Trabajo de investigación N° 2 1

JFET, MESFET Y MOSFET (MAYO 2019)

Ana Milena Urbano Zambrano

Abstract— This report talks about of the operation and

composition the materials as the semiconductors or transistors.
we are going to see how the molecular structure is very
important in these materials.

Índex Terms— Semiconductors, transistors. JFET, MOSFET,

MESFET.
Imagen 1 simbología JFET [1]

A. Efecto de campo:
I. INTRODUCCIÓN
La imagen 1 indica las partes que tiene un transistor JFET,
E n la amplia gama de materiales semiconductores
encontramos un objeto compuesto por materiales dopados
positiva o negativamente hablamos de los objetos tipo P
Podemos encontrar gate o Puerta, drainer o drenador y la
fuente o source.
(positivo) o tipo N(negativo), la composición de un transistor
incluye este tipo de materiales dentro de su encapsulado
permitiendo así amplificar señales, dando cavidad a que se
puedan usar en múltiples campos como señales de la radio o el
televisor inclusive a partir de la invención del transistor se llega
a la invención del circuito integrado que es el conjunto de
transistores en un encapsulado.

II. JFET
FET (field-effect transistor o transistor de efecto de campo)
Este tipo de dispositivo electrónico cuenta con una
característica importante y es que es unipolar es decir que
dependerá de un tipo de carga electrones o huecos.
Imagen 2 Estructura JFET [2]
Ideas importantes: La imagen 2 indica que el material es tipo n, lo que nos indica
Una a analogía útil para entender este tipo de transistor es que los portadores mayoritarios son los electrones libres
imaginar una llave de agua, la cual cuenta con una llave o puerta (negativos) que fluyen por la terminal negativa de la fuente Vdd
una fuente de la cual proviene el agua y el drenado que sería la
, esto fuerza a que los electrones fluyan desde la fuente a
desembocadura o destino final del agua.
drenador, dentro de los parámetros de diseño de un jfet el
fabricante incluye internamente dos áreas de tipo p en el
conductor de tipo n, estas dos terminales se conectan entre sí
para generar un solo terminal llamado puerta.

Este informe es presentado el día 14 de mayo del 2019 para su revisión y Ana Milena Urbano Zambrano Primer autor, Estudia actualmente en la
calificación, este trabajo fue apoyado con el trabajo e investigación, usando Universidad Cooperativa de Colombia en el programa de Ingeniería
herramientas informativas como libros o internet. Electrónica. Avenida Caracas No 37-63 Bogotá Colombia. (e-mail:
ana.urbanoz@campusucc.edu.co).
Trabajo de investigación N° 2
Imagen 3 polarización de un JFET
El nombre efecto de campo está relacionado por las zonas de
deplexión creadas al momento de que los portadores
mayoritarios (electrones libres) saltan a las regiones P del
semiconductor, esta acción de recombinación crea un campo de
deplexión, que es la que se puede observar en la figura 3.
B. Polarización inversa de puerta
Este tipo de polarización es la configuración más típica para
este tipo de transistores, en la que podemos observar según la
imagen 3 que el voltaje de puerta y el voltaje de fuente están
polarizados inversamente, esto genera que el voltaje de puerta
Ig sea aproximadamente 0 cero. En otras palabras, los
transistores JFET presentan una resistencia de entrada casi
infinita. Por lo general es muy encontrar una resistencia JFET
con una entrada cuyo valor es de cientos de mega ohmios.
Esto genera una ventaja considerable frente a los transistores
unión bipolar o BJT, debido a que en un momento dado se
puedan requerir por su alta resistencia de entrada.
C. La tensión de puerta controla la corriente de drenado
Los electrones ingresan por el lado de la fuente, estos deben
atravesar el canal de deplexion que puede ser grande o pequeño
según la magnitud negativa de tensión de la polarización, es
decir que en cuanto más negativa sea la tensión de puerta,
menor será la corriente que fluya de fuente a drenado. Es debido
a ello que se dice que el transistor JFET es controlado por
tensión (v).
D. Curvas características de drenado:
2
Imagen 4. Estructura atómica del cobre [2]
Para poder analizar la corriente de drenado del transistor basta
con cortocircuitar la fuente de puerta como podemos observar
en la imagen 4 opción b. Al realizar esta acción no hay una
válvula que controle el flujo de drenado por lo que
obtendríamos la corriente máxima de drenado. La grafica
muestra en este caso la corriente de drenador máximo Id en
función de la tensión drenador-fuente Vds, cuando la puerta esta
cortocircuitada.
La corriente de drenador aumenta, en un punto de la gráfica y
se hace casi constante cuando Vds (voltaje drenador-fuente) es
mayor que Vp (voltaje de estrangulamiento).
La aumentar la tensión Vds la zona de deplexion aumenta
generando un estrangulamiento de la corriente, es debido a ello
que en cierta parte de la gráfica la corriente es de
comportamiento casi constante y con un límite superior igual a
Idss (corriente de saturación).
La región activa de un transistor JFET, como se observa en la
gráfica se encuentra entre la zona de estrangulamiento o Vp y
el voltaje drenador-fuente máximo o tensión de disrupción.
En la zona de región activa el JFET entrega máximo una
corriente aproximadamente igual a la de saturación Idss, claro
esto cuando la tensión de Vds = 0, que es lo máximo que el
transistor puede generar, en pocas palabras el transistor se
comporta como una fuente de corriente.
Importante que al momento de utilizar este tipo de transistores
al ver la hoja de características del fabricante se pueda ver la
Idss o corriente de saturación debido a que será el corriente
límite del JFET.
E. Región óhmica
La región óhmica del transistor se define entre la región
activa que es casi la horizontal y parte de la vertical que se
encuentra debajo del punto Vp o de estrangulamiento, cuando
se trabaja en la región óhmica de un transistor, este es
equivalente a una resistencia cuyo valor es aproximadamente
a:
𝑉𝑝
RDS=
𝐼𝑑𝑠𝑠
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RDS: resistencia óhmica del JFET.

III. MESFET
Transistor de efecto de campo de juntura de metal-
semiconductor. El funcionamiento es el mismo que un JFET la
diferencia está en su composición interna, en la que se compone
de materiales de arseniuro de galio (GaAs), costa de un semi-
aislante ligeramente dopado tipo p y encima otro semiconductor
de tipo N y unido a él los terminales de puerta, fuente y
drenador. Al estar compuesto de arseniuro de galio y no de
silicio se obtiene mucha mayor velocidad de los electrones, y se Imagen 6 Configuración MOSFET positiva y negativamente en la
refleja en una mayor velocidad del dispositivo en el que se vaya puerta o gate
a utilizar y respuestas de mayores frecuencias de operación,
entre sus desventajas está en los costes de fabricación. ¿Qué diferencia esté transistor al transistor JFET anteriormente
visto?, es la polarización de la terminal de puerta si se configura
negativamente actuara con un vaciador y si se polariza de
IV. MOSFET manera positiva actuara en modo de enriquecimiento.
“MOSFET (Metal-oxide semiconductor o metal oxido
semiconductor) la diferencia de este al JFET es que la terminal
de puerta está aislada del canal, lo que ocasiona que la corriente
de puerta se aún más pequeña que la de un JFET, el mosfet a
veces se denomina IGFET (insulated-gate FET, FET de puerta
aislada)” Tomado de Principios de electrónica de malvino 7ma
edición página 452.

A. Mosfet en modo de vaciamiento

También llamado (d-mosfet, depletion-mode mosfet), es un
material n (negativo) con una puerta aislada a la izquierda y una
región P a la derecha, esta región recibe el nombre de sustrato
Imagen 5. El funcionamiento es prácticamente igual al de un
JFET, ingresa una cantidad de electrones libres por la fuente,
cruzando el canal entre las zonas de la puerta y el sustrato de
tipo P. la tensión de puerta controla la zona de deplexion
controlando de esa forma la corriente de fuente a drenador,
cuanto más negativa la tensión de puerta más pequeña la
corriente de drenador. Cuando Vgs es negativa.
Debido a que la puerta se encuentra aislada por una capa de
óxido de silicio se puede configurar el transistor con una
polarización de puerta positiva, aumentando la cantidad de
electrones libres al canal, cuanto más positiva la tensión de
puerta más conducción desde la fuente hacia el drenador.
𝐴 = 𝜋𝑟 2
Imagen 7 Curvas de dranador
Analizando la gráfica encontramos que cuando la tensión de
puerta-fuente Vgs es igual a cero, se deduce como en la gráfica
de Jfet que no hay una válvula que controle la corriente de
drenado haciendo que la corriente de drenado sea igual a la de
saturación Idss, esto nos indica que el transistor D-mosfet es un
transistor normalmente en conducción, un punto importante y
adicional a este tipo de transistores es que la tensión fuente -
puerta puede ser positiva y continuara funcionando
correctamente, es debido a que la puerta se encuentra aislada y
no existe una polarización directa, cuando Vgs se hace positiva
la corriente de drenado ID aumentara siguiendo la siguiente
ecuación cuadrática:
𝑉𝑔𝑠
𝐼𝑑 = 𝐼𝑑𝑠s(1- )2
𝑉𝑔𝑠 𝑜𝑓𝑓

B. Simbología de los D-mosfet

Imagen 5 Configuración MOSFET en modo de vaciamiento

Trabajo de investigación N° 2
Imagen 8 simbología mosfet
C. Mosfet en modo de enriquecimiento
También llamado E-Mosfet (enhancement-mode Mosfet o en
modo de enriquecimiento), lo que hace única esta configuración
es que no hay un canal n entre la fuente y el drenador, es decir
que normalmente este transistor se encuentra en corte, cuando
su voltaje fuente- puente es 0 voltios, lo que no permitiría el
paso de la corriente, la única manera de obtener una corriente de
circulación es aplicando un voltaje positivo al terminal de
puerta para que de esa manera se atraigan los electrones libres
a la región P, realizando la recombinación de los mimos, cuando
la tensión de puerta es suficientemente positiva todos los huecos
ya están llenos y los electrones comienzan a fluir a la zona de
drenaje.
Imagen 9 Mosfet de enriquecimiento y partes
4
D. Curvas de drenador
Imagen 10 Curvas Mosfet enriquecimiento
Para que los electrones después de la recombinación pasen a la
zona de drenaje, debe haber voltaje suficiente en la puerta para
que se genere una zona de umbral, para que los electrones
puedan fluir fácilmente y sin ningún inconveniente, es decir que
cuando la tensión Vgs es menor que la tensión de umbral la
corriente de drenador es cero debido a que no tienen la fuerza
necesaria para pasar a la siguiente capa del semiconductor,
ahora ¿porque se le dice enriquecimiento? Porque tiene que
recibir una tensión de puerta mayor que la de umbral para poder
conducir es por ello que se le asigna ese nombre.
En la imagen 10 se muestra un transistor E-mosfet de pequeña
señal, se puede observar la tensión de umbral que es la curva
inferior, se puede verificar que según la gráfica si no se vence
la tensión de umbral, la corriente de drenador es
aproximadamente cero.
Al igual que el JFEt el mosfet tiene una zona óhmica que se
encuentra en la zona casi vertical de la gráfica, es decir que si
se llega a polarizar en esa zona el transistor actúa como una
resistencia.
E. Simbología esquemática
Imagen 11 simbología E-mosfet
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REFERENCIAS
Imágenes: Todas las imágenes fueron escogidas del libro:
[1] Albert Malvino y David J. Bates (2007) Principios de electrónica (Mc
Graw Hill 7° edición) Arévaca Madrid España Pg. 400-460
Libro:
[2] Albert Malvino y David J. Bates (2007) Principios de electrónica (Mc
Graw Hill 7° edición) Arévaca Madrid España Pg. 400-460
Web:
[3] El transistor de efecto campo Metal-semic [online] Disponible en:
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap07.htm . Fecha: 5 de
noviembre del 2017.