Tecnologia De Materiales

1. Estructura Cristalina
2. Imperfecciones En Solidos
3. Difusion En Metales
4. Transformacion De Fase
5. Diagramas De Fase
6. Comportamiento Mecanico De Los Metales
7. Metales y Aleaciones

1. Estructura Cristalina
3. Comportamiento Mecanico de Materilaes
2. Imperfaciones en Solidos
1. Estructura cristalina

1.1 Conceptos generales

1.2 Sistemas cristalinos y redes de bravais

1.3 Principales estructuras cristalinas en los materiales

1.4 Índices de Miller

1.5 Planos cristalográficos y direcciones en las celdas cristalinas.

1.6 Cálculo de la densidad volumétrica, planar y lineal

1.7 Polimorfismo o alotropía

1.8 Análisis de las estructuras cristalinas por difracción de rayos X

 1.Estructura cristalina
1.1Conceptos generales
Los sólidos se dividen en función de la disposición mutua de los átomos en:

División de los sólidos:

Amorfos: son aquellos sólidos y los átomos están dispersos en el espacio caótica mente, sin seguir
un orden. (vidrio, la resina, etc.)

Cristalinos: son aquellos sólidos en los cuales los átomos (Iones, moléculas), se hallan en el
espacio siguiendo un orden estrictamente definido formando una red atómica cristalina

Todos los metales o substancias cristalinas

Ejemplos:
a) Hierro: tiene una estructura cristalina cúbica centrada en el cuerpo a temperaturas de
hasta 900 °
b) Colomo: tiene una estructura cristalina cúbica centrada en el cuerpo a temperatura de
1400°, lo mismo que el vanadio y el tungsteno
c) Estructura cristalina cúbica centrada en el en las caras (CCF) O (FCC), la encontramos en el
Hierro a temperaturas de 900° a 1400 °C, también al cobre, el níquel, el aluminio y otros.
d) La estructura cristalina hexagonal, la tiene el magnesio, el zinc, entre otros
e) La particularidad de disposición de los átomos en la red determinan el complejo de
propiedades de los metales que lo diferencian de los no metales; es decir, la conductividad
térmica y eléctrica, fusibilidad y máquinabilidad.
CRISTALIZACIÓN DE LOS MATERIALES Y LAS ALEACIONES

1. Cristalización de los materiales

Las redes cristalinas especiales se forman en el metal, al pasar este, del estado líquido a él sólido.
Dicho proceso se llama cristalización. Las transformaciones ligadas con la cristalización determinan
las propiedades de los materiales

La esencia de este proceso consiste en lo siguiente:

 Los átomos se mueven constantemente en el metal líquido.

 El movimiento se hace más lento a medida que disminuye la temperatura.
 Los átomos se aproximan agrupándose en cristales denominados centros de cristalización.
 A los centros se les asocian los cristales recién formados.
 Simultáneamente surgen nuevos centros.

La cristalización costa de dos etapas:

2. La formación de los centros de cristalización

3. El crecimiento de los cristales alrededor de estos.
A tales grupos de cristales se les llama granos.

En la figura (F) se muestran los límites de los granos de diferente tamaño. Tal tamaño de los
granos influye sobre las propiedades de explotación del metal.

Un metal de grano gurú eso tiene baja resistencia al choque y durante su maquinado es dirigen
tener una pequeña rugosidad de la superficie. El tamaño de lograr los depende de la naturaleza
del propio metal y las condiciones de su cristalización.

Los procesos de cristalización dependen de la temperatura y del tiempo. Que transcurre, por lo
que las curvas tienen las coordenadas (t-z)

La curva 1, muestra el proceso ideal de cristalización de un metal, sin sobre sobre Hans Hubert de
medicina sobre enfriamiento. Hay inicio, la temperatura desciende uniformemente, por lo que la
curva va hacia abajo. La caída de la temperatura se está al alcanzar la temperatura cesa al alcanzar
la temperatura de cristalización (se formaba un tramo horizontal) esto explica el hecho de que la
agrupación de los átomos se efectúan en con desprendimiento de calor. Una vez terminada la
solidificación, la curva va de nuevo hacia abajo, puesto que la temperatura disminuye.
Prácticamente, la cristalización transcurre de una manera diferente, dado que el proceso está
ligado con el sobreenfriamiento, es decir, el metal se mantiene líquido a la temperatura de
solidificación y su cristalización comienza a una temperatura más baja. La diferencia entre las
temperaturas de cristalización inicial y verdadera, se denomina grado de sobreenfriamiento.

La curva 2 corresponde a la cristalización del metal con sobreenfriamiento.

La curva 3 es característica para la solidificación del homo metales y no tiene una temperatura de
cristalización bien expresada, la solidificación su sede paulatinamente.

El grado de sobreenfriamiento es factor importante, que determina el tamaño del grado. Si el

grado de sobreenfriamiento es pequeño, el número de centro también es pequeño, mientras que
la velocidad de crecimiento de los cristales es grande. Siendo lento el enfriamiento de los granos
crecen. Si la velocidad de enfriamiento es grande, el crecimiento de los cristales es lento, la calidad
de centros grande y los granos serán finos.

Al moldear piezas de paredes de ligadas ser formal estructuras de grano fino y al moldear piezas
de paredes gruesas, los granos eran gruesas.

Sobre el tamaño de la idea no influye la alta temperatura provocando su crecimiento.

1. Estructura cristalina.
1.2 Sistemas cristalinos y redes de bravais.
La estructura cristalina es el concepto que describe la forma de cómo se organizan los átomos en
el material.(La estructura cristalina se determina por difracción de rayos X.)

¿Cómo describir la estructura cristalina?

- Consideramos a los átomos(o iones) como esfera sólidas de diámetro definido –modelo
atómico de esferas rígidas.(átomos de diferente naturaleza química se representa por
esferas de tamaño diferentes).
- Los átomos de un en interés y para formar el material. Se tomó un conjunto de puntos en
el espacio tridimensional, denominado red cristalina, que define la disposición ordenada
del sólido cristalino.

Toda estructura cristalina puede estudiarse a

partir de una porcion pequeña que contenga el
proton de ordenamiento A esa pequeña porcion
se le llama celda unitaria

- La red constituye el edificio o esqueleto sobre el que se construye la estructura cristalina,

situando átomos o grupos de ellos en los puntos del red, o cerca de ello.
Celda unidad.
En la subdivisión de una de red que sigue conservando las características generales de toda la
red. De las múltiples celdas posibles, se escoge la mas simple

Parámetros de red: los paramentos de red

de la celda unidad son a, b, y c. Incluyen las
dimensiones de las aristas de la celda y los
ángulos de esta que son a, B y R. Y se mide a
temperatura ambiente (a)
 1nm(nanometro) = 10-9 m = 10-7cm =
10 A (angstrom)

1ª (angstrom) = 0.1 m = 10-10m = 10-

8
cm

Redes de bravais
Sólo existen siete celdas únicas que pueden agruparse de manera que rellenen completamente el
espacio 3D. llamados siete sistemas cristalinos los cuáles son.

1. Sistema cúbico (simple, BCC,FCC)

2. Sistema de TetragonaL (simple, BCT)
3. Sistema ortorrómbico (siempre, BCO, centrado en la base)
4. Sistema rumboedrico Simple
5. Sistema hexagonal Simple
6. Sistema monoclínico Simple, Centrado en la base.
7. Sistema triclínico simple

Si además consideramos como puede disponerse los átomos, considerados como es veraz rígidas,
las posibilidades serían 14 que constituyen las catorce redes de bravís.

El sistema público o posee tres estructuras.

1. Estructura cúbica a simple (C.S)

 2. Estructura cubica centrada en el cuerpo (BCC)

3. Estructura cúbica centrada en las caras (FCC)

Algunas propiedades de las celdas unitarias

1. Número de átomo por celda.

Es el número promedio de puntos de red asociados a una celda unitaria.

 La estructura CS tiene un átomo por celda unitaria

 La estructura BCC tiene dos átomos por celda unitaria

 La estructura FCC tiene cuatro átomos por celda unitaria

1. Estructura cristalina

1.3Principales estructuras cristalinas en los materiales

Debido a las características del enlace metálico (no direccional), las estructuras cristalinas de los
metales presentan alto grado de empaquetamiento entre los átomos, con gran número de vecinos
muy próximos.

En los metales, utilizamos el modelos de esferas rígidas, cada átomo(catión) ocupó una posición
en la red.

Las estructuras cristalinas de la mayoría de los metales son tres:

1. Cúbico un centrado en el cuerpo,(BCC-BODY-CENTERED,CIBIC),CR,MO,K,V,W, aleaciones

2. Cúbica centrado en las caras(FCC-FACE CENTERED CUBIC). FEY,AL,CU,NI, PT,AU.
 3. Hexagonal comparta.(hcp hexagonal close-packerd). Be,cd,mg,co,ti-α,zn.

Algunas propiedades de las celda

1. En el número de átomo por celda

Es el número promedio de puntos de red asociados a una celda unitaria

 -la estructura CS tiene 1 átomo por celda unitaria

 -la estructura BCC tiene 2 átomos por celda unitaria
 -la estructura FCC tiene 4 átomos por celda unitaria
 -la estructura HCP tiene 6 átomos por celda unitaria

2.Relación entre el radio atómico y el parámetros de red.

Estructura BCC cúbica centrada en el cuerpo

 Estructura FCC cúbica centrada en las caras.

Estructura HCP hexagonal compacta

Cantidad de átomo por celda unitaria

Las perdices de las celdas se identifican con facilidad así como las posiciones, sentadas en el
cuerpo(centro de la celda) y centrada en las caras(el centros de los seis lados de la celda). Un
punto de red en un vértice de una celda unitaria está compartido con siete celdas unitarias
adyacentes y en consecuencia, compartido por un total de ocho celdas; sólo un octavo de celdas-
vértice pertenece a determinadas celda unitaria. Así la cantidad de puntos de red de todos las
posiciones en vértice de una celda unitaria es:

Ejercicio;
1.3.1 calcule la cantidad de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos cúbicos. Sí
solo hay un átomo en cada punto de red, calcule la cantidad de átomos por celda.

Solución
SC cúbica a simple: los puntos de red sólo está de los vértices del cubo.

1 𝑃𝑈𝑁𝑇𝑂 𝐷𝐸 𝑅𝐸𝐷 𝑉𝐸𝑅𝑇𝐼𝐶𝐸

8
8 𝑉𝐸𝑅𝑇𝐼𝐶𝐸 𝐶𝐸𝐿𝐷𝐴

EJERCICIO:

1.3.1calcule la cantidad de puntosde red por celdaen los sistemas cristalinos cúbicos.
Si solo hay un atomoen cadapunto de red, calcule la cantidad de atomos por celda.

Solución
SC cubica simple: los puntos de red solo están en los vértices del árbol
𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑 1 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑
𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎𝑠 𝑢𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎𝑠
= (8 vertices) 8 𝑣𝑒𝑟𝑡𝑖𝑐𝑒𝑠

1
= (8) 8
=1

Hay un átomo por celda

BCC cúbica centrada en el cuerpo: los puntos de red está de los vértices y en el centro
del cubo.

𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑 1 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑

𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎
= (8 vertice ) 8 𝑣𝑒𝑟𝑡𝑖𝑐𝑒𝑠
+ 1 centro
 1
= (8) 8
+ 1 =2

FCC cúbica centrada en las caras: los puntos de red está de los vértices y en las caras
del cubo.
𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑 1 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑑 1
𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎
= (8 vertices) 8 𝑣𝑒𝑟𝑡𝑖𝑐𝑒𝑠
+ (6 caras) 2

1 1 4
=(8) + (6) =
8 2 4
1 + 3 = 4
Tarea: determinar el número de átomos de la celda hexagonal compacta.

HCP
1 1
N° átomos/celdas = 2 (6) 6
+ (2) 2
+ = 6

3.Número de coordinación.

Es el número de átomos que toca a un átomo en particular

El átomo en el centro está en el contacto con 8 átomos, por tanto, el número de coordinación es
igual a 8.

FCC

Tenemos ocho átomos en cada vértice y cuatro en las caras, por lo tanto ocho más cuatro
igual a doce.

-el número de coordinación que es 8+4=12

4. Factor de empaquetamiento atómico(FEA)

Es la fracción de espacio de la celda unitaria que es ocupada por átomos; suponiendo que son
esferas duras que tocan a su vecino más cercano.
𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑
FEA =
𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑

𝑛𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜

FEA = 𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑
Volumen del átomo. Ese volumen de las esferas, que la forma geométrica de los átomos.
4 1
V= 𝜋𝑟 3 = 𝜋𝑑3 ≅4.189𝑟 3
3 6

Volumen de celda, ese volumen del cubo o de la forma geométrica que éste representa,(trigonal,
rumboedrico, hexagonal, etc.). Por lo que el volumen del cubo es el siguiente:
4
V = 3
𝑎3

4𝑟 4𝑟
Sabiendo que a= V= para FCC.
√2 √2

Ejercicio:

1.3.2 calcular el factor empaquetamiento de la celda FCC.

Solución:

Primero se calcula el numero de coordinación

-atomo que toca a un atomo en prticular = 12
Segundo, se calcula el numero de atomo por celda unitaria
(8) (18) + (6) (12) = 4
Tercero, se calcula la FEA:

𝑁𝑈𝑀𝐸𝑅𝑂 𝐷𝐸 𝐴𝑇𝑂𝑀𝑂 𝑃𝑂𝑅 𝐶𝐸𝐿𝐷𝐴 𝑈𝑁𝐼𝐷𝐴𝐷 𝑉𝑂𝐿𝑈𝑀𝐸𝑁 𝐷𝐸 𝐿𝑂𝑆 𝐴𝑇𝑂𝑀𝑂𝑆

FEA=
𝑉𝑂𝐿𝑈𝑀𝐸𝑁 𝐷𝐸 𝐿𝐴 𝐶𝐸𝐿𝐷𝐴

𝐴𝑇𝑂𝑀𝑂𝑆 4
(4 𝐶𝐸𝐿𝐷𝐴) ( 𝜋𝑟 3 )
3
FEA = 4𝑟 X 100%
√2

FEA = (0.74) (100) 74% del volumen de celda esta ocupado

Estructura cristalina

1.4 Cálculo de la densidad volumétrica, planar y lineal.

-Densidad volumétrica

𝑚𝑎𝑠𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑 (𝑛° 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑)(𝑝𝑒𝑠𝑜 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑖𝑐𝑜)

Pv = 𝑣𝑜𝑙𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑 = 𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑
 𝑛.𝑀 9
Pv = 𝑉𝑐 𝑁𝐴 𝐶𝑚3

n-es el número de átomos por celda unidad.

M-es el peso atómico
Vc-volumen de la celda unidad.
NA-es el número de abogadro (6.023x1023 atomos/mol)

Densidad planar.

(𝑛𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑠𝑒𝑐𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠 )(𝑒𝑙 𝑎𝑟𝑒𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜)

𝑃𝑝 = 𝑎𝑟𝑒𝑎 𝑠𝑒𝑙𝑒𝑐𝑐𝑖𝑜𝑛𝑎𝑑𝑎

𝑃𝑝 = (atomos / 𝑚2 )

Para calcular la densidad planar usamos la siguiente conversión. Sí un átomo pertenece

totalmente a un área dada, tal como la del átomo localizado en el centro de una cara en una
estructura FCC, notamos que la huella de la intersección del átomo sobre el plano es un circulo
entonces, dentro del área contamos con un átomo en el centro y un cuarto de circulo en el área.
Deberemos agregar que estos cálculos de la densidad, una de las reglas básicas es que un plano
una línea deban pasar a través del centro de un átomo no se cuenta el átomo en los cálculos.
Ejercicios:

1.4.1calculo de la densidad atómica planar de la familia de planos (100),(110),(111)

Plano (100)

N° atomos = 2
por lo que se aclaro en el apartado anterior, tenemos un atomo
en el centrode la cara mas( los dos medios circulares que intersectan),es
decir de los extremos de cada vértice tenemos ¼ de circulo que si lo sumamos
nos da 4/4.

4𝑅
𝑎0 = √2

2𝜋𝑅2
P= 𝑎2
 2𝜋𝑟 2 2𝜋𝑅2 2𝜋
P= 4𝑅 2 = (4)2 𝑅2
= 8
= 0.7853
√2 2

P = 78.53%

Densidad lineal

Ejemplo:

BCC numero de atomos = 1 porq son solo ¼ de angulo los que se tocan y por lo tanto
son 4 haciendo la suma es 4/4 = 1.

4𝑅
𝑎0 = √3

1𝜋𝑅2 1𝜋
𝑃𝑝 = 𝑎2
= 42
= 0.5890
𝐵

𝑃𝑝 = 58.90%

Plano (110)

2𝜋𝑅2
𝑃𝑝 = 4𝑅 a = (4𝑅
√2
)
( √2) √2

2𝜋
𝑃𝑝 = 2 = 0.5553
(42 ) (√2)

𝑃𝑝 = 55.53%

BCC

Numero de atomos = 2
4𝑅 2𝜋𝑅2
a= 𝑃𝑝= 𝑎 2 √2
√3
 2𝜋𝑅2
𝑃𝑝 =
((4)
3 ) (√2)

𝑃𝑝 = 83.30%

Plano (111)

BCC

Numero de atomos = 3 1/6 = ½

4𝑅 1/2𝜋𝑅 2
A= , 𝑃𝑝 =
√3 𝐴

𝑏𝑥ℎ
A=
2

3
b = a√2 , h = √2 a

√3
(𝑎√2) ( 2 𝑎 ) √3𝑎 2
A = 2
= 2

1
( ) 𝜋𝑅2
2
𝑃𝑝 = √3 4𝑅2
( )( )
2 √3

1
( )𝜋
2
𝑃𝑝 = √3 (4)
= 0.3400 𝑃𝑝 = 34 %
( )( )
2 3

-Densidad lineal

𝑁𝑈𝑀𝐸𝑅𝑂 𝐷𝐸 𝐷𝐼𝐴𝑀𝐸𝑇𝑅𝑂𝑆 𝐴𝑇𝑂𝑀𝐼𝐶𝑂𝑆 𝐶𝑂𝑅𝑇𝐴𝐷𝑂𝑆

𝑃𝐿 = 𝐿𝑂𝑁𝐺𝐼𝑇𝑈𝐷 𝐷𝐸 𝐿𝐴 𝐿𝐼𝑁𝐸𝐴 𝑆𝐸𝐿𝐸𝐶𝐶𝐼𝑂𝑁𝐴𝐷𝐴

𝑁𝑈𝐸𝑀𝑅𝑂 𝐷𝐸 𝐴𝑇𝑂𝑀𝑂𝑆 𝐼𝑁𝑇𝐸𝑅𝑆𝐸𝑃𝑇𝐴𝐷𝑂𝑆 𝑃𝑂𝑅 𝐿𝐴 𝐷𝐼𝑅𝐸𝐶𝐶𝐼𝑂𝑁

𝑃𝐿 =
𝐿𝑂𝑁𝐺𝐼𝑇𝑈𝐷 𝐷𝐸 𝐿𝐴 𝐷𝐼𝑅𝐸𝐶𝐶𝐼𝑂𝑁
Ejemplo

BCC (111)
 1
𝐴𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜+2.
2
𝑃𝐿 = 𝑎.√3

2√3 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝑃𝐿 = 3𝑎 𝑚

Ejercicio completo:
El aval tiene un radio atómico de 1.431A° y una estructura cúbica centrada en las caras. Su peso
atómico o 26.97. Calcular la densidad, el número de coordinación, el aluminio y su factor de
empaquetamiento atómico.
Solución:
FCC

-número de átomo de la celda unidad.

8.1/2 + 6.1/2 = 4 atomos por celda

-número de coordinación

8 en celdas vertices y 4 en cada cara = 12

𝑛°𝑀 (𝑁° 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑝𝑜𝑟 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎) (𝑝𝑟𝑠𝑜 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜 𝑝𝑜𝑟 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎
P= 𝑉𝑐°𝑁𝐴
= (𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑) (𝑛𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑎𝑏𝑜𝑔𝑎𝑑𝑟𝑜)
R = 1.431 A
N=4
M = 26.97
4𝑅 4𝑅
Vc = [ 3] ≅ Vc = 𝑎3 y a = √2
√

(4) (26.97)
P= 4 (1.431) = 2.70g/m𝑐 3
[ ] (6.023𝑋1023 )
√2

-factor de empaquetamiento atómico(FEA)

(𝑛𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎) (𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑠𝑓𝑒𝑟𝑎)

FEA = 𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎

4
(4) [ 𝜋𝑅3 ]
3
FEA = 4𝑅
[ ]
√2
 4
(4) [ 𝜋 (1.431𝑋10𝑐𝑚]
3
FEA = ( 4(1.431𝑥10 ) x 100
[ ]
√2

FEA = 74.04 % tener el 74% de la celda ocupada

Estructura cristalina

1.5 La novelista lograr rico y direcciones en las celdas

cristalinas.

1.6 índices de Miller

-coordenadas de la celda unitaria.(Posiciones)

Se puede localizar puntos en una celda estableciendo un sistema de coordenadas, con un eje de
0,0,0 que sirva de referencia y un punto cualquiera se designa (X,Y,Z)

Una posición determinada en uno

de determinada estructuralmente
 la misma posición en cualquier
otra celda unidad en la misma
estructura

-dirección cristalográfica

Es el vector que une: de una red cristalina y se representa con corchetes las coordenadas [hkl] y
sin comas.
Debe hacerse notar que está direcciones estar siempre representadas por un conjunto de
números enteros, que se obtienen de una manera directa.
Cuando la dirección se mueve a lo largo de un eje negativo debe indicarse a través de la notación
[III] y la familia de direcciones se designa a mediante del paréntesis angulares<>, por ejemplo:

<111>=[111],[111], [111],[111], [111],[111], [111],[111]

Para identificar si una posición es negativa, trasladamos el origen del plano al inicio del vector, que
se va analizar.

-proceso

1. Dibujar el vector y definir la cola o inició como el origen

2. Determina la longitud de unidades de las dimensiones de la celda,a,b y c.
3. Eliminar las reacciones multiplicando por el factor más pequeño posible.
4. Colocarlo entre corchetes
Ejemplo:

X=½ Y=0 Z=1

½ (2) (0) (2) 1(2)

2/2 = 1 0 0

[102]

Indice de Miller.

Para determinar los planos se utiliza los índices de Miller, que están definidos por los recíprocos
de las intersecciones Queplano determina con los ejes x,y,z de los prelados no paralelos de la celda
unitario. Las aristas de las celdas unitaria representa longitudes unitarias y las intersecciones de
los planos de una breve se miden en base a estar longitudes unitaria.

El procedimiento para determinar los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico es el
siguiente.

1. Escoger un plano que no pase por el origen

2. El determina las imperfecciones con los tres ejes
3. Obtener los recíprocos de las intersecciones
4. Determinar el conjunto más pequeño de enteros que estén en la misma razón que
lasImperfecciones
5. Notación: entre paréntesis y cinco más (hkl)
Procesos: planos

1. Si el plano pasaba a través del origen, seleccionar un plano equivalente o mover el origen.
2. Determinar la intersección del plano con los herejes en términos de a,b y c.
3. Plano // paralelo a los ejes, interceptar en 00 y se considera 1/00 =

Para obtener los índices de Miller el (hkl) de un plano se sigue el proceso siguiente:

-identifica las intersecciones del plano de los seres cristalográficos

-calcular los recipros de las intersepcciones.
-elimina las reacciones si las hay.
-representar los índices de Miller como el conjunto más pequeño del hkl encerrado entre
paréntesis(hkl).

Ejemplo:
Determinar los índices de Miller del plano A con origen en 0a

X Y Z
Intersecciones ¾ - ½ - ¾

Recíproco 4/13 - 2/1 - 4/13

Eliminamos fracciones 3(4/3) = 4 (-2) 3 (- 4/3)3

Sacamos el mínimo (hkl) 4 -6 -4

Le sumamos mitad 2 3 2

Lo dejamos indicado entre paréntesis (232)

Ejemplos:

1° identificamos su posición en X = ½ , Y = 1 ,
Z=1
1
2 1 1
2° sacamos el resiproco 1 , 1
, 1
* no confundir
2
3| lo expresamos en paréntesis (211)

1° identificamos su posición en X = ½ , Y = ½ ,
Z=½
2 2 2
2° sacamos su resiproco 1
=2 1
=2 1
=
2
3° lo simplificamos asu minima exprecion
2 2 2
(2) = 1 (2) = 1 (2) = 1
4° lo expresamos en parentesis (111)

1.7 polimorfismo y alotropía

 El polimorfismo que la propiedad de un material de existir en más de un tipo de red espacial en
estado sólido. Si el cambio en la estructura que rreversible entonces el cambio polifórmico se
conoce como alotropía. Por lo -15 metales muestran ,esta propiedad y el hierro eres el ejemplo
mejor conocido. Cuando el hierro cristalizar a 2800°f diez BCC y es fe-S a 2554°F la estructura
cambiar a FCC Y ES FEY y a 1670°F si vuelve a transformar en BCC en fe-∝.

Difracción de rayos X

2. Imperfecciones en sólidos

2.1 introducción
2.2 directos puntuales.
2.3 de efecto lineales.
2.4 significado de la dislocaciones.
2.5 ley de schmid.
2.6 en metales superficie.
2.7 defectos de volumen.
2.8 observación microscópica.

2.5 ley de schmid

2.5.1 ensayos de tracción y de flexion (sistemas de experimentales)
2.5.2 ensayos de tracción. Diagrama de tensión de formación.

2.Imperfecciones en los sólidos

2.1Introducción

Un ordenamiento perfecto de los átomos en los materiales cristalinos solamente puede

ocurrir a una temperatura de 0°K. Tal sólido ideal no existe: todos tienen un gran número
de defectos e imperfecciones de índole variada.
Muchas de las propiedades de los materiales son muy sensibles al desvío de la
perfección cristalina. Esta influencia no siempre es negativa, sino que algunas
características específicas se consiguen deliberadamente introduciendo cantidades
controla de defectos particulares.
Sólidos cristalinos reales siempre presentan imperfecciones con respecto a este modelo
de referencia del sólido cristalino ideal.

Clasificaciones de las -puntual: vacantes, intersticios, impurezas.

imperfecciones -lineal: distacaciones
-superficial: superficie de cristal, junta de grano,interfaces.
-Volumen: poros, fisuras, faces no-cristalinas por

Las Imperfecciones juegan un papel fundamental enumerar las propiedades del material,
mecánicas, ópticas, eléctricas.
 Se introducen internacionalmente para beneficiar a determinadas propiedades, por
ejemplo;
-carbono en Fe para decorar dureza.
-Cu en Ag para mejorar propiedades mecánicas.
-dopantes en semiconductores.

2.Imperfecciones de los sólidos

2.2defectos puntuales.

En los materiales reales existen defectos estructurales con independencia de las impurezas
químicas. LasImperfecciones asociadas a los puntos reticular es cristalinos se denominan defectos
puntuales.
Se presentaron dos tipo de defectos puntuales: comunes de los sólidos elementales son:

-vacante es: en la posición no ocupa la de la red, que normalmente está ocupada en el cristal ideal,
posiblemente en un espacio desocupado.
-intersticio: hecho un átomo situado en el hueco que normalmente está ocupado por un átomo en
estructura cristalina perfecta, como un átomo insertado en estructura perfecta del cristal.
-número de vacantes en equilibrio térmico se lo hace

𝑄𝑣
Nv = N.e ( )
𝑘𝑡

Donde:

N es el número total de posiciones reticular es del cristal ideal.

QV el energía de activación(necesaria para la creación de la vacante)
T temperatura absoluta(°K)
𝐽
K era constante BITZMANN 1.38 x 10−23 8.62 X10−5 Ev/atomo. °k
𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜.𝐾

-dependencia con la temperatura

T–0 Nv - 0

-para metales, el Valor máximo de NV/N ES =10 par T= temperatura de fusión

-influencia de la densidad.

𝑁𝑣
P= [1 − 𝑁
] P.

P. es la densidad sin vacantes (Nv = 0)

Ejercicio.

Calcular el número equilibrio de las vacancías por metro cúbico de cobre a 1000°C la energía
para la formación de vacancias es de 0.9ev/atomo, el pelo atómico y la densidad(a 1000°C) por el
cobre desde el 63.5g/mol y 8.4 g/cm3 respectivamente.
Solución:

Datos:
𝑁𝐴 𝑃
QV = 0.9 V/ atomos N=
𝐴𝑐𝑢

6.023𝑋1023 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 8.4𝑔 𝑐𝑚3

( ) ( ) ( 106 3 )
𝑚𝑜𝑙 𝑐𝑚3 𝑚
AcuU 63.5 g/mol N= 63.5 𝑔/𝑚𝑜𝑙
Pcu = 8.4 g/𝑐𝑚3 N = 0.8x1029 atomos/𝑚3

El numero de vacancias a 1000 °c (es 1273 °k)

𝑄𝑣
(-𝐾𝑇 ) °KT= °C+273 = 1000 + 27.3
Nv = N e °k = 1273

𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 0.9 𝑣
Nv = (8x1024 𝑚3
) p [− 𝑒𝑣 ]
(8.62𝑥105 ) (1273°𝑘)
𝑘
Nv = 2.2x1026 vacantes/𝑚3

-defecto frenkel. Es una imperfección combinada, vacancia-intersticio, ocurre cuando un ion saltar
de un punto normal dentro de la red a un sitio intersta al, dejando entonces una vacancias.

-defecto schottky. Este es un par de vacancias a en un material con enlaces y ionicos. Para
mantener la neutralidad, deben perderse de la red, tanto catión como un anión.
-impurezas de los sólidos. Este efecto se introducen cuando un átomo el emplazado por un átomo
diferente. El átomo sustituyente puede ser más grande que el atomo original
Y en este caso los átomos alrededor están la comprensión. O puede ser más pequeño que el
átomo original y en este caso los átomos circundantes estarán a tención. El cerebro puede
presentarse como impureza o como una adición deliberada en una aleación

2.3Defectos lineales. (Dislocaciones).

Son defectos que dan lugar a una distorsión de la red centrada en torno a una línea y están
asociadas con la deformación mecánica se crean durante la solidificación de los sólidos cristalinos
o por deformación plática, por condensación de vacantes.

2.4Significado de la dislocaciones.
 Aunque los deslizamientos o desplazamientos que pueden ocurrir en cerámicas y polímeros,
estos procesos son particularmente útil es para entender el comportamiento mecánico de los
metales.

El el deslizamiento atómico explica porque la resistencia de los metales es mucho más baja que
el Valor teórico Pere dicho de los enlaces metálicos. Primero cuando los deslizamientos ocurren,
sólo una pequeña fracción de todos los enlaces metálicos a lo largo de la interfase necesita ser
roto y la frecuencia requerida para informar el metal es pequeña.

Segundo, los deslizamientos proveer ductibilidad en los metales.(La ductibilidad en la

deformación, que es una medida cuantitativa es del porcentaje de alargamiento en el momento
del fallo.) Si le hubieran Presidentes la edil ocasiones, una barra de Hierro a sería para adquirir y
los metales no podían ser moldeados por varios procesos tales como el forjado.

Tercero, es posible controlar las propiedades mecánicas de un metal o aleación interfiriendo con
el movimiento de la estilo ocasiones. Un obstáculo introducido dentro del del cristal evita que una
dislocación se deslice a menos que se aplique una fuerza muy grande

-el posible encontrar un gran número de dislocaciones en los materiales.

La densidad de Las dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por unidad de volumen, se
usa generalmente para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Las densidades de
dislocaciones de 10m.mm son química de los metales más suaves, mientras que densidades de
dislocaciones superiores a 1000km.mm se pueden conseguir de formando el material.

Dislocasion

De arista: (borde, cuña, y lineal). C mi plano de átomos cuya arista(borde) termina dentro del
cristal. Su símbolo
Cuña: los átomos a la do y la do del semi plano se encuentran distorsionados. Los átomos por
encima de la línea de dilocaciones, que se encuentran perpendicular al plano, en el punto donde
termina el semi plano insertado, se encuentra comprimidos en los que están por debajo se
encuentran apartados
La distancia de deslizamiento de los átomos en torno a una dilocaciones se llamará dislocamiento
o vector de burgers hierr perpendicular a la línea de dislocación de cuña.
Helicoidal: se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal perfecto que no ha
sido separado por un plano cortante. Aquí el vector de burgués es paralelo a la línea de
dislocación.

Mixtas: de carácter doble arista y helicoidal su vector de porgueres no es ni paralelo o

perpendicular a la línea de dilocaciones, pero mediante una orientación fija en el espacio, la
estructura atómica local en torno a la dislocación mixta es difícil de visualizar.

-Vector de burgers

Expresa la magnitud y la dirección de la distorsión reticular asociada a una dislocación. Es el

vector necesario para cerrar una trayectoria alrededor de la línea de dislocasion y volver al punto
inicial. Esperpéntico un lado a la línea de dislocasion de arista y paralelo a la línea de dislocasion
helicoidal.
 Ejercicio: la figura muestra un esquema de una dislocación en óxido de magnesio(mgo), que
tienen estructura cristalina del cloruro de sodio y un parámetros de red 0.396mm. Determine el
vector burgers.

En la figura iniciamos un circuito en sentido de las manecillas del reloj en tomo la dilatación en el
punto X, moviéndose distancias atómicas irregulares para terminar de ser perpendicular en el
punto Y

Como B tiene dirección[110] debe ser perpendicular a los planos {110} La longitud de B es la
distancia entre los planos.(110) adyacentes.

Parámetros de red a. = distancia planar 𝑏110 √ℎ2 + 𝑘 2 + 𝑙 2

𝑎.
𝑑110 = 𝑑110 = 0.280nm
√ℎ2 +𝑘 2 +𝑙 2

0.396𝑛𝑚
𝑑110 = el vector tiene una dirección 〈110〉y una longitud de 0.280nm
√(1)2 +(1)2 +0

Ejercicio:
calcule se la magnitud del vector burgers para@fe-∝, 5 al.

Solución: de él simplemente la distancia representación entre los átomos al largo de la dirección

de mayor densidad atómica. Para fe-∝, un metal bcc la dirección coincide con la diagonal de hubo
en la celda unidad.
La distancia de repetición es
R = 2𝑅𝑓𝑒

|𝑏| = r = 2(0.124nm) = 0.248nm

b- = r = 2(0.143nm) = 0.286nm

2.5Ley de Schmid.

-cada sistema de deslizamiento(la dislocación) necesita una atención de cortadura determinada

para su activación.

-dicha tención crítica que es siempre la vida para una mismo material con una misma densidad
dislocaciones
-para que la dilocacion se mueva en el sistema de deslizamiento la fuerza aplicada debe producir
una fuerza constante que actúe en la división de deslizamiento, esta fuerza constante resulta fr.es:
Fr = Fcos ∆

-si dividimos la ecuación entre el área del plano de deslizamiento 0A/cos/obtenemos la siguiente
ecuación llamada ley de schmid.

Cr = t cost∅cos∆
Donde

𝐹𝑡
Cr = esfuerzo cortante en direcciondel desplazamiento
𝐴

𝐹
R= esfuerzo normal odireccional aplicado al cilindro
𝐴.

Medial desde ecuación es

posible reducir que la resistencia a
la deformación plástica de un mono
cristal dependerá de la orientación
del mismo.

Ejercicio:
Decíamos pedir una vara de mono cristal de aluminio puros, el cual tiene un esfuerzo constante
crítico resultante de 148psi desearíamos que la barra este orientada de tal modo que cuando se
aplique un esfuerzo axial de 500psi, se deforme por deslisamiento con respecto a su eje y actue
sobre un sensor que detecte lo sobrecarga. Diseñe la barra y un método para poder producirla.
soluciom:

Tenemos que poner las”cristale” laminas cristalinas a un angulo∅ es = a 65.2° al momento de la

fundición

2.6 defectos de superficie

Ecxisten barios ti´pos de defectos de superficie.

Los defectos superficiales son los limites o borde o planos quew dividen un material en regiones
cada uno de los cuales tiene la misma estructura cristalinapero diferente orientación.

-maclas: es un tipo es pecial de limite grano en el cual los atomos en de un lado del limite, están
localizados en una posición que es la imagen especular delos atomos del otro lado. Esta
discontinuidad en la estructura, altamente simétrica, puede producirse por deformación (en
metales bcc y hcp) y por recocido ( metales fcc).
 Una macla separa dos secciones o regiones cristalinas que son estructural mente imagen
especular de otra

-superficie externa: las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la
red termina abruptamente. Los atomos de la superficie no están en la sados al numero máximo de
vecinos que deverian tener ypor lo tanto los enlaces de esos atomos superficiales que no están
satisfechos dan lugar a una energía superficial, expresada en unidades de energía por unidad de
área (J/𝑚2 o erg/c𝑚2 ) además la superficie del material puede ser rugosa, puede tener o contener
pequeñas muestras y puede ser mucho mas reactiva q el demás del material.

-bordes de grano: se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de
diferentes orientaciones cristalográficas en materiales policristalinos.

Es el defecto mas importante que se considera dejando aparte la industria electrónica, la mayoría
de materiales pora ingeniería utilizados en la practica son poli cristalinos en lugar de estar
construidos por un solo cristal la característica micro estructural predominante de muchos
materiales para ingeniería es la estructura granular.
-bode de grano de angula pequeño: (también llamado borde de subgrano) esta configurado por
solo unas ciantas dislocaciones de arista.
Las dislocaciones de borde de grano (GBD) grain bandarydislocation, asociadas a granos de angulo
grande suelen ser secundarias ya que poseen vectores de burgers diferentes a los de aqueyas que
se encuentran en el interior del grano ( dislocaciones primarias).
Al describir micro estructuras es bastante útil tener un índice sencillo del tamaño del grano G,
definido como un parámetro o índice de tamaño de grano

N = 𝟐𝟔−𝟏

Donde

N es el numero de granos que se observan en una área de un 1i𝒏𝟐 (=645m 𝑚2 ) en una microfibra
tomada con una amplificación de 100 aumentos (100x).

El calculo de G indica lo siguiente:

Dentro del campo visual ecxisten granos completos y otros se allan cortasdos por la sircunferencia.

Del área sircular del diámetro es igual a la densidad de granos por unidad de área, es decir

𝑁𝑈𝑀𝐸𝑅𝑂 𝐷𝐸 𝐺𝑅𝐴𝑁𝑂𝑆 𝐷𝐸𝐿 𝐶𝐼𝑅𝐶𝑈𝐿𝑂 𝑂𝐵𝑆𝐸𝑅𝑉𝐴𝐷𝑂

N= 𝐴𝑅𝐸𝐴 𝐷𝐸𝐿 𝐶𝐼𝑅𝐶𝑈𝐿𝑂

Dela ecuación N = 26−1

𝐼𝑛𝑁
E = 𝐼𝑛2 + 1

Ejemplo:
dentro del campo visual de una área circular ecxisten 21granos completos i otros 22 granos se
allan cortados por la sircunferencia: ( con lo cual se obtiene la cantidad completa de granos)
calculese el numero de granos por unidad observada.

Metros=2.25in.

22
21 + 2=32 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑜𝑠

N° granos completos+(numero de granos cortados por la sircunferencia)/2

 32
N= 2.25𝑖𝑛 2 = 8.04 granos/𝑝𝑙𝑔2
𝜋( )
2

𝑖𝑛(8.04)+1
G= 𝑖𝑛 (2)
= 4.01

El verdadero diámetro de grano promedio d, viene dado por

𝐶
D=𝑐
2𝑀

Donde

Ni es el numerode granos por unidad de área.

M es el valor de los aumentos aque se alla tomado la micro grafia.
C es una constante mayor que 1(para micro estructuras típicas, es adecuado tomar un valor de
C=1.5).

EJEMPLO:

Calculese la distancia de separación entre las dislocaciones en un borde de grano de angulo

pequeño(𝜃=2°) en aluminio.

Solución:

Se calcula |𝑏|𝐴𝐿 = 2𝑅𝐴𝐿 R = 0.143nm)

|𝑏|𝐴𝐿 = 2(0.143nm) = 0.286nm

|𝑏| 0.286
D= 𝜃
= 1𝑟𝑎𝑑
2° ( )
57.3°

D= 8.19nm

Ejemplo:
¿Cuál seroa el índice de tamaño de grano. G, para la microestructura de la figura, si la micrografía
fuese sido tomada a 300x aumentos en lugar de 100x? en un área de 3.98i𝑛2
Solución:
21 + 11 = 32 granos

100 2
𝐴100 = 3.98 𝑖𝑛2 (300) = 0.442 𝑖𝑛2

La densidad de grano es

32 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑜𝑠
N= 0.442𝑖𝑛2
= 72.4 granos/𝑖𝑛2

N = 2𝐺−1

InN = ( G-1) in2

𝑖𝑛𝑁
G-1 = 𝑖𝑛2

𝑖𝑛𝑁
G= 𝑖𝑛2
+1

𝑖𝑛 (72.4)
G= 𝑖𝑛 (2)
1 = 7.18
G = 7+

2.7 defectos de volumen.

Este tipo de defectos aparecen debido a cualquiera de las siguientes causas:

- Control inadecuado durante la solidificación de los metales.

- Inadecuada relación de tratamientos térmicos.
- Sobresfuerzos aplicados a las piezas.
- Mal diseño de piezas mecánicas.
- Mala selección de materiales.

Rechupete; sopladuras, microgrietas.

3. Difusión en metales

3.1 introducción.
3.2 Mecanismo de difusión
3.3 primera ley de Fick.
3.4 Segunda ley de Fick.
3.5 Difusión y el pensamiento de los metales.
3.1 introducción (aplicación de la difusión)

La mayor parte de los procesos y reacciones más importantes del tratamiento de materiales se
basa en la transferencia de masa, dentro de un determinado solido (generalmente a nivel
microscópico) o bien desde un líquido, gas o sólido. Esta transferencia va acompañada
inseparablemente por la difusión, un fenómeno de transporte por movimiento atómico.

La difusión indica el flujo neto de cualquier especie, como iones, átomos, electrones,
vacancancias y moléculas. El proceso de la difusión es fundamental en una gran cantidad de
tecnologías, es decir, en las tecnologías de procesamiento de materiales, la clave es controlar la
difusión de átomos, iones, moléculas y otras especies.

-Cementación: o carburación para el endurecimiento superficial de los aceros.

 Digamos que se desea traer una superficie, como la de los dientes de un engrane, que sean
duras, sin embargo, no se desea que todos el engrane sea duro.

Para aumentar la dureza de la superficie se usan procesos de cementación. En la cementación,

una fuente de carbono por ejemplo, polvo de grafito o un gas que contenga carbono, difunde
carbono en partes de acero tales como engranes. En forma parecida a la introducción del carbono,
más también se usa un proceso llamado nitruración. En el que se introduce nitrógeno en la
superficie de un material metálico. También la difusión desempeña un papel central en el control
de las transformaciones de fase necesarias para el tratamiento térmico de metales y aleaciones, el
procesamiento de cerámicas y salificación y unión de materiales.

-Difusión de dopantes. Para dispositivos semiconductores.

Toda la industria de la microelectrónica, tal como la conocemos, no existiría sin la comprensión

de la difusión de distintos átomos de cilicio u otros semiconductores. La creación d la unión p-n
implica la difusión de átomos dopantes (p-semiconductor dopado con elementos que aceptan
electrones si dopado con b. n- semiconductor dopado con elementos que donan o ceden
electrones. Si dopado con p) por ejemplo fosforo (P), arsénico (As), antimonio (Sb), boro (B),
aluminio(Al), etc. en ciertas regiones ultra pequeñas de obleas de cilicio. Unión p-n es una región
del semiconductor, uno de cuyos lados esta dopado con el deportes tipo n (por ejemplo, B en Si).

-Cerámicas conductoras.

En general las cerámicas policristalinas tienden a ser buenas aislantes de electricidad. Los
fuertes enlaces covalentes e iónicos junto con sus propiedades micro estructurales contribuyen a
la conductividad eléctrica. Relativamente pobre que tienen los cerámicos. Sin embargo hay
muchos cerámicos que pueden conducir electricidad y algunos son superconductores.

La difusión de iones, electrones huecos, también representan un papel importante en la

conductividad eléctrica de muchos cerámicos, conductores, como la circonia (Zr02) parcial o
totalmente estabilizado o el óxido de indio y estaño (también conocido de ito). El oxido de cobalto
y litio (LiCo02), es un ejemplo de un material iónicamente conductor que se usa en las baterías de
ion-litio. Estos materiales se usan en productos como sensores de oxígeno en los automóviles,
pantallas sensibles al tacto, celdas de combustible y baterías. La capacidad de los iones para
difundir y proporcionar un trayecto par la conducción eléctrica desempeña un papel importante
para las aplicaciones.

-materiales magnéticos para discos duros.

 Las aleaciones de cobalto se usa en la fabricación de discos duros para computadoras
personales. Se pueden producir capas de ligadas de estas aleaciones con proceso llamado
pulverización catódica, en este proceso los blancos se bombardean por haces de iones. Estos
blancos se hacen con elementos o compuestos que contengan los constituyentes necesarios con
los que se forma a las películas delgadas. Los átomos “saltan” de los blancos y se depositan sobre
un sustrato, produciendo una película delgada. Con la pulverización de películas de ligadas de
aleación de cobalto se agrega con frecuencia Cromo para mejorar sus propiedades magnéticas. Se
ha encontrado que las películas depositadas en átomos de Cromo (Cr) se encuentran
principalmente dentro de los granos magnéticos de la aleación de cobalto. Para que el Cromo
tenga un efecto magnético útil, se necesita un tratamiento térmico que difunda los átomos de
cromo al si en los límites de grano. De material magnético. Esto se logra usan un tratamiento
térmico de recocido que implica calentar la película depositada a una alta temperatura, durante el
tiempo razonablemente largo, para permitir la dilución de los átomos de Cromo, desde el interior
de los granos para los límites de grado.

-recubrimientos y películas de ligadas

Los descubrimientos y las películas de ligadas ser usados frecuentemente en el proceso de

manufactura para limitar la dilución de vapor de agua, oxigena a otras sustancias por ejemplo las
estructuras de acero se pintan para evitar minimizar la oxidación. Cuando un ambiente corrosivo
es más agresivo, se puede aplicar una capa de zinc(Zn) a las estructuras de Hierro, como H así de
un acto, estructura en definiría química, equipos de procesamiento de alimentos, barandales, etc.,
Para reducir la oxidación del acero. El proceso de aplicará una cubierta de zinc sumergiendo las
partes en un gran variedad de zinc fundido(temperatura de fusión ≈ 420 °C) se llaman galvanizado
por inmersión en caliente.

-fabricación de botellas de plástico

-recubrimientos de barrera térmica en alambres de turbina

-oxidación del aluminio

-recubrimiento de madera térmica en alavés de turbina

-fibras ópticas y componentes micro electrónicos

-tratamiento de aguas y aire

-arrastre y difusión
 3.2 Mecanismos De La Difusion

El desorden que crean las vacacias(es decir la mayor entropia), ayuda a minimizar la energia libre y
en consecuencia la estabilidad termica de un material critalino. En materiales que contienen
vacancias, los atomos se mueven o “saltan” de una posicion a otra en la red. Este proceso se llama
autodifusion y se puede detectar con trazadores radiactivos. Aunque la autodifusion sucede en
forma continua en todos los materiales en general no es apreciable se defecto sobre el
comportamiento del material .

Tambien existe la difusion de atomos de distintos elementos en los materiales

Ejemplo: una lámina de níquel ligada a una de cobre. A temperaturas altas, los átomos de níquel
se difunden a una forma gradual por el cobre y los átomos de cobre migran al níquel. De nuevo los
átomos del cobre y nikel que eran distribuidos uniformemente, al final.

-ahí los mecanismos importantes por los que se pueden difundir los átomos o los iones.
Difusión de vacancia∅

Cuando los átomos en la red cristalina se trasladan por sí mismos a nuevas posiciones, es decir
un átomo dejar su sitio de red y llena una vacación cercana.(Con lo que se crea una nueva
vacancancias en la red original). Al continuó la difusión, se forma flujos de átomos y vacancancias a
contracorriente, lo que se llama difusión de vacaciones. Que aumenta con la temperatura ayuda a
determinar el grado de autor y fusión y también de difusión de átomos sustituciónales.

-∅ dInfusión intersticial∅

Cuando el estructura cristalina hay un átomo un ion intersticial pequeño, se mueve de un sitio
intersticial a otro. En este mecanismo se requiere vacancancias. En parte porque hay mucho más
sitio intersticial de vacaciones, la difusión intersticial su sede con mayor facilidad que la difusión de
vacancias los átomos y intersticial es que son relativamente más pequeños se pueden definir como
mayor rapidez. Se necesita suficiente energía de activación para permitir que el átomo más
pequeño se trasmine entre los átomos más grandes de la matriz.

Muchas cerámicas son con enlaces y iónicos se pueden considerar como como empaquetamientos
compactos de aniones con cationes en los sitios intersticiales. En estos materiales, con frecuencia
los cationes más pequeños se difunden con más rapidez que los aniones más grandes.

-∅ energía de activación de la difusión.∅

Un átomo que se difunde debe oprimido o formas los átomos que lo rodean en su paso para
alcanzar su nuevo sitio. Para que esto suceda como se debe suministrar energía como para forzar
al átomo a su nueva posición.

El átomo se encuentra originalmente en un lugar de baja energía y relativamente estable. Para

pasar a un nuevo lugar, el átomo debe superar la barrera de energía; esta barrera es la energía de
activación Q

En la auto difusión, la energía de activación es igual a la necesaria para crear una vacancias y
causar un movimiento del átomo.

3.3 Primera ley de fick (velocidad de difusion)

La velocidad con la que se difunde los átomos, iones, partículas u otras especies en un material
se puede medir con el flujo J. Lo que interesa principalmente en la difución de iones o atomos. El
flujo J se define como la cantidad de átomos que atraviesan un plano una había unitaria por
unidad de tiempo. La primera ley de fick explica el flujo neto de átomos.
 𝑑𝑐
J = _D 𝑑𝑥

DONDE:

J es el flujo

D el allí fusibilidad o cubo el disidente de la función

−𝑄 −𝑄
Donde: D = D. exp ( ) D = C. e( )
𝑅𝑇 𝑅𝑇

Co es constante

Q energía de activación (ca/mol)

D es la rapidez

𝑐𝑎𝑙.
R es la constante de los gases (1.987(𝑚𝑜𝑙.𝑅))

T es la constante en °K

𝑑𝑐 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
en el gradente dr concentración ( )
𝑑𝑥 𝑐𝑚3 .𝑐𝑚

Dependiendo del uso, la constancia se puede expresar en porcentaje de átomos (% at.) Como
porcentaje empezó (% en peso), porcentaje molar (% mol) como fracción de átomos o fracción
Mol. Las unidades de gradiente de concentración y el flujo también cambiarán en forma
correspondiente.

Durante la difusión, varios factores que afectan el flujo de átomos que se maneja difusión de
iones, electrones, huecos. Etc., Las unidades de J, D y dc/dx refleja las clases adecuadas existen
considerando. El –, indica que el flujo de las especies que se difunde es de concentraciones
mayores a menores. Haciendo que el signo de dc/dx sea negativo, en consecuencia J es positivo.
La energía termina asociada a los átomos, iones, etc. Causa movimientos aleatorios de los átomos
A escala microscópica, la fuerza termodinámica impulsora de la difusión es el gradiente de
concentración. Se produce un flujo neto U observable dependiendo de la temperatura y gradiente
de concentración

-gradiente de concentracion: indica la forma en que la composición del material varía en función
de la distancia: ∆𝐶. En la diferencia de concentración a través de la distancia.∆𝑋 se puede producir
un gradiente de concentración cuando se ponen en contacto los materiales de distinta
composición cuando esté en contacto con gas un líquido con un sólido, cuando es un material se
produce estructuras de desequilibrios debido al procesamiento y por muchas otras cosas.
El flujo aquel que mide a temperatura sólo el constante sin gradiente de construcción, también lo
es.

El grupo durante la difusión se del cine como la cantidad de átomos que atraviesan un plano de
unidad de haría por unidad de tiempo
Ejercicio:

Una forma de fabricar transistores que amplifican las señales eléctricas es difundir atomos
como impureza en el material semiconductor como el silicio(Si), suponga que una oblea de silicio
tiene 0.1 cm de espesor, que originalmente contiene un átomo de fósforo(p) por cada 10 millones
de atomos de silicio, ya que se trata de tal modo que haya 400 atomos de fósforo. Cada 10
millones de atomos de si en la superficie. Calcule el gradiente de concentración a) en
porcentajeatomico/cmy ) en el parámetro de red de silicio es 5.4307ª.

Oblea
Ax= 0.1 cm

Cs= 400 Atomos de P/ 106 Atomos de Si

Ci = 1 Atomo P/106 Atomos Si

Solución

1° se calibran las composiciones, inicial (C ) y superficiales (Cs) en porcentaje atomico

1 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜 𝑑𝑒 𝑝
Ci = ( ) x 100 = (100𝑥10−9 ) (10)
106 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑠𝑖

= 10x10−6 de % de p 0.00001

400 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑝
Cs = ( 106 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
) x 100 = 0.004 de p
∆𝑐 (0.00001−0.004) %𝑝
∆𝑥
= 0.1𝑐𝑚
% de p = -0.0399 𝑐𝑚

Solución
𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
Para determinar el gradiente en unidades ( 𝑐𝑚3 .𝑐𝑚
) se debe calcular el volumen de la celda

Vcelda = (5.4307 x 108 ) = 1.60 x 1022 𝑐𝑚3

IA = 108 cm

El volumen ocupado por 106 atomos de si, areglados

Segunda ley de fick (perfil de composición)

La segunda ley de fick, describe ls difucion o en estado no estacionario