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1. ¿ cuantos protones contiene el nucle de un atomo de cobre ?

a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
2. ¿ La carga neta de un atomo de cobre neutro es ?
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
3. ¿Suponiendo que se elimina el electron de valencia de un atomo de cobre. La carga neta
del atomo sera ¿
a. 0
b. +4
c. -1
d. +4
4. ¿Que tipo de atraccion experimenta el elcatron de valencia de un atomo de cobre hacia el
nucleo?
a. Ninguna
b. Debil
c. Fuerte
d. Imposible saverlo
5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?
a. 0
b. 1
c. 2
d. 4
6. 6. ¿Cuál es el semiconductor cuyo uso está más extendido?
a. Cobre
b. Germanio
c. Silicio
d. Ninguno de los anteriores
7. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de silicio?
a. 4
b. 14
c. 29
d. 32
8. Los átomos de silicio se combinan formando un patrón ordenado denominado
a. enlace covalente
b. cristal
c. semiconductor
d. orbital de valencia
9. Un semiconductor intrínseco tiene algunos huecos a temperatura ambiente. ¿Qué causa
estos huecos?
a. dopaje
b. electrones libres
c. energía térmica
d. electrones de valencia
10. Cuando un electrén se mueve a un órbital de nivel mayor, su nivel de energía con respecto
al núcleo
a. aumenta
b. disminuye
c. permanece igual
d. depende del tipo de átomo
11. La unión de un electrón libre y de un hueco se denomina
a. enlace covalente
b. tiempo de vida
c. recombinación
d. energía térmica
12. A temperatura ambiente, un cristal de silicio intrínseco se comporta de manera similar a
a. una batería
b. un conductor
c. un aislante
13. El tiempo transcurrido entre la creación de un hueco y su desaparición se denomina
a. dopaje
b. tiempo de vida
c. recombinación
d. valencia
14. El electrón de valencia de un conductor también se puede llamar
a. electrón de enlace
b. electrón libre
c. núcleo
d. protón
15. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un conductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
16. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un semiconductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4

17. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos fluyen


a. alejándose del potencial negativo
b. hacia el potencial positivo
c. en el circuito externo
d. Ninguna de las anteriores
18. En un material semiconductor, el orbital de valencia se satura cuando contiene
a. 1 electrón
b. Los mismos iones ( ) y ()
c. 4 electrones
d. 8 electrones
19. En un semiconductor intrínseco, el número de huecos es
a. igual al número de electrones libres
b. mayor que el número de electrones libres
c. menor que el número de electrones libres
d. Ninguna de las anteriores
20. La temperatura de cero absoluto es igual a
a. 273°C
b. 0°C
c. 25°C
d. 50°C
21. A la temperatura de cero absoluto, un semiconductor intrínseco tiene
a. pocos electrones libres
b. muchos huecos
c. muchos electrones libres
d. ni huecos ni electrones libres
22. A temperatura ambiente, un semiconductor intrínseco tiene
a. unos pocos electrones libres y huecos
b. muchos huecos
c. muchos electrones libres
d. ningún hueco
23. El número de electrones libres y huecos en un semiconductor intrínseco disminuye cuando
la temperatura
a. disminuye
b. aumenta
c. no varía
d. Ninguna de las anteriores
24. El flujo de los electrones de valencia hacia la derecha indica que los huecos se mueven
hacia
a. la izquierda
b. la derecha
c. cualquier lado
d. Ninguna de las anteriores
25. Los huecos son como
a. átomos
b. cristales
c. cargas negativas
d. cargas positivas
26. ¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
27. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo aceptor?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
28. Para producir un semiconductor de tipo n , ¿qué utilizaría?
a. Átomos aceptores
b. Átomos donantes
c. Impurezas pentavalentes
d. Silicio
29. ¿En qué tipo de semiconductor los portadores minoritarios son electrones?
a. extrínseco
b. intrínseco
c. tipo n
d. tipo p
30. ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor de tipo p ?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Sólo los producidos por la energía térmica
d. Los mismos que huecos
31. La plata es el mejor conductor. ¿Cuántos electrones de valencia cree que tiene?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
32. Suponiendo que un semiconductor intrínseco tiene 1000 de millones de electrones libres a
temperatura ambiente, si la temperatura disminuye a 0°C, ¿cuántos huecos tendrá?
a. Menos de 1000 millones
b. 1000 millones
c. Más de 1000 millones
d. Imposible decirlo
33. Se aplica una fuente de tensión externa a un semiconductor de tipo p p. Si el extermo
izquierdo del cristal es positivo, ¿cómo fluyen los portadores mayoritarios?
a. Hacia la izquierda
b. Hacia la derecha
c. No fluyen
d. Imposible decirlo
34. ¿Cuál de las siguientes respuestas no se ajusta al grupo?
a. Conductor
b. Semiconductor
c. Cuatro electrones de valencia
d. Estructura de cristal
35. ¿Cuál de las temperaturas siguientes es aproximadamente igual a la temperatura
ambiente?
a. 0°C
b. 25°C
c. 50°C
d. 75°C
36. ¿Cuántos electrones hay en el orbital de valencia de un átomo de silicio que está dentro de
un cristal?
a. 1
b. 4
c. 8
d. 14
37. Los iones negativos son átomos que han
a. ganado un protón
b. perdido un protón
c. ganado un electrón
d. perdido un electrón
38. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo n ?
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor de tipo p contiene huecos y
a. iones positivos
b. iones negativos
c. átomos pentavalentes
d. átomos donantes
40. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo p ?
a. Neutro b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos electrones libres
41. Comparada con un diodo de germanio, la corriente inversa de saturación de un diodo de
silicio es
a. igual a altas temperaturas
b. menor
c. igual a bajas temperaturas
d. mayor
42. ¿Qué es lo que genera la zona de deplexión?
a. Dopaje
b. Recombinación
c. Barrera de potencial
43. ¿Cuál es la barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente?
a. 0,3 V
b. 0,7 V
c. 1 V
d. 2 mV por grado Celsius
44. Al comparar las bandas prohibidas de los átomos de germanio y de silicio, un átomo de
silicio tiene una banda prohibida
a. aproximadamente igual
b. menor
c. mayor
d. impredecible
45. Normalmente, en un diodo de silicio, la corriente inversa
a. es muy pequeña
b. es muy grande
c. es igual a cero
d. está en la región de disrupción
46. Manteniendo la temperatura constante, la tensión de polarización inversa de un diodo de
silicio aumenta. La corriente de saturación del diodo
a. aumentará
b. disminuirá
c. permanecerá constante
d. será igual a la corriente superficial de fugas
47. La tensión a la que se produce el efecto de avalancha se denomina
a. barrera de potencial
b. zona de deplexión
c. tensión de codo
d. tensión de disrupción
48. La barrera de energía de la unión de un diodo p pn n disminuirá cuando el diodo
a. esté polarizado en directa
b. se fabrique
c. esté polarizado en inversa

49. Cuando la tensión inversa disminuye de 10 a 5 V, la zona de deplexión


a. se hace más pequeña
b. se hace más grande
c. no se ve afectada
d. entra en disrupción
50. Cuando un diodo está polarizado en directa, la recombinación de electrones libres y
huecos puede producir
a. calor
b. luz
c. radiación
d. Todas las anteriores
51. Una tensión inversa de 10 V cae en un diodo. ¿Cuál es la tensión existente en la zona de
deplexión?
a. 0 V
b. 0,7 V
c. 10 V
d. Ninguna de las anteriores
52. La banda prohibida de un átomo de silicio es la distancia entre la banda de valencia y
a. el núcleo
b. la banda de conducción
c. la parte interna del átomo
d. los iones positivos
53. La corriente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura de la unión aumenta
a. 1°C
b. 2°C
c. 4°C
d. 10°C
54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión inversa aumenta
a. un 7%
b. un 100%
c. un 200%
d. 2 mV
mapa conceptual

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