UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CURSO:
Laboratorio de Microondas Y Fibra Óptica

DOCENTE:
Ing. Ebert San Román

TEMA:
INFORME: AMPLIFICADOR DE MICROONDAS DE 16dB A 1.2GHz CON
DISEÑO Y SIMULACION EN ANSOFT DESIGNER

INTEGRANTES:
CUI
 Sivincha Pauccar, Romario
 Calla Bendita, Fredy 20140521
 Valdivia Paricahua, Gian Pierre 20140214


AREQUIPA – PERÚ
2019

1
 OBJETIVO GENERAL:

Diseñar y simular un amplificador de microondas de 16dB a 1.2GHz en Ansoft

Designer para su implementacion y prueba fisica.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

_Diseño del amplificador mediante el uso de uno de modelos usados para

amplificadores de microondas.
_Sintonizacion de los valores de los componentes para losgrar las caracteristicas
propuestas para nuestro amplificador.
_Simulacion de los parametros 𝑆11 y 𝑆21 del diseño para ver si cumple con las
caracteristicas de diseño deseadas.
_Se utilizará tecnología Microscrip para realizar la impelentacion fisica de las
pistas y de los stubs de adaptacion de impedancia.
_Se hace uso de componentes discretos SMD como: resistencias y capacitores.
_Se utiliza un circuito integrado de microondas MIC para el transistor
implementado en el diseño.

MARCO TEORICO
Para determinar las caracteristicas de un amplificador de microondas y asi poder hacer un analisis
de si cumple con las caracteristicas deseadas o si se necesita de un proceso de correccion o
rediseño, debemos mostrar al amplificador como un bloque (caja negra) y definiendo su puerto
de entrada y salida formando asi una red de dos puertos (two-port network).

Tomamos el modelo de red de dos puertos y teniendo en cuenta que por el puerto de entrada se
aplica una onda incidente de entrada 𝑎1 y esta genera una onda reflejada de entrada 𝑏1 , igualmente
ocurre en la salida del amplificador teniendo asi una onda incidente de salida 𝑎2 y esta genera una
onda reflejada de salida 𝑏2 .

Recordando que en una linea de transmision de un puerto el coeficiente de reflexion se definia

como la razon entre la onda reflejada y la onda incidente, entonces la onda reflejada se expresaria
como la onda incidente por coeficiente de reflexion, la misma idea se usa para la red de dos
puertos ya que de nuevo vamos a expresar la onda reflejada en terminos de la onda incidente a
traves de los parametros de la red, en este caso la onda reflejada de entrada depende de la onda
incidente de entrada y salida, luego la onda reflejada de salida tambien depende de la onda
incidente de entre y salida. Las dependencias mencionadas anteriormente se denotan a traves de
los parametros de dispersion o scattering (S), entonces se tiene a la red de dos puertos como:

Donde se cumple que:

2
 𝑏1 = 𝑆11 𝑎1 + 𝑆12 𝑎2
𝑏2 = 𝑆21 𝑎1 + 𝑆22 𝑎2
De los parametros S mostrados los de relevante importancia para nuestro diseño sera los
parametros:
𝑏1
𝑆11 = |
𝑎1 𝑎 =0
2
𝑏2
𝑆21 = |
𝑎1 𝑎 =0
2

Donde 𝑆11 constituye una forma de medir cuando de rechazo hay para el reflejo de la onda
incidente en la entrada de nuestro amplificador y 𝑆21 constituye una forma de medir la ganacia
entre la onda reflejada de salida (la señal amplificada que sale del amplificador) y la onda
incidente en la entrada (la señal que queremos amplificar).

Algo importante tambien a tomar en cuenta es la adaptacion de impedancias entre la entrada del
amplificador y la entrada del transistor que usamos para amplificar la señal y entre la salida del
transistor y la salida del amplificador, ya que como deseamos entregar la mayor cantidad de
potencia a la carga según el diseño del amplificador, se debe reducir esas perdidas de potencia
realizando estos “matching” de impedancias en la entrada y salida.

En general la estructura del amlplificador estara dada por:

En nuestro caso realizamos las adaptaciones de impedancia en la entrada y la salida mediante el

uso de “stubs”.

MODELO DEL AMPLIFICADOR:

Para el diseño de amplificadores de microondas se debe tener encuenta primero el modo

de polarizacion que se amplicara al transistor, ya que hay variaciones en los modelos pero
estos siempre se pueden adaptar para el modelos requerido, en nuestro caso optamos por
una polarizaion positiva (no simetrica.

Los fabricantes de los transistores de microondas recomiendan circuitos de polarizacion

y configuracion para el transistor y el amplificador respectivamente, en nuestro caso se
encontro modelos propuestos por Aligent Technologies para realizar amplificacion a
1.9GHz, pero como nosotros queremos para 1.2GHz lo que realizamos fue una adaptacion
de los valores de los componentes para obtener la amplificacion de la onda incidente en
1.2GHz.

Asi entonces tenemos un primer modelo:

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Pero en este modelo aparece dos alimentaciones: 𝑉𝑔𝑔 y 𝑉𝑑𝑑 , entonces para adaptar este
modelo a uno con polarizacion positiva unica se debe realizar la introduccion de resistores
en la fuente (S) del transistor, pero desde un punto de vista de RF estos resistores deben
estar en configuracion bypass con capacitores en paralelo para asi proveer una baja
impedancia en la frecuencia de operación.

Las resistencias en la fuente (S) del transistor hacen que el potencial en la puerta (G) del
transistor sea mas negativa, lo cual es requerido para establecer la cantidad necesaria de
corriente del drenaje (D) para el diseño.

Entonces tendriamos como nuevo modelo:

Es necesario resaltar que toda inductancia mostrada en los modelos no seran

implementadas mediante componentes discretos, sino mas bien, por tramos de lineas
Microstrip dado que al ajustar el ancho y largo de la linea podemos obtener un modelo de
la inductancia mas preciso.

En una forma mas especifica y general para poder variar la ganacia de la salida del
amplificador se deberia usar la polarizacion con 𝑉𝑔𝑔 ya que al tener la fuente (S) dirigida
a tierra mediante los componentes de baja impedancia a la frecuencia de operación.

Asi entonces nos da este ultimo modelo generalizado:

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Este ultimo modelo y acondicionado con el anterior modelo para polarizacion positiva
unica conforman el modelo utilizado para nuestro amplificador y claro el fabricante nos
da recomendaciones para los valores de los componentes pero estos son para una
frecuencia de operación de 1.9GHz, entonces mediante el uso del software se realizo una
sintonizacion de los valores de los componentes para lograr nuestro objetivo especifico.

En el grafico anterior no aparecen los stubs de adaptacion entre 𝑄1 y 𝐶1 y entre 𝑄1 y 𝐶2 ,

pero en nuestro modelo si aparecen por las razones mencionadas en el punto anterior.

DISEÑO DEL AMPLIFICADOR EN ANSOFT DESIGNER:

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6
RESULTADOS DE LA SIMULACION DE LOS PARAMETROS S:

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De los resultados mostrados anteriormente se observa que en 1.2GHz ocurre que:

_Segun 𝑥1 = 1.2𝐺𝐻𝑧 da 𝑦1 = 18.75, donde este resultado se le atribuye al punto

1 en la curva roja que describe al parametro 𝑆21 que nos indica una ganacia de
18.75dB.

_Segun 𝑥2 = 1.2𝐺𝐻𝑧 da 𝑦2 = −7.26, donde este resultado se le atribuye al punto

2 en la curva azul que describe al parametro 𝑆11 que nos indica un coeficiente de
reflexion en la entrada de -7.26dB.