Transístor bipolar

• O termo Transístor resulta da união dos termos ingleses TRANsfer +

reSISTOR (resistência de transferência).
• O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores eletróns e lacunas
participarem no processo do fluxo de corrente.
 História
• Desenvolvido nos laboratórios da Bell Labs em 1947;
• Local: Murray Hill, New Jersey, Estados Unidos;
• Cientistas John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley.

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 História
• Em julho de 1951, a Bell anunciou a criação do transistor de junção bipolar
• Promoveu um simpósio e se dispôs a licenciar a tecnologia de ambos os
transistores a qualquer empresa que pagasse US$ 25.000,00.

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 Comparação: válvula, transistor, chip
• Válvulas: ocupam mais espaço e consumem mais energia, produzem mais
calor, necessidade de aquecimento de seus filamentos para que o circuito
comece a funcionar.
• Transistor: ocupam menos espaço, consumem menos energia, produzem
menos calor, mais velocidade de chaveamento.
• Microchip: podem ser inseridos centenas de transístores.

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 Similaridade entre transistor e diodo

• São formados por junções PN.

• As junções necessitam ser polarizadas direta ou inversamente.
• Polarização direta: junção PN com baixa resistência - existe fluxo de
corrente em função da diminuição da região de depleção.
• Polarização inversa: junção PN com alta resistência devido ao aumento da
região de depleção - corrente extremamente baixa (corrente de fuga).
• Tensão na junção PN (silício): 0,6V e 0,8V.

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Dopagem de semicondutores
Existem dois tipos de impurezas usadas:

Tipo N: ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício.

Tanto o arsênico quanto o fósforo possuem cinco elétrons na camada de
valência. Ocorrem ligações covalentes entre quatro elétrons e um deles fica
livre, ou seja, é o chamado elétron livre, que ganha movimento e gera corrente
elétrica. O nome N provém da negatividade gerada da carga negativa
existente.

Tipo P: nesta dopagem, há adição de boro ou gálio ao silício.

Ambos possuem três elétrons na camada de valência. Quando são
adicionados ao silício criam lacunas, que conduzem corrente e a ausência de
um elétron cria uma carga positiva (por isso o nome P).

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Estrutura interna do transistor
Montado em uma estrutura de cristais semicondutores, formado por duas
camadas de cristais de mesmo tipo, intercalada por uma camada do tipo
oposto, que controla a passagem de corrente entre as duas primeiras.

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Estrutura interna do transistor
Constituído por duas junções PN (junção base-emissor e junção base-
colector) de material semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais
designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C).

Altamente Menos Menos

Camada Altamente Camada dopado que
dopado mais fina dopado que mais fina
dopado o Emissor e
e menos o Emissor e e menos
mais dopado mais dopado
dopada dopada que a Base
que a Base

N – Material semicondutor com excesso de eletróns livres

P – Material semicondutor com excesso de lacunas

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Junções PN internas e símbolos

Junção PN Junção PN Junção PN Junção PN

base - emissor base - colector base - emissor base - colector

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Princípio de funcionamento
Para que o transístor bipolar conduza é necessário que seja aplicada na
Base uma corrente mínima (VBE ≥ 0,7 Volt), caso contrário não haverá
passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.

O transístor não conduz

(está ao corte)
IB = 0

Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e

pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector.

Uma pequena corrente …origina uma grande corrente

entre a base e o emissor… entre o emissor e o colector

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 Utilização

O transístor bipolar pode ser utilizado:

● como interruptor eletrônico.

● na amplificação de sinais.
● como oscilador.

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Características técnicas
Utilizando o partnumber do transístor podem-se obter as suas características
técnicas por consulta a um databook ou de um datasheet do fabricante.
IC É a máxima corrente de colector que o transístor pode suportar. Se este
parâmetro for excedido o componente poderá queimar.
VCEO Tensão máxima colector – emissor com a base aberta.
VCBO Tensão máxima colector – base com o emissor aberto.
VEBO Tensão máxima emissor – base com o colector aberto.
hFE ou Ganho de amplificação do transístor.
hFE = IC : IB
Pd Potência máxima de dissipação.
fT Frequência de transição (frequência para a qual o ganho do transístor é
1 ou seja, o transístor não amplifica mais a corrente).

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Características técnicas (exemplo)

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 Substituição de transístores por equivalentes
● Num circuito não se pode substituir um transístor de
silício por um de germânio ou vice – versa.

● Também não se pode trocar diretamente um transístor

NPN por um PNP ou vice – versa.

● A letra (A, B, C…) que pode aparecer no fim do

partnumber indica sempre aperfeiçoamentos ou
melhorias em pelo menos um dos parâmetros, limites ou
características do transístor.
Exemplo: O BC548A substitui o BC548.
O BC548A não substitui o BC548B

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 Polarização
Para o transístor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado através de uma fonte DC.

Para o transístor estar corretamente polarizado a junção PN base – emissor deve

ser polarizada diretamente e a junção base – coletor deve ser polarizada
inversamente.

Regra prática:
O Emissor é polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui.
A Base é polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui.
O Colector é polarizado com polaridade contrária à do semicondutor que o constitui.

Emissor Bas Colector Emissor Bas Colector

e e
P N P N P N
+ - - - + +

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Polarização
Emissor Bas Colector Emissor Bas Colector
e e
P N P N P N
+ - - - + +
_ +
R
R
c
c
Rb – Resistência de polarização de base
R R
b Rc – Resistência de colector ou resistência de carga b

+ _

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 Procedimento para teste
● Com um multiteste digital, na escala de diodo da função ohmímetro,
o transistor de junção bipolar deve conduzir somente em duas das
seis combinações possíveis, conforme a tabela:

● As indicações 0,7- e 0,7+ representam valores próximos a 0,7V,

sendo que o valor medido em 0,7+ sempre será maior que o
medido em 0,7-.

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 Procedimento para teste
● O terminal da base é identificado pelo terminal que conduz para os
outros dois quando em contato com uma determinada ponteira.
● A cor da ponteira identifica o tipo do transistor: a ponteira vermelha
na base determina que o transistor seja NPN, enquanto que a preta
identifica um transistor PNP.
● Das medições realizadas, o coletor é identificado pela medição de
menor valor para a base.

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 Exercício
● Identificar os terminais e tipo dos transistores baseando-se em
medições.

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Representação de tensões e correntes
VCE – Tensão colector - emissor

VBE – Tensão base – emissor

VCB – Tensão colector - base

IC – Corrente de colector

IB – Corrente de base
IE – Corrente de emissor

VRE – Tensão na resistência de

emissor

VRC – Tensão na resistência de

colector

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 Relação das correntes

● Pensando no transistor como um nó e utilizando a Lei das Correntes de

Kirchhoff, tem-se:
IE = IC + IB
● Esta equação elementar vale tanto para transistores NPN quanto para
PNP.
● IE > IC > IB
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 Relação das tensões

● Pela Lei das Tensões de Kirchhoff, temos as relações fundamentais das

tensões:

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Exemplo NPN
Determine os valores das tensões e correntes para os transistores
abaixo:

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Exemplo PNP
Determine os valores das tensões e correntes para os transistores
abaixo:

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 Encapsulamentos thru-hole

● O encapsulamento tem relação direta com a capacidade

de dissipação de potência do transistor.

● Os transistores com encapsulamento TO-18 e TO-92

são para aplicações de baixa potência.

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 Encapsulamentos thru-hole

● Os encapsulamentos TO-126 e TO-220 são utilizados por

transistores de média potência e permitem a instalação do transistor
em dissipador de calor (fixação por parafuso pelo furo).

● Este furo passa por um suporte metálico que dissipa o calor gerado
nos cristais do transistor. Este suporte metálico, quando acessível
externamente tem ligação com o coletor do transistor.

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 Encapsulamentos thru-hole

● O encapsulamento TO-3, desenvolvido para montagem

direta em dissipador, apresenta somente dois terminais,
pois sua carcaça metálica externa é o terminal de
coletor.
● Os transistores com encapsulamento TO-3 tem grande
capacidade de dissipação de potência.

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Dissipadores de calor
O uso de
dissipadores ou
radiadores
externos de calor
são quase que
obrigatórios nos
transístores que
trabalham com
potências
elevadas, de
modo a evitar o
sobreaquecimento
do componente e
a sua possível
destruição.

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 Encapsulamentos SMD
● SMD (Surface Mounted Device, dispositivos montados
em superfície) em que o componente é montado do
mesmo lado da soldagem na placa de circuito impresso,
não havendo a necessidade de furar a placa.

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Outros encapsulamentos

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Resolução de exercícios