Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se
encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una
patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto
campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo.
Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19262 y 1928.34
Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre sus
dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo.
Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta calidad no estaba
disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido
no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930, aunque acabara de construir
un dispositivo de este tipo.5
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un
dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación
de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos.7Mientras
tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido
de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte
del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938
a William Shockley que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de
semiconductores, en lugar de tubos de vacío
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una
potencia de salida mayor que la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del Estado
Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses,
trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores. El
término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce,
basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como
el termistor y el varistor y basándose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había
propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía
estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años
atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley
porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo que
Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto
de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio
de 1946,11a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este
dispositivo.121314 En reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron
galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus
investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos
alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse.
Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y
de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán
durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a
investigar el fenómeno de la "interferencia" que había observado en los rectificadores
de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados
consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker,
similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en diciembre de
1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el
transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo
llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.16El 26 de junio de
1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión17 y el 24 de
agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,18 tal
como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora
posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell,
tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,19cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney
Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente
como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de
germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953,22capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo,
se usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual
eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con
chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de
espesor. El Indio electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.24El
primer receptor de radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y
Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados
para las computadoras de alta velocidad de esa época.2526
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en
enero 1954 por el químico Morris Tanenbaum.27El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y
Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para
producir dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue
producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal
quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de
cristales de alta pureza.29 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-
estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los
Laboratorios Bell, en 1960

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el
emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del
que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo,32a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada
de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula
a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta
la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de
base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor,
de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de
trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente
de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los
tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los
transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal
de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el
terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y
Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por
efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico
presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al
drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será
función amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera
análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran
escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios
cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.

Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se «ve» en
el colector, de ahí el nombre
de transfer resistor. Se basa en efectos
de superficie, poco conocidos en su
día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe
podía desplazar las puntas) y ruidoso.
Sin embargo convivió con el transistor
de unión debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha
desaparecido.

Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor)
se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio
o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y
al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo
N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se
producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el
surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el
canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés,
que controla la corriente en función de una tensión; tienen
alta impedancia de entrada.

• Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
• Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
• Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado
por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un
transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
• Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
• Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los
transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso
está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.