(/(&75Ï1,&$%È6,&$

'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC
6ÃEPKEC+PFWUVTKCN

241$.'/#5
de Respuesta en Frecuencia

Estudio de la Respuesta en Frecuencia

 (/(&75Ï1,&$%È6,&$
','4%+%+15FG4GURWGUVCGP
(TGEWGPEKC

3UREOHPD

características: E=120, cbc=12pF, cbe=40pF.

En el circuito amplificador presentado en la figura, el transistor tiene las siguientes

D Calcular el punto de polarización del transistor.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
14V

N
N 0 .4 7 PF YR

:
0 .4 7 PF N

YJ N N 2 0 PF

+

6ROXFLyQD,&4 P$9&(4#9

V   V   
E $9  V   IFL#+]IFV#N+]
 V  V   V   § V ·§ V ·
¨  ¨ 
©   0 ¹̧© * ¹̧

3UREOHPD

características: E=110, cbc=6pF, cbe=20pF.

En el circuito amplificador presentado en la figura, el transistor tiene las siguientes

D Calcular el punto de polarización del transistor.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
9

N
N 1 PF YR

:
1 PF N

YJ 
 6 .8 PF


6ROXFLyQD,&4 P$9&(4#9

V   V   
E $9  V   IFL#N+]IFV#N+]
 V   V   V  N  § V ·§ V ·
¨  ¨ 
©   0 ¹̧© 0 ¹̧
 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

3UREOHPD

características: E=100, cbc=20pF, cbe=30pF.

En el circuito amplificador presentado en la figura, el transistor tiene las siguientes

D Calcular el punto de polarización del transistor.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
9

N

N 0 .1 PF

0 .1 PF
YR

YJ 
- N N N

6ROXFLyQD,&4 P$9&(4#9

V 
E $9  V  IFL#+]IFV#0+]
 V  V   § V ·
¨ 
© 0 ¹̧

3UREOHPD

características: E=80, cbc=18pF, cbe=24pF.

En el circuito amplificador presentado en la figura, el transistor tiene las siguientes

D Calcular el punto de polarización del transistor.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
9 9

N N


YR
1 0 PF 1 0 PF

YJ
N
+
-

6ROXFLyQD,&4 P$9&(4#9

V 
E $9  V   IFL#+]IFV#*+]
 V  V   § V ·§ V ·
¨  ¨ 
©  0 ¹̧© * ¹̧
 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

3UREOHPD
En el circuito amplificador presentado en la figura, el transistor tiene las siguientes

D Calcular el punto de polarización del transistor.

características: IDSS=6mA,VP=-6V, rds=f, cgs=6pF, cgd=4pF.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la

F Demostrar que para un valor de rds=100k la función de transferencia no varía

frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.

de forma significativa.
9

N

4 .7 PF
N 0 .1 PF YR

YJ
0 N N
1 0 PF
+
-

6ROXFLyQD,'4 P$9*64#9

V   V   
E $9  V   IFL#+]IFV#0+]
 V  V  V   § V ·§ V ·
¨  ¨ 
© 0 ¹̧© 0 ¹̧

3UREOHPD
En el circuito amplificador presentado en la figura, el transistor tiene las siguientes

D Calcular el punto de polarización del transistor.

características: IDSS=10mA,VP=-6V, rds=f, cgs=12pF, cgd=8pF.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la

frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
9

N N

6 .8 PF
N 1 PF YR

YJ
N N N
+
- 1 0PF

6ROXFLyQD,'4 P$9*64#9

V   V   
E $9  V   IFL#+]IFV#0+]
 V  V   V   § V ·§ V ·
¨  ¨ 
©  0 ¹̧© 0 ¹̧
 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

3UREOHPD
En el circuito amplificador presentado en la figura, RS=100:, RB1=115k:, RB2=27k:,

características del transistor bipolar utilizado: E=330, cbc=5pF, cbe=35pF.

RC=1.8k:, RE1=22:, RE2=470:, RL=1k:, C1=22PF, C2=47PF y CE=100PF, siendo las

D Calcular el punto de polarización del transistor.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
V CC= 1 2 V

RC
io
R B1 C2
vo
RS C1
RL

ii

R E1
+
vS R B2
-
R E2
CE

6ROXFLyQD,&4 P$9&(4#9

V   V   
E $9  V   IFL#+]IFV#0+]
 V   V  V   § V ·§ V ·
¨  ¨ 
© 0 ¹̧© 0 ¹̧

3UREOHPD

RB2=1.1k:, RC=2k:, RE=500: y RL=2k:, siendo la E del transistor bipolar utilizado 99 y

En el circuito amplificador presentado en la figura, VCC=20V, RS=50k:, RB1=11k:,

su VBE=0.6V.

V CC

RC
R B1 C2

C1 iL
RL

iS RS R B2 RE CE

Determinar, en la banda de bajas frecuencias

D El valor del condensador CE para que fije la frecuencia de corte inferior a

E Los valores mínimos de los condensadores C1 y C2 para que la frecuencia de

fL=20Hz.

F Representar el módulo de la ganancia de corriente del amplificador

corte inferior fL siga siendo la fijada por el condensador CE.

AI(s)=iL(s)/iS(s).

6ROXFLyQD&( P)E& t P)& t P)

 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

3UREOHPD

características: E=100, cbc=5pF, cbe=40pF.

En el circuito amplificador presentado en la figura, el transistor tiene las siguientes

D Calcular el punto de polarización del transistor.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.

VCC= 9 V

R C= 1K:
R B2 = 1 0k: R B3 = 1 0k:
Z IN
vo
C 1 = 1 00 PF
C 3 = 25PF
R L = 2k:

R S = 1k:

R B1 = 100 k: C 2 = 1PF
+
vS
-

6ROXFLyQD,&4 P$9&(4#9

V   V   
E $9  V   IFL#+]IFV#N+]
 V  V  V   § V ·§ V ·
¨  ¨ 
© 0 ¹̧©  0 ¹̧

3UREOHPD
En el circuito amplificador presentado en la figura, los parámetros característicos del
transistor JFET utilizado son gm=5˜10-3A/V y rds=f.

VDD

5 D = 2 k:

C2
vo
C 1 = 10 nF

R L = 2 k:
R SG = 2 k:

R G= 1 M : R S = 2 00:
+
vS
-

Determinar:
D El valor del condensador C2 para que la frecuencia de corte a la que da

E El valor de la ganancia de tensión a frecuencias medias.

origen coincida con la introducida por el condensador C1.

F Calcular los valores de la frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte

superior, fcs.

6ROXFLyQD& P)E$9 G%FIFL#+]IFV#0+]

 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

3UREOHPD

característicos del transistor bipolar utilizado son E=100, y Vbe=0.7V, mientras que los
En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros

parámetros característicos del transistor JFET son gm=2mA/V y rds=f. Suponer que
VDD=10V y VDSQ=6.2V.

VDD

R G = 1M : R C= 2k:

vo
Q1
Q2 R L = 1 k:

R G = 1M : R E= 5 00 : C E= 40 PF
+
vS R S = 2 k:
-

Determinar:
D La ganancia de tensión del amplificador AVm=VO/VS en la banda de

E El valor de la frecuencia de corte inferior del circuito fL.

frecuencias medias.

F Representar el diagrama de Bode de la ganancia de tensión del amplificador

AV(s)=VO(s)/VS(s) en la banda de bajas frecuencias.

6ROXFLyQD$9 G%E&( IFHUR +]ISROR +]I/|+]

3UREOHPD

característicos del transistor bipolar utilizado son E=100, y Vbe=0.65V, mientras que los
En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros

parámetros característicos del transistor JFET son gm=10mA/V y rds=20k:. El valor de

VCC es 13V.

V CC

R B1 = 15 k: R C= 2.6 k: R G1 = 3 .9k : R D = 2 70:

C 2 = 5 PF Q2
vo
C 1 = 5PF
vs Q1 R G3 = 10 0k:

R B2 = 2.6 k: R E= 50 0 : C E= 10 0PF R G2 = 1 k: R S = 1 k:

Determinar:
D La ganancia del amplificador Am=VO/VS en la banda de frecuencias medias.
E La impedancia de entrada ZIN en la banda de frecuencias medias.
F La ganancia del amplificador AV(s)=VO(s)/VS(s) en la banda de bajas
frecuencias.
 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

6ROXFLyQ D $9 G% E =,1 : F & IFHUR +] ISROR +] &( IFHUR +] ISROR +] & IFHUR +]
ISROR +]

3UREOHPD

característicos del transistor bipolar utilizado son E=100, y Vbe=0.65V, mientras que los
En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros

parámetros característicos del transistor JFET son gm=1mA/V y rds=f. El valor de VCC
es 14V. Calcular el valor del condensador C, asumiendo que el resto de los
condensadores son muy grandes, para que la frecuencia de corte inferior del circuito
sea fL=5Hz.

V CC

R B1 = 2 7k: R C= 3k:

vo
Q1 C
Q2

R = 20 0k:

R G = 1 0M : R S = 1 k: R B2 = 3k: R E= 30 0:
+
vS
-

6ROXFLyQ& P)

3UREOHPD
En el circuito amplificador multietapa presentado en la figura, los parámetros
característicos de los transistores JFET utilizados son gm=10mA/V y rds=f.

V D D = 35 V

R 1 = 6 0k: R 3 = 4 k: R 6 = 3.5 k:
ZIN
ZOUT

C 1 = 10 nF
C 2 = 1 0 nF C 3 = 2PF
R 3= 2 M :
Q2
vo
Q1
R L = 0 .5 k:
R 5= 2 M :
vS +
- R 2 = 1 0k: R 4 = 2 k: R 7 = 0.5 k:

Determinar:
D El punto de trabajo de ambos transistores, sabiendo que VGS1=VGS2=-1V.
E El margen dinámico en la resistencia de carga RL.
F La impedancia de entrada ZIN, la impedancia de salida ZOUT y la ganancia de

G La frecuencia de corte a que da lugar cada uno de los condensadores C1, C2

tensión AV=VO/VS en la banda de frecuencias medias.

y C3 independientemente, así como la frecuencia de corte global.

 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

H Representar el diagrama de Bode de la ganancia de tensión del amplificador

AV(s)=VO(s)/VS(s) en la banda de bajas frecuencias.

6ROXFLyQ D ,'4 P$ 9'64 9 ,'4 P$ 9'64 9 E 0' r9 F =,1|0: =287 : G & IFHUR +]
ISROR +]& IFHUR +]ISROR +]& IFHUR +]ISROR +]I/|+]

3UREOHPD
En el circuito amplificador presentado en la figura, los transistores tienen las siguientes

D Calcular el punto de polarización de ambos transistores.

características: IDSS=10mA,VP=-4V, rds=f, cgs=5pF, cgd=5pF.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la

frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
9

N N

0 .0 5 PF 0 .0 5 PF
N 0 .0 5 PF YR YR

0
YJ
0   0
1 0 0 PF 1 0 0 PF
+
-

6ROXFLyQD,'4 P$9*64#9

V   V    
E $9  V   IFL#+]IFV#0+]
 V    V   § V
 
·§ V ·§ V ·
¨   ¨   ¨  
©  0 ¹̧©  0 ¹̧© 0 ¹̧

3UREOHPD

características: E=200, cbc=12pF, cbe=40pF.

En el circuito amplificador presentado en la figura, los transistores tienen las siguientes

D Calcular el punto de polarización de ambos transistores.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.
9

N N
N 1 0 PF N 1 0 PF YR

N
1 0 PF N

YJ 
N N 2 0 PF N N 2 0 PF


6ROXFLyQD,&4 P$9&(4#9

 'NGEVTÎPKEC$¶UKEC¤2TQDNGOCUFG4GURWGUVCGP(TGEWGPEKC

V  V    
E $9  V   IFL#+]IFV#.+]
V   V  V   § V
 
· § V

·
¨  ¨ 
© 0 ¹̧ © 0 ¹̧

3UREOHPD

las siguientes características: E=200, cbc=4pF, cbe=36pF.

En el circuito amplificador CASCODO presentado en la figura, los transistores tienen

D Calcular el punto de polarización de ambos transistores.

E Calcular la función de transferencia, AV(s), y determinar los valores de la
frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de corte superior, fcs.

9

N
N

P 9R

P

4

N

9L P
4

N N
P

6ROXFLyQD,&4 ,&4 P$9&(4#99&(4#9

V  V   
E $9  V   IFL#N+]IFV#0+]
V    V   V   § V ·§ V ·
¨  ¨ 
© 0 ¹̧© * ¹̧