Вы находитесь на странице: 1из 61

Transistores

Bipolares
y Efecto de Campo

Electrónica Analógica
Ing. Oscar H. Puigdellibol
Profesor Titular de la Cátedra de Electrónica Analógica I.
Facultad de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales
Universidad Nacional de Córdoba

Rev. Agosto 2012


Electrónica Analógica I

Electrónica Analógica I

Transistor Bipolar

Introducción

La doble juntura npn o pnp configura un transistor, (Fig.1.1a). Esto permite interpretar
a su estructura como la conexión de dos diodos de unión (CB y BE), como lo muestra
(b). Según se polaricen ambas juntas se obtienen diferentes modos de operación del
BJT. El modo natural, denominado directo, se da cuando la junta base emisor es
polarizada directamente y la colector - base inversamente. El otro modo denominado
inverso, intercambia las polarizaciones de juntas respecto del directo, resultando un
comportamiento muy diferente del conjunto, debido precisamente a las marcadas
diferencias constructivas que tienen ambas juntas que van desde el nivel de dopado a la
geometría respectiva. Por estas y otras razones los terminales de colector y emisor no
pueden ser intercambiados sin penalizar su comportamiento como amplificador, no
obstante ello el modo inverso tiene alguna aplicación en circuitos digitales.

(a) (b) (c)

Fig 1.1

La figura (1.c) define la convención de signos para tensiones y corrientes en el


dispositivo, asumiendo positivos, aquellos que coinciden con la dirección de operación
en zona directa del transistor. Estos son los que indicarían con aquel signo un
amperímetro o voltímetro conectados a los respectivos terminales. Así para el transistor
de polaridad npn, las corrientes positivas son entrantes en base y colector y saliente en
el terminal de emisor. Obviamente para el transistor complementario pnp los sentidos
positivos serán opuestos.
Esta convención además de ser intuitiva, permite trabajar desde el punto de vista
numérico con magnitudes mayoritariamente positivas y en términos gráficos, en el
primer cuadrante de las características tensión - corriente. No obstante habrá situaciones
de excepción que serán aclaradas oportunamente.
En la siguiente sección se definirán las relaciones tensión – corriente entre los diferentes
terminales del dispositivo, que permitirán describir gráfica y analíticamente su
Electrónica Analógica I

comportamiento global. A partir de los modelos matemáticos así definidos y como es


práctica usual en el estudio de sistemas, se derivarán modelos circuitales que interpreten
el modo de operación y permitan simplificar las técnicas de análisis y diseño de estos
amplificadores.

1.1 Operación en Modo directo. (Efecto Transistor).

La figura. 2, muestra el transistor con la junta base- emisor directamente polarizada


manteniendo el colector abierto. En estas condiciones resulta, la corriente de base igual
a la de emisor y la solución del circuito se reduce al caso de un diodo directamente
polarizado por la red lineal respectiva. Los parámetros tensión y corriente a bornes de
este último pueden ser evaluados analíticamente a partir de la solución simultánea de la
ecuación diódica de Shockley (1.0) y la ecuación de equilibrio de tensiones de la malla.

V BEQ
VT
I BQ = I EQ = I S (e − 1) (1.0)

(VBB − VBEQ )
I BQ = (1.1)
RB

IB
IB
RB RB
VBB
VBB VBE IE VBE

Fig.1.2

La solución analítica propuesta exige el conocimiento de las constantes asociadas a (1.0)


y esfuerzo matemático no muy sencillo. No obstante en cálculos manuales el análisis se
puede simplificar significativamente admitiendo errores razonables, utilizando el
modelo lineal por tramos del diodo emisor -base, como muestra la Fig.1.3, en la que a
los efectos de obtener valores totales de primer orden, se puede asumir para la tensión
de codo en una junta de silicio directamente polarizada el valor de VBEQ ≅ 0.7V y
considerar la resistencia dinámica rd, (Pendiente en el punto de operación de la
característica dada en (1.0), mucho menor que RB en Fig1.2.
Electrónica Analógica I

rd = 0
IB
1 / rd
VBE IB
rd
VBEQ
VBEQ VBE

Modelo Lineal por Tramos.

Fig.1.3

Con estas asunciones, (1.1.1), resuelve por si sola el problema planteado.

(VBB − VBEQ ) (VBB − 0,7)


I BQ = ≅ (1.2)
RB RB

Las relaciones de corrientes en terminales del transistor, resultan muy diferentes a las
anteriores si en el circuito de Fig.1.2 se polariza inversamente la junta colector – base
con un generador de tensión VCC > VBB, Fig.1.4.a.

Fig.1.4a

En esta condición de polarización se produce el efecto o acción transistor, esto es que


los portadores n inyectados al emisor por la fuente Vcc, ( Corriente IE ), se difunden en
la zona de base, que al ser esta de bajo dopado de portadores p captura por
recombinación una mínima cantidad del tipo n difundido y además el hecho que la
longitud de la base es menor que la de difusión hace que la gran mayoría de los
portadores n, (αFIE ), sean atrapados por el fuerte campo eléctrico generado por la
polarización inversa de la junta C-B, inyectándolos al Terminal de colector (Corriente
Ic), de manera que :

I C = α F .I E (1.3)
En este proceso la minoría de portadores n inyectados al emisor, (1-αF).IE, se recombina
con los huecos (p), de la zona de base generando IB, tal que:

I B = (1 − α F ).I E
Electrónica Analógica I

El parámetro αF es de valor muy cercano a uno (Típico 0.998), se define como


ganancia directa de corriente en conexión base común. Debido al valor de este
parámetro es práctica frecuente en cálculos manuales asumir igualdad de corrientes de
colector y emisor en operación en zona activa directa.
La relación entre las corrientes de base y colector se obtiene de las dos anteriores.

IC αF
= = β F = hFE (1.4)
I B 1−α F
De (1.4), se deduce que el parámetro βF = hFE, resulta mucho mayor que uno, (por
ejemplo.60 – 250) y se define como ganancia directa de corriente en la conexión de
emisor común.

I C = hFE I B
Interpretando lo expuesto se puede aproximar un primer modelo del transistor entre los
terminales de colector- emisor, por una fuente de corriente controlada por corriente,
figura1.4.b.

IB IC

RB B C

VBE hFE I B

Fig.1.4b

Este fenómeno de amplificación que muestra la corriente de colector respecto de la


inyectada en base, es otra manera de interpretar el Efecto Transistor.
La relación entre la corriente de base y emisor en términos del parámetro βF= hFE, se
deriva tomando al transistor como un súper nodo y aplicando L.K.C

I E = I C + I B = hFE .I B + I B = (1 + hFE ).I B (1.5)


Las relaciones de corriente entre terminales en las condiciones de polarización de juntas
de Fig.1.4 (Zona activa directa), resultantes del efecto transistor, son las que
generalmente se usan en análisis manuales preliminares de circuitos amplificadores con
transistores bipolares, no obstante existen corrientes parásitas de mucha menor
magnitud, que serán analizadas en secciones posteriores.
En referencia al circuito de figura 1.4a y 1.4b, denominado de emisor común, se
remarcarán algunas definiciones y conceptos que serán utilizados frecuentemente. Así,
la malla que incluye a la junta base - emisor se lo denomina de “entrada’’ y es la que
define la corriente que se inyectará en base, que en virtud del efecto transistor definirá la
corriente ``amplificada’’ que se establecerá en el de “salida’’, pudiendo ser este el
terminal de colector o de emisor. Las relaciones tensión - corriente entre los terminales
de base - emisor, (IB= f(VBE)), serán las características de “entrada’’ y responden a la
Electrónica Analógica I

ecuación diódica exponencial de Fig.5a, mientras que las respectivas de colector emisor,
(IC= f(VCE)), serán las de ”salida’’ en conexión emisor común, que en operación en zona
activa directa se interpretan a partir de la relación de corrientes dada por la expresión,
IC = hFE IB.
En efecto, esta dice que el transistor entre aquellos terminales se comporta como una
fuente de corriente controlada por la respectiva corriente de base, independientemente
del valor de la tensión a bornes VCE, (Fig.5b). No obstante el hecho que la ecuación de
referencia es válida siempre y cuando la junta colector base estuviere inversamente
polarizada, (sin exceder su tensión de ruptura inversa), impone restricciones al valor
máximo y mínimo que puede tomar la tensión VCE, ambos límites se pueden aproximar
desde la siguiente relación de tensiones entre los terminales del transistor

VCE = VCB + V BE
Para el primer caso

VCE max < VCB max + VBEQ ≅ VCB max (1.6)


Para el segundo

VCE min = VCB min + VBEQ (1.7)


Un criterio práctico es suponer un valor mínimo igual a cero para la tensión inversa del
diodo colector base, tal que la anterior queda:

Si VCB min = 0 ⇒ VCE min ≅ VBEQ ≅ VCESat (1.8)


Este mínimo permitido para la tensión C-E, se denomina de saturación y en rigor no es
independiente de la corriente de colector como se ha supuesto aquí.
Ambas limitaciones se reflejan en la gráfica de las características de salida de Fig.1.5b,
delimitando el primer cuadrante a cuatro zonas, la central denominada de operación
activa lineal, saturación a su izquierda, de corte al pié del diagrama (IC = 0) y la de
ruptura a su derecha.
Las tres primeras son utilizadas en diferentes aplicaciones del transistor, la zona lineal
es exclusiva de los amplificadores analógicos y las otras dos en circuitos de
conmutación y digitales.

(a) (b)
Fig. 1.5
Electrónica Analógica I

La corriente “amplificada’’ de la malla de salida puede ser transformada en una tensión


equivalente por la conexión de una resistencia denominada de “carga”, en serie con el
terminal de colector o del emisor. El circuito de la Fig.1.6, muestra el primer caso (Rc),
donde la tensión de salida se toma entre colector y tierra.

Fig.1.6

Zona Activa Lineal.

No obstante la expresión (1.3), no muestra dependencia de la corriente de colector


respecto de la tensión VCE, esta existe y es explicada por el denominado Efecto Early. El
aumento de la tensión de polarización inversa de la junta colector base producido por
aumento de VCE, disminuye el ancho efectivo de la zona de base, aumentando la
cantidad de portadores difundidos que alcanzan el colector (αF) y en consecuencia la
corriente respectiva en términos aproximadamente proporcionales. Esto se manifiesta en
las pendientes positivas de las paramétricas de Fig.1.7b.

Zona de Saturación.

Este fenómeno se produce cuando la junta colector base comienza a polarizarse


directamente según disminuye la tensión VCE.
No obstante las ecuaciones de Ebers Moll describen cuantitativamente y con precisión
este fenómeno, es simple interpretarlo cualitativamente a partir del esquema planteado
en Fig.1.7a, donde la corriente de colector es medida en su terminal de acceso e
imaginando un nudo interno formado por el cátodo del diodo C-B y el generador
controlado de salida producto del efecto transistor. El amperímetro de colector medirá
la diferencia de las corrientes de ambas ramas es decir

I C = hFE .I ' B − I CB
Si se mantiene la tensión de polarización del diodo B-E, constante y se controla la
correspondiente al diodo C-B con el generador VCC, en la condición VCE >VBE, el diodo
en cuestión estará inversamente polarizado y el instrumento medirá solo la componente
debida al efecto transistor (Despreciando la corriente de saturación inversa de esa junta).
En cambio para VCE < VBE , la polarización del diodo C-B, se hace directa y la corriente
neta medida en colector disminuirá según aumente aquella, (ICSat= hFE.IB´-ICB) hasta
hacerse nula, aproximadamente para el valor ICB = hFE.I’B, modificando la característica
de salida según la gráfica de Fig.1.7b, donde la curva límite izquierdo se denomina de
saturación.
Electrónica Analógica I

(a) (b

Fig.1.7

Se puede agregar al análisis efectuado la siguiente observación que se refiere a la


corriente de base en condiciones de saturación. En efecto esta obviamente debe
suministrar tanto la componente I’B que controla al generador de colector, como la
directa del diodo B-C, (IBSat= I’B+ICB), tal que a la luz de la definición de la ganancia
directa de corriente (βF), el efecto global se puede interpretar como una reducción de
esta última

I CSat
β FSat = hFESat = (1.9)
I BSat

1.2 Modo de Operación Inverso.

Este modo se da cuando se intercambian los terminales de emisor y colector. Es decir


que se polariza directamente la junta base-colector e inversamente la de base –emisor,
en estas condiciones las características tensión-corriente aunque resultan formalmente
semejantes a las analizadas en operación directa, tienen marcadas diferencias
cuantitativas, debido a las diferencias arriba comentadas de ambas juntas. Esto hace por
ejemplo que el efecto transistor en zona activa inversa se manifiesta según (1.3) pero
con los roles de los terminales cambiados y mostrando una ganancia de corriente (αR)
mucho menor que en el modo directo (αF ).

I E = α R .I C

Un valor típico de la ganancia inversa es: αR = 0,7 ⇒ βR = 2,33


Electrónica Analógica I

1.3 Modelos del BJT.

Modelo Para Corrientes Fuertes. (Ebers - Moll).

El modelo de Ebers –Moll, describe al transistor bipolar según la conexión bidiodica de


Fig1, con el agregado de las fuentes controladas por las corrientes de ambos, que tienen
en cuenta el efecto transistor en operación directa e inversa, como se muestra en Fig1.8
para polaridad npn. Este modelo válido para corrientes fuertes, es aplicable a operación
en modo directo o inverso y cualquiera de las tres zonas descriptas en la sección (1.1),
lineal, saturación o corte, evidenciando el carácter no lineal de las relaciones tensión –
corriente entre terminales.

Fig.1.8

Modelo de Ebers Moll.

En efecto, de la figura se deduce para la corriente de colector la siguiente relación

I C = α F I DE − I DC (1.9)
Las corrientes de diodo, IDE e IDC se relacionan con las tensiones de junta a través de la
ecuación de Shockley en los siguientes términos:

 VVBE   VVBC 
I C = α F I ES . e − 1 − I CS . e − 1
 T   T
(1.10)
   
14 
4244 
3 14 
4244 3
I DE I DC

En la anterior las corrientes IES e ICS son las de saturación inversa de la junta respectiva
con la otra en cortocircuito.
En operación directa y zona activa lineal resulta:

VBE >> Vt y Vt << -VBC < 0 ; Ej. VBC ≥ -100 mV

 VVBE 
I C ≅ α F .I ES . e − 1 + I CS =
 T
α F I DE + I CS ≅ α F I DE (1.11)
  123 {
14 4 244 3 EfectoTransistor Directo parásita
I DE
Electrónica Analógica I

C RC
IC

α F I DE
RB
B

IB
VCC
I DE
VBB IE

E
VBB << VCC

Fig.9
Modelo Polarizado en Zona Activa Directa

De igual manera la corriente de emisor se expresa por:

 VVBE   VVBC 
I E = I ES . e T − 1 − α R I CS . e T − 1 (1.12)
   
14 
4244 3  14 
4244 3
I DE I DC

Que resulta en operación directa:

VBE >> VT y VT << VBC < 0

 VVBE  V BE
 
I E = I ES . e − 1 + α R I CS ≅ I ES e VT = I DE
T
(1.13)
 
14 
4244 3
I DE

Aplicando las conclusiones de las expresiones (1.11) y (1.13) al modelo de Fig.1.8 se


obtiene para operación en modo directo y zona activa lineal, el circuito de Fig1.10, que
se denomina de base común, en el que se han incluido las redes externas de polarización
de juntas. En este se debe notar que despreciar la corriente parásita ICS, se traduce en
dejar abierta la conexión del diodo colector- base (En línea de puntos).
No obstante las expresiones de Ebbers Moll no predicen el efecto Early, este se
manifiesta y en el modelo es tenido en cuenta por la resistencia interna agregada, al
generador controlado de salida (rob). En cálculos manuales, esta generalmente se
desprecia, debido a que su valor es bastante mayor que las externas asociadas.
Electrónica Analógica I

IE IC
E C
RB RC
VCB rob
V BE
αF IE
B

Fig.1.10
Modo Activo Directo en Base Común

En modo inverso en cambio será:

VBC >> VT y VT << −VBE < 0

 VVBC 
I E ≅ α R .I CS . e T − 1 + I ES = α R I DC + I ES
  123 {
14 
4244 3  Efecto Transistor Inverso parásita
I DE

Los parámetros IES, ICS, αF, y αR, no son independientes entre si, sino que están
relacionados por la condición de reciprocidad.

I ES .α F = I CS .α R (1.14)

En cálculos manuales es importante expresar (110) y (1.12) en zona activa directa y las
de ellas derivadas, en términos de las corrientes totales medibles externamente en los
terminales de acceso (IE , IC, IB) Para hacerlo con la de colector en términos de las otras
dos es necesario despejar IDE de (1.12) y llevarla a (1.10).

 VVBE   VVBC 
I ES . e − 1 = I E + α R I CS . e − 1
 T   T

   
142 
4 43 4 14 
4244 3
I DE I DC

 VVBC 
I C = α F I E − I CS (1 − α F α R ) e T − 1 (1.15)
14 4244 3 
I CBO  

En zona activa lineal, (Fuerte polarización inversa de la junta colector base), la anterior
queda:
I C = α F I E + I CBO (1.16)
Electrónica Analógica I

La corriente ICBO se define como la de fuga de colector con emisor abierto y en las
juntas de silicio es fuertemente dependiente de la temperatura, (Prácticamente se puede
suponer que se duplica por cada 10o C de aumento de aquella).
Teniendo presente que, IE = IB + IC , se puede expresar, (1.17), en términos de la de base.

αF I
IC = I B + CBO = β F I B + ( β F + 1) I CBO (1.17)
1−α F 1−α F 14243
I CEO

I C = β F I B + I CEO (1.18)

ICEO , se define como la corriente de colector con la base abierta (IB = 0),

I C = I CE 0 = I E

Un tratamiento algebraico similar al anterior permite expresar la corriente de emisor.

 VVBE 

I E = I ES (1 − α F α R ) e − 1 + α R I CS
T
(1.19)
14 4244 3 
I EBO  

IEBO es la corriente de fuga inversa de la junta emisor – base, con el colector abierto
(IC=0).
En efecto con fuerte polarización inversa de la junta B-E, la anterior queda:

− I E = I EB 0 = − I B

Las corrientes parásitas o de fugas definidas, ICBO, ICEO e IEBO, son especificadas en las
hojas de dato del dispositivo.
A partir de la expresión (1.17) se puede modelar al transistor según la figura 1.11, donde
el efecto transistor se manifiesta en el circuito de colector mediante el generador
controlado por la corriente de base, denominando a este modelo de emisor común.
IB IC
B C
RB RC
VCE I CEO
VBE
βF IB roe
E

Fig1.11
Modo Activo Directo en Emisor Común
Electrónica Analógica I

1.4. MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL

Modelo Lineal Incremental.

No obstante el modelo de Ebers Moll muestra claramente el carácter no lineal de las


relaciones tensión - corriente en las diferentes zonas de operación del transistor, es
posible derivar de ellas un modelo aplicable a su funcionamiento como amplificador
lineal en zona activa directa.
En efecto en esta condición de operación la corriente de colector está dada por la
relación de Ebers Moll, (1.11), en la que asumiendo αF= 1 y despreciando las corrientes
parásitas puede expresarse según (1.20).

 VVBE  VBE
I C ≅ I E ≅ I ES . e − 1 ≈ I ES e Vt
T
(1.20)
 
14 
4244 3
I DE

Característica de Transferencia
Fig.1.12

Interpretando esta última como la conversión exponencial de la tensión base – emisor,


(tensión de control), en una corriente de colector equivalente, (variable controlada),
puede ser denominada relación de transferencia. A pesar del carácter no lineal de (1.20),
si se producen variaciones de la tensión de control de pequeña magnitud en torno al
valor de polarización de dicha junta,(VBEQ), producidas por ejemplo por la conexión de
un generador de señal en la malla de entrada de amplitud bastante menor que la
polarizante , (vi<<VBB, en Fig.14a) ), el problema se puede linealizar en lo que se refiere
a las componentes incrementales, (Diferencias de valores totales o componentes de
señal).

(a)
Electrónica Analógica I

I B = I BQ + ∆I B I C = I CQ + ∆I C
B C
RB RC
vi hFE I B ∆I C
∆VBE rbe roe
VBB VBEQ VCC
E

(b)
Fig.1.13.

El esquema de la Fig.1.13, donde el diodo base - emisor es remplazado por su modelo


lineal por tramos interpreta lo expuesto. En efecto en este coexisten las componentes
polarizantes de la malla de entrada y salida, IBQ VBEQ e ICQ,VCEQ y las componentes
incrementales o de señal ∆IB, ∆VBE y ∆IC producidas en términos proporcionales por el
generador de señal. En efecto, esto último se puede justificar explicitando en (1.21), las
variaciones de la tensión de control (∆VBE), producidas por la señal aplicada.

 VBEQ ± ∆VBE  VBEQ ± ∆VBE

I C ≅ I ES . e VT  = I e VT e VT (1.21)
  1 ES
4 24 3
  I CQ

Para pequeños valores del exponente (∆VBE << VT ), la segunda exponencial del último
término se puede aproximar de la siguiente manera.

± ∆x
Para ∆x << 1 → e ≅ 1 ± ∆x

 ∆V 
⇒ I C = I CQ ± I CQ . BE  = I CQ ± ∆I CQ (1.22)
 VT 

De las que se deduce

 I CQ 
∆I CQ =  .∆VBE (1.23)
V
 T 

A partir de la proporcionalidad entre las variaciones de la corriente de colector y las


respectivas de la tensión de control que muestra la anterior en condiciones de excitación
con pequeña señal, se define al parámetro vinculante como transconductancia (gm) que
mide la variación de corriente de colector por unidad de la de control y está representada
por la pendiente de la característica de transferencia evaluada en el punto de
polarización Q, (Fig.1.12).
∆I CQ  I CQ 
gm = =   (1.26)
∆VBE Q
V
 T 
Electrónica Analógica I

Por razones de simplicidad conviene representar los valores incrementales o


componentes de señal con letras minúsculas, por ejemplo:

ic
∆I C = ic y ∆VBE = vbe ⇒ gm = (1.27)
vbe Q

El mismo análisis en la malla de entrada la corriente total de base se expresa por:

 VBEQ ± ∆VBE  VBEQ ± ∆VBE

I B ≅ I S . e VT  = I e VT e VT
  1 S
23 123
  I BQ 1±
∆VBE
VT

 I BQ 
I B ≅ I BQ ±  .∆VBE = I BQ ± ∆I B (1.28)
V
 T 

La inversa de la constante de proporcionalidad que vincula el valor incremental de la


tensión base-emisor y la respectiva de la corriente de base se denomina impedancia
dinámica de entrada en conexión emisor común, (rbe) y es la inversa del valor de la
pendiente de la característica de entrada en el punto de polarización.

∆VBE VT v
= = be = rd = rbe = hie (1.29)
∆I B Q
I BQ ib

La formula de cálculo del parámetro rbe, se puede expresar en términos de la corriente


de reposo de colector.

VT
rbe = h fe (1.30)
I CQ

De (1.26) y (1.30) se deduce la siguiente relación entre los parámetros definidos.

rbe .g m = h fe

A partir del concepto matemático de valores incrementales de las variables tensión y


corriente, se puede derivar un equivalente circuital para el amplificador valido para estas
componentes y que por tratarse de diferencias de valores totales, estará exento de las
componentes de continua. La figura 1.14, muestra la aplicación de este concepto al
amplificador de Fig.1.13.
Electrónica Analógica I

ic

ib
vce Rc vo
Rb
vi vbe

(a)
ib ic
B C
RB
vi
g m vbe
vbe rbe roe RC

(b)

Fig.1.14

En la Fig.1.14b, se ha remplazado al transistor por su modelo lineal equivalente para


señal débil, en conexión emisor común, donde el diodo base emisor es modelado por la
impedancia dinámica de entrada (rbe) y la salida, por la fuente de corriente controlada
por tensión (ic = gm vbe), con el agregado de su impedancia interna (roe), que tiene en
cuenta la dependencia de la corriente de colector con la tensión VCE, debido al efecto
Early, que se define como impedancia dinámica de salida en la conexión emisor común
y representa la pendiente de las características de salida en el punto de operación en
reposo. Su cálculo resulta bastante sencillo a partir del conocimiento de la tensión del
foco, definida como tensión Early, (VAF) y la posición del punto de reposo. La
construcción gráfica de la figura 1.15 ilustra el cálculo en cuestión.

V AF + VCEQ
roe = (1.31)
I CQ

Fig.1.15
Electrónica Analógica I

Del estudio previo se extrae una conclusión importante y simplificadora del método a
utilizar en la solución de un amplificador lineal, en condiciones de excitación con señal
débil y se refiere a que el análisis para las componentes de continua y alterna se puede
efectuar separadamente, en ese orden y luego superponer sus efectos. Se justifica este
procedimiento a partir de las ecuaciones (1.32) y (1.33) que se deducen en el siguiente
análisis desde la Fig.1.16, que repite el circuito de Fig.1.13b superponiendo los efectos
de ambas componente.

I B = I BQ + ib I C = I CQ + ic
B C
RB VCE RC
vi
I CQ g m vbe
vbe rbe roe
VBEQ
E

Fig.1.16

La ecuación de equilibrio de tensiones de la malla de entrada resulta, considerando


ambas componentes:

VBB + vi = I B .Rb + VBEQ + vbe = I BQ .Rb + ib .Rb + VBEQ + vbe

Remplazando en la anterior (IBQ) por su equivalente (ICQ /hFE) y haciendo, Rb / hFE= R´b

VBB + vi = I BQ .Rb' + ib .Rb + VBEQ + vbe +

Descomponiendo las ecuaciones de equilibrio en continua, y alterna:

VBEQ = VBB - ( I CQ Rb' ) (a)


144424443
(
vbe = vi - ic Rb' (b)
1442443
) (1.32)
RECTA DE POLARIZACIÓN RECTA DE CA

La ecuación (1.32a), denominada de polarización, trazada sobre la característica de


transferencia define el punto de reposo Q, o asumiendo un valor aproximado de 0.7V,
resuelve por si sola el valor de ICQ. La (b) se denomina de corriente alterna, en
condiciones de señal pasivada (vi = 0), define la misma recta anterior pero en un sistema
de referencia centrado en el punto Q. La figura 1.17a ilustra el análisis.
Procediendo de idéntica manera en la malla de salida se obtiene:

VCE = VCC - I C RC

VCEQ + v ce = Vcc - I CQ RC − iC RC

Finalmente separando las ecuaciones de continua y alterna

VCEQ = Vcc - (I CQ RC ) (a) v ce = - ( ic RC ) (b) (1.33)


1444 424444 3 1442443
RECTA DE CARGA DE CC RECTA DE CARGA DE CA
Electrónica Analógica I

La ecuación (1.33a), trazada sobre las características de salida de emisor común (IC,VCE)
define la recta de carga de corriente continua y la (b), la de alterna referenciada al punto
Q, (Fig.1.17b). Si bien en el circuito de referencia las rectas de carga de continua y
alterna coinciden, no será así cuando se incluyan elementos reactivos en este, debido a
que las impedancias vistas por ambas componentes no serán las mismas.

Fig.1.17.

1.5 Técnicas de Polarización del Transistor Bipolar.

La alinealidad inherente de las características tensión corriente del transistor bipolar


hace que la mayoría de los parámetros que definen los modelos matemáticos y eléctricos
varíen sus magnitudes punto a punto dentro de la zona de operación lineal y aún en un
mismo punto con las variaciones de temperatura de la junta. Por ejemplo, el parámetro
hFE, además de ser fuertemente dependiente de la corriente de colector presenta una
gran dispersión de valores aún en componentes de una misma familia de transistores
(Ej.200%).
Debido a esto y otras causas que generan corrimientos indeseados del punto de
operación en reposo se recurren a técnicas de polarización que permitan definir su
posición con un grado razonable de certeza o invariancia. Desde este punto de vista se
puede demostrar fácilmente que la red de polarización de la junta base emisor utilizada
en los circuitos precedentes, (VBB y Rb), si bien es aplicable no satisface aquel requisito.
En efecto como se ve en la ecuación de equilibrio de tensiones de la malla de entrada,
(1.32a; Recta de polarización), la corriente de colector es función directa del parámetro
hFE.

VBB - VBBQ VBB - VBBQ


I CQ = hFE . =
Rb Rb / hFE

La figura 1.18, ilustra a través de la característica de transferencia, el caso en que una


misma red polarice a dos transistores de una misma familia pero diversas en parámetros
y temperatura de junta. La dispersión ∆ICQ puede llegar a sacar al transistor de mayor
ganancia y temperatura de zona lineal. En los términos gráficos de la figura se desprende
que el motivo relevante de tal dispersión es la dependencia directa de la pendiente de la
recta de polarización del parámetro hFE.
Electrónica Analógica I

Fig.1.18

En amplificadores discretos la solución generalmente adoptada para evitar dicha


dependencia, es la conexión de una resistencia en serie con el emisor (Fig1.19).

Fig.1.19

El efecto compensador de esta se deduce a partir de la nueva condición de equilibrio de


tensiones de la malla de entrada.

VBB = I BQ .Rb + VBEQ + I EQ .Re

Asumiendo IE = IC, se obtiene

(VBB − VBEQ )
I CQ = (1.34 )
 Rb 
 + Re 
h 
 fe 
Si en la anterior se cumple que:

Rb
Re >> (1.35)
h fe min
Se reducirá el efecto de las variaciones del parámetro en cuestión, permitiendo
aproximar el valor de la corriente de colector por la siguiente expresión.

(VBB − VBEQ )
I CQ ≅ (1.36)
Re
Electrónica Analógica I

El criterio dado por (1.35), denominado de estabilidad de la corriente de colector, tiene


otra consecuencia simplificadora en los métodos de análisis de la condiciones de
polarización del transistor. En efecto la independencia que genera del parámetro hFE,
implica hacerlo de las paramétricas respectivas en el gráfico de las características de
salida, permitiendo considerar en este, solo los límites de operación lineal, rectas de
carga y cotas relevantes.
La red de polarización del circuito de Fig.1.19, presenta aún otro inconveniente que es
de tipo tecnológico y se refiere a la necesitad de utilizar dos fuentes de tensión, la de
polarización del diodo base emisor y la respectiva de colector, (VCC y VBB), esto
generalmente es una complicación importante que no obstante tiene una solución
simple. En efecto, debido a que ambas son de idéntica polaridad respecto de tierra y que
el nivel de tensión requerido de VBB es generalmente menor que el respectivo de
colector, es posible derivar aquella, desde la de colector (VCC), vía divisor resistivo,
según se propone en la figura 1.20, donde el circuito VBB y Rb original son ejecutados
por el equivalente de Thevenin respectivo.

 V .R 
VBB = Vth =  CC 1  y Rb = Rth = R1 // R2 (1.37)
 R1 + R2 

Fig.1.20

Diseño de la Red de Polarización.

El diseño de la red de polarización expuesta, implica el cálculo de Re, R1 y R2 para


ubicar el punto de reposo Q en una posición de operación, generalmente recomendada
en la hoja de datos del transistor o cualquier otra elegida por razones de conveniencia.
El procedimiento de diseño es generalmente del tipo iterativo y utiliza todos los criterios
que permitan simplificar cálculos hasta obtener números que aproximen en primer
orden el resultado, luego un análisis tomando en cuenta efectos secundarios podrán
convalidarlo o no El primer elemento a seleccionar será la resistencia de emisor, cuyo
valor puede ser determinado por aplicación de un criterio muy simple que propone que
la componente de continua ICQ, produzca en ella una diferencia de potencial que sea
una fracción de VCC, valor este que en amplificación de bajo nivel (Ej Frecuente:
Preamplificadores), puede ser un 10 a 30% de VCC, valores que se reducen en las pocas
aplicaciones de potencia que tiene esta etapa. El cálculo Rb se hace a partir del criterio
de estabilidad, (1.35), donde una relación mayor o igual a 10 veces entre ambos
miembros, permite obtener resultados razonables. La tensión polarización de base (VBB),
se obtiene de (1.3.3)

VBB ≅ VBEQ + I CQ .Re


Electrónica Analógica I

Finalmente, Rb y VBB, serán los datos de entrada para el cálculo de R1 y R2.

La técnica de polarización descrita es la más utilizada en amplificadores discretos


debido que permite coordinar con relativa simplicidad requerimientos de ubicación y
estabilidad del punto de reposo (Q), no obstante existen aplicaciones donde las
prioridades son tales que requieran valores elevados de Rb, (Penalizando estabilidad).
Bajo esta premisa se puede deducir que a igualdad de requerimientos de ubicación del
punto de reposo, elevar Rb implica hacerlo en el mismo sentido con VBB, proceso que en
el límite hace que VBB=VCC. Esta solución arrojaría el máximo obtenible para Rb. Esta
técnica denominada por inyección de base, esta expuesta en la Fig.1.21. Nótese que a la
inversa de la anterior, aquí el valor fijado a priori es VBB, (en el caso anterior fue Rb),
por lo que resulta un único valor de Rb para ajustar el requerimiento de polarización
desde la expresión (1.34).

Rb
V BB = VCC = I CQ + V BEQ + I CQ . Re
hFE

Fig.1.21

1.6 Capacidad de Desacople de Re.

El efecto estabilizante de la resistencia de emisor es tal que reducirá las variaciones de la


corriente de colector, no únicamente debido a la dispersión de parámetros y/o
temperatura, sino frente a cualquier otro factor que pretenda hacerlo, incluso la
aplicación de señal a la entrada, esto último inexorablemente se traducirá en reducción
de la ganancia del amplificador, que por supuesto no es deseable,.En consecuencia dicha
resistencia debería ser transparente a las componentes de señal y la forma de hacerlo es
generando para estas un camino alternativo de baja impedancia con un capacitor
conectado en paralelo con la resistencia Re. El capacitor debe ser calculado para que
represente un cortocircuito efectivo a la frecuencia de la señal, con este sentido se
asume CE = ∞, en la Fig.1.22.
Electrónica Analógica I

Fig.1.22

A partir del agregado del capacitor de emisor, las componentes resistivas vistas por las
corrientes polarizantes y de señal en la malla de salida serán diferentes, hecho que se
traducirá en cambio de las pendientes de las rectas de carga respectivas. La Fig.1.23
ilustra el comentario mostrando en (a) y (b) los circuitos vistos por ambas componentes
y en (c) las rectas de carga correspondientes, cuyas ecuaciones se derivan a
continuación.
Para la recta de carga de continua es:

VCEQ = VCC − I CQ .( Rc + Re ) = VCC − I CQ .Rcc (1.38)

Siendo, RCC la componente resistiva vista por la componente de continua de la corriente


de colector.
Para la componente de alterna la ecuación de la recta de carga referida a un sistema
cartesiano centrado en el punto Q, resulta:

vce = −ic .Rc = −ic .Rca (1.39)


Rca es la componente resistiva vista por la componente de alterna.

(a) (b) (c)

Fig.1.23
Electrónica Analógica I

Es importante expresar (1.39), en el sistema referencial de valores totales. Esto se puede


hacer de dos maneras, la primera y obvia, es efectuando el cambio de coordenadas
siguiente
I C = I CQ + ic ⇒ ic = I C − I CQ
VCE = VCEQ + vce ⇒ vce = VCE − VCEQ

No obstante se sugiere al estudiante, llegar a aquella aplicando LKV, a la malla de salida


del circuito de figura 15a, en términos de los valores totales, esto es considerando
simultáneamente la presencia de ambas componentes.

VCC = I C .Rc + VCE + I CQ .Re ⇒ VCE = (VCC − I CQ .Re ) − I C .Rc = VCCeq − I C .Rca (1.40)

Se puede observar que la anterior presenta la misma pendiente (-1/Rca), que (1.39).

Fig.1.24

En referencia a la figura 1.24, debido a la aplicación de señal, el punto de operación del


transistor excursionará sobre la recta de carga de CA a partir del punto de reposo (Q),
denominándose excursión positiva (ic+) a la que realiza en sentido de corriente máxima
de colector y excursión negativa, (ic-) a la de sentido contrario. Si el punto de operación
excursiona en zona de saturación o de corte, se producirá distorsión de la forma de onda
de corriente de colector (Distorsión armónica), evidenciando fuertemente la
característica no lineal del dispositivo. Esto muestra la figura anterior para el caso
senoidal, el redondeo de la cresta positiva debido a la saturación y el recorte de la cresta
negativa producido por corte.

1.7 Máximas Excursiones Permitidas de Corriente de Colector.

En referencia a la Fig.1.24, se define como máxima excursión permitida de la corriente


de colector en operación clase A, aquella que no produce ninguna de las dos
distorsiones mostradas allí (saturación o corte). Así, si el punto de operación en reposo
es tal que hace ic+, diferente de ic--, la máxima permitida será la menor de las dos, es
posible además intuir, que habrá una posición del punto de reposo que las hará iguales
maximizando la excursión. Esta última condición puede ser fácilmente deducida de
Electrónica Analógica I

Fig.1.24, analizando el triángulo formado por la recta de carga de corriente alterna y los
ejes de la gráfica.
En efecto para satisfacer el requerimiento propuesto se debe cumplir que:

1 1 (V − VCESat ) 1 (VCC − I CQ . Re − VCESat )


ic+ = ic− = I CQ = .I ´C max = . CCeq = . (1.41)
2 2 Rca 2 Rca

De esta última se deduce que la posición del punto Q, debe satisfacer la siguiente
expresión:

(VCC − VCESat )
I CQ = (1.42)
(2.Rca + Re )

Recordando que en el circuito que se analiza es:

Rca = Rc y Rcc = Rc + Re

La anterior se puede expresar en una forma compacta y generalizada para otras


configuraciones amplificadoras según la siguiente expresión

(VCC − VCESat )
I CQ = (1.43)
( Rca + Rcc )

1.8 Capacidades de Acoplamiento

Es frecuente aislar las condiciones de continua del amplificador, de las de la carga y


fuente de señal, ello se consigue acoplando ambas, capacitiva o inductivamente. La
Fig.1.25a muestra la solución con acoplamiento capacitivo, mientras (b) muestra el
circuito visto por las componentes de alterna, (Circuito incremental).

(a) (b)
Fig.1.25
Electrónica Analógica I

Obviamente la introducción de los capacitores de acoplamiento en el circuito, no


modifican las condiciones de CC, manteniéndose las soluciones analíticas y gráficas
vistas. En cambio, es diferente el caso de la componente de alterna. En efecto en estas
condiciones el transistor ve en la malla de salida la impedancia Rca=Rc//RL y la
ecuación de equilibrio de tensiones respectiva es la siguiente:

vce = −ic .( Rc // RL )
1424 3
R ca

La anterior referida a los valores totales (IC-VCE), tiene la misma forma matemática
compacta que (1.40), es decir:

VCE = VCCeq − I C .Rca

Donde:
 R .R 
VCCeq = VCC − I CQ .( Rc + Re ) + I CQ . c L  = VCC − I CQ .( Rcc − Rca ) (1.44)
 Rc + RL 

El estudiante puede demostrar a partir de Fig17a, que la expresión (1.43), que da la


posición del punto de reposo que maximiza la excursión de corriente de colector sin
distorsión excesiva, sigue siendo vigente tomando el nuevo valor de Rca = Rc//RL.

Clases de Operación del Amplificador.

Una característica importante en los amplificadores es la referida al rendimiento de la


etapa. Esta se define por la relación de la potencia media desarrollada por las
componentes de alterna sobre la carga (Potencia útil), y la total suministrada por la
fuente de alimentación. Desde este punto de vista el amplificador analizado
previamente tiene un rendimiento muy bajo y por ello es muy poco utilizado en
amplificación de potencia. Para estas aplicaciones se han desarrollado otros tipos que
mejoran substancialmente el rendimiento sacrificando ganancia y linealidad. La
característica básica que diferencia a los diferentes tipos de los amplificadores desde el
punto de vista del rendimiento es la condición de polarización de la junta base emisor y
eso lleva a definir diferentes clases de operación como lo muestra la figura 1.26,
mediante la recta de polarización respectiva. Así, se define por operación Clase A,
aquella en la que el punto de operación (Q) permanece en zona activa lineal durante el
ciclo completo de excitación de la señal de entrada, esto es que el ángulo de conducción
del transistor es de 360o eléctricos, de manera que en términos ideales no se produce
ninguna de las distorsiones mostradas en figura 17 (Saturación o corte). Esta clase de
operación tiene un rendimiento teórico máximo del 25%, aunque un valor práctico
típico es del orden del 8%.
Operación Clase B es aquella en que el transistor está polarizado justo al corte, es decir
con ICQ = 0, tal que el punto de operación permanece en zona lineal durante solo uno de
los semiciclos de la señal de entrada, (Fig.18b), en este modo el ángulo de conducción
es de 180o eléctricos, permaneciendo en corte el otro medio ciclo. Obviamente se
produce distorsión, no obstante se puede recuperar la réplica de la señal de entrada
Electrónica Analógica I

amplificada mediante configuraciones especiales, por ejemplo el amplificador de


simetría complementaria. El rendimiento práctico que se logra en esta clase de
operación es del orden del 60%.
El transistor opera en Clase C cuando la junta base - emisor está inversamente
polarizada, de modo que el punto de operación permanece en zona lineal durante una
fracción del medio ciclo de señal de entrada, con ángulo de conducción del transistor
inferior a 180 grados eléctricos (Fig.18c). En este caso la recuperación de la señal de
entrada amplificada es mediante filtrado,(Amplificadores sintonizados de aplicación en
radiofrecuencias). El rendimiento teórico máximo de esta clase es del 100%. En todos
estos casos la información a amplificar está contenida en la amplitud y frecuencia, no
obstante existen otros modos de alto rendimiento, por ejemplo el caso donde el
transistor opera en corte o saturación, (Clase D), En esta clase, la información está en el
tiempo en que permanece en cada uno de esos estados, (Codificación).
En la sección siguiente se analizarán en detalle las relaciones de potencia en el
amplificador clase A.

Fig.1.26

1.9 Relaciones de Potencia en el Amplificador Clase A.

En la sección anterior fueron definidas las clases de operación de un amplificador lineal


donde se analizaron aspectos generales relacionados con el rendimiento y se remarcó
que la operación clase A, es el más pobre en este aspecto. Por ello es que el campo
privilegiado de aplicaciones en esta clase es la de amplificación de bajo nivel, donde se
priorizan características tales como ganancia, linealidad y ancho de banda de
transmisión, con potencias desarrolladas que generalmente no superan la decenas de
miliwatios
En estas aplicaciones las relaciones de potencia que interesan son las desarrolladas en
los circuitos que involucran únicamente a los terminales de colector y emisor puesto que
la asociada a los terminales C-B es despreciable, debido a que esta junta está polarizada
inversamente y si bien la de B-E, tiene polarización directa, las variables corriente y
Electrónica Analógica I

tensión asociadas no toman valores relevantes, en cambio la situación en los terminales


de C-E, son muy diferentes debido al efecto transistor.
El análisis se efectuará sobre el circuito básico de Fig.1.27 en el que se supondrá
además, nula a la tensión de saturación (VCESat), del transistor.

Fig.1.27

Recordando que la potencia media desarrollada en un componente eléctrico de dos


terminales se define por la siguiente expresión

1 T
T ∫0
Pav = V (t ).I (t ).dt (1.45)

Donde V(t) e I(t) son las variables eléctricas en los terminales del dispositivo, que en el
caso particular de los amplificadores cada una de estas tendrá en general dos
componentes, la polarizante de frecuencia cero y la otra variable en el tiempo que en
este análisis será considerada de forma de onda senoidal.

V (t ) = VQ + v(t ) = VQ + vˆ.sen(ω.t )
(1.46)
I (t ) = I Q + i (t ) = I Q + iˆ.sen(ω.t )

Las relaciones buscadas se encuentran aplicando estos conceptos a cada uno de los
elementos de la malla de salida.
Considerando la fuente de alimentación VCC ideal, la componente de tensión variable
v(t), será nula y la potencia media suministrada resultará.

V (t ) = VCC ; I CC = I CQ + iˆc .Sen(ω.t )

Luego

1 T 1 T
Pcc = ∫ V (t )I (t )dt = ∫ (VCC )(I CQ + iˆc .Sen(ω .t ) ).d (ω .t )
T 0 T 0
Electrónica Analógica I

VCC .I CQ T VCC T ˆ
= .∫ dt + .∫ ic .Sen(ω.t ).d (ω.t ) = VCC .I CQ (1.47)
T 0 T 1 0
44424443
0

Este resultado pudo ser previsto desde el concepto clásico de redes lineales que dice,
que ningún generador de tensión puede absorber o suministrar energía con componentes
de corriente de diferente frecuencia que la de su propia tensión.
La potencia desarrollada en la resistencia de carga (RL= Rc), es a partir que las
componentes tensión – corriente, respectivas.

V (t ) = VQ + v(t ) = RL .I CQ + vl .Sen(ω.t ) = RL .I CQ + ic (t ).RL


I (t ) = I Q + i (t ) = I CQ + ic .Sen(ω.t )

1
∫ (R .I )
T
PL = L
2
CQ + RL .ic2 (t ) .dt = RL .I CQ
2 2
+ I crms .RL = PLQ + PLca (1.48)
T 0

Para forma de onda senoidal la potencia de señal queda en términos del valor pico según
la siguiente expresión:

Iˆc2
PLCA = .RL (1.49)
2
Como no podría ser de otra manera la potencia útil, (de señal) en la carga, será máxima
cuando lo sea la cresta respectiva de corriente de colector.
Finalmente la potencia disipada en el transistor denominada de colector (PC), se puede
evaluar por balance de las mismas en la malla analizada.

PC = PCC − PL = PCC − ( PLQ + PLca ) (1.50)

De lo expuesto se puede extraer la siguiente conclusión y se refiere a la condición de


operación que hace máxima la disipación de potencia en el transistor. En efecto, en
virtud de (1.50), aquella se producirá cuando el sustraendo sea mínimo, es decir cuando
no hay señal aplicada (PLca= 0). En estas condiciones el transistor opera en el punto Q y
la potencia media se puede expresar por el producto de sus coordenadas.

PC max = VCEQ .I CQ (1.51)

El rendimiento o eficiencia de la etapa, definido como la relación de la potencia útil y la


total suministrada por la fuente de alimentación es:

Putil PLca Iˆc2 RL


η= = = (1.52)
Pcc Pcc 2.VCC .I CQ
La eficiencia teórica máxima se produce en la siguiente condición de polarización.
(Admitiendo VCEsat= 0)
Electrónica Analógica I

V
iˆc+ = iˆc− = I CQ = CC
2 RL
Finalmente relacionando las anteriores se obtiene:

ηmax = 0.25 ⇒ η max % = 25 %

El estudiante puede intuir que en el caso práctico, el rendimiento efectivo de una etapa
elaborada, debe ser bastante menor, debido a la reducción de la cresta de corriente
permitida por efecto de la saturación, la disipación adicional de potencia de continua
producida por la resistencia de estabilización de emisor y la reducción adicional de
corriente en la carga cuando esta es acoplada capacitivamente al colector.

1.10. Modos de Operación del BJT como Amplificador Clase


A.

Según sea el modo en que el generador de señal produzca la variación de tensión base-
emisor (vbe) para generar la respectiva corriente amplificada a la salida (ic), será el tipo
de configuración lograda.
En efecto, en los circuitos de Fig. 1.14 y en sus derivados, se observa que el terminal de
emisor esta a un potencial fijo (tierra), para la componente de alterna, en consecuencia
el generador de señal variará únicamente la tensión del terminal de base.

vbe = vb
Este modo de operar se denomina de Emisor Común.

En cambio, como muestra la Fig.1.28, el terminal de base se fija a un potencial (Ej 0V


en el esquema) y el generador de señal deberá excitar el de emisor, resultando la
configuración de Base Común.

vbe = −ve = vin

Fig.1.28

Finalmente si la resistencia de carga se conecta en serie con el emisor tomando la salida


desde este terminal y excitando el de base (Fig.1.29), la junta de entrada queda
doblemente excitada. Tal que:
Electrónica Analógica I

vb = vin y ve = ie .Re = vo ⇒ vbe = vin − vo ⇒ vin ≅ ve = vo

Este modo de operación se denomina Colector Común o Seguidor de Tensión.


Significando con ello que la tensión de salida sigue aproximadamente, en módulo y fase
a la de entrada.

Fig.1.29

No obstante el efecto transistor se manifiesta de la misma manera en cualquiera de las


configuraciones vistas, las características particulares del amplificador resultante son
bastantes diferentes. Esto se analizará con más detalles en las secciones siguientes.

Amplificador de Emisor Común.

El análisis de las características amplificadoras de esta configuración se puede realizar a


partir del circuito de Fig.1.25a, donde la impedancia de carga es acoplada
capacitivamente al colector. La Fig.1.30 muestra el esquema lineal incremental
respectivo. Las relaciones que definen el comportamiento del amplificador, son en
términos generales la ganancia de tensión o de corriente, de potencia y los niveles de
impedancia que se ven en diferentes secciones del circuito, por caso las indicadas en la
figura de referencia que se corresponden con la que carga a la red de excitación y la
vista por la impedancia de carga.

(a) (b)
Fig.1.30

La ganancia de tensión (vo/vi), se deduce de (b) por simple inspección, resultando la


siguiente expresión

vo  vo   vbe     Rb//r 
Av = =  .  =  − g m .ro // Rc // RL . be

vi  vbe   vi   1 2 3  r + Rb//r
 RO  i be 
Electrónica Analógica I

En la anterior la impedancia de salida del transistor ro generalmente es bastante mayor


que sus adyacentes, si además la red de excitación se aproxime a un generador de
tensión ideal ri → 0 y Ro << ro, la ganancia se maximiza resultando.

Av max ≈ (− g m .RL ) (1.52)

Teniendo presente la fórmula de cálculo de la transconductancia, la anterior puede


expresarse según la siguiente:

 I CQ 
Av ≅  − .(RL ) (1.53)
 VT 
La ganancia de corriente (io/iin) resulta:

io  io   vbe   ro //RC 
Ai = =  .  =  - g m .  . (rbe // Rb )
ii  vbe   ii   RL + ro // RC 
En la anterior si se cumple que el divisor de corriente a la salida tienda a uno y a la
entrada sea Rb>> rbe, la ganancia de corriente se hace máxima (1.54). Debe observarse
que esta última exigencia se contrapone a la que establece el criterio de estabilidad del
punto de reposo, que sugiere valores de Rb, lo más bajos posibles.

Aimáx = (− g m .rbe ) = −h fe (1.54)

La ganancia máxima de potencia pico, derivada de (1.8.1) y (1.8.4) es:

Po
APmáx = = g m . h fe .RL (1.55)
Pi

Las impedancias vistas desde la base del transistor y por el generador de señal real
resultan respectivamente

V 
Z ' = rbe =  T .h fe (1.56)
I 
 CQ 
Z i = rbe // Rb (1.57)
La vista por la carga.

Z O = ro // RC ≈ RC

Conexión Colector Común.

En este modo de operación la señal de salida es tomada del emisor. En consecuencia el


circuito asociado a este terminal será el de carga y el de colector generalmente queda
Electrónica Analógica I

descargado (Rc= 0). La optimización de las características funcionales dinámicas que


tiene esta configuración exigen un valor elevado de Rb, por ello las realizaciones
discretas generalmente utilizan polarización por inyección de base, como es el caso del
esquema siguiente.

VCC

Rb Ic
Zi Z i´ ib ic
ri ri vb ve
C →∞
ie
vi vo h feib
Re Rb Re
vo

(a) (b)
Fig.1.31

El análisis dinámico respectivo, se realiza remplazando el transistor por el modelo


lineal equivalente utilizado en la conexión emisor común, en el que por razones de
conveniencia se utiliza la fuente controlada por corriente (hfe ib), además de suponer su
impedancia interna infinita (roe). De la figura de referencia se obtiene la ganancia de
tensión (v0/vin), según muestran las siguientes relaciones:

ve = v0 = ie Re = (ib + ib .h fe ).Re = ib .(1 + h fe ) Re = ib .R´e (1.58)

Donde: R´e = Re (1 + h fe )
Además

(v b − v 0 )
ib =
rbe

Relacionando las anteriores se obtiene:

R´e
vo = ve = v b (1.59)
(rbe + R´e )

Debido a que generalmente se cumple que R´e >> rbe , la ganancia de tensión de emisor
a base es prácticamente la unidad.

vb ≅ ve = v 0

La tensión puesta en la base por el generador de señal será:


Electrónica Analógica I

R b //R´e
vb = vin (1.60)
(R b //R´e ) + r i

Si la impedancia interna del generador (ri), es bastante menor que sus adyacentes, de la
anterior se deduce la siguiente conclusión

vb ≅ vin ≅ vo ⇒ Av ≅ 1
.
El cálculo de impedancias de entrada (fig22b), arroja los siguientes resultados

vb vin vin
Z ´i = ≅ =
ib ib (v b − v 0 )
rbe
Relacionando esta última con las anteriores se obtiene

Z ´i = rbe + R´e ≅ R´e (1.61)

Finalmente la impedancia vista por el generador de señal real será:

vin
Zi = = Rb // Z´i (1.62)
iin

En el análisis precedente se ha utilizado tácitamente el concepto denominado reflexión,


de frecuente aplicación en el modelado de circuitos con transistores por su carácter
simplificador del proceso de análisis. Consiste en la síntesis de un circuito a partir de la
expresión matemática que vincula las variables eléctricas en la sección. En efecto, a
partir de la expresión (1.58), se puede interpretar que la tensión de emisor (v0), es
generada por la corriente de base circulando a través de una resistencia de valor
aparente R’e. Esto interpreta la figura 24a, donde la resistencia real Re aparece con el
valor modificado integrando una malla por la que circula solo la corriente de base y que
a los efectos de calcular el valor de la tensión de señal que llega al emisor es válida, cosa
que no ocurre con los niveles de impedancia o de corriente en este terminal ya que están
modificados respecto de los valores reales. En cambio del lado de base permite efectuar
cálculos de cualquiera de las variables eléctricas, (corrientes, impedancias o tensiones
como lo demuestran las relaciones (1.59) a (1.62), que el alumno puede verificar a partir
de la figura 1.32a y b.

Zi Z i,
rbe
Electrónica Analógica I

(a) (b)
Reflexión a Base

Fig.1.32
De la misma manera en que fue derivado del circuito original,(1.31b), otro equivalente
reflejado a base,(1.32a), es posible hacerlo en sentido inverso, es decir reflejado al
emisor.
En efecto si en 1.32a, se remplaza la red lineal vista desde la base hacia la entrada por su
equivalente de Thévenin, (1.32b), la ecuación de equilibrio de tensiones resulta:

ie
ve = vo = Vth − ib ( Rth + rbe ) = Vth − ( Rth + rbe ) = Vth − ie ( R´th + r´be ) (1.63)
(1 + h fe )
El último término de la expresión anterior permite sintetizar la red de Fig.1.33, en el que
las resistencias R’th y r’be son las del circuito de base reflejadas al emisor.

Rth rbe
R´th = y r´be =
(1 + h fe ) (1 + h fe )
Z o,
zo
R , th vb r , be ve i

vth ie Re vo

Reflexión a Emisor
Fig.1.33
El cálculo de r´be resulta recordando (1.30):

VT 1
r 'be ≈ = (1.64)
I CQ g m
Es obvio que la reflexión de la resistencia de Thévenin implica hacerlo con las que la
definen en el circuito real.

R´th = r´i // R´b


En el circuito reflejado al emisor, del lado de base únicamente, las tensiones coinciden
con la del circuito real a diferencia del asociado al emisor donde todas las variables
eléctricas están en verdadera magnitud, esto permite por ejemplo evaluar fácilmente la
impedancia de salida de esta configuración.

En efecto, asumiendo ri << Rb se obtienen:


Electrónica Analógica I

ve (rbe + ri )
Z ´O = ≅ = r 'be + r 'i
i´ (1 + h fe )
ve
ZO = ≅ (r 'be + r 'i ) // Re ≈ r 'be + r 'i (1.65)
i

Las anteriores muestran impedancia de salida muy baja.


Las propiedades dinámicas que presenta esta configuración, (Ganancia de tensión
cercana a la unidad, alta impedancia de entrada y muy baja impedancia de salida), se
corresponden con lo que genéricamente se denomina amplificador separador, (Buffer),
cuyas características ideales muestra la figura siguiente.

El buffer es utilizado por ejemplo para resolver el problema de alimentar una carga (RL),
con un generador cuya impedancia interna (ri), es de magnitud mayor o parecida,
Fig.1.34, cuyo efecto se nota en (b).

(a) (b)
Fig.1. 34

Conexión Base Común.

Esta configuración tiene propiedades dinámicas diametralmente opuestas al seguidor de


tensión, esto es, elevada ganancia de tensión y unitaria de corriente, impedancia de
entrada muy baja y de salida muy alta.
La figura Fig.26a, muestra la estructura típica de esta conexión, donde la carga es
acoplada capacitivamente al colector y la excitación de la misma manera al emisor. Las
figuras (b) y (c), dan los circuitos vistos por las componentes de corriente continua y
alterna respectivamente.
Electrónica Analógica I

(a) (b) (c)


Fig.1.35

Debido a que son los terminales C-B, los involucrados en la malla de salida,
corresponde hacer el análisis gráfico sobre las características de corriente de colector y
tensión colector base, la gráfica resulta semejante a las de figura 5b pero con el eje de
ordenadas desplazado hacia la derecha una cantidad VBE, ya que la modificación del eje
de abscisas responde a la siguiente ecuación: VCB = VCE –VBE , quedando la zona de
saturación en el segundo cuadrante, además se demostrará oportunamente que las
pendientes de las paramétricas producidas por el efecto de la tensión VCB sobre la
corriente de colector, (Efecto Early) también es modificado.
La Fig.1.36 muestra las características resultantes denominadas de base común sobre la
que se han trazado las rectas de carga de CC y CA, cuyas ecuaciones se deducen de
Fig.1.35 (b) y (c).

Fig.1.36

 R 
VCBQ = (VCC − VBB ) − I CQ .Rc + I BQ .Rb = V 'CC − Rc − b .I CQ ≈ V 'CC − Rcc .I CQ (1.66)
 h fe 

Donde: V ´CC = VCC − VBB y Rcc ≈ Rc ; vcb = −ic .( Rc // R1 ) = −ic .Rca

La ecuación (1.67) referida a los valores totales de las variables tensión - corriente tiene
la forma general siguiente.

VCB = VCCeq − I C .Rca (1.68)


Electrónica Analógica I

Con: VCCeq = V 'CC − I CQ .( Rcc − Rca ) (1.69)

La posición del punto de reposo que maximiza la excursión de la corriente de colector


en la configuración emisor común también lo hace en esta, en consecuencia sigue siendo
válida la deducida en ese apartado, en ella es necesario tener en cuenta que tanto Rcc y
Rca corresponden al circuito de figura 26a, operando en configuración emisor común.

Análisis como Amplificador.

El modelado lineal del transistor en la conexión base común se puede derivar del
utilizado en la conexión emisor común, pero considerando infinita la impedancia interna
de la fuente de corriente controlada (roe), por consideraciones que lo justificaran
posteriormente. La figura 1.37 describe el desarrollo, donde (d) muestra el modelo
buscado en la que para definir r’be se utiliza el concepto de reflexión.
rbe
r´be =
(1 + h fe )

El parámetro r´be se define formalmente como impedancia de entrada del transistor en


conexión base común con la salida en cortocircuito para las componentes de señal.

Q
 ∆V 
rbe′ =  EB 
 ∆I E  ∆VCB = 0

Siendo además igual la inversa de la pendiente de la característica de transferencia en el


punto Q, e igual al parámetro híbrido hib.

1
r´be = hib = (1.70)
gm

ie ic hfe ib = ic
ie

Red vbe Red vbe


Externa vcb Externa rbe ib vcb

(a) (b)
Electrónica Analógica I

Fig.1.37

Finalmente remplazando el transistor en Fig.1.36c, por su modelo y considerando la


impedancia interna del generador (ri), se puede evaluar su comportamiento dinámico.

Ii ie ic io
ri

Re vcb Rc RL
vbe hfe ib
Vi vo
r'be

Fig.1.38
La ganancia de tensión se deduce a partir de la red de salida

v0 = −ie .(Rc // RL ) = - i e Rca (1.71)

vi Re
ie = − .
( ri + Re// r ' be ) (Re + r ' be )

Debido a que r´be << Re, la anterior queda:

vi
ie ≈ −
(ri + r 'be )

Relacionando las anteriores se obtiene

Av max = g m .Rca

Si el amplificador es excitado con generador de tensión ideal (ri → 0), la anterior se


maximiza.

v0 v0 Rca
Av max = = = = g m .Rca (1.73)
vi vbe r 'be

Valor este último, que puede ser bastante grande debido a los diferentes ordenes de
magnitud de ambas resistencias. La (1.73) puede ser expresada en términos de la
transconductancia (gm), repitiendo la expresión general para la ganancia ideal de tensión
de un amplificador con transistor.

Av max = g m .Rca
Electrónica Analógica I

La ganancia de corriente real es obviamente inferior a la unidad debido principalmente


al divisor de corriente de salida (Rc, RL ).

i0 i0 ie Rc Re Rc
Ai = = . = h fb . . ≈
ii ie ii ( Rc + RL ) ( Re + r 'be ) ( Rc + RL )

Obviamente la ganancia de potencia de señal es mayor a uno aunque inferior a la que


daría la misma etapa operando en configuración emisor común

P0 v0 i0 Rc
AP = = . ≈ ( g m .Rca ).
Pi vi ii ( Rc + RL )

La impedancia de entrada vista desde el emisor resulta:


rbe
Z 'i = r 'be = (1.74)
(1 + h fe )

La vista por el generador real será:

Z i = Rb // r 'be ≈ r 'be

La comparación de las anteriores con las homónimas de la configuración colector


común confirma el comentario efectuado, respecto de las propiedades opuestas que
tienen estas dos conexiones.

Cálculo de la Impedancia de Salida (rob ).

En el análisis anterior se despreció en Fig.1.37, la impedancia interna (roe), del


generador controlado de salida, resultando en consecuencia infinita la respectiva del
transistor en configuración base común, se demostrará que en rigor esta es finita pero
elevada, a partir de la figura 1.39b midiendo la impedancia (rob), en la sección indicada
utilizando el generador de excitación testigo v1.

v1
Por definición es: rob =
i1
roe
ie ic ve ie i1
v1
Re
rbe h feib rob
vbe vcb
ib

Fig.1.39

En Fig.30b, se cumplen las siguientes relaciones.


Electrónica Analógica I

v1 − ve Re
i1 = − h fe ib ; v e = i1 ( Re // rbe ) ; ib = i1
roe Re + rbe

A partir de las anteriores se obtiene:

 }→0

 rbe 
 Re ( ) 
 roe Re  v1 v1  Re 
i1 1 + + h fe = ⇒ rob = ≅ roe 1 + h fe  (1.75)
 Re + rbe Re + rbe  roe i1  Re + rbe 
 
 
 

Si Re → ∞ , (Emisor abierto para la componente de señal), la (1.9.12) se transforma en:

1
rob = = roe .(1 + h fe ) (1.76)
hob

El parámetro hob se define formalmente como la admitancia de salida del transistor en la


configuración base común con la entrada (Emisor) en circuito abierto y gráficamente
representa la pendiente de las características de base común (Fig.1.36), medidas en el
punto de reposo.

Q
 ∆I 
hob =  C 
 ∆VCB  ∆I E = 0

Es de notar que en esta configuración el transistor es excitado por emisor, lo que obliga
a que siempre haya alguna resistencia asociada a este terminal, razón por la cual sería
más acertado utilizar para el cálculo de rob la expresión (1.75).
La Fig.1.40 muestra un modelo lineal incremental para bajas frecuencias mas ajustado
para el transistor operando en configuración base común.

vbe
ic ≅ ie = = g mvbe
rbe′
ie ic

vbe rbe′ rob v


cb
Electrónica Analógica I

Fig.1.40

2. Tansistores de Efecto de Campo


2.1. Transistor de Efecto de Campo de Unión

Existen varias tecnologías de transistores de efecto de campo, no obstante las más


difundidas son el de unión, (JFET) y el de compuerta aislada (MOSFET), que igual al
caso bipolar producen transistores de polaridad complementaria.
En esta sección se analizarán las propiedades terminales, (tensión - corriente), del
transistor de efecto de campo de juntura y a partir de ellas las técnicas de polarización
posibles, desarrollando primeros modelos, que permitan cuantificar sus propiedades
amplificadoras.
El JFET, en semejanza al transistor bipolar, esta conformada básicamente por una
doble unión, p-n-p o n-p-n, Fig.2.2.a, no obstante su diferente geometría modifica las
características funcionales. La interpretación estructural bidiodica utilizada para el
transistor bipolar sigue siendo válida con la diferencia que, ambos diodos poseen
iguales características físicas, esto permite intercambiar los terminales de drenador y
surtidor, sin modificaciones funcionales en bajas frecuencias.
La figura 2.1 grafica el comentario y muestra los símbolos utilizados para
representarlos. Los terminales se designan como drenador (D),surtidor (S) y compuerta
(G), equivalentes a C-E-B del transistor bipolar respectivamente.

FET-Canal n.
Fig.2.1
Electrónica Analógica I

El canal está configurado por el material semiconductor que une el terminal de surtidor
y drenador y es el que da la polaridad al transistor, distinguiéndolos en canal n o p,
Fig.2.2.
De la figura 2.2.a se deduce que manteniendo el Terminal de puerta abierto hay
continuidad de portadores mayoritarios negativos en todo el ancho del canal entre
surtidor, (Contacto metálico), semiconductor, (Tipo n) y drenador, (Contacto metálico),
tal que la aplicación de tensión entre aquellos, (VDS o VSD) producirá circulación de
corriente (IDS). En cambio si ambos diodos se polarizan inversa e igualmente, (VGS=
VGD), como lo muestra la figura 2.2b, con las fuentes, VGG y VDD respectivamente, las
zonas del canal cercanas a la puerta se deplexionan, (Se vacía de portadores libres),
disminuyendo el ancho efectivo de la zona poblada de portadores mayoritarios (canal), y
consecuentemente su conductividad. No obstante esta es la manera básica de operación
del FET, que lo muestra como fuente de corriente (IDS), controlada por la tensión de
puerta, a continuación se analizara con más detalle otras particularidades.

G G
Canal
VGS = VDG VDG
+
p p +

S D S D
+ +
p n+ I DS p+ n I DS

VDD
VDD
VDS VDS
(a) (b)
Fig.2.2

Normalmente el transistor opera con polarización inversa constante del diodo G-S,
(VGSQ) y la del (G-D) dependerá de la correspondiente a drenador - surtidor, VDS, en
consecuencia si la polarización inversa de ambos difiere, la zona deplexionada no es
uniforme a lo largo del canal como lo muestra la Fig.2.2.b, sino que será mas profunda
del lado del diodo de mayor tensión inversa. La Fig. 2.3, muestra la conformación del
canal para el caso en que la junta puerta surtidor se polariza con la tensión mas positiva
que normalmente se aplica a los terminales de entrada, VGSQ = 0, y la fuente VDD,
polariza inversamente al diodo puerta drenador, tal que. VDG= VDS= VDD.

I DS
G
VDG
VGS = 0
p+ VDD
S - - - - - D VDS
- - - --- - - -
- - - - -
p+ n+ I DS VGS

VDD

VDS -

(a) (b)
Fig.2.3
Electrónica Analógica I

El incremento de la tensión de la fuente afecta en el mismo sentido a la inversa de la


junta D-G y el área de canal deplexionada, de manera que se reduce la sección
conductora de este, que se interpreta como un aumento de la resistencia efectiva que
presenta el canal a la tensión aplicada, VDS. Este proceso continua con el incremento de
VDG = VDS, hasta que VDG alcanza un valor denominado de extricción, (VDGext = Vpo), a
partir del cual la resistencia que presenta el canal se maximiza y se mantiene
relativamente constante para valores de tensión inversa superiores, aunque por debajo
del de ruptura de junta.
A partir del esquema de Fig.2.3, se pueden relevar las características tensión - corriente
en los terminales de entrada y salida, siendo los primeros puerta-surtidor y los segundos,
drenador-surtidor, denominándose a esta conexión surtidor común, por analogía con la
configuración bipolar respectiva.
Con respecto a las características de entrada se deduce que debido a la polarización
implementada en el diodo G-S, es obvio que por el terminal de puerta solo circulará
corriente de saturación inversa, especificada como IGSS, que será considerada nula en el
siguiente análisis. Las características de salida, se obtienen una vez fijado el valor de
polarización de compuerta, midiendo la corriente de salida IDS, según varia la tensión
drenador – surtidor, (VDD = VDS > 0). En el esquema de referencia de la Fig.2.3, es
VGSQ= 0, en estas condiciones resulta la tensión de polarización inversa del diodo
puerta-drenador, igual a la de drenador-surtidor, VDG = VDS = VDD.
La gráfica en cuestión, presenta tres zonas bien definidas, la primera denominada lineal
u ohmica a corriente creciente con la tensión, hasta que el canal estricciona, VDS =VDG=
VPO, la siguiente denominada de saturación de canal (VDS ≥ VPO), en la que la corriente
IDS, se mantiene relativamente constante para valores crecientes de tensión de drenador,
hasta la ruptura inversa del diodo G-D.

Fig.2.4

Zona Ohmica.

Para pequeños valores de VDS, la característica muestra proporcionalidad entre tensión y


corriente, según lo indica la expresión siguiente:
Electrónica Analógica I

 1 
I DS ≅  VDS para VDS << V p 0 (2.1)
 rdson 
En la anterior la resistencia tiene las siguientes dependencias.

1
rdson = (2.2)
2.K P .(V p 0 + VGS )

KP → Constante dependiente de las dimensiones y material del canal.

VPO → Tensión de codo de la paramétrica ya definida como de estricción o saturación


de canal para VGS = 0.
Lo descrito ocurre en un rango de tensiones VDS, de aproximadamente 300mV, incluso
para valores del mismo orden negativos (± 300mV), debido a las características de
reversibilidad de los terminales de drenador y surtidor. Esto se muestra en la Figura 2.5a
en forma ampliada, y la (b) modela al transistor como una resistencia controlada por la
tensión de polarización, (VGS).

(a)

(b)

Modelo Lineal

Fig.2.5.
Electrónica Analógica I

Para valores superiores de tensión drenador - surtidor y hasta el valor de la de codo, no


se puede obviar el carácter cuadrático que muestra la figura 2.4, que responde a la
relación siguiente:

V 2 
I DS =  DS − K PVDS  para VDS ≤ V p 0 (2.3)
r
 dson 

A partir de, VDS =VDG = VPO, la corriente de drenador se estabiliza con un valor que
resulta relacionando esta última con (2.2).

V =V 2 2
I DS VDS =0 PO = I DSS = K PV
. DS = K P V
. p0 ( 2.4)
GS

Este es el valor máximo de corriente que puede suministrar el transistor y en


consecuencia parámetro de selección del mismo.

A partir de (2.3), se define a la constante KP como:

I DSS
K P= ( 2.5)
V p20

Con tensiones de polarización VGS más negativas, la resistencia rdson aumenta, (2.2). En
consecuencia la pendiente del primer tramo de la paramétrica será menor llegando a la
estricción del canal con valores mas chicos de corriente y tensión (IDS , VDS). En efecto
teniendo presente que:

VDS Estricción
= VDG Estricción
+ VGS = VPO + VGS = VP (2.6)

Como VGS es un número negativo, el codo respectivo se produce a una tensión VDS
menor simbolizada genéricamente por VP. Además la corriente de saturación respectiva
resulta a partir de (2.4) y (2.6).

2
 V 
I DS = I DSS .1 + GS  ( 2 .7 )
 VPO 

Zona de Saturación.

La expresión (2.7), se denomina relación de transferencia y es equivalente a la (1.20)


del transistor bipolar. Al igual que allí sobre la grafica respectiva, se pueden analizar las
condiciones de operación en continua del dispositivo mediante la recta de polarización.
Electrónica Analógica I

(a)
Características de Salida

(b)
Características de Transferencia

Fig.2.6

A partir de la estricción el transistor se comporta como una fuente de corriente


controlada por tensión y no obstante la (2.7), no acusa dependencia de la corriente
respecto de la tensión VDS, esta existe por un fenómeno similar al efecto Early del
transistor bipolar, mostrando en consecuencia a las paramétricas con pendiente positiva
en la zona de saturación, que evidencia una resistencia, (rds), asociada al generador de
corriente controlado de salida. Este puede ser evaluado de manera semejante al caso
bipolar, (Fig.9c), a partir de la tensión de foco respectiva (VM).

VM + VDSQ
rds = (2.8)
I DQ
Electrónica Analógica I

Las características de transferencia y de salida mostradas en Fig.2.6, son publicadas en


hojas de datos del dispositivo y a diferencia del caso bipolar son utilizadas para cálculos
manuales gráficos, debido a que en el FET, no son tan dispersas. Nótese que la zona de
saturación queda definida a la izquierda por la parabólica con vértice en el origen de
coordenadas cuya ecuación esta dada por (2.4) y teniendo presente que:
VDSextric= VP= Vpo+VGS y (2.7), responde a la siguiente expresión:

I DSS 2
I DS = 2
V DS
V PO

De igual manera a derecha con la misma ley y vértice en VDS =VBRO -VPO.
Donde VBRO es la tensión de ruptura inversa del diodo G-D.

Modelo Lineal del F.E.T.

El transistor puede operar en zona de saturación como amplificador lineal y modelado


como tal, a partir de restringir las excursiones de las variables respectivas en torno al
punto de reposo.
La Fig.2.7a muestra al amplificador de Fig.2.2, con el agregado de una resistencia RG en
serie con el generador VGG, para evitar que la señal aplicada (vi), sea cortocircuitada por
aquel, su valor debe ser lo más elevado posible de manera de no reducir sensiblemente
la alta impedancia que muestra naturalmente el transistor a la entrada. La Fig.2.7b,
muestra un modelo lineal incremental para bajas frecuencias, que es utilizado cuando el
amplificador es excitado con un generador de señal de amplitud vi << VGG.

VDD

RD I DS

vo
VDS i ds
vin RG VGS

vgs rds vds


VGG g m v gs

Amplificador Modelo lineal


(a) (b)
Fig.2.7

El modelo respectivo resulta más sencillo que el caso bipolar, debido a que desde los
terminales de entrada, (G-S), se comporta como un circuito abierto. A la salida y
Electrónica Analógica I

operando en zona de saturación, lo hará como un generador de corriente real controlado


por el valor incremental de la tensión, VGS, (∆VGS= vgs). La relación matemática
vinculante se puede obtener desarrollando la de transferencia en torno al punto de
reposo para pequeñas variaciones de las variables.

 644744 gm
8
 VGSQ ± ∆VGS   2
 VGSQ 
2
2 I DSS  VGSQ  
I DS = I DSS 1 + 
 ≅ I DSS 1 +  ± ∆VGS 1 +  (2.9)
 V po    VPO  V PO  VPO  
 144I2443 144424443 
 DSQ ∆I DS = gm ∆VGS 
∆VGS → 0

La anterior muestra proporcionalidad entre los valores incrementales de la corriente de


drenador y la tensión de control a través del parámetro gm, (Transconductancia).

∆I DS = g m ∆VGS ⇒ ids = g m v gs
Relacionando el valor de gm mostrado en (2.9) con (2.7) se deduce una expresión más
simple para su cálculo.

2
gm Q = I DSQ .I DSS (2.10)
VPO

A partir del modelo mostrado en Fig.2.7.b, se pueden definir formalmente los


parámetros involucrados. Así la transconductancia mide el valor incremental de la
corriente de drenador por unidad de variación de la respectiva tensión de control, con los
terminales de salida en cortocircuito efectivo para la componente vds.

Q
 ∆I 
g m =  DS  (2.11)
 ∆VGS  ∆VDS =0

Gráficamente es la pendiente de la característica de transferencia en el punto de


operación en reposo (Q).
De igual manera la resistencia de salida rds, mide la variación de corriente de drenador
producida por unidad de la respectiva tensión de salida (VDS), con VGS = Cte =VGSQ.
Esto último implica que la excitación debe ser pasivada, (vin = 0 ⇒ vgs = 0).

Q
 ∆V 
rds =  SD  ( 2.12)
 ∆I DS  ∆VGS =0

Las expresiones matemáticas de cálculo de ambos parámetros están dadas por (2.8) y
(2.10), respectivamente.
La Fig. 2.8, Muestra un modelo alternativo muy utilizado para el transistor de efecto de
campo, que resulta de aplicar el teorema Thévenin a la salida del mostrado en Fig.2.7.b,
Electrónica Analógica I

en el que el parámetro µ, se define como la ganancia de tensión con la salida a circuito


abierto. Su interpretación matemática se deduce multiplicando las dos anteriores.

Q
 ∆I   ∆VDS   ∆VDS 
µ = g m rds =  D .  =   (2.13)
 ∆VGS   ∆I D   ∆VGS  ∆I DS =0

rds ids

v gs µ v gs vds

Modelo alternativo
Fig.2.8

Técnicas de Polarización del FET.

Los parámetros del dispositivo que incluye la relación de transferencia, IDSS y Vp0 tienen
dependencia de la temperatura, el primero disminuye con el aumento de esta, a una
razón aproximada del 0.007% / 0C, mientras que Vp0, aumenta en valor absoluto,
aproximadamente 2 mV/ 0C. Además ambos son afectados por la dispersión propia de
los procesos de fabricación aunque en menor medida que los bipolares. La figura 2.8
muestra la relación de transferencia de un transistor FET comercial, en el rango de
temperatura de 10 0C - 100 0C, que muestra la presencia de un punto de polarización de
coeficiente de temperatura nulo, (Q).

Fig.2.8
Electrónica Analógica I

La Fig.2.9 muestra dos características extremas que incluirían ambos efectos y sobre las
que se han trazado diferentes rectas de polarización que se corresponden con técnicas
que tienden a mejorar la estabilidad del punto de operación en reposo y serán analizadas
a continuación.
En efecto la utilización de una fuente negativa fija, (VGS = -VGG), para polarizar como
muestra la Fig.2.2 y sucesivas, es utilizada cuando está disponible en el entorno, caso
contrario complica sensiblemente el diseño debido a su polaridad y a la banda de
incerteza significativa que genera en la definición del punto Q, (Q1-Q2, en recta de
polarización (a), de Fig.2.9).

Fig.2.9

Un modo de eliminar el primer aspecto y mejorar la estabilidad del punto Q, es


utilizando auto polarización. Esto es introduciendo realimentación negativa con una
resistencia en serie con el surtidor Fig.2.10a. La ecuación de la recta de polarización
respectiva (b), resulta despreciando la tensión producida en RG por la corriente de
saturación inversa del diodo puerta – surtidor, (IGSS):

VGSQ = − I DSQ .RS para RG .I GSS << VGSQ

En la figura se aprecia la reducción de la banda de incerteza.


Una primera extrapolación de la recta (b) sería la (c) que muestra menor dispersión en la
definición del punto Q, su ecuación relevada del gráfico resulta

VGSQ = VGG − I DSQ .RS

Esta técnica, denominada ¨mixta¨, muestra el agregado a la malla de entrada de una


fuente de polarización fija (VGG ), pero de igual polaridad que la respectiva de drenador,
en consecuencia puede ser derivada de esta, vía divisor resistivo con mayor libertad para
su cálculo respecto del caso bipolar, debido a la alta impedancia de entrada del FET.
Electrónica Analógica I

VDD

I DS R2 I DS

VDS VDS
vin RG VGS VGS
RS R1 RS

Autopolarización Polarización Mixta


(a) (b)
Fig.2.10

Finalmente una extrapolación extrema de las modalidades anteriores llevaría a una recta
horizontal que circuitalmente se traduce en polarizar con fuente de corriente en serie con
el surtidor. Esta técnica optimiza la estabilidad al punto de reposo y es la utilizada en
circuitos integrados incluso para transistores bipolares.
En operación clase A, el análisis para las componentes de continua y alterna con señal
débil, se puede efectuar separadamente en ese orden y luego superponer sus efectos.

Amplificador de Surtidor Común.

De igual manera que en el transistor bipolar según sea el modo en que el generador de
señal produzca la variación de tensión puerta surtidor (vgs) para generar la respectiva
corriente de salida (ids), se obtienen configuraciones de diferentes características
amplificadoras. Así por ejemplo el esquema (2.11.b), muestra el circuito incremental de
la etapa de surtidor común (a), donde la señal excita el terminal de puerta y el surtidor
está a un potencial fijo, tal que:

v gs = v g = vi

VDD

RD I DS
ids vo
R2 ids
vi vo vi vi
g m v gs = g m vi
vds vo
vds
C1 VDS
RG vgs vgs
RG RD RG rds RD
R1 RS
CS

(a) (b) (c)

Fig.2.11

En el esquema (c) se ha remplazado al transistor por su modelo lineal de Fig.2.7, del que
se deduce por simple inspección la ganancia de tensión.
Electrónica Analógica I

vO
Av = = − g m (rds // Rd ) = − g m Ro
vi 1424 3
Ro

Expresión que repite el caso general deducido para el caso bipolar de emisor común
(1.52) y base común en condiciones de excitación optima. No obstante es necesario
aclarar que a igualdad de corriente de polarización e impedancia de carga la ganancia
del bipolar es bastante mas elevada debido a los valores respectivos de
transconductancia.
En efecto por ejemplo para una corriente de polarización 3mA, utilizando un JFET de
las siguientes características, IDSS =10mA y Vpo=3V, su transconductancia valdrá
utilizando 2.10.

gm= 3.65 mS.


I CQ
En cambio en el bipolar será: gm = = 120 mS
VT
La virtud relevante de la configuración FET es su elevada impedancia de entrada.
Otra manera de expresar la ganancia de tensión, se obtiene utilizando el modelo
alternativo del FET, dado por el esquema de figura 2.8, o que se puede obtener de la
expresión (2.14) remplazando gm = µ / rds .

Rd
Av = − µ (2.14)
rds + Rd

Reflexión de Impedancias en el Transistor de Efecto de Campo.

En el caso que la resistencia asociada al Terminal de surtidor no esté desacoplada para la


componente de alterna, el análisis se complica debido a que la junta puerta surtidor está
doblemente excitada. En efecto el esquema 2.12.a muestra al circuito incremental de
Fig.2.11.b sin la conexión del capacitor Cs, del que se deduce la ganancia de tensión
tomando la salida por drenador.

µv gs
vod = −ids Rd y ids =
rds + Rd + RS

Pero en la anterior v gs = v g − vs ⇒ µ .vgs = µ .vi − µ .ids .RS

Resolviendo las anteriores se obtiene:

µvi vod µRd


ids = ( a) ⇒ Av = =− (b ) (2.15)
rds + Rd + RS (1 + µ ) vi rds + Rd + RS (1 + µ )
1424 3
R ´S
Electrónica Analógica I

La expresión (2.15).a permite derivar un circuito que la interprete, donde el generador


de salida está controlado por la tensión de señal, vi = vg. Esto obviamente permite
obtener (2.15).b, directamente. En este esquema se debe notar que del lado del drenador
todas las magnitudes eléctricas están en verdadero valor en cambio del lado de surtidor
únicamente coincide con lo medido en el circuito real, la corriente ids, en consecuencia
la tensión en surtidor se ve modificada, (ids RS (1+µ)), de esto se deduce que si hubiere
un generador de tensión asociado a este Terminal, sería visto desde drenador con su
valor real multiplicado por (1+µ),(Reflexión de surtidor a drenador). En el esquema (b)
se puede calcular la impedancia de salida vista hacia drenador resultando:

zo vi = 0 = Rd //(rds + RS, )

Si la expresión (2.15).a es dividida por (1+µ) se obtiene lo siguiente:

µ
.vi
1+ µ vi
ids = ≅ , para µ >> 1 (2.16)
rds + Rd ,
+ RS rds + Rd + Rs
1+ µ
Esta última muestra que la misma corriente ids puede ser generada en un circuito como el
del esquema 2.12.c, en el que del lado de drenador las otras magnitudes eléctricas están
modificadas, ( Impedancias y tensiones divididas por (1+µ) ), en cambio del lado del
surtidor todas coinciden con las del circuito real, (i, v , R) . Este esquema muestra la
reflexión del circuito de drenador a surtidor.

Rd ids ids Rd ids


Rd zo
zo +µ
1{
D
vod D vod
Rd, rds,
rds rds
µ
vi µvgs
vi µv g = µvi
vi vi ≅ vi
G G G 1+ µ
zo
v gs S S ids S
RG RG vg RG vg vos
Rs Rs
Rs (1 + µ )
14 24 3
RS,

(a) (b) (c)


Reflexión a Drenador Reflexión a Surtidor

Fig.2.12

Configuración Drenador Común.

Si se toma salida del surtidor y haciendo Rd = 0 en el esquema de Fig.2.11.a se


configura un seguidor de tensión. Sus características de Buffer se deducen de Fig.2.12c
con las modificaciones apuntadas.
Electrónica Analógica I

En efecto la ganancia de tensión es:

vo R
Av = = , s ≤1 (2.17)
vi rds + RS

Z i = RG (Elevada) Zo vi = 0 = RS // rds, (Baja)

Configuración Puerta Común.

El esquema 2.13a, muestra esta configuración, en tanto (b) lo hace con el circuito
incremental respectivo.
En el esquema (c) se ha remplazado al circuito de surtidor por su equivalente de
thevenin.

ids ids
Rd Rd
zo zo
VDD D
D
vo vo
I DS
rds rds
R2
zO G G S
vo µv gs = − µvs µvs
v gs
S TH
RG vs
R1 RS
ri ri Rth
zi vi Rs
vi
vth

(a) (b) (c)


2.13

Recordando que si en el esquema 3.13b se refleja el circuito de surtidor a drenador el


generador µ.vgs pasa a estar controlado por el potencial de puerta (vg) que es nulo en
esta configuración, resultando el esquema 2.14 donde la corriente ids es producida
únicamente por el generador independiente reflejado (V´th).
Electrónica Analógica I

ids
Rd
zo
D

vo
rds
G S
µ vg = 0

Rth´

Vth´

Fig.2.14

En efecto evaluando la corriente de drenador en 2.13.c se obtiene:

vth + µ .v s (1 + µ ).vth − µ .Rth .ids µ.vth


ids = − =− ⇒ ids ≅ − (2.18)
rds + Rd + Rth rds + Rd + Rth rds + Rd + Rth (1 + µ )
1424 3
Rth,

Esta última repite la expresión 2.15.a, excepto en el signo debido a la inversión de fase
del generador controlado, podría haber sido obtenida directamente del esquema 2.14.b.
(QED).
La ganancia de tensión resultante será entonces:

 RS 
µRd  
vo  ri + RS 
vo = ids Rd ⇒ AV = = (2.19)
vi rds + Rd + Rth,

Nótese que si, ri → 0 ⇒ R´th→ 0, la anterior muestra ganancia de tensión comparable


con la dada por 2.14, para el amplificador de surtidor común.
En esquema 2.14.b se puede evaluar fácilmente la impedancia de salida.

z0 vth = 0 = Rd //( rds + Rth, )

La impedancia vista por el generador real de tensión evaluada en esquema 2.13.b resulta
utilizando las conclusiones vistas:

zi vi = 0 = Rs //( rds, + Rd, )


Electrónica Analógica I

2.2. Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada.


(IGFET).

Existen básicamente dos tipos de este dispostivo, el ¨enriquecido¨ y ¨empobrecido o


deplexionado.
El primero se ilustra en la figura 2.15.a, para la versión de canal n, comúnmente
denominado NMOS.

VGS = 0 VDG = 0

VBS = 0

VDS = 0

(a)
Estructura Interna del tipo Enriquecido

Modelo y Símbolos
(b)

Fig.2.15

La estructura muestra a este dispositivo con cuatro terminales, el drenador (D) y


surtidor(S), de material n, inmersos en un sustrato (B), de tipo p, finalmente la puerta
(G), efectivamente aislada de los otros tres, antiguamente con oxido metálico de silicio,
(De allí el nombre Metal Oxide Silice), pero en la actualidad con material aislante de
policilicio, configurando un verdadero capacitor de placas planas con el substrato. Las
juntas D-B y S-B configuran dos diodos unidos por el ánodo y como se verá para operar
por efecto del campo, ambos deben estar polarizados inversamente, esto obliga a que el
sustrato deba estar a un potencial igual o menor que los otros dos, ( D y S ), debido a
esto el substrato generalmente viene internamente conectado al terminal de surtidor de
manera que VSB = 0, y la aplicación de una tensión VDS ≥ 0, polarizará inversamente el
diodo D-B, Fig.2.16.
Electrónica Analógica I

La zona del substrato entre drenador y surtidor configura el canal, que al ser de material
p es fácil ver que la aplicación de tensión entre ellos (VDS > 0) no producirá circulación
de corriente, (IDS= 0), a menos que se produzca una inversión de portadores en la zona
del canal, esto es de p a n La manera de hacerlo es aplicando tensión positiva al
capacitor G-B, (VGS > 0), de esta manera la placa de puerta con tensión positiva inducirá
en la opuesta, (Substrato), portadores del otro signo, generando cierta continuidad de
portadores n, entre surtidor – canal- drenador, Fig.2.16, tal que la aplicación de tensión
VDS , producirá circulación de corriente (IDS), que no será importante, (Corriente
subumbral), hasta que la tensión VGS genere portadores suficientes en la zona del canal,
esto ocurrirá cuando aquella supere el nivel denominado de umbral (VGS ≥ Vth), en estas
condiciones la conductividad del canal es suficiente para hacer IDS significativa con
valores de VDS crecientes.

VGS VGD Vth


VGD
G
+ + + + + + + + + +
D
S

n+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- - - -
- - - - n+
I DS 0

Canal
p+

V DS 0

Fig.2.16

Con VDS = 0 y polarización de puerta surtidor superior al umbral, la tensión puerta


drenador también lo estará, (VGD = VGS-VDS ⇒ VGD > Vth ), en consecuencia hay
uniformidad geométrica en la distribución de portadores tipo n en el canal, que se
mantiene incluso para pequeños valores positivos de VDS , (menores al voltio) tal que la
corriente IDS generada será proporcional a aquella. Esta zona de operación igual que en
el JFET, se denomina lineal y son aplicables las mismas relaciones (2.1) y (2.2), pero en
los términos que muestra (2.20).

 1 
I DS ≅  VDS I DS = 2.K p (VGS − Vth )VDS (2.20)
r
 dson  1442443
1 / rdson

W
K p = µ n Cox
L
µ n → Movilidad superficial de los electrones = 600 cm2/Volt.seg.

Cox → Capacidad de compuerta del MOSFET por unidad de área.

W y L →Ancho y largo del Canal respectivamente.


Electrónica Analógica I

Para valores de VDS superiores, tal que VGD < VGS pero siempre mayor que Vth la
distribución de portadores disminuye del lado de drenador, comenzando la extricción
del canal en ese sector, Fig.2.17, en consecuencia la corriente IDS aumenta mas
lentamente con VDS tal que la relación vinculante entre ambas variables puede ser
descrita por (2.21), que es en términos globales igual a (2.3), del JFET.

V 2 
I DS =  DS − K PVDS  para VGD = VGS − VDS < VGS y VGD > Vth ( 2.21)
r
 dson 

VGS > Vth VGD < VGS

S D
- - - - - - - -
n+ - n+
- - - - - -
I DS
Canal
p+

VDS > 0

Fig.2.17

Posteriores incrementos de VDS tal que haga, VGD= VGS-VDS= Vth, produce el máximo
estrangulamiento o saturación del canal y aumentos mayores no afectan sensiblemente a
la magnitud de la corriente IDS, manteniéndose esta con el valor tomado en el límite,
VGD= Vth, condición esta que llevada a la ecuación (2.21) da la relación vinculante entre
la variable controlada y la de control, para la zona de saturación, (2.22).
En efecto para VGD =Vth ⇒ VDS =VGS- Vth, además teniendo presente el valor de rdson
dado por (2.14), se obtiene:

(
I DS = k p VGS − Vth )
2
(2.22)

La siguiente figura muestra la relación de transferencia, para el NMOS.


Electrónica Analógica I

Característica de Transferencia.NMOS.
Fig 2.18

Técnicas de Polarización del IGFET.

Excepto autopolarización, las técnicas respectivas utilizadas para el JFET son aplicables
al IGFET del tipo enriquecido, además de la conexión mostrada en Fig.2.15, que utiliza
realimentación negativa por drenador a través de RG. Esta tiene el mismo efecto
estabilizante que la producida por la resistencia de surtidor en la definida como mixta en
el JFET. Ambas pueden ser representadas por la misma recta de polarización de
Fig.2.18, cuyas ecuaciones están dadas por (2.23.a) y (2.23.b)

VDD
I DS Rd
RG

Fig.2.19

Para IGSS = 0

Polarización Fija VGSQ= VGG

Pol. Mixta.(a) VGSQ= VGG-IDS RS

Pol. Mixta (b) VGSQ= VDSQ= VDD –IDS RD (2.23)


Electrónica Analógica I

IGFET, Empobrecido.

No obstante este tipo también es un dispositivo de 4 terminales se ejemplificará el


desarrollo con el terminal de substrato internamente unido al surtidor por las mismas
razones que fueron expuestas en el MOS del tipo enriquecido.
En este componente la zona del substrato que configura el canal está dopado con cargas
de signo opuesto al del resto del mismo, es decir de la misma polaridad que el surtidor
y el drenador. Para el ejemplo de Fig.2.20, donde el substrato es de material p, el canal
será del tipo n, de manera que aún con tensión cero entre puerta y surtidor (VGS = 0),
hay continuidad de portadores del mismo signo entre surtidor-canal- drenador, tal que la
aplicación de tensión, (VDS > 0), produce corriente IDS. La aplicación de tensión negativa
a la puerta, VGS = VGB < 0, inducirán en la zona del canal del substrato cargas positivas
que cancelaran parcialmente las negativas disminuyendo la conductividad y
consecuentemente la corriente, (Modo empobrecido) y a la inversa, aplicando tensión
VGS = VGB > 0, la conductividad del canal aumenta y con ella la corriente, a igualdad de
tensión VDS, (Modo enriquecido).

VGS = 0 VGD

S D

n+ n+ n+
I DS

Canal
p+

VDS > 0
NMOS Tipo Deplexionado

Fig.2.20

De igual manera que en los otros tipos desarrollados sus características de salida ,
(Fig.2.21a), muestran para cualquier tensión de polarización permitida, una zona lineal
en la que para pequeños valores de VDS es válida la relación matemática tensión -
corriente dada en (2.20).Para valores crecientes de VDS y VGS = Cte, la tensión VGD
disminuye debilitando el campo eléctrico en la proximidades del drenador, mostrando la
característica una curvatura que está regida por la relación cuadrática (2.21), hasta llegar
a estrangular el canal, (saturación), cuando VGD ≤ Vth. En la zona de saturación la
corriente se mantiene relativamente constante para valores de VDS ≥ VGS - Vth.
La relación de transferencia en esta zona es la misma que la dada para el NMOS en
(2.22) y se grafican en Fig.2.21b, para ambas polaridades de transistores.
Electrónica Analógica I

(a)

(b)

Fig.2.21