UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA Página:1/6

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FISICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL INGENIERÍA MECÁNICA, MECÁNICA-
Jefe de Prácticas:
ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA Ing. Christiam G. Collado Oporto
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
Código:
TRANSISTOR BJT Semestre:
Grupo: FECHA:
Apellidos y Nombres: Lab. Nº:

OBJETIVOS
Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
Analizar las características de transistores BJT
Calcular la curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica
la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada
transistor.
Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de

amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic,
sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso
sale de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver figura 1.
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En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente la
curva es más alta

Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para
inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces
está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

CUESTIONARIO PREVIO
 ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación? Explique.
 Transistor de contacto Puntual: Este es considerado como el primero de todos los transistores
que podía conseguir ganancia. Data desde el año 1947, creado por John Bardeen y Walter Brattain.
Esta está compuesta por una base de germanio donde se sostienen dos puntas metálicas que
corresponde al colector y al emisor. Este es muy frágil, difícil de construir y tiende a ser muy ruidoso.
 Transistor de unión bipolar: En este puede pasar una corriente grande en función de una corriente
pequeña que pasa por la base. Este tipo de transistor se origina por la unión de tres cristales que
son excelentes semiconductores, y que presentan dopajes intercambiados y a la vez distintos. Estos
llegan a presentar transistores NPN o PNP.
 Transistor de efecto de campo: Es considerado como el primero de todos los transistores de efecto
de campo de unión que existen en la actualidad. Este transistor está constituido por una barra de
material de silicio que actúa como un semiconductor, y que en sus terminales se efectuá un contacto
óhmico. Este transistor logra controlar la energía en función de una tensión. Este se construye a
través de una unión PN.
 Transistor de potencia Estos transistores son muy parecidos a los transistores tradicionales, lo que
le distingue, es que estos tienden a aguantar una mayor cantidad de tensión, así como también de
intensidad.

 ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus características.

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los transistores de Silicio
(Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de alto rendimiento
ahora emplean el compuesto semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora
de silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como
elemental.

A continuación presentamos una tabla donde están presentes las características de los diversos
materiales semiconductores
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Tensión directa Movilidad de Máxima

Material Movilidad de huecos
de la union V @ electrones temperatura de unión
semiconductor m2/(V·s) @ 25 °C
25 °C m2/(V·s) @ 25 °C °C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 — — 150 a 200

En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar más rápido. La
tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el germanio
tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.

 ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del transistor?

Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan VBE con IB y VCE con IC
e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.

Curva VBE-IB: Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la
tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas reciben el nombre de curvas
características de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando
se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de gran ayuda para localizar
averías en circuitos con transistores.

Características VCE-IC
Estas características también son conocidas como familia de colector, ya que son las correspondientes
a la tensión e intensidad del colector. Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende
exclusivamente de la de base, a través de la relación I C=β+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la
representación estará formada por rectas horizontales (independientes de V CE) para los diversos
valores de IB

 ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN

EQUIPOS Y MATERIALES
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Miliamperímetro DC
 Voltímetro DC
 Fuente DC

PROCEDIMIENTO

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la
lectura del DMM.
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Tabla 1.
Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM
1 2 ......-........
2 1 .....8,3.....
1 3 ......-........
3 1 .......-.......
2 3 ..3,18......
3 2 ......-........

Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

Tabla 2.
Terminal BASE ...... 2......
Terminal COLECTOR .......1......
Terminal EMISOR .......3......
Tipo del Transistor ....NPN...
Material del Transistor .SILICIO..

Esquema
Vref
+V

Rc1

Rb1

Rc2

T1
Rb2

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo de transistor
(NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y  (hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la correspondencia
de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir  en el caso de un BJT. De esta forma
se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de transistor,
configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE) y frecuencia de corte.

4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 5M; Rc1= 100 y Rc2 = 10K. Se requiere
ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma de V CE sea 0V,
0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.

Vce = 0 V Vce = 0.5 V Vce = 1 V Vce = 1.5 V

Ib = 25uA Ic = 14,84 uA 7,1 mA 7,2 mA 7,24 mA
Ib = 50uA Ic = 1,41 mA 13,60 mA 14,4 mA 14,47 mA
Ib = 75uA Ic = 1,40 mA 18,60 mA 21,3 mA 21,7 mA
Ib = 125uA Ic = 1,40 mA 25,7 mA 32,8 mA 35,1 mA
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5. Grafique Vce vs Ic.

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB igual a 50uA,
75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig 2.

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica en
la Tabla 3.

c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla 3.

d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3.
Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de V RB establecerá un
nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los
valores medidos de Rc.
i.
Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva es I C vs. VCE
para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
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Tabla 3
VRB (V) IB (μA) VCE (V) VRC (V) IC (mA) VBE (V) IE (mA) α β
(medido) (calculado) (medido) (medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
3.3 10 2 2,06 2,99 0,65 3,0 0,997 249
3.3 10 4 3,00 3,03 0,65 3,04 0,997 303
3.3 10 6 3,04 3,07 0,65 3,08 0,997 307
3.3 10 8 3,08 3,11 0,65 3,12 0,997 311
3.3 10 10 3,12 3,15 0,65 3,16 0,997 315
3.3 10 12 3,16 3,19 0,65 3,20 0,997 314
3.3 10 14 3,21 3,24 0,65 3,25 0,997 324
3.3 10 16 3,25 3,28 0,65 3,24 0,997 328

6.6 20 2 5,89 5,94 0,67 5,96 0,997 297

6.6 20 4 5,97 6,02 0,67 6,04 0,997 301
6.6 20 6 6,06 6,12 0,67 6,14 0,997 306
6.6 20 8 6,17 6,23 0,66 6,25 0,997 318,5
6.6 20 10 6,30 6,36 0,66 6,38 0,997 318
6.6 20 12 6,41 6,47 0,65 6,44 0,997 323,5
6.6 20 14 6,5 6,56 0,65 6,58 0,997 328

9.9 30 2 8,83 8,91 0,68 8,94 0,997 297

9.9 30 4 9,04 9,13 0,68 9,16 0,997 304,3
9.9 30 6 0,29 9,37 0,67 9,4 0,997 312,3
9.9 30 8 9,54 9,63 0,65 9,66 0,997 321
9.9 30 10 9,76 9,85 0,65 9,88 0,997 328,3

13.2 40 2 11,56 11,66 0,69 12 0,997 291,5

13.2 40 4 11,91 12,02 0,68 12,06 0,997 302,5
13.2 40 6 12,25 12,36 0,68 12,4 0,997 304
13.2 40 (7,35)
8 12,55 12,66 0,67 12,7 0,997 316,5

16.5 50 2 14,3 14,43 0,69 14,48 0,997 288,6

16.5 50 4 14,79 14,92 0,69 14,97 0,997 298,9
16.5 50 (6,25)
6 14,99 15,12 0,68 15,18 0,997 302,6
16.5 50 8

Variación de  y 
Para cada línea de la Tabla 3 Calcule los niveles correspondientes de  y  usando las siguientes ecuaciones:

 = Ic / IE
 = Ic / IB
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CUESTIONARIO FINAL

1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?
2 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la práctica?
4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?
5 Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Observaciones:
 Cuando se vaya a medir corriente con el multímetro siempre se debe tener cuidado ya que, si no
es medida correctamente, podemos ocasionar que se queme un fusible del multímetro