Clasificación basada en la estructura del transistor

Punto de contacto de los transistores

Estos fueron los primeros transistores de germanio,que funcionó sobre la base de

un proceso de conformación eléctrico difícil y poco fiable, lo que provocó fallas con
bastante frecuencia. Además, tenían una ganancia de corriente de base común α
mayor que 1 y exhibían resistencia negativa.

Transistor De Unión Bipolar (BJT)

BJTs son los transistores con tres terminales.(Emisor, base y colector) y, por lo
tanto, poseen dos uniones, a saber, la unión del emisor de base y la unión de la
base de colector. Estos son dispositivos controlados por corriente cuya corriente
de conducción depende tanto de la mayoría como de los portadores de carga
minoritaria (por lo tanto bipolar).
Además, estos pueden ser (i) npn conLa mayoría cargan los portadores como
electrones o (ii) pnp con la mayoría cargan los portadores como agujeros,
dependiendo de su naturaleza de dopaje. Aparte de estos, muchos otros tipos de
BJT encontrados son
 Transistor bipolar Heterojunction:

Estos son adecuados para aplicaciones de alta frecuencia y tienen sus

regiones emisora y base hechas de diferentes materiales semiconductores.

 Transistor Schottky o Transistores de Schottky con

abrazaderas:

Estos dispositivos utilizan una barrera Schottky para evitar que el transistor
se sature.

 Transistores de avalancha:

Estos son transistores especialmente diseñados que operan en la región de

ruptura de avalancha (donde la tensión de operación será mayor que la
tensión de ruptura) y poseen velocidades de conmutación muy altas.

 Transistores Darlington:

Estos son los transistores en los que dos transistores individuales se

conectan en cascada de tal manera que el dispositivo resultante posee una
ganancia de corriente muy alta.

 Transistor emisor múltiple:

Esta tipo de transistor Está especialmente diseñado para realizar la

operación lógica NAND.
  Transistor de base múltiple:

Se utiliza para amplificar señales de muy bajo nivel presentes en entornos

ruidosos agregando la señal de forma constructiva, pero el ruido aleatorio
de forma estocástica.

 Transistor de difusión:

Estos se forman mediante la difusión del material semiconductor con los

dopantes necesarios.

Transistor de efecto de campo (FET)

Estos son los transistores controlados por voltaje.que son tri-terminales en donde
la terminal de la puerta controla el flujo de corriente entre la fuente y las terminales
de drenaje. Estos también se denominan dispositivos unipolares, ya que su
corriente de conducción solo se debe a la mayoría de los portadores de carga,
según los cuales pueden ser de canal n (la mayoría de los portadores de carga
son electrones) FET o P-canal (la mayoría de los portadores de carga son
orificios) . Además, los FET pueden clasificarse como

 FET de cruce (JFET):

Los JFET pueden ser pn JFET o FET de metal semiconductor (MESFET)

dependiendo de si tienen pn o una unión de barrera Schottky.

 FET de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) o FET

de puerta aislada (IGFET):

Estos dispositivos tienen una capa aislante debajosu terminal de puerta que
resulta en una impedancia de entrada muy alta. Estos pueden ser de modo
 de agotamiento o mejora en la naturaleza dependiendo de si tienen un
canal preexistente o no, lo que influye en su comportamiento en presencia y
ausencia de voltaje de compuerta.

 MOSFET de doble puerta (DGMOSFET):

Estos son particularmente útiles en aplicaciones de RF y tienen dos

controles de puerta serie.

 Transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) o FET de

heteroestructura (HFET):

Estos se caracterizan por la presencia de unhetero-unión que comprende

diferentes materiales en cada lado de la unión y se utiliza en aplicaciones
de muy alta frecuencia de microondas. Otras variaciones de estos
dispositivos incluyen HEMT metamórfico, HEMT pseudomórfico (PHEMT),
HEMT inducido, FET de puerta aislada de heteroestructura (HIGFET) y FET
dopado con modulación (MODFET).

 FinFETs:

Estos son transistores de doble puerta cuyo ancho de canal efectivo se

decide por la delgada "aleta" de silicio que forma el cuerpo del dispositivo.

 MOS vertical (VMOS):

Este dispositivo es estructuralmente similar al dispositivo MOS, excepto que

tienen ranura en V en ellos, lo que aumenta su complejidad y costo.

 UMOS FET:

Estos son FET basados en estructuras de zanja casi similares a VMOS,

excepto por el hecho de que tienen una ranura en forma de "U" en lugar de
una ranura en forma de "V".

 TrenchMOS:

Los FET basados en esta tecnología poseen una estructura vertical con los
terminales Source y Drain en sus partes superior e inferior,
respectivamente.

 Semiconductor de óxido de nitruro de metal (MNOS):

Este tipo de transistor es un complemento de la tecnología MOS y utiliza

óxido de nitruro como capa aislante.
 FET de diodo epitaxial de recuperación inversa o rápida
(FREDFET):

Estos son FET ultra rápidos con capacidad de apagado rápido para el diodo
del cuerpo.

 FET de agotamiento (DEPFETs):

Estos FET se forman en sustratos completamente agotados.

 Túnel FET (TFET):

Estos trabajos se basan en el principio de tunelización cuántica y se utilizan

ampliamente en electrónica de baja energía, incluidos los circuitos digitales.

 FET sensible a los iones (ISFET):

Este FET utiliza la concentración de iones en la solución para regular la

cantidad de flujo de corriente a través de ella. Estos dispositivos son
ampliamente utilizados en el campo de la biomedicina y el monitoreo
ambiental.

 FET biológicamente sensible (BioFET):

En estos FET, las moléculas biológicas que se unen aEl terminal de la

puerta cambia su distribución de carga y altera la conductancia del canal.
Hay muchas variaciones entre estos dispositivos como EnFET,
ImmunoFET, GenFET, DNAFET, CPFET, BeetleFET, etc.

 Memoria de nanopartículas orgánica FET (NOMFET):

Este FET imita el comportamiento de la transmisión de señales entre

neuronas y se utiliza en el campo de la inteligencia artificial.

 FETs orgánicos (OFETs):

Estos FET poseen una estructura basada en el concepto de transistores de

película delgada y utilizan semiconductores orgánicos para su canal. Estos
se utilizan ampliamente en el campo de la electrónica biodegradable.

 HEXFETs:

Estos son los FET con su área de matriz que consiste en celdas básicas de
forma hexagonal que, a su vez, reducen el tamaño de la matriz al tiempo
que aumenta la densidad del canal.
  Nanotubos de carbono FET (CNTFET):

Este FET comprende un canal hecho de nanotubos de carbono (uno o una

matriz) en lugar de silicio a granel.

 Grafeno Nanoribbon FET (GNRFET):

Estos FETs utilizan nanocintas de grafeno como material para su canal.

 FET de hendidura vertical (VeSFET):

Estos son FET de dos puertas con una ranura de silicona vertical, nada
más que un paso estrecho de silicona entre dos regiones de silicona más
grandes.

 Quantum FETs (QFETs):

Estos transistores se caracterizan por una velocidad de operación muy alta

y funcionan según el principio de tunelización cuántica.

 FET T invertido (ITFET):

Estos tienen una parte del dispositivo que se extiende verticalmente desde
el plano horizontal.

 Transitor de película delgada (TFT):

Tienen películas delgadas de semiconductor activo, aislante y metal

depositadas sobre un sustrato no conductor como el vidrio.

 Transistores balísticos:

Estos se utilizan en circuitos integrados de alta velocidad y funcionan

mediante el uso de fuerzas electromagnéticas.

 Electrolito Óxido Semiconductor FET (EOSFET):

Estos tienen la parte metálica de los MOSFET estándar reemplazados por

una solución de electrolito y se utilizan para detectar la actividad neuronal.

Clasificación basada en su función

1. Transistores de señal pequeña:
 Este tipo de transistores se utilizan particularmente para amplificar las
señales de bajo nivel (rara vez para la conmutación) y pueden ser de
naturaleza npn o pnp.

2. Transistores de conmutación pequeños:

Estos se utilizan ampliamente para fines de conmutación, aunque se

pueden emplear para el proceso de amplificación. Estos transistores están
disponibles tanto en formato npn como en formato pnp.

3. Transistores de poder:

Estos se utilizan como amplificadores de potencia en aplicaciones de alta

potencia y pueden ser npn o pnp o transistores Darlington.

4. Transistores de alta frecuencia:

Estos también se conocen como transistores de RF y se utilizan en

dispositivos de conmutación de alta velocidad en los que las señales
pequeñas operan a altas frecuencias.

5. Foto-transistor:

Estos son dispositivos sensibles a la luz de dos terminales que no son más
que los transistores estándar que tienen una región fotosensible como
sustituto de la región base.

6. Transistores Unijunction:

Estos transistores se utilizan exclusivamente como interruptores y no son

adecuados para la amplificación.

7. Transistores biomédicos y ambientales:

Estos se utilizan en el campo de la biomedicina y la detección ambiental.

Además de estos, también existe unaTransistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

que combina las características de BJT y FET, ya que utiliza una puerta aislada
para controlar un transistor de potencia bipolar que actúa como interruptor.
También hay dispositivos que comprenden dos uniones de túneles que encierran
una isla controlada por puerta llamada Single Electron Transistors (SET). Ciertos
transistores, como los del transistor Nanowire (JNT) sin empalmes, incluso
carecen de la presencia de la unión de la compuerta que conduce a microchips
más densos y más baratos. Por último, cabe señalar que estos son solo un
número contable de tipos de transistores entre los tipos más amplios presentes en
el mercado.
Transistores

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño
de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de
control.

Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas

décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de
radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se
encendían en un par de segundos, televisores en color... Antes de
aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con
tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran
consumo que tenían.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se

encuentran:

 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas,
emisión de radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés,
fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas,
modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3
terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del
encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias
formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen también
3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero
(Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Tipos de Transistores. Simbología

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de

las apliaciones a las que se destinan. Aquí abajo mostramos una tabla
con los tipos de uso más frecuente y su simbología:

Transistor Bipolar de Unión (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de

Unión (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de

Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrónico, los transistores se representan

mediante su símbolo, el número de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de
transistor, tal como se muestra aquí:
Aquí podemos ver una selección de los transistores más típicos,
mostrando su encapsulado y distribución de patillas. (Para ver la imágen
en grande se puede hacer click sobre ella).

Encapsulado de Transistores

Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Están

encapsulados de diferentes formas y tamaños,
dependiendo de la función que vayan a desempeñar.
Hay varios encapsulados estándar y cada encapsulado
tiene una asignación de terminales que puede
consultarse en un catálogo general de transistores.

Independientemente de la cápsula que tengan, todos

los transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la
referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los
transistores mostrados a la derecha se observa la referencia "MC 140".

Cápsula TO-3. Se utiliza

para transistores de gran
potencia, que siempre
suelen llevar un radiador de
aluminio que ayuda a
disipar la potencia que se
genera en él.
Arriba a la izquierda vemos
su distribución de
terminales, observando que
el colector es el chasis del
transistor. Nótese que los
otros terminales no están a
la misma distancia de los
dos agujeros.
A la derecha vemos la
forma de colocarlo sobre un
radiador, con sus tornillos y
la mica aislante. La función
de la mica es la de aislante
eléctrico y a la vez
conductor térmico. De esta
forma, el colector del
transistor no está en
contacto eléctrico con el
radiador.
Cápsula TO-220. Se utiliza
para transistores de menos
potencia, para reguladores
de tensión en fuentes de
alimentación y para
tiristores y triacs de baja
potencia.
Generalmente necesitan un
radiador de aluminio,
aunque a veces no es
necesario, si la potencia
que van a disipar es
reducida.
Abajo vemos la forma de
colocarle el radiador y el
tornillo de sujección. Se
suele colocar una mica
aislante entre el transistor y
el radiador, así como un
separador de plástico para
el tornillo, ya que la parte
metálica está conectada al
terminal central y a veces
no interesa que entre en
contacto eléctrico con el
radiador.
Cápsula TO-126. Se utiliza
en transistores de potencia
reducida, a los que no
resulta generalmente
necesario colocarles
radiador.
Arriba a la izquierda vemos
la asignación de terminales
de un transistor BJT y de un
Tiristor.
Abajo vemos dos
transistores que tienen esta
cápsula colocados sobre
pequeños radiadores de
aluminio y fijados con su
tornillo correspondiente.
Cápsula TO-92. Es muy
utilizada en transistores de
pequeña señal.
En el centro vemos la
asignación de terminales en
algunos modelos de
transistores, vistos desde
abajo.
Abajo vemos dos
transistores de este tipo
montados sobre una placa
de circuito impreso. Nótese
la indicación "TR5" de la
serigrafía, que indica que
en ese lugar va montado el
transistor número 5 del
circuito, de acuerdo al
esquema eléctrónico.

Cápsula TO-18. Se utiliza

en transistores de pequeña
señal. Su cuerpo está
formado por una carcasa
metálica que tiene un
saliente que indica el
terminal del Emisor.
 Cápsula miniatura. Se
utiliza en transistores de
pequeña señal. Al igual que
el anterior, tienen un
tamaño bastante pequeño.

Para más información acerca del encapsulado de los transistores, hemos

colocado aquí estas hojas de características. En ellas se observan la
forma y dimensiones de los diferentes tipos de transistores.

BD:PUENTE RECTIFICADOR
Fusibles SMD (montaje
superficial)
Super-Quick-Acting FF / Surface Mount Fuse
Type USF 0603 32 V (AC/DC)

·Miniatura
· Cerámicos
· Corte ultra rápido.
· Máxima tensión de trabajo: 32 V
· Baja caída de tensión.
· Alta capacidad de interrupción:
35A @ 32V (AC/DC)Dimensiones: 0.8 x 0.6 x 1.6 mm

RESISTENCIA CAIDA DE
LETRA CORRIENTE
CODIGO GM EN FRIO TENSION
ESKA (A)
(Ohms) (mV)

3412F0.25 D 0.25 0.57 <212

3412F0.375 E 0.375 0.43 <199

3412F0.5 F 0.5 0.24 <175

3412F0.75 G 0.75 0.14 <157

3412F1 H 1 0.10 <148

3412F1.5 K 1.5 0.062 <62

3412F2 N 2 0.045 <45

3412F2.5 O 2.5 0.035 <35

3412F4 S 4 0.022 <22

Time-Lag SMD Fuses T / Surface Mount Fuse

Type 2410 125V (AC/DC)

· Miniatura
· Cerámicos
· Corte lento
· Máxima tensión de trabajo: 125 V
· Baja caída de tensión
· Alta capacidad de interrupción:
50A / 35A @ 125 VAC
Dimensiones: 2.5 x 2.5 x 6.1 mm
 CORRIENTE
CODIGO GM
(A)

2410T0.75 0.75

2410T1 1

2410T1.5 1.5

2410T2 2