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1.

ADJUNTAR LA HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES VISADA POR EL


DOCENTE.

1
2. EN BASE A LAS TABLAS N° 1 Y 2, DIBUJAR EL ENCAPSULADO DEL
DIODO E INDICAR SU ÁNODO Y CÁTODO.

3. TABULAR Y GRAFICAR EN UN SOLO PAPEL MILIMETRADO LAS DOS


REGIONES DE POLARIZACIÓN DEL DIODO PARA OBTENER SU CURVA
CARACTERÍSTICA I-V. USAR DOS TIPOS DE ESCALAS DE CORRIENTE,
UNA EN mA PARA LA REGIÓN DIRECTA Y EN µA PARA LA REGIÓN
INVERSA. USAR DATOS DE LA TABLA N° 3 Y 4.

V I (mA) I (mA) P.D. I (µA) P.I.


0.200 0 0 0
0.300 0 0 0
0.400 0 0 0
0.500 0 0 0
0.550 0 0 0
0.608 11 11 0
0.650 13 13 0
0.700 21 21 0
0.757 23 23 0

2
25 I-V 23
21
20

15 13
11
10
I (mA)

5
0 0 0 00
0
-1.000 -0.800 -0.600 -0.400 -0.200 0.000 0.200 0.400 0.600 0.800 1.000
-5
V (V)

4. PARA LA CURVA CARACTERÍSTICA OBTENIDA ANTERIORMENTE,


INDICAR PARA EL VALOR DE V=0.72 V EL VALOR DE LA RESISTENCIA
ESTÁTICA Y DINÁMICA.
𝑉𝐷
𝑅𝑒𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑐𝑎 =
𝐼𝐷

0.72 𝑉
𝑅𝑒𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑐𝑎 = = 32.73 Ω
22 ∗ 10−3 𝐴

∆𝑉𝑑 26 𝑚𝑉
𝑅𝑑𝑖𝑛𝑎𝑚𝑖𝑐𝑎 = =
∆𝐼𝑑 𝐼𝐷

(0.757 − 0.700)𝐴
𝑅𝑑𝑖𝑛𝑎𝑚𝑖𝑐𝑎 = = 28.50 Ω
(23 − 21) ∗ 10−3 𝐴

5. TENIENDO EN CUENTA QUE LA RESISTENCIA PROMEDIO 𝒓𝑨𝑽 DE UN


DIODO ES DEFINIDO ENTRE DOS PUNTOS DE TRABAJO Y ASUMIENDO
QUE DICHOS PUNTOS SON: V1=0.62 V y V2=0.72 V; ENTONCES USANDO
LA CURVA CARACTERÍSTICA OBTENIDA EXPERIMENTALMENTE,
MODELAR EL DIODO PARA EL CASO QUE TENGA UNA FUENTE 𝑽𝑻 , UNA
RESISTENCIA 𝒓𝑨𝑽 Y UN DIODO IDEAL. NOTA: ASUMIR 𝑽𝑻 COMO UNA
PROLONGACIÓN DE LA RECTA DE CONDUCCIÓN QUE CORTA AL EJE DE
LAS ABSCISAS.
∆𝑉𝑑
rAV = 𝑃𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑎 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜
∆𝐼𝑑

3
𝑉𝑇
rAV =
∆𝐼𝑑

Entonces:

(0.72 − 0.62) 𝑉
rAV =
∆𝐼𝑑

La resistencia promedio de nuestra experiencia es:

(0.757 − 0.200) 𝑉
rAV = = 46.42 𝑚Ω
(23 − 11) ∗ 10−3 𝐴

25 I-V 23
21
20

15 13
11
10
I (mA)

5
0 0 0 0 0
0
0.000 0.200 0.400 0.600 0.800
-5
V (V)

6. ¿AUMENTA O DISMINUYE LA RESISTENCIA DINÁMICA DE UN DIODO AL


DISMINUIR LA INTENSIDAD DE CORRIENTE DEL PUNTO DE TRABAJO
DEL DIODO? CONTESTE ESTA PEGUNTA ANALIZANDO LA PENDIENTE
DE LA CURVA EXPERIMENTAL OBTENIDA EN LOS DIFERENTES PUNTOS
DE TRABAJO.
Observando la gráfica se concluye que la resistencia dinámica aumenta al
disminuir la intensidad de corriente en el punto de trabajo

4
25 I-V 23
21
20

15 13
11
I (mA) 10

5
0 0 0 0 0
0
0.000 0.200 0.400 0.600 0.800
-5
V (V)

7. INDICAR UN VALOR APROXIMADO DE LA RESISTENCIA QUE PRESENTA


EL DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE.
Tenemos la misma equivalencia de circuito abierto provista por el interruptor
abierto. En conclusión, la resistencia del diodo en polarización inversa es:

𝑉𝐷
𝑹𝒑𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊𝒐𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂 = =∞Ω
𝐼𝐷

8. EXPLICAR POR QUE APARECE LA CORRIENTE INVERSA DE


SATURACIÓN.
Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal
positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p
como se muestra en la figura 3, el número de iones positivos revelados en la
región de empobrecimiento del material tipo n se incrementará por la gran
cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje
aplicado. Por las mismas razones, el número de iones negativos no revelados
se incrementará en el material tipo p.

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9. INDICAR ALGUNOS PUNTOS Y O SUGERENCIAS
a) Hacer tema introducción antes de comenzar el experimento.
b) Los diodos son dispositivos muy utilizados en la electrónica.

10. INDICAR ALGUNAS CONCLUSIONES


a) Del experimento observa que el diodo en polarización directa conduce, pero
en polarización inversa no conduce y aparece la corriente inversa de
saturación.
b) Existen diodos de varias nominaciones por lo cual cada uno de ellos tiene
una cualidad determinada ejm. 1N4001, 1N4007.