as curvas na Figura 11 sobem
drasticamente.

Isso se deve principalmente a um efeito de avalanche descrito para o diodo quando a tensão de
polarização reversa atinge a região de ruptura. Como afirmado anteriormente, a junção base-coletor é
polarizada reversamente na região ativa, mas existe um ponto onde uma tensão de polarização
reversa demasiado grande conduzirá ao efeito de avalanche.

O resultado é um elevado aumento nas correntes de coletor e emissor para pequenos aumentos na
tensão base-coletor. A maior tensão de base para coletor admissível é denominada BVCBO, como
mostrado na Figura 11. Também é chamada de V(BR)CBO nas folhas de dados dos transistores.

Note o uso da letra maiúscula O nas notações para demonstrar que o terminal do emissor está aberto
(não conectado).

9
Alfa (α)

Na análise em corrente contínua (CC), os valores de IC e IE devido aos portadores majoritários são
relacionados por um parâmetro denominado de alfa e definido pela equação:
I
 cc  C ( 5 )
IE
 Onde IC e IE são os níveis de corrente no ponto de operação.

Apesar da curva característica da Figura 10 sugerir que α = 1, os dispositivos na prática presentam

valores de alfa variando entre 0,90 e 0,98, sendo que a maioria deles possui um alfa próximo ao
extremo superior da faixa.

Como alfa é definido exclusivamente para portadores majoritários, tem-se a justificativa dos
subscritos da equação (2) repetida aqui:
IC = ICmajoritário + ICOminoritário

E assim, para a configuração base-comum e levando-se em consideração o parâmetro α esta equação

torna-se:
IC = αIE + ICBO ( 6 )
 Onde ICBO é a corrente de coletor para base com o emissor aberto (Open)

Para a curva característica da Figura 11 (repetida abaixo), quando IE = 0 mA, IC é igual a ICBO. Como já
foi mencionado, o valor de ICBO é normalmente tão pequeno que não é possível detectá-lo no gráfico.

10
Figura 11 (repetida) - Curvas características de saída ou de coletor para um transistor amplificador em
base comum.

Em outras palavras, quando IE = 0mA na Figura 10, assume-se também que IC = 0 mA para a faixa de
valores de VCB.

11
2) Configuração Emissor-Comum
É a configuração mais frequentemente utilizada para o transistor e o seu nome vem do fato que o
emissor é comum com relação aos terminais de entrada e saída (nesse caso comum aos terminais de
coletor e base). A figura 13 esquematiza a notação, símbolos e fluxo de correntes na configuração
emissor-comum para transistores npn e pnp.

Saída Saída

Entrada Entrada

Figura 13 – (a) Transistor npn (b) Transistor pnp

Para as correntes indicadas na Figura 13, a tensão da fonte VCC deve ser maior do que a fonte VBB.

A figura 13 mostra as características de entrada ou base-emissor. As características de entrada são

representadas pelo gráfico de corrente de entrada (IB) versus a tensão de entrada (VBE) para uma faixa
de valores de tensão de saída.

Figura 13 – Características de Base

12
A Figura 14 mostra as características de saída ou coletor-emissor. As características de saída são
representadas pelo gráfico da corrente de saída (IC) versus a tensão de saída (VCE), para uma faixa de
valores de corrente de entrada (IB).

0,25

Figura 14 – Características de Coletor

Observe que as curvas de IB não estão tão horizontais quanto aquelas obtidas para IE na configuração
base-comum, indicando que a tensão coletor-emissor VCE influencia no valor da corrente de coletor IC.

A região ativa situa-se na porção do quadrante superior direito que apresenta maior linearidade, isto
é, a região na qual as curvas de IB são mais ou menos retas e estão igualmente espaçadas, situando-se
à direita da linha vertical VCEsat e acima da curva para IB igual a zero.

 A região à esquerda de VCEsat é chamada região de saturação.

 A região de corte da configuração emissor-comum não é tão bem definida quanto na
configuração base-comum.

Observe nas características de coletor da Figura 14 que IC não é zero quando IB é zero.

A razão para esta diferença nas características de coletor pode ser justificada pelas equações (1) e (6):

Equação (1): I E  I C  I B

Equação (6): IC = αIE + ICBO E assim:

IC = α(IC +IB) + ICBO

IC = αIC + αIB + ICBO

IC - αIC = αIB + ICBO

IC(1 – α) = αIB + ICBO

13
Logo:

I B I CBO
IC   (7)
1 1

Se considerarmos o caso onde IB = 0 A e substituirmos um valor típico de α = 0,996 acorrente de

coletor será:

0,996(0) I CBO I
IC    CBO  250 I CBO
1  0,996 1  0,996 0,004

E supondo ICBO = 1μA a corrente de coletor resultante com IB = 0 A seria:

IC = 250 x 1 x 10-6 = 0,25mA

O que se reflete na curva característica da Figura 14.

Como referência futura, a corrente de coletor definida para a condição de IB = 0 μA será, de acordo
com a dedução anterior:

I CBO
I CEO  I B  0 A (8)
1

E assim a corrente de coletor definida pela condição de IB = 0 μA é denominada de ICEO, ou seja:

corrente de coletor-emissor com a base aberta (open).

A Figura 15 mostra as condições que envolvem esta corrente assim como o seu sentido de referência.

Figura 15 – Condições do circuito relacionadas a ICEO.

A correte ICEO é a corrente que flui do coletor para o emissor com o terminal de base aberto (Open),
ou seja, desconectado

 Para uma amplificação linear (distorção mínima), a região de corte para a configuração
emissor-comum será definida por IC = ICEO.

Em outras palavras, a região abaixo de IB = 0 µA deve ser evitada para que o sinal não seja distorcido.

 A região de saturação é definida como aquela que se situa à esquerda de VCEsat.

14
Beta (β)

Na análise em corrente contínua (CC) os valores de IC e IB são relacionados por um parâmetro

denominado de beta (β) e definido pela seguinte equação:

IC
 dc  (9)
IB

Onde IC e IB são determinados por um ponto de operação particular na curva característica. Os

dispositivos na prática apresentam valores de β que variam tipicamente de 50 até 400, concentrados,
em sua grande maioria, no meio da faixa.

Nas folhas de especificações, βdc é normalmente incluído como hFE, com h derivado do circuito
equivalente CA híbrido. As letras FE são derivadas da amplificação de corrente direta (Forward) e
configuração emissor-comum (Common Emitter), respectivamente.

Para a análise CA, o beta ac é definido como:

I C
 ac  VCE constante ( 10 )
I B

O nome formal para βac é o fator de amplificação der corrente direta em emissor comum. Nas folhas
de especificação, βac é normalmente incluído como hfe.

 Observe a utilização de letras minúsculas para a operação em corrente alternada no hfe.

Vejamos um exemplo da determinação de βac utilizando o conjunto de características mostrado na

Figura 16. Vamos determinar βac para uma região do gráfico definido pelo ponto de operação IB = 25
µA e VCE =7,5V:

3,2 mA
2,7 mA
2,2 mA

Figura 16 – Determinando βac e βdc das curvas características para o coletor.

15
A variação em IB (ΔIB) é definida por dois pontos acima e abaixo do ponto Q (quiescente) com
distâncias aproximadamente iguais em relação ao ponto Q. Para essa situação, as curvas IB = 20 µA e IB
= 30 µA atendem a exigência. E assim:

I C I C 2  I C1 3,2mA  2,2mA
 ac  VCE constante    100
I B I B 2  I B1 30 A  20 A

Ou seja, para uma entrada ac na base, a corrente de coletor será aproximadamente 100 vezes maior
do que a corrente de base.

Se determinarmos o beta dc no ponto Q:

I C 2,7mA
 dc    108
I B 25A

 Embora não sejam exatamente iguais, em geral, os valores de βac e βdc são bem próximos e
podem ser empregados indistintamente, isto é, se βac é conhecido assume-se que o valor de βdc
seja mais ou menos o mesmo e vice-e-versa.

Relação entre β e α
Utilizando as relações básicas desenvolvidas, podemos estabelecer uma expressão relacionando β e α.

IC I
Usando   temos que: I B  C
IB 

IC I
E de   temos que: I E  C
IE 

Substituindo em IE = IC + IB

IC IC
Temos:  IC 
 

E dividindo ambos os lados da equação por IC resulta em:

1 1
1
 

Ou:

      (  1)

Portanto:

 
 ( 11a ) Ou   ( 11b )
 1 1

16
A partir dessas expressões podemos explicar porque ICEO ≈ βICBO na Figura 14, repetida abaixo:

0,25

Figura 14 (repetida) - Características de Coletor

Pela equação (8):

I CBO
I CEO 
1

E usando a equivalência:

 1 1  1  1
 →   →  →  →   1
1 1 1  1  1
 1

Chega-se a:

1
ICEO  ICBO
1

I CEO  (   1) I CBO

Ou:

I CEO  I CBO

Conforme indicado na Figura 14.

17
Região de ruptura

Tal como no caso da configuração base-comum, existe uma tensão emissor-coletor máxima que pode
ser aplicada e ainda permanecer na região ativa estável de operação. Na Figura 17, as curvas
características da Figura 14 foram estendidas para demonstrar o impacto sobre as características em
níveis elevados de VCE.

Figura 17 – Exame da região de ruptura de um transistor na configuração emissor-comum

Em níveis altos de corrente de base, as correntes quase ascendem verticalmente, enquanto em níveis
mais baixos desenvolve-se uma região que parece apoiar-se sobre si mesma.

Região de resistência negativa

Esta região é particularmente digna de nota porque um aumento na corrente está resultando em uma
queda de tensão, o que a caracteriza como uma região de resistência negativa do dispositivo.

O valor máximo recomendado para um transistor sob condições normais de operação é denominado
BVCEO como mostrado na Figura 17 ou V(BR)CEO nas folhas de dados dos transistores.

O valor de BVCEO menor que do que o BVCBO da configuração base-comum, frequentemente BVCEO é a
metade de BVCBO.

Nesta região de ruptura existem duas razões para a mudança drástica nas curvas:

 A ruptura por avalanche

A ruptura por avalanche é tal como no caso da configuração base comum

 A perfuração (punch-through)

18
A perfuração deve-se ao efeito Early. Como já foi observado, as curvas características de saída não são
perfeitamente horizontais, ao invés disso apresentam uma inclinação tal como pode ser visto
novamente na Figura 18.

Figura 18 – Definição da tensão Early e da impedância de saída de um transistor

Se a inclinação das curvas for estendida até chegar ao eixo horizontal, verifica-se que todas elas se
cruzam em uma tensão chamada de tensão Early. Essa intercessão foi descoberta por James M. Early
em 1952.

As inclinações das curvas também definem outro parâmetro importante que é a impedância de saída
do dispositivo, sedo que à medida que a corrente de base aumenta, a inclinação da reta aumenta, o
que resulta em um aumento da impedância de saída com um aumento da corrente de base e de
coletor.

Assim, pela Figura 18, para determinada corrente de base e de coletor, a impedância de saída podes
ser determinada pela seguinte equação:

V VA  VCEQ
rO  
I I CQ

Tipicamente a tensão de Early é suficientemente grande se comparada à tensão coletor-emissor

aplicada, permitindo a seguinte aproximação:

VA
rO 
I CQ

Para situações onde a tensão Early não está disponível, a impedância de saída pode ser determinada a
partir das curvas características em qualquer corrente de base ou de coletor por meio da seguinte
equação:

VCE
rO 
I C

19
  No entanto, o efeito avalanche é dominante porque qualquer aumento da corrente de base
decorrente dos fenômenos de ruptura aumentará a corrente de coletor resultante pelo fator β.

Esse aumento na corrente de coletor contribuirá, por sua vez, para o processo de ionização (geração
de portadores livres) durante a ruptura, o que causará um aumento adicional na corrente de base e
níveis ainda mais elevados da corrente de coletor.

3) Configuração Coletor-Comum

A configuração coletor-comum é utilizada principalmente para o casamento de impedância, uma vez

que esta configuração apresenta uma alta impedância de entrada e uma baixa impedância de saída. A
Figura 19 esquematiza a notação, símbolos e fluxo de correntes na configuração emissor-comum para
transistores pnp e npn.

Saída Saída

Entrada Entrada

Figura 19 – (a) transistor pnp (b) transistor npn

Para as correntes indicadas na Figura 19, a tensão da fonte VEE deve ser maior do que a fonte VBB.

Uma configuração coletor-comum está mostrada na Figura 20 onde o resistor de carga é o resistor que
está conectado do emissor para a terra.

Figura 20 – Configuração coletor-comum utilizada para casamento de impedância.

20
Não há necessidade de um conjunto de curvas características sobre a configuração coletor-comum
para escolher os parâmetros do circuito da Figura 20.

 Para o circuito de entrada, as curvas características da configuração emissor-comum são

suficientes para se obter as informações necessárias.

 Na prática, as curvas características de entrada para a configuração coletor-comum são iguais

às curvas características da configuração emissor-comum.
 O eixo horizontal que representa a tensão para a configuração coletor-comum é obtido
simplesmente se invertendo o sinal da tensão coletor-emissor (torna-se VEC) das curvas.

Assim, para a configuração coletor-comum, o gráfico de IE versus VEC para um conjunto de valores de IB
representa a característica de saída.

A Figura 21 mostra as características de saída ou coletor-emissor.

Região de saturação
Região ativa

Região de corte

Figura 21 – Características de Emissor

Quadro resumo para as regiões de operação do transistor:

 O transistor consiste em duas junções pn, a junção base-emissor (JBE) e a junção base-coletor
(JBC).
 Dependendo da condição de polarização de cada junção, são obtidos diferentes modos de
operação para o transistor.

Modo JBE JBC

CORTE Reversa Reversa
ATIVO Direta Reversa
SATURAÇÃO Direta Direta

21
Limites de operação

Para cada transistor, há uma região de operação nas curvas que assegura que os limites para o
transistor serão respeitados e que o sinal de saída conterá um mínimo de distorção. A Figura 22 mostra
a região de corte na área sombreada, onde IB = 0.

Figura 22 – Região de corte.

A curva de potência máxima representa a máxima potência que pode ser dissipada pelo transistor.
A Figura 23 mostra a curva característica para emissor comum onde a área sombreada é denominada
de área útil no qual o transistor opera com total segurança.

Figura 23 – Área útil de operação do transistor.

22
A Figura 24 mostra a região de operação nas curvas de um transistor baseados nos dados de uma folha
de especificações típica. Alguns limites de operação são auto-explicativos como:

A corrente máxima de coletor ICmáx (normalmente referidas nas folhas como corrente de coletor
continua);

A tensão máxima coletor-emissor VCEO ou V(BR)CEO.

Figura 24 – Definindo a região linear (sem distorção) de operação do transistor.

Para o transistor da figura 22, ICmáx = 50 mA e VCEO = 20 V. A linha vertical no gráfico, representando
VCEsat especifica o valor mínimo de VCE que pode ser aplicado sem que o transistor caia na região não-
linear, denominada de região de saturação. Para este transistor, VCEsat = 0,3 V.

O valor máximo de dissipação de potência é determinado pela equação:

Pcmax  VCE  I C

Para o dispositivo da figura 22, a potência de coletor dissipada é de 300 mW, ou seja:

PCmáx = VCE × IC = 300 mW

E assim para traçar a curva de dissipação de potência, sabe-se que em qualquer ponto da curva o
produto VCE por IC deve ser igual a 300 mW.

Por exemplo, se escolhermos o valor de ICmáx = 50 mA obtemos:

VCE  50mA  300 mW

300 mW
VCE   6V
50mA

Assim para IC = 50 mA, o VCE = 6V na curva de dissipação de potência.

23
Se escolhermos o valor de VCEmáx = 20 V, o valor de IC será:

20  I C  300 mW

300 mW
IC   15mA
20V

Que define um segundo valor na curva de potência.

Escolhendo agora um valor intermediário para a corrente de coletor como IC = 25mA:

VCE  25mA  300 mW

300 mW
VCE   12V
25mA

Uma estimativa grosseira da curva real pode normalmente ser obtida utilizando-se os três pontos
definidos anteriormente.

A região de corte é definida abaixo de IC = ICEO. Essa região também deve ser evitada para que o sinal
de saída apresente o mínimo de distorção. Nas folhas de especificações somente ICBO é fornecida. Para
se obter ICEO deve-se utilizar a equação:

I CEO    I CBO

A operação na região resultante da Figura 24 assegurará uma distorção mínima do sinal de saída e
valores de corrente e tensão que não danificarão o dispositivo.

Se as curvas características não estão disponíveis ou não constam nas folhas de especificação – o que
normalmente ocorre – deve-se simplesmente assegurar que IC, VCE e o produto VCE × IC se situem nos
intervalos:

I CEO  I C  I Cmáx

VCEsat  VCE  VCEmáx

VCE  I C  PCmáx

24
Analogia com diodos:
A Figura 25 mostra os circuitos equivalentes dos transistores PNP e NPN com diodos.

Figura 25 – Circuitos equivalentes dos transistores com diodos

25
Análise da polarização de amplificadores transistorizados.
Conforme já foi citado anteriormente, o amplificador transistorizado deve ser polarizado
adequadamente para que opere em qualquer uma das regiões de operação. A polarização consiste em
aplicar tensões CC fixas adequadas na base e no coletor e em decorrência destas tensões correntes CC
fixas irão circular na base, coletor e emissor do transistor. Estas tensões e correntes fixas são
denominadas de quiescentes, ou seja, que não se alteram e define o ponto de operação do transistor,
também denominado de ponto quiescente ou ponto Q.

Há basicamente 4 possiblidades de polarização:

1) Circuito de Polarização Fixa

2) Configuração de Polarização de Emissor
3) Configuração de Polarização por Divisor de Tensão
4) Configuração com Realimentação de Coletor

Serão estudadas as polarizações para a configuração emissor comum que é a mais empregada.

1) Circuito de polarização fixa

Esta configuração apresenta um resistor para a obtenção da tensão de base e um resistor para a
obtenção da tensão de coletor. A Figura 26 mostra este circuito com as tensões e correntes envolvidas.

Figura 26 – Circuito de polarização fixa

Este circuito de polarização é simples, porém tem como inconveniente a baixa estabilidade de
operação. Uma vez que o parâmetro β varia com a temperatura, se a temperatura aumentar o β
aumenta, fazendo a corrente de base (IB) aumentar e consequentemente a corrente de coletor (IC). Isto
faz com que as tensão coletor-emissor (VCE) também varie e o ponto quiescente seja então
dependente da temperatura.

26
Análise da polarização

Para descobrirmos as correntes e tensões do circuito transistorizado iremos aplicar a Lei das tensões
de Kirchhof (Lei das malhas) nas malhas coletor-base-emissor e coletor-emissor do amplificador do
exemplo a seguir.

Exemplo 1: Determinar a corrente de base (IB), corrente de coletor (IC), corrente de emissor (IE), tensão
entre coletor e emissor (VCE), tensão de coletor (VC), tensão de emissor (VE), tensão de base (VB) e
tensão entre base e coletor (VBC) para o circuito transistorizado da Figura 27. Admitir VBE = 0,7V.

Figura 27 – Circuito do Exemplo 1

Malha coletor-base-emissor:

VCC – IBRB – VBE = 0

12 – 240×103 × IB – 0,7 = 0

IB = 47,08µA

Através das relações:

IC = β × IB

IE = IC + IB → IE = β × IB + IB → IE = IB × (β + 1)

Temos:

IC = 50 × 47,08 × 10-6 = 2,35mA

IE = 47,08 × 10-6 × (50 + 1) = 2,40mA

Malha coletor-emissor:

VCC – ICRC – VCE = 0

12 – 2,35 × 10-3 – VCE = 0

27
VCE = 6,83V

O emissor está ligado à terra e, portanto, VC = 0, significando que VCE = VC – VE = 6,83 – 0 = 6,83V.

E também por causa disso, a tensão VB = VBE = 0,7V

Assim:

VBC = VB – VC = 0,7 – 6,83 = – 6,13V

Verifica-se que a junção base-emissor está diretamente polarizada e a junção base-coletor está
reversamente polarizada e o transistor está operando na região ativa.

2) Configuração de Polarização de Emissor

É possível aumentar a estabilização da polarização mediante o acréscimo de um resistor no emissor tal

como mostra a Figura 28.

Figura 28 - Circuito de polarização com resistor de emissor

O aumento da estabilidade na polarização é conseguido por um processo denominado de

realimentação negativa que ocorre no circuito: Com o aumento da temperatura o β aumenta, fazendo
a corrente de base aumentar bem como a corrente de coletor e emissor. O aumento da corrente de
emissor causa o aumento da tensão sobre RE que vem a ser a tensão de emissor (VE). Como a tensão
de base varia muito menos que a tensão de emissor, a consequência é a redução da tensão base-
emissor (VBE). A redução da tensão VBE faz com que o transistor conduza menos, diminuindo então IC e
IE e estabilizando a polarização.

28
Análise da polarização

Para descobrirmos as correntes e tensões do circuito transistorizado iremos aplicar a Lei das tensões
de Kirchhof (Lei das malhas) nas malhas coletor-base-emissor e coletor-emissor do amplificador do
exemplo a seguir.

Exemplo 2: Determinar a corrente de base (IB), corrente de coletor (IC), corrente de emissor (IE), tensão
entre coletor e emissor (VCE), tensão de coletor (VC), tensão de emissor (VE), tensão de base (VB) e
tensão entre base e coletor (VBC) para o circuito transistorizado da Figura 29. Admitir VBE = 0,7V.

Figura 29 – Circuito do Exemplo 2

Malha coletor-base-emissor:

VCC – IBRB – VBE – IERE = 0

Usando a relação:

IE = IB × (β + 1)

VCC – IBRB – VBE – IB × (β + 1)RE = 0

20 – 430 × 103 × IB – 0,7 – (50 + 1)× 1 × 103 × IB =0

IB = 40,12µA

IC = β × IB = 50 × 40,12 × 10-6 = 2mA

IE = IB × (β + 1) = 40,12 × 10-6 × 51 = 2,05mA

Malha coletor-emissor:

VCC – ICRC – VCE – IERE = 0

20 – 2 × 103 × 2 × 10-3 – VCE – 2,05 × 10-3 × 1 × 103 = 0

29
VCE = 13,96V

VE = IE × RE = 2,05 × 10-3 × 1 × 103 = 2,05V

VB = VE + VBE = 2,05 + 0,7 = 2,75V

VC = VCC – ICRC = 20 – 2 × 10-3 × 2 × 103 = 16V

VBC = VB – VC = 2,75 – 16 = –13,25V

Verifica-se que a junção base-emissor está diretamente polarizada e a junção base-coletor está
reversamente polarizada e o transistor está operando na região ativa.

3) Configuração de Polarização por Divisor de Tensão

Desejamos obter o circuito mais estável possível e a configuração por divisor de tensão podes ser
praticamente independente das variações de β se os parâmetros forem escolhidos adequadamente.
Razão disso é o uso de um divisor de tensão na base (o qual dá o nome da polarização) que estabelece
uma tensão VB que varia muito pouco com a temperatura. Além do divisor de tensão na base, também
há um resistor no emissor que estabelece o mecanismo da realimentação negativa da mesma forma
que na polarização anterior. A Figura 30 mostra o circuito do amplificador transistorizado com
polarização por divisor de tensão.

Figura 30 – Configuração de polarização por divisor de tensão

30
Análise da polarização

Exemplo 3: Determinar a corrente de base (IB), corrente de coletor (IC), corrente de emissor (IE), tensão
entre coletor e emissor (VCE), tensão de coletor (VC), tensão de emissor (VE), tensão de base (VB) e
tensão entre base e coletor (VBC) para o circuito transistorizado da Figura 31. Admitir VBE = 0,7V.

Figura 31 – Circuito do Exemplo 3

Para este circuito será necessário obter inicialmente o equivalente de Thévenin para o circuito de base
formado pela fonte VCC e os resistores de base 1 (R1) e de base 2 (R2).

RTH = R1 // R2
RTH = 39k // 3,9K = 3,55kΩ
R2 3,9
ETH  VCC  22  2V
R1  R2 39  3,9

A Figura 32 mostra o equivalente de Thévenin na base do amplificador transistorizado.

Figura 32 - Inserção do circuito equivalente de Thévenin

31
Malha base-emissor

–ETH + IBRTH + VBE + IERE =0

–ETH + IBRTH + VBE + (β+1)IBRE =0

–2 + 3,55 × 103 × IB + 0,7 + (140 + 1) × 1,5 × 103 × IB = 0

IB = 6,05µA

IC = β × IB = 140 × 6,05 × 10-6 = 0,85mA

IE = IB × (β + 1) = 0,85 × 10-6 × (140 + 1) = 0,85mA

Malha coletor-emissor

VCC – ICRC – VCE – IERE = 0

22 – 0,85 × 10-3 × 10 × 103 – VCE – 0,85 × 10-3 × 1,5 × 103 = 0

VCE = 12,23V

VE = IE × RE = 0,85 × 10-3 × 1,5 × 103 = 1,28V

VB = VE + VBE = 0,7 + 1,28 = 1,98V

VC = VCC – ICRC = 22 – 0,85 × 10-3 × 10 ×103 = 13,5V

VBC = VB – VC = 1,98 – 13,5 = – 11,52V

Verifica-se que a junção base-emissor está diretamente polarizada e a junção base-coletor está
reversamente polarizada e o transistor está operando na região ativa.

4) Configuração com Realimentação de Coletor

Nesta configuração, apesar do ponto Q não ser totalmente independente do β, a sensibilidade a

variações do β com a temperatura costuma ser melhor do que aquela existente em configurações com
divisor de tensão e emissor polarizado. A Figura 33 mostra esta configuração.

32
 Figura 33 – Circuito de polarização CC com realimentação de tensão

O resistor de emissor que propicia realimentação negativa como nas duas configurações anteriores,
porém note que o resistor de base está conectado à junção do resistor de coletor (R C) com o coletor do
transistor. Note que a corrente que circula em RC está marcada como IC’ pois ela é soma da corrente IC
com a corrente IB. Se a temperatura aumentar, o β aumenta ocasionando o aumento de I C e IB e
consequentemente o aumento de IC’. O aumento de IC causa o aumento da tensão em RC e, por
conseguinte a tensão no coletor (VC). A tensão de base (VB) depende da tensão VC e irá diminuir
também. Tem-se então uma dupla realimentação negativa, uma proporcionada por RE e a outra por RC
que diminuem a tensão VBE e assim reduzindo a condução do transistor e o estabilizando.

Análise da polarização

Exemplo 4: Determinar a corrente de base (IB), corrente de coletor (IC), corrente de emissor (IE), tensão
entre coletor e emissor (VCE), tensão de coletor (VC), tensão de emissor (VE), tensão de base (VB) e
tensão entre base e coletor (VBC) para o circuito transistorizado da Figura 34. Admitir VBE = 0,7V.

Figura 34 – Circuito do Exemplo 4

Malha Coletor-base-emissor

VCC – IC’RC – IBRB – VBE – IERE = 0

VCC – (IB + IC) – IBRB – IERE = 0

VCC – (IB + βIB) – IBRB – (β + 1)IBRE = 0

VCC – IB(β + 1) – IBRB – (β + 1)IBRE = 0

10 – (90 + 1) × 4,7 × 103 × IB – 250 × 103 × IB – (90 + 1) × 1,2 × 103 × IB= 0

IB = 11,82µA

IC = β × IB = 90 × 11,82 × 10-6 = 1,06mA

IE = IB × (β + 1) = 11,82 × 10-6 × (90 + 1) = 1,08mA

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Malha coletor-emissor

VCC – IC’RC – VCE – IERE = 0

VCC – (IC + IB)RC – VCE – IERE = 0

10 – (1,06 × 10-3 + 11,82 × 10-6) × 4,7 × 103 – VCE – 1,2 × 103 × 1,8 × 10-3 =0

VCE = 3,67V

VE = IE × RE = 1,08 × 10-3 × 1,2 × 103 = 1,3V

VB = VE + VBE = 0,7 + 1,3 = 2V

VC = VCC – ICRC = 10 – 1,06 × 10-3 × 4,7 × 103 = 5,02V

VBC = VB – VC = 2 – 5,02 = –3,02V

Verifica-se que a junção base-emissor está diretamente polarizada e a junção base-coletor está
reversamente polarizada e o transistor está operando na região ativa.

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