República Bolivariana de Venezuela.

Ministerio del Poder Popular Para la Educación Universitaria.

Universidad Nacional Experimental Politécnica Antonio José Sucre.
Vicerrectorado “Luis Caballero Mejías”
Núcleo Guarenas
Curso: Electrónica 1. IEL5214.

PRACTICA #1: CIRCUITOS CON DIODOS.

Miguel Ovalles. Henry García 2015100037

Bryan Blanco 2015200007

Guarenas 11/07/2018
Experimento 1.

a)

Que en el diodo rectificador se suele utilizar una banda extensa negra, está se le
conoce como el lado donde está el ánodo, y una gris donde está el cátodo. En el
diodo Zener, la banda roja es el ánodo, y la negra el cátodo. Y en el diodo de
germanio, en donde la banda amarilla es el ánodo y la negra el cátodo.

b)
Directa:
Diodo 1N4001: resistencia interna de 614,13 ohm.
Diodo 1N4739A: resistencia interna de 302,77 ohm.
Diodo OA90: resistencia interna de 365,96 ohm.
Inversa:
Diodo 1N4001: resistencia interna de Máx ohm.
Diodo 1N4739A: resistencia interna de Máx ohm.
Diodo OA90: resistencia interna de Máx ohm.

c)

Directa:
Diodo 1N4001: 1,1v.
Diodo 1N4739A: v.
 Diodo OA90: v.
Inversa:
Diodo 1N4001: 0v.
Diodo 1N4739A: 0v.
Diodo OA90: 0v.

Experimento 2. Curva características de un semiconductor.

b)

Id 0 0 0 0 0 0 0 420 90 420 mA
Vd 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 V
c)

Id 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 mA
Vd 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 V

d)

Id 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 mA
Vd 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,48 0,52 0,54 0,56 0.57 V

e)
Id 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 mA
Vd 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 V

f)
Id 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 mA
Vd 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 V

h)
Id 0 0 0 0 0 0 0 0 0.1 0.2 0.5 mA
R 100 90 80 70 60 50 40 30 7 3 1 %

i)
V 0,33 0,33 0,36 0,38 0,43 0,7 0,62 0,90 1,18 2,92 V
R 100 90 80 70 50 40 20 15 5 1 %
 0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
-0.05

Gráfica del inciso b)

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Gráfica del inciso c)

 1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Gráfica del inciso d)

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Gráfica del inciso e).

 1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Gráfica del inciso f).

Experimento 3. Caracterización de un diodo zener, polarizado en inversa.

b)
V 0 0,7 1 2 3 6 7 9 11 15 V
Id 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 mA
Vd 0 0 1 2 3 6 7 8,94 9,04 9,09 V

c)
Voltaje de fuente Vab IdmA Rz
V1
0 0 0 0
2 2 0 0
6 6 0 0
7 7 0 0
17 10 0 0
220 11,1 2 5,55
525 12,6 5 2,52
1000 15 10 1,5
2000 20 20 1
3000 25 30 0,83
4000 30 40 0,75
5000 35 50 0,7
6000 39,9 60 0,66
Experimento 4. Caracterización de un diodo zener polarizado en directa.

b)

V 0 0,7 1 2 3 6 7 9 11 15 V
Id 0 0 0 0 0 0 0 0 10 10 mA
Vd 0 0,28 0,29 0,32 0,34 0,37 0,38 0,40 0,41 0,44 V

Diodo zener en directa

12

10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
-2

Diodo zener en inversa

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Experimento 5. Características del diodo de Germanio en frecuencias altas.
Glosario:
1) Los materiales semiconductores extrínsecos, son los materiales
semiconductores a los cuales se le ha sometido al proceso de dopado, es
decir el material posee impurezas. Y los materiales semiconductores
intrínsecos, son aquellos semiconductores los cuales están refinados con la
finalidad de reducir las impurezas a un nivel muy bajo, es decir que está en
su estado más puro posible.
2) La polarización en directa del diodo, es el estado en donde el diodo enciende,
es decir permite el flujo de corriente. Esto se hace mediante la aplicación de
un potencial al diodo, en donde se conecta el terminal positivo con el ánodo
del diodo y el negativo con el cátodo.
3) Una de las importancias radica en el uso de la tecnología, como algunos
dispositivos hechos con materiales semiconductores que forman parten de
los televisores, las computadoras o radio. Un ejemplo es el silicio que es un
semiconductor que puede ser usado en el diodo y el transistor, dispositivos
muy útiles en los circuitos.
4) Ventajas de los materiales semiconductores: primero es un elemento que
puede llegar a funcionar como un conductor o un aislante. Segundo, tienen
resistividades intermedias, entre la de los metales y la de los aislantes. Y por
último, sus resistividades se ven afectadas por la temperatura y pequeñas
cantidades de impurezas.
5) Por la ley de ohm, en la tensión en la que IR aumenta de repente, se le llama
tensión de ruptura, a partir de este valor, el IR se hace grande y el diodo se
daña, debido al efecto avalancha.
6) A) Diodo emisor de luz: eléctricamente se comporta igual a un diodo de silicio
y de germanio, se pasa una corriente a través del diodo semiconductor y se
inyectan huecos y electrones en el material tipo p y n. Dependiendo de la
magnitud de la corriente, hay una recombinación de los portadores de carga,
entre esas se produce un tipo que se llama recombinación radiante, en la
cual se libera energía en forma de fotón, los materiales para fabricarlo suelen
ser arseniuro de Galio. B) Diodo de Schottky: es un material donde hay una
unión de metal-semiconductor, por lo que se dice que es un portador
mayoritario. Por lo que esta dopado de impurezas tipo N. Esto permite
conmutar en los estados de conducción de directa y en inversa. C) Diodo de
Potencia: se caracteriza porque en estado de conducción, son capaces de
soportar una alta intensidad de corriente, con una pequeña caída de tensión.
En el estado de bloqueo, no se efectúa instantáneamente en el diodo. Si un
diodo se encuentra conduciendo una intensidad de corriente en directa, haría
que la zona central de unión P-N, este saturada de portadores mayoritarios,
con una mayor densidad de estos. Ahora si mediante una tensión en inversa,
forzamos la anulación de corriente con cierta velocidad, resultará que el paso
 de corriente por cero existe cierta cantidad de portadores mayoritarios, que
cambian su sentido de movimiento y permite que el diodo conduzca en
sentido contrario por un tiempo. D) Diodo rectificador: este mantiene el flujo
de corriente en una sola dirección, se usa para cambiar una señal de
corriente alterna en continua. Cuando la entrada es positiva, se polariza en
directo, y se puede sustituir por un cortocircuito. Si es en inversa, se cambia
por un circuito abierto.
7) Un diodo ideal se comporta como un corto circuito siempre y cuando se
alcance la tensión umbral del diodo, y conduce de inmediato.
8) A temperaturas muy bajas, los átomos de impurezas ya se encuentran
ionizados por tener una energía de ionización muy baja. Por tanto hay una
concentración de portadores significativos que posibilitan la conducción,
incluso a temperaturas bajísimas. Al aumentar la temperatura, la
conductividad no aumenta de modo sensible, pues ya se han ionizados todas
las impurezas, y aunque aumentemos más la temperatura, la concentración
de esta no puede aumentar más. Si la temperatura es muchísimo mayor, los
pares electrones-huecos generados térmicamente empiezan a ser muy
significativos, que los que se tenía con las impurezas. Por tanto la
conductividad tiende aumentar mucho más.
9) La región zener es la región donde hay un cambio abrupto de las
características del diodo zener cuando es polarizado en inversa. En donde
ocurre una ruptura de avalancha, que es un incremento de la corriente en
inversa conocida como corriente de avalancha, debido al proceso de
ionización.
10) Resistencia estática: la aplicación de un voltaje cd en el circuito hará que el
diodo se polarice en directa sin variar en el tiempo. Allí habrá una resistencia
al paso de corriente por el dispositivo, el punto de trabajo se mantiene quieto
en un solo punto. Resistencia dinámica: Al aplicarse una entrada sinusoidal,
la entrada se hará variable, y moverá el punto de operación instantáneo hacia
arriba y hacia debajo de una región de las características, definiendo un
cambio especifico de la corriente y del voltaje.
11) Es un fenómeno óptico y eléctrico con el cual se genera luz, a partir de una
corriente eléctrica. La electroluminiscencia en un diodo, se inicia a partir de
la aplicación de una tensión adecuada a los terminales, los electrones se
recombinan con los huecos en la región de unión p-n del dispositivo,
liberando energías, en forma de fotones.
12) Primero sus tensiones umbrales son distintas, el de silicio es de 0.7 y el de
germanio es de 0.3. Segundo, los voltajes de ruptura en inversa, en el silicio
es aproximadamente 10% y ambos tienen el mismo nivel de potencia en
aproximadamente 10%, y tiene voltaje de ruptura más alto que 20 kilo-
ohmios. El de germanio, suele tener voltajes de ruptura menos de 100v, con
máximos alrededor de 500v. Y tercero, el germanio es muy sensible a la
temperatura y a la corriente en saturación inversa. A diferencia del silicio, que
tiene buena reputación en cuestión a las características de la temperatura y
del voltaje de ruptura.
 CONCLUSION

En la práctica con los circuitos con diodos, se aprendió la manera en la cual podrías
identificar el ánodo y su cátodo, sabiendo que la banda negra en el caso de 1n4001
es el ánodo y la gris el cátodo, en 1n4739A la banda roja es el ánodo y la negra el
cátodo, y en el OA90 que es el de germanio, la amarilla el ánodo y el negro el cátodo.
A través de un ohmímetro se calculó la resistencia interna de los diodos, la cual en
el rectificador dio 614 ohm, este valor es el que reduce el paso de la corriente a
través de él, en directa. Se examinó el voltaje de conducción, en directa, hallando
la tensión umbral, que en este caso fue de 0,7v, y su respectiva corriente que estuvo
en el valor de los 470mA. También se determinó el voltaje en inversa, la cual apoyo
a los fundamentos teóricos de la oposición de corriente. Se añadió una resistencia
al circuito, y se notó que cuando colocabas una resistencia, había poco paso de
corriente en el diodo. En el caso del zener, el voltaje de ruptura, solía ser valores,
muy pequeños a diferencia del voltaje de entrada que tenía valores muy grandes, y
la corriente subía de manera exponencial a medida que se aumentaba su voltaje en
inversa. Cuando se colocaba un potenciómetro, se notaba que cuando la resistencia
tenía un 100% no había ni tensión ni corriente. Y cuando tenía 1% había más tensión
y corriente. El voltaje en directa se comportaba normal, y en inversa, apagado.