TRANSISTOR BIPOLAR NPN 2N3904 GRUPO 2 20-6-2016

U.N.M.S.M
“FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y TELECOMUNICACIONES”

Apellidos y Nombres MATRICULA

 Salinas Espinoza Fabricio  15190268

 Navarro Pereda Miguel Eduardo  15190084
 Patricio Claudio Edwin Jonny  15190022
 Hilasaca Muro Juan Gabriel  15190256
Curso Tema
Dispositivos El transistor bipolar NPN. Características
Electrónicos Básicas.

Informe Fechas Nota

Final Realización Entrega

Numero
13-06-16 20-06-16
7
Grupo Profesor
2 Ing. Luis Paretto Q.

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TRANSISTOR BIPOLAR NPN 2N3904

I. OBJETIVOS:

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN 2N3904.

 Comprobar las características del funcionamiento de un transistor bipolar
NPN 2N3904.

II. INTRODUCION TEORICA:

 ¿Qué es un transistor NPN?

Un transistor PNP es uno que controla el flujo de corriente principal,
alterando el número de agujeros en lugar del número de electrones en la
base. El bajo costo, fiabilidad y el tamaño pequeño de los transistores los
ha convertido en uno de los grandes inventos del siglo 20.

 Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo

cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

 ESTRUCTURA:

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras

dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP

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 Región activa directa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de
corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
señal.

 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de
los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en
modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
Forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre
el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando
el transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y
por ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.

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III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

 Un miliamperímetro DC.
 Un multímetro digital.
 Un micro amperímetro DC.
 Un voltímetro de C.C.
 Un transistor 2N3904.
 Un osciloscopio.
 Resistores: Re=220Ω, Rc=1KΩ, R1=56KΩ, R2=22KΩ.
 Condensadores Cb=0.1µF, Cc=0.1µF, Ce=3.3µF.
 Una fuente de C.C variable.
 Un potenciómetro de un 1MΩ.
 Cables conectores.

IV. PROCEDIMIENTOS:

i. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro. Llenar la

tabla 1.

RESISTENCIA DIRECTA(Ω) INVERSA(Ω)

Base – emisor 0.907 K >>30 M
Emisor – colector 0.899 K >>30 M
Colector -Emisor >>30 M >>30 M

ii. Armar el circuito:

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a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el β (usar P1=0).
b) Medir los voltajes entre el colector-emisor (Vce), entre base-emisor
(Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

Valores (R1= 56K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

Teóricos 3.695 123.148 30 7.492 0.6 0.839
Medidos 6.6 240 27.5 3.96 0.68 1.39

d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en
la tabla 3 (por ajuste de P1).

Valores (R1= 68K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

Teóricos 2.986 99.522 30 8.357 0.6 0.876
Medidos 5.4 200 27 5.24 0.68 1.16

e) Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ y 1MΩ.

observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5.

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P1 100 K 250 K 500 K 1 M

Ic (mA) 1.4 0 0 0
Ib(uA) 5.02 0 0 0
Vce (v) 10.08 11.63 11.63 11.64
(Q3) (Q4) (Q5) (Q6)

iii. Ajustar el generador de señales a 50mv.pp, 1KHz., onda senoidal. Observar

la salida de Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.

TABLA Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1) 1.1 7.12 154.5 3.2 343.8

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V. CUESTIONARIO FINAL:

(a) Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el Ohmímetro.

En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-

colector y colector-emisor en polarización directa son bajas, ya que en
polarización directa el transistor conduce corriente. En polarización
inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual está
bien ya que en polarización inversa el transistor no conduce corriente.

(b) Representar la recta de carga en un gráfico Ic VS Vce del circuito

del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tabla 2,
3 y 5.

Ic (µA) vs Vce(v)
7

0
0 2 4 6 8 10 12 14

(c) ¿En qué regiones de trabajar se encuentran los puntos de las Tabla
2 y 3?

Los puntos de la tabla 2 y 3 se encuentran en la región activa

(d) ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambios R1 a 150kΩ?

Explicar lo ocurrido e indicar sus valores teóricos.

Si aumentamos el R1 el punto de operación se desplazará hacia la

región de corte.

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(e) Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor
PNP).
La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la
polaridad de sus electrodos
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un
polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno
para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia
es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda
determinado si es un NPN o un PNP.

VI. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

 En el experimento notamos que si aumentamos el valor de R1 el punto de

operación se desplaza hacia la región de corte ya que la corriente de
colector y la corriente de base empezó a disminuir y el voltaje de colector-
emisor a aumentar cuando aumentamos R1.

 También notamos lo mismo en el caso de la Re ya que cuando hicimos

Re=0 el punto de operación se desplazó hacia la región de saturación.

 Se recomienda adquirir el transistor y los condensadores; no confiarse en

que esté disponible en el almacén para evitar retrasos.

VII. BIBLIOGRAFIA:

 http://hacedores.com/identifica-transistores-npn-y-pnp-con-este-sencillo-circuito/
 http://www.ecured.cu/Transistor_2N3904
 http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/3/9/2N3904.shtml
 http://www.futurlec.com/Transistors/2N3904.shtml

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