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4.6. Caída de tensión que se presenta en los terminales del diodo cuando éste está en conducción. 0.6V
4.7. Máxima corriente inversa cuando el diodo está polarizado inversamente a temperatura ambiente 5uA
7. La disipación de potencia cuando la temperatura del encapsulado está a la temperatura ambiente. 75° C
11. Voltaje colector – base que puede soportar cuando el emisor está desconectado.
c. Resistencia estática entre drenador y surtidor, cuando el transistor está en saturación. 0.75 Ohm
n. Si el factor de derating es de 1,0 W/ºC, la disipación de potencia del MOSFET a la temperatura de 50ºC es :
o. El tiempo de recuperación inversa del diodo que se encuentra entre surtidor y drenador. 420n S
b. Máximo voltaje inverso que puede aplicarse entre ánodo y cátodo. 500 V
c. Mínimo valor de corriente de ánodo que hará que el SCR pase de la condición de conducción, a la condición de bloqueo. 40m A
d. Voltaje entre los bornes ánodo y cátodo cuando el SCR está en conducción. 1.5 V
g. Mínimo valor de corriente de ánodo que hará que el SCR pase de la condición de bloqueo, a la condición de conducción. 40m A
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b. Máximo voltaje inverso que puede aplicarse entre ánodo 2 y ánodo 1. 600 V
c. Valor típico de la corriente de ánodo que hará que el TRIAC pase de la condición de conducción a la condición de bloqueo en el cuadrante I. 5m A
e. La corriente que requiere el gate cuando el TRIAC trabaja en el primer cuadrante. 35m A
g. El voltaje que se presenta entre ánodo 1 y ánodo 2 cuando el triac está en conducción. 1.7V
j. ¿En que cuadrante la compuerta o gate del TRIAC requiere mayor corriente?