Eletrônica de Potência II

Capítulo 1

Prof. Janderson Duarte 1

 Introdução

i
Interruptores
+ v -

ESTÁGIOS DE OPERAÇÃO CARACTERÍSTICAS IDEAIS

Aberto, desligado ou bloqueado
Queda de tensão deve ser nula em condução

Fechado, ligado ou conduzindo
Corrente deve ser nula quando bloqueado

Durante a comutação entre os estágios
Tempos de comutação nulos (entrada em
descritos acima condução e bloqueio instantâneos)

2
Introdução

Fonte: Mohan, Undeland, Robbins, “Power Electronics”, Second edition.

3
Introdução

Fonte: Bernet (2000).

4
 O diodo de potência
Característica
Símbolo i-v ideal
A i
on
off

Dispositivo não controlado, que comuta em
resposta ao comportamento do sistema

O diodo entra em condução quando a
tensão vak torna-se positiva

Permanece em condução até o instante que
a corrente se tornar negativa
Característica
i-v real
v

Não são facilmente operados em paralelo,
devido aos seus coeficientes térmicos de
condução serem negativos

Pode conduzir reversamente durante um
tempo trr, que é especificado pelo fabricante
5
 O diodo de potência

Tipos de diodos de potência

• Diodos convencionais (standard)

Tempo de recuperação reversa não é especificado

Operação normalmente em 50 Hz ou 60 Hz
• Diodos rápidos e ultra-rápidos (fast/ultra-fast)

Tempo de recuperação reversa e carga armazenada na capacitância de
junção são especificados pelos fabricantes

Operação em médias e altas freqüências
• Diodos Schottky

Praticamente não existe tempo de recuperação (carga armazenada
praticamente nula)

Operação com freqüências elevadas e baixas tensões (poucos
componentes possuem capacidade de bloqueio superior à 100 V)

6
O diodo de potência

7
O diodo de potência

Fonte: R. W. Erickson, D. Maksimovic, “Fundamentals of Power Electronics”, Second edition

8
O diodo de potência

Fonte: International Rectifier (http://www.irf.com)

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 MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor
Característica Característica
Símbolo i-v ideal i-v real
D (dreno) i

on
G (gate)
off
v
on
S (source) (condução
reversa)

Semicondutor totalmente controlado, através
Possui um diodo intrínseco em anti-paralelo,
de uma tensão aplicada entre gate e o source também conduzindo correntes negativas

Quando uma tensão vgs adequada é aplicada,
O diodo intrínseco possui tempos de
o MOSFET entra em condução e conduz comutação maiores do que o MOSFET
correntes positivas (i > 0)
A resistência em condução RDSon possui

Com a remoção da tensão vgs, o MOSFET coeficiente de temperatura positivo,
bloqueia tensões positivas (vds > 0) facilitando a operação em paralelo
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MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor
Diodo intrínseco em anti-paralelo

Junção p-n- resulta em um diodo em anti-
paralelo com sentido de condução dreno-
source

Assim, uma tensão negativa dreno-source
polariza diretamente este diodo

Esse diodo é capaz de conduzir a corrente
nominal do MOSFET

Mas, os tempos de recuperação desse
diodo são normalmente significativos

As elevadas correntes que fluem durante a
recuperação reversa do diodo podem causar
danos ao componente

Uso de diodos externos para

prevenir a condução do diodo
intrínseco do MOSFET

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MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor
Circuito equivalente de um MOSFET

Cgs: elevada e praticamente constante

Cgd: pequena e altamente não linear

Cds: média e altamente não linear

Os tempos de comutação são determinados
pelo tempo necessário para carregar e
descarregar essas capacitâncias

A taxa de variação da corrente de dreno é
dependente da taxa de variação da tensão vgs
(definida pelo circuito de comando)

A capacitância Cds leva a perdas de comutação,
uma vez que a energia armazenada nessa
capacitância é geralmente perdida durante a
entrada em condução do MOSFET (turn-on
capacitive losses)

12
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor

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MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor

14
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor

15
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor

16
 MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor

Fonte: R. W. Erickson, D. Maksimovic, “Fundamentals of Power Electronics”, Second edition

MOSFETs possuem reduzidos tempos de comutação (freqüências típicas de dezenas à
centenas de kHz)

RDSon aumenta rapidamente com o aumento da tensão vds suportável

MOSFETs normalmente são para aplicações com tensão vds < 500 V

Muitas vezes, um MOSFET é escolhido pelo valor de sua resistência em condução ao
invés da especificação de corrente
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 IGBT: Insulated Gate Bipolar
Transistor
Característica Característica
Símbolo i-v ideal i-v real
C (coletor) i

on
G (gate)
off off
v

E (emissor)

Tempos de comutação maiores do que os

Quando uma tensão vge adequada é aplicada,
o IGBT entra em condução, conduzindo
correntes positivas (i > 0)

Quando a tensão vge é removida, o IGBT
bloqueia, podendo suportar tensões negativas
Dispositivo com características de
MOSFETs

Aplicável onde se desejam elevadas tensões
entre o coletor e o emissor
coeficiente de temperatura positivo,
facilitando o paralelismo (também existem
com coeficiente negativo) 18
 IGBT: Insulated Gate Bipolar
Transistor
Características dinâmicas do IGBT

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IGBT: Insulated Gate Bipolar
Transistor

Fonte: Powerex 20
IGBT: Insulated Gate Bipolar
Transistor

Fonte: R. W. Erickson, D. Maksimovic, “Fundamentals of Power Electronics”, Second edition

Fonte: Powerex 21
 GTO: Gate Turn-Off Thyristor

Símbolo Característica Característica

i-v ideal i-v real
iA
iA A
On

+ Off vAK
vAK
G _ 0
iG
K

Ao contrário do tiristor, o GTO pode ser

Como um tiristor, o GTO pode entrar em
bloqueado ao aplicar uma tensão negativa
condução aplicando um pulso de corrente no
no gate-cátodo, causando uma corrente
gate quando a tensão vak é positiva;
negativa de valor elevado no gate;

Um vez em condução, ele continua nesse

O ganho de corrente do gate para o
estado mesmo que corrente de gate seja
bloqueio é tipicamente baixo (entre 2 e 5),
removida, se comportando como um diodo;
implicando em elevadas correntes de gate
reversas
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 Combinação de semicondutores
IGBT com diodo em anti-paralelo
(bidirecional em corrente)
i i
+
On

v Off v
0
Interruptores para operação
_ em quatro quadrantes

Diodo rápido

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Bibliografia

• R. W. Erickson, D. Maksimovic, “Fundamentals of Power

Electronics”, Second edition.

• Ivo Barbi, “Projetos de fontes chaveadas”.

• José A. Pomilio, “Eletrônica de Potência”, UNICAMP. Disponível em:

<http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/>.

• BERNET, S. “Recent developments of high power converters for

industry and traction applications”. IEEE Transactions on Power
Electronics, vol. 15, n. 6, p. 1102–1117, novembro 2000.

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