SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO

INDUSTRIAL

INFORME DE TALLER N°5

CICLO: II

BLOQUE: 203

CURSO: Dispositivos y Componentes Electrónicos

TEMA: “Obtención de la curva de característica del diodo”

INSTRUCTOR DEL CURSO:

 Julio F. De Paz Yta

INTEGRANTES:
 Candela Castro, Kevin Manuel 1182362
 Chiviborre Martínez, Jenifer 1147726
 Santiago Zegarra, Vasco 1177362

2019
 DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS

ÍNDICE

INTRODUCCIÓN………………………………………………………………………………………….…3

OBJETIVOS………………………………………………………………………………………………..…4

FUNDAMENTO TEÓRICO………………………………………………………………………….………5

CIRCUITOS A UTILIZAR…………………………………………………………………………………..10

MATERIALES A UTILIZAR……………………………………………………………………………..….11

PROCEDIMIENTOS Y MEDICIONES…………………………………………………………………….13

BIBLIOGRAFÍA………………………………………………………………………………………………16

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INTRODUCCIÓN

Es conocido generalmente en el campo de la electrónica, que el comportamiento

del diodo semiconductor contiene ciertas características que determinan su
representación gráfica mediante una curva típica, esto en determinadas
polarizaciones y, que además cada polarización ya sea directa o inversa nos dará
lugar a una conducta propia que asociará el voltaje y corriente para el diodo.

Gracias a estos conceptos se implementará la aplicación de apartes teóricos que

se han visto con anterioridad, y la veracidad o verificación de los mismos mediante
la práctica.

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OBJETIVOS

 Trazar la curva de características a través de mediciones en un circuito.

 Identificar el ánodo y el cátodo del diodo.

 Obtener experimentalmente el valor de la tensión del diodo montado en el

circuito.

 Obtener experimentalmente el valor de la tensión de la resistencia montada

en el circuito.

 Comprobar la teoría por medio de la práctica.

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FUNDAMENTO TEÓRICO
1. EL DIODO SEMICONDUCTOR.
El diodo semiconductor es un dispositivo que resulta de la unión de dos materiales
semiconductores impurificados (P y N) encapsulados en un recipiente de vidrio o plástico
duro en el que sobresalen dos conectores axiales (laterales).

Las técnicas modernas de control, en los procesos de fabricación de un diodo, permiten

obtener las características deseadas para el dispositivo:

a. En conducción, debe soportar gran intensidad de corriente con pequeña caída de tensión.

b. En bloqueo, debe soportar elevada tensión con pequeña corriente de fuga.

En la figura 1 aparece un corte transversal de una unión PN, el símbolo del diodo
semiconductor y su aspecto físico.

Fig 1. Diodo semiconductor

Cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al cátodo, se dice que el diodo tiene
polarización directa y por lo tanto conduce. Un diodo en conducción tiene una caída de
voltaje directa relativamente pequeña a través de sí mismo (VF) y además se comporta
como un elemento de baja resistencia.

Cuando el potencial del ánodo es negativo con respecto al cátodo, se dice que el diodo
tiene polarización inversa. Bajo condiciones de polarización inversa, fluye una pequeña
corriente inversa (también conocida como corriente de fuga) y el diodo se comporta como
un elemento de alta resistencia. Para los fines prácticos, un diodo se puede considerar
como un interruptor ideal.

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2. SÍMBOLO DEL DIODO SEMICONDUCTOR.

En la Fig. 2 aparece un diodo semiconductor y su símbolo respectivo. El diodo es un
dispositivo sensible a la polaridad. En estos diodos, la franja o banda, ubicada en uno de
los extremos, indica el cátodo

Fig 2. Simbolo del diodo semiconductor

3. ESPECIFICACIÓN TÉCNICA DEL DIODO.

Los diodos se especifican indicando el código del fabricante o mediante la corriente directa
en Amperios y el PIV.

Ejemplo: Un diodo 1N4007 o Un diodo de 1 Amperio/1000 Voltios.

4. CORRIENTE DIRECTA.
Es la máxima corriente que puede circular por el diodo, cuando está polarizado
directamente. Si se excede este valor, el diodo se deteriora; así en el diodo del ejemplo, su
máxima corriente que puede soportar es de 1 Amperio.

PIV (Peak Inverse Voltage) o PRV (Peak Reverse Voltage). Es el máximo voltaje que se
puede aplicar al diodo cuando está polarizado inversamente. Si se excede este valor, el
diodo se deteriora; otra vez, en el caso del ejemplo el PIV o PRV será de 1000 Voltios.

Los diodos rectificadores, comercialmente, están en el rango de corriente desde un amperio

hasta 2200 amperios, y su PIV desde 50 Voltios hasta 5000 Voltios.

5. PRUEBA DEL DIODO E IDENTIFICACIÓN DE SUS TERMINALES.

El diodo semiconductor es un dispositivo de dos terminales, uno de ellos denominado ánodo
y el otro llamado cátodo.

Se ha normalizado entre los fabricantes de semiconductores que la banda marcada, en uno

de los extremos del diodo, señala el cátodo. Sin embargo, muchas veces por el uso

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frecuente, dicha banda no es fácilmente observable; entonces, es necesario conocer una

técnica que nos permita diferenciar ambos terminales.

En el diodo de la Fig 1, el material de silicio tipo P está representado por la cabeza de

flecha, señalando el ánodo. El material de Silicio tipo N, está representado por la rayita
vertical que señala el cátodo. Luego, si empleamos el multímetro digital y polarizamos al
diodo, obtendremos dos lecturas. En este caso, en la Fig 3. estamos colocando el terminal
negativo del multímetro digital al extremo del diodo marcado con la rayita, si su indicación
en el display LCD es del orden de 0,600; 0,570, etc. Nos indica que el diodo está polarizado
directamente, por lo tanto le corresponde al terminal negativo del multímetro, el cátodo; y
por consecuencia lógica, al terminal positivo, el ánodo.

Fig 3. Diodo en polarización directa Fig 4. Diodo en polarización inversa

6. LA JUNTURA PN.
La juntura PN consiste en la unión de dos materiales semiconductores; uno del tipo N con
gran cantidad de electrones o cargas negativas y el otro, del tipo P con gran cantidad de
huecos o cargas positivas.

Al unirse los dos materiales, en una estrecha capa, a ambos lados de la superficie de
contacto, los huecos y los electrones tienden a desplazarse a la parte opuesta del cristal,
produciéndose un movimiento de difusión; en otras palabras, los electrones del silicio N se
recombinan con los huecos del silicio P, como se aprecia en las Fig. 5, dando lugar a una
zona exenta de portadores de carga móviles, llamada capa barrera de potencial y cuyo
espesor vale algunas milésimas de milímetros. En el caso del silicio, esta barrera de
potencial vale entre 0,5V a 0,8V.

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Fig 5. Juntura PN

7. POLARIZACIÓN DE LA JUNTURA PN.

Si aplicamos una tensión de polarización inversa a la juntura PN (- al silicio P y + al silicio
N), como se observa en la figura 6; la barrera de potencial se ensancha, pues, una parte de
los portadores de carga móviles ha desaparecido, atraídos por los polos de la fuente DC de
sentido opuesto. Por lo tanto, en términos prácticos, no puede circular corriente a través del
diodo semiconductor.

Fig 6. Diodo semiconductor polarizado inversamente

Por el contrario, si aplicamos una tensión de polarización directa (+ al silicio P y - al silicio

N), tal como vemos en la Fig. 7; la barrera de potencial absorbe a los huecos y los electrones
y ella se va reduciendo, con lo que podrá circular una corriente a través del diodo.

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Fig 7. Diodo semiconductor polarizado directamente

Evidentemente, para que se produzca la circulación de corriente en la juntura PN, la tensión

externa aplicada a la juntura PN deberá ser mayor que la de la barrera de potencial, o sea
en el silicio, mayor de 0,5V a 0,8V.

8. CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

La siguiente es la curva característica de un diodo semiconductor. Observe que el diodo,
de Silicio, recién empieza a conducir cuando su tensión ánodo-cátodo es mayor de 0,7
Voltios. La corriente inversa IZ no debe sobrepasar la intensidad IZ máximo. Por otro lado,
IZ no debe reducirse por debajo de su valor mínimo, IZ mínimo, porque si no, el punto de
trabajo del diodo se desplazaría hacia el codo de la curva característica.

En esta zona, el efecto estabilizador del diodo es muy deficiente pues, su característica
tiene muy poca pendiente.

Fig 8. Curva característica del diodo

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9. RECTA DE CARGA EN EL DIODO

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y
la tensión del diodo.

 En el diodo ideal

R
I
+ V -
R
+ A 𝐸
+ VD 𝐼=
𝑅
E - K
-

Polarización directa 𝑉𝐷 = 0 𝑉

R
I
+ V -
R
+ K 0
𝐼=
+ VD 𝑅
E - A
-

𝑉𝐷 = 𝐸
Polarización inversa

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𝐸 = 𝑅𝐼 + 𝑉𝐷
I
Punto de trabajo
𝐸 − 𝑉𝐷
𝐸 𝐼=
𝑅
𝑅

𝐸 𝑉𝐷
𝐼= −
𝑅 𝑅

𝐸 VD −1 𝐸
𝐼= 𝑉𝐷 +
𝑅 𝑅

 En el diodo real

ID
d
𝐸
Punto de trabajo
𝑅

ID Q 𝑄

vD Q 𝐸 VD
0.7 v (Si)
0.3 v (Ge)
vD Q = Voltaje de conducción

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MATERIALES A UTILIZAR
 Materiales a usar:

Multímetro

Protoboar

Cables con pinza

cocodrilo

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Fuente de alimentación

Resistor 1k Ω

Diodo

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CIRCUITOS A UTILIZAR
 Circuitos

Figura 1

R
+ V -
R
+ A
+ VD
E - K
-

Polarización directa

Figura 2

R
+ V -
R
+ K
+ VD
E - A
-

Polarización inversa

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PROCEDIMIENTOS Y MEDICIONES
1. Identificar el ánodo y cátodo del diodo con el uso del multitéster.

2. Realizar el montaje del circuito en la figura 1 y 2.

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3. Llenar tabla con valores de las mediciones efectuadas en base a fig 1.

R=1K
Figura 1 + V -
R
+ A
+ VD
E - K
-

Polarización directa

𝐕𝐫
E VR VD 𝐈=
𝐑

0.5 v 0.045 v 0.433 v 0.045 mA

1v 0.595 v 0.526 v 0.395 mA

2v 1.359 v 0.583 v 1.359 mA

3v 2.342 v 0.610 v 2.242 mA

4v 3.301 v 0.625 v 3.301 mA

5v 4.26 v 0.638 v 4.26 mA

6v 5.27 v 0.647 v 5.27 mA

7v 6.24 v 0.655 v 6.24 mA

8v 7.23 v 0.662 v 7.23 mA

9v 8.20 v 0.668 v 8.20 mA

10 v 9.30 v 0.674 v 9.30 mA

11 v 10.16 v 0.678 v 10.16 mA

12 v 11.16 v 0.681 v 11.16 mA

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4. Llenar tabla con valores de las mediciones efectuadas en base a fig 2.

Figura 2
R=1K
+ V -
R
+ K
+ VD
E - A
-

Polarización inversa

𝐕𝐫
E VR VD 𝐈=
𝐑

0.5 v 0v 0.48 v 0 mA

1v 0v 0.937 v 0 mA

2v 0v 1.938 v 0 mA

3v 0v 2.941 v 0 mA

4v 0v 3.92 v 0 mA

5v 0v 4.93 v 0 mA

6v 0v 5.91 v 0 mA

7v 0v 6.89 v 0 mA

8v 0v 7.90 v 0 mA

9v 0v 8.97 v 0 mA

10 v 0v 9.90 v 0 mA

11 v 0v 10.85 v 0 mA

12 v 0v 11.98v 0 mA

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5. Obtener la curva característica del diodo.

Polarización directa

ID
d

𝐸 Punto de trabajo
= 12 mA
𝑅
ID = 11.16 mA 𝑄

VR = 11.16V
VD = 11.98 v
VD = 0.681v E=12v VD

0.7 v (Si)

Polarización inversa

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REFERENCIAS

Internet:

- https://www.academia.edu/8190522/Representaci%C3%B3n_gr%C3%
A1fica_y_anal%C3%ADtica_de_la_curva_caracter%C3%ADstica_refere
nte_a_un_Diodo_de_germanio_y_silicio
- https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T1.pdf
- https://es.scribd.com/doc/29489341/Diodos-introduccion

Bibliografía:

- Electricidad y Magnetismo, MatveevAnthon, Editorial MIR

- Electricidad y Magnetismo, SerwayReymond A, Iberoamericana de
mexico, 2000
- Fundamentos de Circuitos Electricos , Charles K. Alexander, Matthew
N. O. Sadiku, Tercera Edicion
- Principios de electricidad y electrónica, Antonio Hermosa Donatelo,
Marcombo S.A.

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