ICET – INSTITUTO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA

ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO

LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA E DIGITAL

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

(FET)

EXPERIÊNCIA 1

CURVA CARACTERISTICA

EXPERIÊNCIA 2

AUTO-POLARIZAÇÃO E GANHO

EXPERIÊNCIA 3

CARACTERISTICAS DO TRANSISTOR
EXPERIÊNCIA 1

4. QUESTÕES PARA O RELATÓRIO R1

ITEM 1 - Através dos dados medidos em laboratório de Idss e da tensão Vp

obtenha a curva característica teórica do FET BF245 (Equação de Schokley).
ITEM 2 – Faça no computador o gráfico da curva característica teórica do FET
BF245 com a corrente de dreno do FET Id (eixo y) e a tensão Vgs (eixo x).
ITEM 3 – Plotar nesse mesmo gráfico a curva obtida experimentalmente.
ITEM 4 –Compare a curva experimental com a curva teórica.
ITEM 5 – Compare a curva experimental coma curva fornecida pelo fabricante
(ver anexos).

BASE DE DADOS UTILIZADA

Id (mA) Id (mA) Id (mA) Idss (mA)
Vgs (V)
Schokley Multisim Fabricante Multisim
0,00 4,084 4,084 4,000 4,084
0,20 3,308 3,213 3,400 4,084
0,40 2,614 2,444 2,800 4,084
0,60 2,001 1,778 2,200 4,084
0,80 1,470 1,213 1,450 4,084
1,00 1,021 0,755 1,000 4,084
1,20 0,653 0,405 0,600 4,084
1,40 0,368 0,158 0,380 4,084
1,60 0,163 0,027 0,200 4,084
1,80 0,041 0,000 0,050 4,084
2,00 0,000 0,000 0,000 4,084

Equação de Schokley

Id =

CURVAS SOBREPOSTAS
Fica evidente que o comportamento observado experimentalmente, tanto na
simulação quanto na dedução por fórmula, é similar ao comportamento apontado
pela documentação do fabricante.

Simulação no software MULTISIM ®

EXPERIÊNCIA 2

5. QUESTÕES PARA O RELATÓRIO R1

ITEM 1 - Gráfico provisório de ganho de tensão G (eixo y) como função da

freqüência f (eixo x).

ITEM 2 – Mecanismo de auto-polarização do FET através do resistor R1 e R2.

Na auto-polarização é eliminada a necessidade de duas fontes DC. A tensão

controladora porta – fonte é determinada pela tensão através do resistor R2
colocado entre a fonte e o terra.
R3 – estabelece o potencial no terminal dreno e limita a corrente Id.
R1 – Mantém o terminal o terminal porta ao potencial terra uma vez que não há
corrente circulante neste terminal.
R2 – Dá origem a um potencial no terminal fonte quando percorrido por Id.
Através deste resistor se determina a tensão Vgs, então podemos determinar o
ponto de funcionamento do circuito.

ITEM 3 – Função dos capacitores utilizados no circuito

C1 e C3 – São capacitores de acoplamento de entrada e saída respectivamente.

Quando o sistema é sumetido a uma corrente DC estes capacitores funcionam
como um “circuito aberto” e o contrário acontece com a corrente AC.
C2 – Capacitor de desacoplamento da fonte, tem por objetivo colocar o resistor
R2 em curto quando submetido a uma corrente AC.

ITEM 4 – Valores de capacitância adequados para aplicação de amplificação de

áudio (20 Hz até 10 kHz) e FM (88 a 108 MHz).

Xc (considerando este valor comum de Reatância Capacitiva)

= 2.5 E-7 (Para freqüências até 10 kHz)

= 2.33 E-11 (Para freqüências até 108MHz)

ITEM 5 – Vantagens e desvantagens no uso do FET

O FET tem diversas vantagens sobre o transistor bipolar:

1. Sua operação depende apenas do fluxo de portadores majoritários. São,
portanto, dispositivos unipolares (trabalham apenas com um tipo de portador de
carga) e por isso recebe também, o nome de transistor unipolar;
2. São relativamente imunes à radiação;
3. Possuem uma grande resistência de entrada, tipicamente da ordem de
megaohms;
4. Apresentam menor ruído comparado aos transistores bipolares;
5. Eles não apresentam tensão residual (tensão de offset) para corrente de dreno
nula;
6. Apresentam estabilidade térmica.
A desvantagem do FET é o seu pequeno produto ganho ´ faixa de passagem
(bandwidth) em comparação ao transistor bipolar.

Por outro lado o BJT apresenta maior sensibilidade às variações do sinal

aplicado. Assim, as variações de corrente de saída são tipicamente maiores para
os BJTs do que para os FETs, para uma mesma variação do sinal de
entrada, por isso que os ganhos de tensão dos amplificadores adquiridos com a
utilização dos BJTs são superiores que aos ganhos de tensão adquiridos com a
utilização de amplificadores com FETs. Em geral os FETs são mais estáveis com
relação a temperatura do que os BJTs.
EXPERIÊNCIA 3

4. QUESTÕES PARA O RELATÓRIO R1

Item 1: Faça no computador as curvas de Ic (Corrente de Coletor) versus Vce

(Tensão Coletor-Emissor) para Vbb=1.0V, Vbb=1.5V, Vbb=2.0V, Vbb=2.5V,
Vbb=3.0V semelhantes ao mostrado acima no mesmo gráfico. Considere o eixo y
os valores de Ic e no eixo X os valores de Vce.

Item 2: CFaça no computador as curvas de Ib (Corrente de Base) versus Vbe

(Tensão Base-Emissor) para os valores de Vbb descritos na tabela.

Item 3: Compare os gráficos de Ic x Vce com os gráficos fornecidos pelo

fabricante do transistor BC337.

Item 4: Compare os gráficos obtidos de Ic x Vbe com o gráfico do fabricante do

transistor BC337.

Item 5: Com base no gráfico 1 defina as regiões de saturação e de corte e

saturação do transistor.

BASE DE DADOS UTILIZADA

Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V)
1,0 0,664 1,5 0,679 2,0 0,681 2,5 0,682 3,0 0,684
VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V)
1,0 0,489 1,0 0,127 1,0 0,098 1,0 0,084 1,0 0,076
2,0 1,484 2,0 0,758 2,0 0,175 2,0 0,125 2,0 0,108
3,0 2,479 3,0 1,746 3,0 1,015 3,0 0,302 3,0 0,148
4,0 3,475 4,0 2,734 4,0 1,999 4,0 1,274 4,0 0,570
5,0 4,470 5,0 3,723 5,0 2,978 5,0 2,249 5,0 1,538
6,0 5,465 6,0 4,711 6,0 3,959 6,0 3,224 6,0 2,506
7,0 6,460 7,0 5,699 7,0 4,941 7,0 4,198 7,0 3,474
8,0 7,450 8,0 6,687 8,0 5,922 8,0 5,173 8,0 4,492
9,0 8,450 9,0 7,676 9,0 6,904 9,0 6,147 9,0 5,410
10,0 9,445 10,0 8,664 10,0 7,885 10,0 7,122 10,0 6,380

VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA)
0,664 0,034 0,679 0,082 0,681 0,132 0,682 0,182 0,684 0,232
VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA)
0,489 5,120 0,127 8,734 0,098 9,025 0,084 9,157 0,076 9,241
1,484 5,170 0,758 12,000 0,175 18,000 0,125 19,000 0,108 19,000
2,479 5,220 1,746 13,000 1,015 20,000 0,302 27,000 0,148 29,000
3,475 5,270 2,734 13,000 1,999 20,000 1,274 27,000 0,570 34,000
4,470 5,320 3,723 13,000 2,978 20,000 2,249 28,000 1,538 35,000
5,465 5,370 4,711 13,000 3,959 20,000 3,224 28,000 2,506 35,000
6,460 5,410 5,699 13,000 4,941 21,000 4,198 28,000 3,474 35,000
7,450 5,460 6,687 13,000 5,922 21,000 5,173 28,000 4,492 36,000
8,450 5,510 7,676 13,000 6,904 21,000 6,147 29,000 5,410 36,000
9,445 5,560 8,664 13,000 7,885 21,000 7,122 29,000 6,380 36,000
Concluímos que as curvas obtidas em experimento são muito próximas às
teoricas fornecidas. Comprova-se pelo método experimental o comportamento do
componente bem próximo ao referenciado em datasheet do fabricante.

Podemos identificar uma diferença considerável em relação ao gráfico fornecido

pelo fabricante, isso se deve a variações entre os valores experimentais e
teóricos.
SIMULAÇÃO NO SOFTWARE MULTISIM ®