Conteúdo

• A válvula;
• O transistor;
• A miniaturização;
• Evolução dos processos de fabricação do transistor;
• A integração;
– Eletrônica digital;
– Eletrônica analógica;
• Desenvolvimento da eletrônica digital;

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• A válvula termiônica (1941):

– Primeiro dispositivo semicondutor;
– Válvula diodo: retificação;
– Válvula triodo:
• Amplificação → Analógica;
• Corte/Saturação → Digital;

• Limitações:
– Elevadas tensões envolvidas;
– Alto consumo;
– Impossibilidade de integração;
– Baixa velocidade de operação;

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• ENIAC: primeiro computador digital eletrônico de propósito geral (1946)

– 5.000 somas ou subtrações por segundo;
– 385 multiplicações por segundo;
– 17.468 válvulas;
– 7.200 diodos;
– 1.500 relés;
– 70.000 resistores;
– 10.000 capacitores;
– 27 toneladas;
– 63m2;
– 150kW;

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• Primeiro transistor de estado

sólido(1947): ponto de contato;

• Junção PN (1940):
– Propriedade semicondutora;
– Diodo (1941): retificação;
– Transistor (1949):
• Amplificação → Analógica;
• Corte/Saturação → Digital;

• Vantagens:
– Estado sólido;
– Baixo consumo;
– Veloz;

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• Primeiro transistor de estado

sólido(1947): ponto de contato;

• Junção PN (1940):
– Propriedade semicondutora;
– Diodo (1941): retificação;
– Transistor (1949):
• Amplificação → Analógica;
• Corte/Saturação → Digital;

• Vantagens:
– Estado sólido;
– Baixo consumo;
– Veloz;

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• Primeiro transistor de estado

sólido(1947): ponto de contato;

• Junção PN (1940):
– Propriedade semicondutora;
– Diodo (1941): retificação;
– Transistor (1949):
• Amplificação → Analógica;
• Corte/Saturação → Digital;

• Vantagens:
– Estado sólido;
– Baixo consumo;
– Veloz;

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• Panorama do primeiro ciclo de evolução dos transistor:

1954

1951
1948

1947

TBJ - Silício
TBJ - Germânio
Ponto de
Contato
Ponto de
Contato

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• A miniaturização:

Aparelho Auditivo Protótipo de Rádio Portátil

(1952) (1953)

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• A miniaturização:

Primeiro Radinho Comercial Protótipo de Rádio Portátil

(Texas 1954 – 49,95$) (Sony 1955 – 29,95$)

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• TRADIC : primeiro computador digital transistorizado de propósito geral

(1955)
– 700 transistores de ponto de contato;
– 10.000 diodos;
– 100W (1500x < ENIAC);
– 1MHz (200x > ENIAC);

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• Evolução dos processos de fabricação do transistor:

– Crescimento de junção (Grown-junction 1951);

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• Evolução dos processos de fabricação do transistor:

– Difusão (1952);

Calvin Fuller

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• Evolução dos processos de fabricação do transistor:

– Máscara de Óxido (1955);

Calvin Fuller, Carl Frosch e Lincoln

Derick.

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• Evolução dos processos de fabricação do transistor:

– Fotolitografia (1955);

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• Evolução dos processos de fabricação do transistor:

– Mesa Transistor (1958);

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• Evolução dos processos de fabricação do transistor:

– Processo Planar (1959);

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• A integração:

– Primeiro circuito integrado monolítico (1961): Flip-Flop tipo F;

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• A integração:

– Família TTL (1964): coletor aberto, tri-state e imunidade a ruído;

Porta NAND TTL Registrador de Deslocamento

Universal TTL – MSI

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• A integração:

– Primeiro circuito integrado com tecnologia

MOS (1964);
• descoberto em 1960;
• condutividade é controlada por tensão
(efeito de campo)
• menor custo de fabricação;
• menor consumo de potência;
• bem menos espaço na pastilha de silício;
• Não utilização de resistores;

Registrador de Deslocamento
de 20 bits - Tecnologia MOS
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• A integração:

– Primeiro amplificador operacional largamente utilizado (1964);

Amp Op uA700 Amp Op uA709

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• Desenvolvimento da eletrônica digital:

– Primeira metade da década de 1960: portas lógicas e FF (SSI – Pequena

Escala de Integração);

– Segunda metade da década de 1960: pequenos circuitos combinacionais e

sequenciais (MSI – Média Escala de Integração);

– Década de 1970: unidades aritméticas, unidades de controle, memórias e

pequenos microprocessadores (LSI – Grande Escala de Integração);

– A partir da década de 1980: a capacidade de integração é o limite!

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