Вы находитесь на странице: 1из 28

ВВЕДЕНИЕ

Нет сомнений в огромном влиянии микро- и наноэлектроники технологии по


мировой экономике и благосостоянию. С момента появления интегральной
схемы около 40 лет назад производительность постоянно меняется изложил
уже в 1965 году Гордон Мур.
В настоящее время требования промышленности к КМОП-чипам
обусловливают создание слоев, легированных на глубине 5-10 Нм от верхней
части подложки. Одним из наиболее распространенных методов легирования
является ионная имплантация.
Технология полупроводниковых устройств встретила много скептических
комментариев по поводу преодоления последних препятствий. Каждый раз
были представлены новые решения и еще более революционные методы
изготовления и проектирования устройств.
Ионная имплантация представляет собой особенно полезное средство для
изменения свойств поверхности различных материалов. Ионная имплантация
действительно стала технологически важным обрабатывающим компонентом
в производстве полупроводников и других отраслях. Полупроводниковая
индустрия была огромной силой, которая привела к внедрению технологий
имплантации. В настоящее время в полупроводниковой промышленности
поставлено> 8000 имплантационных машин, более 95% которых занимаются
только изготовлением современных кремниевых чипов.
Действительно, обработка 0,35 мкм CMOS-чипов может включать 30
отдельных этапов. За последние три десятилетия были проведены огромные
исследования по широкому спектру процессов модификации ионного пучка в
полупроводниках, которые в значительной степени обусловлены
требованиями полупроводниковой промышленности.
Несмотря на свою несомненную полезность, ионная имплантация имеет
недостатки, такие как эффект каналирования , чтобы избежать эффекта
каналирования, ионные пучки вводятся с углом 7º в этой работе, мы
проанализируем влияние углового ионного пучка на профиль имплантации
посредством компьютерного моделирования.

1
1 Литературный анализ

1.1 Ионная Имплантация

Идея обесценения полупроводников ионным пучком была запатентована


Уильямом Шокли в 1954 году в Bell Labs. Позже, в 1960-х годах, был
разработан метод ионной имплантации, который за последние 30 лет стал
одним из наиболее распространенных способов введения примесей в
полупроводники.

Ионная имплантация - это процесс конструирования материалов, при котором


ионы материала ускоряются в электрическом поле и попадают в твердое тело.
Этот процесс используется для изменения физических, химических или
электрических свойств твердого тела. Они также вызывают значительные
химические и физические изменения в мишени, передавая их энергию и
импульс электронам и атомным ядрам материала мишени. Это вызывает
структурные изменения в том, что кристаллическая структура цели может
быть повреждена или даже разрушена каскадами энергетических
столкновений. Поскольку ионы имеют массы, сравнимые с массами атомов-
мишеней, они выбивают атомы-мишени не по месту, чем электронные лучи.

Глубина, достигаемая ионами, приблизительно пропорциональна их


начальной энергии, и интересно иметь возможность контролировать ее. Ионы
останавливаются на определенном расстоянии от поверхности пластины,
образуя профиль имплантации.
Столкновения с ядрами объектива приводят к тому, что положение ионов
кристаллической сети изменяется, повреждая подложку. Если при
столкновении атом полупроводника получает энергию, превышающую его
пороговую энергию смещения, он вызывает образование дефектов (обычно
точечных дефектов, таких как вакансии и внедрения).

Типичные энергии ионов находятся в диапазоне от 10 до 500 кэВ (от 1600 до


80000 аДж). Можно использовать энергии в диапазоне от 1 до 10 кэВ (от 160
до 1600 АДж), но при этом проницаемость составляет всего несколько
нанометров или менее. Энергии ниже этого приводят к очень незначительному
повреждению цели и попадают под обозначение ионного пучка. Также можно
использовать более высокие энергии: распространены ускорители, способные
к 5 МэВ (800 000 АДж). Тем не менее, часто существует большой структурный
ущерб для цели, и поскольку распределение по глубине является широким
(пик Брэгга), чистое изменение состава в любой точке цели будет небольшим.

2
Рисунок 1 . Микроскопический процес ионной имплантации

1.1.1 Преимущества
Преимущества использования ионной имплантации по сравнению с другими
методами следующие:

1. Это быстрый, однородный и воспроизводимый процесс.


2. Количество имплантированных атомов и их энергия контролируются
очень точно, что важно, когда нам нужны низкие концентрации
легирующих примесей.
3. Это позволяет получать профили очень поверхностных и резких
примесей. В целом, это позволяет контролировать точную форму
профиля имплантации.
4. Представляет собой небольшую боковую дисперсию, которая позволяет
изготавливать устройства очень малых размеров и сохранять среди них
низкий уровень паразитов.
5. Это технологический этап, который развивается при относительно
низкой температуре. Это подразумевает, что профили примесей,
существующих в материале, не будут изменены в избытке из-за
термодиффузии.
6. Профили загрязнения, полученные с помощью ионной имплантации,
намного более точные (1% ошибок изображения) и более
поверхностные (<1 мм), чем полученные путем диффузии.
7. Позволяет независимый контроль легирования и глубины (за
исключением некоторых случаев гофра).

1.1.2 Недостатки

Ионная имплантация также имеет недостатки, которые ограничивают


возможности его применения:

3
1. Ущерб, возникающий при имплантации ионов, представляет собой
проблему. Это усиливается, когда доза или энергия имплантации
высока. Это приводит к появлению дефектов в кристаллической
решетке, которые могут быть электрически активными и влиять на
работу рассматриваемого устройства.
2. Большинство введенных примесей будут занимать промежуточные
положения, поэтому они не будут электрически активными, а
высокотемпературная термообработка необходима для
переупорядочения атомов кристаллическим способом. Этот
необходимый отжиг вызывает диффузию примесей, размывая
желаемый профиль. Кроме того, аномальная диффузия некоторых
имплантированных видов, таких как бор, еще более усложняет
получение резких профилей.
3. Другим важным эффектом является каналирование ионов,
имплантированных в определенных направлениях кристаллической
решетки. Эта характеристика не может контролироваться, и ее
использование является сложным, учитывая сложность
воспроизведения необходимых условий.
4. Изощренность и стоимость имплантационного оборудования, которое
мы будем изучать позже, является недостатком.

1.2 Основные параметры ионной имлантации

1.2.1 Виды примеси

В современной полупроводниковой технологии используется несколько видов


примесей различного назначения. Наиболее важными являются атомы третьей
и пятой группы периодической таблицы. Они используются для генерации
положительно (p-типа) или отрицательно (n-типа) легированных областей в
полупроводнике. Для легирования р-типа в основном используются бор и
индий, тогда как для легирования н-типа предпочтительными являются
фосфор, мышьяк и сурьма. Имплантация азота используется для влияния
диффузионного поведения бора в диоксиде кремния и поликремнии. Иногда
также имплантируют кремний, германий и углерод, чтобы разрушить
кристаллическую структуру субстрата (предварительная аморфизация) перед
имплантацией легирующей примеси.

Для получения ионов О+, N+, Ne+, Ar+,Cl+, F+ и др. используют их


однокомпонентные газы, поступающие в вакуумную камеру через
микронатекатель.

4
Ионы В+ получают из газа BF3, а C+ из СО2, а S+ из So2.

В качестве жидких источников широко применяют следующие вещества:


BCl3, BBr3, Pcl3, Ccl4, SiCl4.- все они хорошо испаряются при комнатной
температ

Наибольшие ионные токи дают твёрдые материалы в элементарном виде. Они


требуют нагрева для получения нужного давления паров. Например, 175
град.С. Для S b P(красный), 260 град.С. Для As, 550 град.С. Для Zn, Se, Te и
580 град.С. Для Mg и Sb. Могут быть использованы и другие вещества.

Общее требование к веществам-источникам ионов – большое парциальное


давление

1.2.2 Энергия ионного пучка

Глубина проникновения имплантированных частиц в основном определяется


энергией ионов. Типичный диапазон энергий, используемый в
полупроводниковой технологии, составляет 100 эВ для неглубокого
легирования, используемого, например, для профилирования затвора до 200
кэВ, используемого для формирования скважины в технологии МОП. Более
высокие энергии (200 кэВ - 1,5 МэВ) требуются для некоторых применений с
низкими дозами, таких как ретроградные скважины, а имплантации с очень
высокой энергией (несколько МэВ) иногда используются для создания
тройных скважин или скрытых слоев с высокими дозами. Энергия ионов
является очень хорошо контролируемым параметром. Современный
имплантер гарантирует отклонение ниже 1%.

1.2.3 Доза имплантации

Доза имплантации определяет количество ионов, которые попадают в цель


имплантации. Он измеряется путем подсчета электронов, необходимых для
нейтрализации заряда на пластине, введенной положительно заряженными
ионами. Эти электроны вводятся в систему путем подключения пластины к
источнику электронов, а также электронным и плазменным пистолетам,
которые стреляют электронами через поверхность в пластину. Таким образом,
изолирующие материалы также могут быть нейтрализованы и можно избежать
зарядки изолирующих поверхностей.

5
Критическим параметром для определения дозы имплантации является
площадь имплантата, поскольку доза определяется как концентрация на
площадь. При моделировании ионной имплантации часто применяются два
определения дозы имплантации, которые отличаются, если ионный пучок не
падает перпендикулярно поверхности пластины. Одно определение относится
к области, перпендикулярной ионному пучку, другое определяет область
имплантации как параллельную поверхности пластины, которую мы
используем по всему тексту.

1.2.4 Угол наклона и закручивания

Угол между нормалью поверхности пластины и ионным пучком является


углом наклона. Ненулевой угол наклона используется, чтобы избежать
каналирования в кристаллическом кремнии, для введения легирующих
примесей в боковые стенки траншеи или для имплантации легирующих
примесей под краем маски с помощью имплантатов большого ангела наклона,
таких как имплантированный дренаж с большим углом наклона (large tilt angle
implanted drain) или большой угол наклона имплантированная пробивная
пробка ( large tilt angle implanted punch-through stopper).

Кроме того, угол закручивания необходим для полного описания направления


падения ионного пучка. Это угол между плоскостью, содержащей ионный
пучок и нормаль пластины, и плоскостью, перпендикулярной основной
плоскости пластины, содержащей нормаль пластины (рис 2). Первичная
квартира определяет ориентацию кристалла кремния. Он выровнен по
направлению [011] в 100-ориентированной пластине. Помимо первичной
квартиры вторичная квартира используется, чтобы точно идентифицировать
тип пластины, отличающийся ориентацией кристалла и фоновым
легированием (рис 2).

Рис 2. Определение угла наклона


и угла поворота ионного пучка.

6
1.3 Механизмы Торможения

Потеря энергии ионами в материале является фактором, который определяет


окончательное распределение ионов и дефектов. Поскольку ион теряет свою
энергию (E) на глубину проникновения (x), где x - расстояние в пределах цели,
измеренное от поверхности цели, потеря энергии в материале, которая
называется тормозной силой или потерей энергии , определяется как dE / dx.
Энергетический ион, проникая в материал, теряет свою энергию в основном
через два процесса, которые не зависят друг от друга. Это потеря ядерной
энергии и потеря электронной энергии. Поэтому остановка также может быть
разделена на ядерную остановку и электронную остановку.

Процедура заключается в следующем:

 Ионы проникают в субстрат

 Cталкиваются с атомами решетки

 Постепенно теряет энергию и останавливаются.

 Два механизма остановления

1.3.1 Ядерные столкновения

Ядерное столкновение происходит столкновением двух атомов и может быть


описана классической кинематикой. Ядерное столкновение носит упругий
характер, и энергия, потерянная входящим ионом, передается атому-мишени,
который отскакивает от ее узла решетки. Этот процесс ответственен за
возникновение беспорядка решетки и большую часть повреждения
кристаллической структуры материала мишени.

1.3.2 Электронные потери энергии

Электронная потеря энергии вызвана взаимодействием с электронами


мишени. Электронная остановка неэластична по своей природе, и энергия,

7
потерянная падающими ионами, рассеивается через электронное облако на
тепловые колебания материала мишени, повреждение кристаллической
структуры незначительно.

Рис 3. Ядерные и электронные механизмы торможения способности иона как


функции скорости иона. Величина vo - это скорость Бора, а Z1 - атомный
номер иона.

1.4 Явления возникающие при имплантации

Во время процесса имплантации ионное воздействие может выбить атомы из


кремниевой решетки, повреждая имплантированную область кристалла. Если
доза достаточно высока, имплантированный слой станет аморфным. Чем
тяжелее примесь, тем ниже доза, необходимая для создания аморфного слоя.
При достаточно высоких температурах аморфный слой больше не может
образовываться.

1.4.1 Каналирование

Многие мишени имеют кристаллическую природу с регулярным


расположением атомов. Для ионов, движущихся в определенных
направлениях, ряды или плоскости атомов располагаются так, что существуют
дальние открытые пространства, через которые ионы могут перемещаться без
значительного рассеяния. Ионы направляются вниз по этим каналам,
просматривая столкновения с рядами или плоскостями атомов, расширяя тем
самым окончательное распределение ионов вглубь мишени. Это известно как
каналирование.

8
Эффект каналирования заключается в добавлении хвоста к
имплантированному распределению, которое для кремния можно
аппроксимировать экспонентой с длиной затухания около 0,1 мкм.

Каналирование нежелательный дефект по следующим причинам:

• Моделирование распределений ионных каналов затруднено и усложняет


задачу.

• Также направленный ионный профиль становится чувствительным к


изменениям порядка 1 ° в наклоне пластины и расходимости пучка.

Каналирование можно устранить следующими способами:

• Наклоните пластину на 7 ° относительно входящего луча, чтобы создать


видимость случайной цели и, следовательно, избежать наложения каналов.

• Ионы могут рассеиваться из каналов тепловыми колебаниями, дефектами


решетки и посторонними атомами.

• Это может быть уменьшено из-за повреждения кристалла, вызванного


ядерным остановом не каналированных ионов.

• Предыдущий имплантат кремния для аморфизации структуры решетки также


уменьшит эффекты каналирования.

Электронные взаимодействия остановят ион внутри канала. Но следует


отметить, что, поскольку плотность электронов в центре канала мала,
мощность электронного торможения для хорошо направленного иона будет
меньше, чем у иона, движущегося случайным образом.

Каналирование характеризуется критическим углом, Y1, который является


максимальным углом между ионом и каналом для возникновения скользящего
столкновения.

9
Рис 4. Схематическое изображение каналирования (а) пути ионов через
кубическую решетку, показывающие каналированные и неканализированные
случаи. (б) Выход обратного рассеяния вокруг направления каналирования.
(c) эффект каналирования заключается в добавлении хвоста к распределению
атомов.

1.4.2 Теневой участок

Затенение создает теневые области (боковое вторжение) профиля скважины,


как показано на рис. 7. Это боковое вторжение является относительно
большим по сравнению с КМОП-скважиной для меньшего устройства (см.
Рис. 7) и создает барьер для миниатюризации устройства. Снижая угол
наклона имплантата до 0 °, можно улучшить межслойную изоляцию,
уменьшив боковую диффузию профиля легирующей примеси в скважине.

Рис 5. Имплантация с образованием теневого участка


у края защитной маски.

10
1.5 Наклонная ионная имплантация

В процессе ионной имплантации каждое применение имплантата может быть


достигнуто путем контроля дозы, тока пучка, энергии имплантата, угла и
легирующих видов процесса ионной имплантации. Пространственное
изменение (неоднородность) в профилях легирующих добавок является
основной проблемой при проектировании углов имплантата для выполнения
импланта с наклоном скважины, близким к 0 °. Эта неоднородность может
проявляться как наклон, расходимость луча, микронеоднородность луча,
фотолитография или даже ошибка среза кристалла. Сообщалось, что
неоднородность высокоэнергетической периодической имплантации в
основном обусловлена изменением угла пучка от периодического имплантера.

Быстрые темпы усадки устройства позволили строго контролировать процесс


имплантации, чтобы обеспечить различные соединения для разных этапов
имплантации, упомянутых ранее. Это создало совершенно новую интересную
тему под названием «Junction Engineering». Техника соединения становится
все более важной, поскольку устройство продолжает сокращаться. Угол
имплантации является одним из критических факторов, влияющих на
соединение.

Имплантаты с большим углом наклона были введены специально для


уменьшения эффекта короткого канала и сквозного эффекта.

Для нанесения на хорошо имплантированный имплантат с высокой энергией


требуется толстый фоторезист, чтобы маскировать проникновение
высокоэнергетических ионов. В большинстве случаев ионы будут
имплантированы в пластину под углом наклона, чтобы минимизировать
каналирование. Обычной практикой является имплантация с углом наклона 7
°, чтобы избежать канализации легирующей примеси. Однако ионный
имплантат с наклоном 7 ° больше не является лучшим углом имплантата из-за
затенения от фоторезиста.

Еще одна проблема в конструкции соединения для имплантации скважины -


это контроль угла имплантата. Управление процессом наклона имплантата в
значительной степени зависит от сканирования ионного пучка и конструкции
держателя пластины имплантера. Для имплантанта с пакетной обработкой, где
пластины будут надевать вращающийся диск, угол пучка имплантата будет
отклоняться от фактического направления из-за пространственного заряда и
эффекта угла конуса. Поскольку угол имплантата будет влиять на профиль

11
легирования, любое изменение угла пучка на пластине может повлиять на
однородность имплантата. Равномерность профиля легирования по пластине,
поскольку пространственное изменение легирующей добавки по пластине
зависит от установки угла имплантата. Таким образом, правильная установка
угла имплантата имеет решающее значение для лучшей однородности
имплантата по всей пластине.

Вышеупомянутые проблемы указывают на то, что проектирование угла


имплантата является важной частью конструирования соединения. Любые
улучшения в управлении углом имплантата приведут к улучшению
однородности легирующей примеси, что приведет к повышению
производительности устройства и повышению производительности.

2. Разработка физ-мат модели процесса наклонной ионной имлантации

Когда ион попадает на поверхность пластины, он сталкивается с атомами в


решетке и взаимодействует с электронами в кристалле. Каждое ядерное или
электронное взаимодействие уменьшает энергию иона до тех пор, пока он,
наконец, не остановится внутри цели. Взаимодействие с кристаллом является
статистическим процессом, и имплантированный профиль может быть
аппроксимирован функцией распределения Гаусса. Распределение
описывается математически :

(1)

Рис 6.Гауссово распределение в результате иона


имплантация. Примесь показана
реализован полностью под вафлей surf8IX
(J: = O).

12
Площадь под кривой распределения примесей представляет собой
имплантированную дозу Q, определяемую следующим выражением:

(2)

Произвольное распределение N (x) можно охарактеризовать в терминах его


моментов. Нормализованным первым моментом распределения ионов
является проектируемый пробег Rp.

2.1 Параметры профилей имплантации

Взаимодействие с электронами в кристалле представляет собой


статистический процесс, они образуют профиль имплантации, заданный
уравнением (1), он описывает гауссову функцию с параметрами ΔR┴, Rp, ΔRp.

Общее расстояние, которое ион проходит до покоя, называется пробегом R,


как показано на следующем рисунке. Проекция этого расстояния на ось
падения называется проецированным пробегом Rp. Поскольку число
столкновений на единицу пройденного расстояния и энергия, потерянная в
каждом столкновении, являются случайными величинами, поэтому не все
ионы окажутся на одном и том же расстоянии от поверхности, но будет
пространственное распределение ионов, которое они имеют. та же масса и та
же начальная энергия.

Статистические колебания в проецированном пробеге называются дисперсей


проецированных пробегов ΔRp. Существует также статистическая
флуктуация вдоль оси, перпендикулярной направлению падения, которая
называется боковой дисперсией ΔR┴.

Рис 7. Схематический путь на плоскости


отдельного иона в мишени
Полный пробег иона началной энергии E0 описается формулой:

13
𝐸0 𝑑𝐸
𝑅 = ∫0 (3)
𝑆𝑛 +𝑆𝑒

Где Sn-поперечное сечение ядерного торможения (ядерная тормозная


способность)

Se-поперечное сечение элетронного торможения (электронная тормозная


способность)

Ядерный торможения описивается выражением


𝑍1 𝑍2 𝑀1 1
𝑆𝑛 = 0.278 ∗ ∗𝑁 = (4)
𝑀1 +𝑀2 2𝑘
√𝑍12/3 +𝑍22/3

Где Z-заряд ядра

M-Атомная масса индексы 1 и 2 относятся соответсвенно к иону и атому


мишени

N- собственная концентрация атомов вещества

k-коэффициент ядерной замеделяющей пособности. Как видно из формулы


(2) замедляющая способность вещества не зависит от енергии.

Электроное торможение всоответсвии с моделью ЛШШ опысается


выражением :

𝑍1 +𝑍2
𝑆𝑒 = 3.28 ∗ 10−3 ∗ 𝑁√𝐸 = 𝑘1√𝐸 (5)
√𝑀1

Где к1-коэффициент электронной замедляющей способности.

Предполагаем что при вычисления длины пробега иона потеря энергии на


ядерные электронные взаимодействия не связны друг с другом. То
получаем следующий выражение :
√𝐸 1
𝑅=2 − ln(1 + 2𝑘 ∗ 𝑘1√𝐸) (6)
𝑘1 𝑘∗𝑘1

Энергия облучения определяется разностью потенциалов :

𝐸0 = 𝑞𝑈 (7)

14
Доза облучения D (мккл/см^2):

𝐷 = 𝑒𝑛𝑆 = 𝑗𝑡 (8)

Где e-единичный заряд

n-краткость заряда иона

Q-поверхность плотности внередных ионов 1/см

j-плотность ионного тока в

t-длительность облучения

Между польный пробегом R и проекцией пробега Rp существует


приближенное соотножение
𝑅
𝑅𝑝 = 1 (9)
1+
3𝜇

Где 𝜇 = 𝑀1 /𝑀2

Среденее квадратическое отклонение пробега (дисперсия)


∆𝑅𝑝2 ∆𝑅 2 2 𝑀1 𝑀2
≈ = ∗ (10)
𝑅𝑝2 𝑅2 3 (𝑀1 +𝑀2 )2

Интервал 𝑅𝑝 ± 3∆𝑅𝑝 включает 99,7% внереднных ионов.

2.2 Глубина залегания

Ионная имплантация часто используется для образования мелких pn-


переходов для различных применений устройств. Имплантированный
профиль аппроксимирует распределение Гаусса, и глубина соединения
может быть найдена путем приравнивания имплантированного
распределения к фоновой концентрации.

𝑥𝑗 = 𝑅𝑝 ± ∆𝑅𝑝 √2ln(𝑁𝑝 /𝑁𝐵 ) (11)

15
Оба корня могут быть значимыми, как показано на рис. 1, в котором
глубокий подповерхностный имплантат имеет соединения, встречающиеся
на двух разных глубинах xj1 и xj2.

Рис 8. Образование контактов при примесной имплантации в кремнии.


Два pn-перехода образуются в X1 и X2.

Методы ионной имплантации могут быть использованы для получения


профилей с подповерхностными пиками «ретроградного» профиля, которые
уменьшаются по направлению к поверхности пластины. Несколько этапов
имплантации при разных энергиях также могут быть использованы для
создания более сложных профилей примесей.

2.3 Распрпеделения ионно-имплантированных примесей при наклонной


имлантации

В результате при наклонной ионной имплантации существуют два случая:

 В случае неусеченной гауссианы когда Rp ≥3ΔRp:


(𝑥−𝑅𝑝 𝑐𝑜𝑠𝜃)
𝑄 −
𝑁(𝑥) = ∗𝑒 2∆𝑅2 (12)
√2𝜋∆𝑅

 В случае усеченной гауссианы когда Rp<3ΔRp:


(𝑥−𝑅𝑝 𝑐𝑜𝑠𝜃)
𝑄 −
𝑁(𝑥) = 𝑅𝑝 𝑐𝑜𝑠𝜃 ∗𝑒 2∆𝑅2 (13)
√2𝜋∆𝑅(1+𝑒𝑟𝑓 2ΔR2 )

16
1
Где ΔR2 = ΔRp2 cos 2 𝜃 + ΔR2 𝑠𝑖𝑛2 𝜃
2

Q -доза имплантации;
2 𝑧 2
erf(𝑧) = ∫ 𝑒 −𝑧 𝑑𝑧 – интеграл фунции ощибок Гаусса.
𝜋 0

Если исходная подложка легирована примесиью противоположного типа с


исходной концентрацей Nисх то возможно формирование одного или двух
переходов (Рис.1) глубины xj1,2 залегания которых находятся из условия
𝑁(𝑥𝑗1,2 ) − 𝑁исх = 0.

Для случая неусеченной гауссианы при наклоной имплантации глубины


залегания переходов рассчитивается по формуле

𝑄
𝑥𝑗1,2 = 𝑅𝑝 𝑐𝑜𝑠𝜃 ± ∆𝑅√2𝑙𝑛 (14)
√2𝜋∆𝑅𝑁исх

Рис 9.Распределение ионно-имплантированной примеси по глубине х в


случае образования одного перехода (б) и бдух переходов (а)

2.4 Распределение примесей при наклоной имплантации с учетом бокового


рассеяния под край защитой маски

Также одним из основных параметров процесса ионной имплантации является


угол падения пучка ионов относительно нормали к поверхности мишени. При
этом у краев маски наблюдаются два эффекта на заданной глубине x
перераспределение ионно-имплантированных примесей за счет бокового

17
рассеяния будет описываться по модели диффузии в неограниченное тело из
полубесконечного пронстранства:

1) образование теневого участка:


𝑁(𝑥) 𝑦−𝑎′
𝑁(𝑥, 𝑦) = 𝑒𝑟𝑓𝑐 (15)
2 √2∆𝑅′

2) имплантация под край защитной маски:


𝑁(𝑥) 𝑎′′−𝑦 𝑁(𝑥) 𝑦−𝑎′′
𝑁(𝑥, 𝑦) = 𝑒𝑟𝑓𝑐 = (2 − 𝑒𝑟𝑓𝑐 ) (16)
2 √2∆𝑅′ 2 √2∆𝑅′

Рис 10.Формирование боковых прифиоей распределения наклонно


Имплатированных примесей

Из геометрических соображений имеем :


𝑎1 = 𝑥 ∗ tan 𝜃, (17)
𝑎2 = (𝑥 + 𝑑) ∗ tan 𝜃 (18)
𝑅′ = ∆𝑅 ∗ sin 𝜃 (19)

Если наклоно имплантируемый профиль описается по глубине


неусеченной гауссианной а имплантация проводится под край защитой
маски,то распределение у края защитой маски будет иметь вид

(𝑥−𝑅𝑝 𝑐𝑜𝑠𝜃)2
𝑄 − 𝑦−𝑎′
𝑁(𝑥) = 𝑒 2∆𝑅 𝑒𝑟𝑓𝑐 (20)
2√2𝜋∆𝑅 2 √2∆𝑅′

В зависимость 𝑥𝑗1,2 (𝑦) глубинны залегания сформиванных p-n


переходов есть функция

𝑦−𝑎´
𝑄∗𝑒𝑟𝑓
𝑥𝑗1,2 = 𝑅𝑝 𝑐𝑜𝑠𝜃 ± ∆𝑅√2𝑙𝑛 √2∆𝑅´
(21)
√2𝜋∆𝑅𝑁исх

18
2.5 Распределение примесей при наклонной имплатации с учетом бокового
рассеяние под края щели в защитной маске

При наклонной имплантыции через щель защитой маские под углом


относильно нормали к поверхности у прваого края щели внередние
ионов происходит под защитный слойа у левого края щели образуется
теневая область.

Распределение примесей с учетом бокового рассеяния ионов наклоно


импланьтрованных через щель в защитной маске размером 2а
посторится :

𝑁(𝑥) 𝑎′ −𝑦 𝑎′′ −𝑦
𝑁(𝑥) = [𝑒𝑟𝑓𝑐 − 𝑒𝑟𝑓𝑐 ] (22)
2 √2∆𝑅′ √2∆𝑅′

Рис 11.Формирование нормированных профилей распределения


примесей при наклонной имплантации через щель шириной 2а
в защитной маске.

В случае легирования подложки с противоположным типом


проводимости и исходной концентрацей примесей Nисх из узловия
N(xj1,2,y)= Nисх можно поулчить аналитическую зависимость для глубин
залегания xj1,2(y) сформированных p-n переходов .

𝑎′ −𝑦 𝑎′′ −𝑦
𝑄[𝑒𝑟𝑓𝑐 −𝑒𝑟𝑓𝑐 ]
√2∆𝑅′ √2∆𝑅′
𝑥𝑗1,2 = 𝑅𝑝 𝑐𝑜𝑠𝜃 ± ∆𝑅√2𝑙𝑛 𝜋 𝑅𝑝 cos 𝜃
(23
2√ ∆𝑅(1+𝑒𝑟𝑓 )𝑁исх
2 √2∆𝑅

19
3 Моделирование процесса

Для Обработки процесса используем Mathcad а с помощью от следующих


примеров создаем начальные данные :

3.1 Распределение в зависимости от угла

На кремиевую пластинку p-типа проводиться наклонную ионную


имплантацию фосфора.Энерегия ионов составляет 60 кэВ , доза имлантации
1012 а угла наклона пучка ионов относильно нормали равен 10º и 40º.

3.1.1 Листинг рещения задачи

Ниже приведен листинг рещения задачи и графики распределений


концентрации :


qe  1.610 19 Kul Kul  Asec teta  10 
180

teta  0 180

Rp  7.3110 6cm DRp  310 6cm DRt  2.5510 6cm

2
Q  1012cm DR  DRp2 cos ( teta) 2  0.5DRt2 sin ( teta) 2
1
Ni 
cm2
qe 500 2ohm cm
Xm  Rp  4DRp Vsec
1
Ni 
cm2
qe 500 2ohm cm
Vsec

Nf ( x)  N( x)  Ni

20
3.1.1 Полученые результаты

Рис 12.График распределения фосфора, внередного в кремниевую подложку


с энерией 60 кэВ и дозой 1012 ион/см2 под углом 10º относительно нормали к
поверхности подложки.

21
Рис 13.График распределения фосфора, внередного в кремниевую подложку
с энерией 60 кэВ и дозой 1012 ион/см2 подуглом 40º относительно нормали к
поверхности подложки.

3.1.1 Анализиз результатов

Наблюдается что под углом 10º градусов на глубине 75 нм достигается пик


концентрации, а при увеличении угла до 40º градусов максимальная
концентрация находиться на глубине 55 нм, следовательно, можно сделать
вывод что тем большее угла внедрения ионов тем меньше глубина
максимальной концентрацией и проецированного пробега.

3.2 Отклонение в зависимости от угла

Проводится наклонная имплантация сурьмы в щель шириной 5 мкм в слое


тольщиной 1,5 мкм. Угол наклона ионного пучка составляет 10 относительно
нормали к поверхности.Энергия ионов равнв 100 кэВ а доза-1014см-2.

3.2.1 Листинг решения задач



14 teta  10  4
Ni  5 10 180 d  1.5 10 cm
5 14 2 6
a  5 10 cm Q  1 10 cm Rp  5.805 10 cm

6 6
DRt  1.194 10 cm DRp  1.825 10 cm

2 2 2 2
DR  DRp cos ( teta)  0.5 DRt sin ( teta)

DRt1  DRt sin ( teta) a1 ( x)  a  ( d  x) tan ( teta)

a2 ( x)  a  xtan ( teta) x  Rp  DRp


2
 ( xRp cos ( teta) )
Q
Nm  2 DR
2
2 DR N ( x)  Nm e

22
N ( x)   a1 ( x)  y   erfc  a2 ( x)  y  
Nf ( x y )   erfc    
2   2 DRt1   2 DRt1  

3.2.1 Полученые результатов

а)

б)

Рис 14 . График распределения бокового профилия вблизи края маски


тольшиной 1,5 мкм при наклонной имплантацей в щель шириной 5 мкм под
углом 10º к нормли сурьмы с энергией 100 кэВ и дозой 1014см-2 а) с
образованием теневого участка б) имплантация под защитной маски

23
а)

б)

Рис 15. График распределения бокового профилия вблизи края маски


тольшиной 1,5 мкм при наклонной имплантацей в щель шириной 5 мкм под
углом 20 к нормли с обазованием теневого участка ионов сурьмы с энергией
100 кэВ и дозой 1014см-2

24
3.2.1 Анализиз результатов

От полученных графиков можно наблюдать влияние угол наклонных пучков


на боковое распределение примесей в первом случае под углом 10 градусов
теневой участок формируется в координате 𝑦 ≈ 2.3𝑒 −7 а во втором случае под
углом 15 градусов 𝑦 ≈ 6𝑒 −8 в итоге а2 увеличивался в 0,29 мкм, а так же есть
влияние на отклонении под защитной маски по сравнению при увеличении 5
градусов боковое отклонение под защитной маски увеличилось 0.02 мкм.

25
ЗАКЛЮЧЕНИE

В первой части данной работы представили теоретичекое анализ ионной


имлантацией.

Во второй части были проведен математическое физическое анализ ионной


наклонной имплантацией и все явление которые возникают.

Во второй части через математическое моделирование получили графики


зависимости влияние наклонных пучков в распределение ионов при разных
углах и в боковое отклонение . В результате получили что боковое отклонение
становится очень важным, поскольку двумерные эффекты вблизи края маски
сильно влияют на выходные характеристики приборов.

26
СПИСПОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1 Richard C. Jaeger., Mathematical model for ion implantation-Introduction to


microelectronic fabrication. New Jersey 2002. 111-112с

2 Jesus M. Hernandez., Simulación de la implantación iónica en semiconductores.


Valladolid 2000. -29 c

3 Петров Б.К., Наклонная ионная имплантация : Практикум к рекурсу


“Моделирование в микроэлектронике ” Петров Борис Константмнович
Воронеж 2003.5-9-13ст.

4 Abishek Goyal., Report on ion implantation. Malaviya national institute


technology Jaipur.Март 2013.-4с

27
Приложение А

Аппроксимирующий полиномы для расчета параметров распределений


фосфора в кремнии:

-для ионов фосфора

𝑙𝑔𝑅𝑝 = 0.682 + 1.1861 ∙ 𝑙𝑔𝐸 + 0.3769 ∙ (𝑙𝑔𝐸)2 − 0.0581 ∙ (𝑙𝑔𝐸)3 ;

𝑙𝑔∆𝑅𝑝 = 0.401 + 0.2209 ∙ 𝑙𝑔𝐸 + 0.3478 ∙ (𝑙𝑔𝐸)2 − 0.0711 ∙ (𝑙𝑔𝐸)3 ;

𝑙𝑔∆𝑅┴ = 0.205 + 0.537 ∙ 𝑙𝑔𝐸 + 0.051 ∙ (𝑙𝑔𝐸)2 − 0.015 ∙ (𝑙𝑔𝐸)3 ;

-для ионов сурьмы

𝑙𝑔𝑅𝑝 = 0.597 + 0.606 ∙ 𝑙𝑔𝐸 + 0.0767 ∙ (𝑙𝑔𝐸)2 − 0.0327 ∙ (𝑙𝑔𝐸)3 ;

𝑙𝑔∆𝑅𝑝 = 0.104 + 0.4905 ∙ 𝑙𝑔𝐸 + 0.0103 ∙ (𝑙𝑔𝐸)2 − 0.0124 ∙ (𝑙𝑔𝐸)3 ;

𝑙𝑔∆𝑅┴ = −0.047 + 0.629 ∙ 𝑙𝑔𝐸 − 0.096 ∙ (𝑙𝑔𝐸)2 − 0.032 ∙ (𝑙𝑔𝐸)3

28

Оценить