UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL

ELECTRONICA APLICADA I
Respuestas de los Ejercicios de Amplificadores Monoetapa

ELECTRÓNICA APLICADA I

Amplificadores Mono Etapa con J-Fet

Respuestas de los Ejercicios de Verificación

INDICE
Ej. 1. Resolución..................................................................................................... 3
Circuito a .................................................................................................................. 3
Análisis Estático .................................................................................................... 3
Análisis Dinámico.................................................................................................. 4
Excursión............................................................................................................... 5
Simulación............................................................................................................. 5
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 7
Circuito b .................................................................................................................. 7
Análisis Estático .................................................................................................... 7
Análisis Dinámico.................................................................................................. 9
Excursión............................................................................................................. 12
Simulación........................................................................................................... 13
Tabla comparativa de valores ............................................................................... 14
Tabla comparativa con los resultados de ambos circuitos....................................... 14

Ej. 2. Resolución................................................................................................... 15
Análisis estático ...................................................................................................... 15
Análisis Dinámico................................................................................................... 16
Cálculos............................................................................................................... 17
Excursión................................................................................................................ 18
Cálculos............................................................................................................... 18
Simulación .............................................................................................................. 19
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 20
Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
1-50
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Ej. 3. Simulación .................................................................................................. 21

Ej. 4. Resolución................................................................................................... 23
Análisis Estático...................................................................................................... 23
Análisis Dinámico................................................................................................... 24
Cálculos............................................................................................................... 24
Excursión................................................................................................................ 25
Simulación .............................................................................................................. 25
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 27

Ej. 5. Simulación .................................................................................................. 28

Ej. 6. Simulación .................................................................................................. 30

Ej. 7. Resolución................................................................................................... 32
Análisis Estático...................................................................................................... 32
Análisis Dinámico................................................................................................... 34
Excursión................................................................................................................ 35
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 35
Cuestionario............................................................................................................ 35
Simulación del circuito a) ....................................................................................... 36
Simulación del circuito b) ....................................................................................... 38
Simulación del circuito c) ....................................................................................... 39
Tabla comparativa de las características de cada circuito ...................................... 40

Ej. 8. Resolución del circuito a) ........................................................................... 41

Análisis Estático...................................................................................................... 41
Análisis Dinámico................................................................................................... 42
Cálculos............................................................................................................... 43
Excursión................................................................................................................ 44
Simulación .............................................................................................................. 46
Tabla comparativa de valores ................................................................................. 47
Simulación del Circuito b) ...................................................................................... 48
Rechazo del Ripple.................................................................................................. 49
Cuestionario............................................................................................................ 50

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
2-50
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Ej. 1. Resolución
Circuito a
El circuito a resolver se puede apreciar debajo:
Figura 1.

Análisis Estático
Asumiendo que se conoce bien la forma de resolver el circuito mostrado, procedemos a
utilizar las ecuaciones correspondientes del amplificador, entonces:
Vcc − Vbe
Icq =
R
Re+ 1
hFE
18V − 0,7V
Icq =
2,2 MΩ
3,3KΩ +
550
Icq = 2,37 mA
De la malla de salida obtenemos Vceq, esto es:
Vceq = Vcc − Icq ⋅ Re = 18V − 2,37 mA ⋅ 3,3KΩ
Vceq = 10,18V

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
3-50
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Análisis Dinámico
El circuito dinámico aparece debajo:
Figura 2.

Al igual que en el análisis estático, asumimos que es bien conocida la forma hallar los
parámetros dinámicos de éste circuito, por lo tanto empleamos directamente las
ecuaciones correspondientes, entonces:
gm = 40 ⋅ Icq ⋅ [1 / V ]
gm = 40 ⋅ 2,37 mA ⋅ [1 / V ] = 94,8mS
1
ro ≅
η ⋅ gm
1
ro ≅ −4
= 42 KΩ
2,5 ⋅ 10 ⋅ 94,8mS
Rd = ro // RL // Ra
Rd = 42 KΩ // 20 KΩ // 3,3KΩ = 2,65 KΩ
hfe
hie ≅
gm
600
hie ≅ = 6,3KΩ
94,8mS
Ri = hie + hfe ⋅ Rd
Ri = 6,3KΩ + 600 ⋅ 2,65 KΩ ≅ 1,59MΩ
Ria = Ri // R1
Ria = 1,59 MΩ // 2,2 MΩ = 923KΩ

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
4-50
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Ria
At =
Rs + Ria
923KΩ
At = 0,82
200 KΩ + 923KΩ
gm ⋅ Rd
Av =
1 + gm ⋅ Rd
94,8mS ⋅ 2,65 KΩ
Av = ≅1
1 + 94,8mS ⋅ 2,65 KΩ
Avs = Av ⋅ At
Avs = 0,82
Excursión
Las expresiones de las excursiones son:
Vˆo + = Vceq − VceSAT
Vˆo − = Icq ⋅ Rd
En éste caso nos da:
Vˆo + = 10,18V − 0,5V = 9,68V
Vˆo − = 2,37 mA ⋅ 2,65 KΩ = 6,28V
VˆoMAX = 6,28V
Simulación
Figura 3. Niveles de tensión y corriente de polarización. Circuito a)

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
5-50
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.Figura 4. Circuito a) Ganancia de tensión

Figura 5. Circuito a) resistencia de entrada

Figura 6. Circuito a) Excursión.

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
6-50
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Tabla comparativa de valores

Parámetro Calculado Simulado
Icq 2,37mA 2,54mA
Vceq 10,18V 9,6V
Ria 923KΩ 950KΩ
Avs 0,82 0,822
+
Vo 9,68V 9,35V
-
Vo 6,28V 7,2V

Circuito b
Análisis Estático
El circuito de polarización aparece debajo:
Figura 7.
Recorriendo la malla por donde circula I1
obtenemos la siguiente ecuación:
VR1 Vdd = VR1 + VR2 + VRb
Vdd = I1 ⋅ ( R1 + R2 ) + ( Idq + I1 ) ⋅ Rb
Idq
Al reagrupar nos queda:
Vdd = I1 ⋅ ( R1 + R2 + Rb) + Idq ⋅ Rb (1)
Por otro lado:
Vgsq
VR2 = VRa + Vgsq
I1 ⋅ R2 = Idq ⋅ Ra + Vgsq
VR2 VRa
Despejando I1 de la ecuación (1) y
sustituyendo el resultado en la última nos
queda:
Vdd − Idq ⋅ Rb
I1 I1 =
R1 + R2 + Rb
VRb
Vdd − Idq ⋅ Rb
⋅ R2 = Idq ⋅ Ra + Vgsq
R1 + R2 + Rb

Despejamos Vgsq, entonces:

 R2  R2
Vgsq = − Idq ⋅  Ra + Rb ⋅  + Vdd ⋅
 R1 + R2 + Rb  R1 + R2 + Rb
Si llamamos:
R2
K= ⇒
R1 + R2 + Rb
Vgsq = K ⋅ Vdd − Idq ⋅ (Ra + K ⋅ Rb )

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
7-50
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Reemplazamos valores y nos queda:

3,3MΩ
K= ≅ 0,5
3,3MΩ + 3,3MΩ + 3,3KΩ
Vgsq = 0,5 ⋅ 18V − Idq ⋅ (3,3KΩ + 0,5 ⋅ 1KΩ )
Vgsq = 9V − 3,8 KΩ ⋅ Idq
La segunda ecuación es la característica del FET, es decir:
2
 Vgsq 
Idq = Idss ⋅ 1 − 
 Vp 
Si despejamos Vgsq y reemplazamos por los datos conocidos nos queda el siguiente
sistema de ecuaciones:
Vgsq = 9V − 3,8 KΩ ⋅ Idq

  Idq 

Vgsq = −3V ⋅ 1 − 15mA 
  
Como se puede apreciar, el J-FET utilizado posee las siguientes características
principales:
Vp = −3V

 Idss = 15mA
Si comenzamos a darle valores a Idq y buscamos que las Vgsq coincidan, llegaremos a
encontrar la solución del sistema de ecuaciones, por lo tanto comenzamos a iterar:
Idq Vgsq (1) Vgsq (2)
3mA -2,4V -1,66V
2,5mA -0,5V -1,77V
2,75mA -1,45V -1,71V
2,8mA -1,64V -1,7V
2,81mA -1,68V -1,7V
Nos quedamos con los valores resaltados y adoptamos a éstos como los correctos.
Ahora, si procedemos a resolver la malla de salida nos queda:
Vdd ≅ Vdsq + Idq ⋅ ( Ra + Rb) ∴
Vdsq = Vdd − Idq ⋅ ( Ra + Rb)
En nuestro caso:
Vdsq = 18V − 2,81mA ⋅ (3,3KΩ + 1KΩ)
Vdsq = 6,48V
El punto Q queda definido como:
 Idq = 2,81mA
Q:
Vdsq = 6,48V

Gabriel Esquivel
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8-50
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Análisis Dinámico
El circuito a resolver es éste:
Figura 8.

Reemplazando al transistor por su modelo de baja señal nos queda:

Figura 9.

Vgs

VR2

VRa
Ri

Vo

VRb
Vi

Gabriel Esquivel
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9-50
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Observando la malla de salida podemos llegar a:

Rd '= RL // rd
Figura 10. Ahora, si miramos el esquema de la izquierda y
despreciamos los efectos de la corriente que pasa a
gmVgs
través de R2, podemos expresar la corriente IRa en
función de la ecuación del divisor de corriente
mostrado, es decir:
IRd´ Rd '
IRa = gm ⋅ Vgs ⋅ = gm ⋅ Vgs ⋅ K
Rd '+ Ra + Rb
Donde:
IRa Rd '
K=
Rd '+ Ra + Rb
Por otro lado:
Vo = VRa + VRb
Vo = IRa ⋅ ( Ra + Rb) + IR2 ⋅ Rb
y de la malla que incluye a Rg, Vgs y Ra:
Vgs + VRa = VR2
Vgs + gm ⋅ Vgs ⋅ Ra = IR2 ⋅ R2
Vgs ⋅ (1 + gm ⋅ Ra ) = IR2 ⋅ R2 ∴
(1 + gm ⋅ Ra )
IR2 = Vgs ⋅
R2

Reemplazando IR2 e IRa en la ecuación de Vo tenemos:

1 + gm ⋅ Ra
Vo = gm ⋅ Vgs ⋅ K ⋅ ( Ra + Rb) + Vgs ⋅ Rb ⋅
R2
 1 + gm ⋅ Ra 
Vo = Vgs ⋅  gm ⋅ K ⋅ ( Ra + Rb) + Rb ⋅  = Vgs ⋅ M
 R2 
Vo = Vgs ⋅ M
Operando con M:
1 + gm ⋅ Ra
M = gm ⋅ K ⋅ ( Ra + Rb) + Rb ⋅
R2
Rd ' 1 + gm ⋅ Ra
M = gm ⋅ ⋅ ( Ra + Rb) + Rb ⋅
Rd '+ Ra + Rb R2
Rd '⋅( Ra + Rb) 1 + gm ⋅ Ra
M = gm ⋅ + Rb ⋅
Rd '+ Ra + Rb R2
1 + gm ⋅ Ra
M = gm ⋅ [Rd ' //( Ra + Rb)] + Rb ⋅
R2
Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
10-50
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Pero, en general el segundo término suele ser bastante pequeño si lo comparamos con el
primero, ya que Rg en casi todos los casos prácticos es mucho mayor que Rb, por lo
tanto:
Rd = Rd ' //( Ra + Rb)
M ≅ gm ⋅ Rd
Mientras, en la entrada podemos plantear:
Vi = Vgs + Vo
Y si reemplazamos Vgs por su relación con Vo:
Vo  1
Vi = + Vo = Vo ⋅ 1 + 
M  M
Despejando nos queda:
Vo 1 M
= Av = = ∴
Vi 1+
1 1+ M
M
gm ⋅ Rd
Av =
1 + gm ⋅ Rd
Ecuación idéntica a la de cualquier seguidor, como el colector común o el fuente común.
En cuanto a la resistencia de entrada tenemos:
Vi
Ri = ∴
IR2
Vi Vi Vi
Ri = = R2 ⋅ = R2 ⋅
VR2 Vgs + VRa Vi − Vo + Vo ⋅
Ra
R2 Ra + Rb
1 1
Ri = R2 ⋅ = R2 ⋅
 Ra  Vo Ra + Rb − Ra
Vo ⋅ 1 −  1− ⋅
 Ra + Rb  Vi Ra + Rb
1−
Vi
1
Ri = R2 ⋅
Vo Rb
1− ⋅
Vi Ra + Rb
1
Ri = R2 ⋅
1 − Av ⋅ K
Donde:
Rb
K=
Rb + Ra

Gabriel Esquivel
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Cálculos
rd ≅ 74 KΩ
Rd = 74 KΩ //(3,3KΩ + 1KΩ) // 20 KΩ = 3,38 KΩ
2 ⋅ Idss
gm0 =
Vp
2 ⋅ 15mA
gm0 = = 10mS
3V
Idq
gm = gm0 ⋅
Idss
2,81mA
gm = 10mS ⋅ = 4,3mS
15mA
4,3mS ⋅ 3,38 KΩ
Av = = 0,94
1 + 4,3mS ⋅ 3,38 KΩ
1KΩ
K= = 0,23
1KΩ + 3,3KΩ
1
Ri = 3,3MΩ ⋅ = 4,2MΩ
1 − 0,23 ⋅ 0,94
Ria = 4,2 MΩ // 3,3KΩ = 1,85MΩ
1,85MΩ
At = = 0,9
1,85MΩ + 200 KΩ
Avs = 0,9 ⋅ 0,94 = 0,85
Excursión
Como en los demás casos, las ecuaciones para la excursión son:
Vˆo + = Vdsq − Vp
Vˆo − = Idq ⋅ Rd
Si reemplazamos por los valores conocidos nos queda:
Vˆo + = 6,58V − 3V
Vˆo + = 3,58V
Vˆo − = 2,81mA ⋅ 3,38 KΩ
Vˆo − = 9,5V
Por lo tanto:
VˆoMAX = 3,58V

Gabriel Esquivel
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12-50
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Simulación
Figura 11. Circuito b)

Figura 12. Circuito b) Ganancia de tensión

Gabriel Esquivel
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13-50
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Figura 13. Circuito b) resistencia de entrada

Figura 14. Circuito b) Excursión

Tabla comparativa de valores

Parámetro Calculado Simulado
Idq 2,81mA 2,78mA
Vdsq 6,48V 6,06V
Ria 1,85MΩ 1,85MΩ
Avs 0,85 0,84
+
Vo 3,58V 5,55V
-
Vo 9,5V 9,83V

Tabla comparativa con los resultados de ambos circuitos

Parámetro Colector Común Drenaje Común
Ria 950KΩ 1,85MΩ
Avs 0,822 0,84
+
Vo 9,35V 5,55V
-
Vo 7,2V 9,83V
Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
14-50
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Ej. 2. Resolución
Análisis estático
El circuito a analizar es el clásico de autopolarización en el JFET. Para hallar el punto Q
debo plantear las ecuaciones de la malla de entrada y la característica del dispositivo, y
entre ambas encontrar los valores de Idq y Vgsq que satisfagan las dos ecuaciones, es
decir:
Figura 15. Circuito Estático Vgsq = − Idq ⋅ Rs
2
 Vgsq 
Idq = Idss ⋅ 1 − 
 Vp 
Idq VRD La primer ecuación se obtine de la
malla de entrada del JFET, donde no se
consideró la caída de tensión en Rg, ya
que la corriente Ig es despreciable.
Ahora, si reacomodamos las dos
ecuaciones anteriores nos queda:
Vdsq
Vgsq = − Idq ⋅ Rs

  Idq 

Vgsq Vgsq = Vp ⋅ 1 − Idss 
VRg   
Si proponemos valores de Idq
Idq podremos hallar las Vgsq de cada
VRa
ecuación, y si tratamos de hacer
coincidir los resultados de ambas
ecuaciones, habremos hallado la
corriente del punto de polarización del
transistor, entonces:

Idq Vgsq (1) Vgsq (2)

5mA -1,1V -0,88V
4,9mA -1,078V -0,9V
4,5mA -0,99V -0,987V
De la malla de salida despejamos Vdsq, por lo tanto:
Vdd − VRD − Vdsq − VRs = 0
Vdd − Idq ⋅ RD − Vdsq − Idq ⋅ Rs = 0
Vdsq = Vdd − Idq ⋅ ( RD + Rs )
Por lo tanto, para éste circuito tendremos:
Vdsq = 15V − 4,5mA ⋅ (1,2 KΩ + 220Ω)
Vdsq = 8,52V

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
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Análisis Dinámico
El circuito a estudiar es el siguiente:
Figura 16. Circuito Dinámico

Reemplazando el transistor por su modelo equivalente de señales débiles tenemos:

Figura 17.

Vi Vgs

En base al circuito podemos plantear:

Vi Ria
= At =
Vgg Ria + Rgg
Pero:
Ri → ∞
Ria = Ri // Rg = Rg

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
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Por lo tanto nos queda:

Rg
Ria =
Rg + Rgg
Por otro lado
Vgs = Vi − gm ⋅ Vgs ⋅ Ra
Si despejamos Vgs/Vi, nos da:
Vgs 1
= (1)
Vi 1 + gm ⋅ Ra
En la salida tenemos:
Rd = RD // RL // Ro
Donde:
Ro = rd ⋅ (1 + gm ⋅ Ra )
Además:
Vo = − gm ⋅ Vgs ⋅ Rd ⇒
Vo
= − gm ⋅ Rd (2)
Vgs
Si multiplicamos (1) por (2) tendremos:
Vo Vo Vgs 1
Av = = ⋅ = − gm ⋅ Rd ⋅
Vi Vgs Vi 1 + gm ⋅ Ra
gm ⋅ Rd
Av = −
1 + gm ⋅ Ra
Observe que esta misma expresión se utiliza en la configuración equivalente con
bipolares, el RE sin puentear.
Finalmente:
Avs = At ⋅ Av
Cálculos
De otra hoja de datos obtenemos éstos parámetros del transistor:
Vp = −3V

 Idss = 10mA
2 ⋅ 10mA
gm0 = − = 6,7 mS
− 3V
4,5mA
gm = 6,7 mS ⋅ = 4,49mS
10mA

Gabriel Esquivel
Ingeniero en Electrónica
17-50
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Ro = 64 KΩ ⋅ (1 + 4,49mS ⋅ 220Ω ) = 127 KΩ

Rd = 1,2 KΩ // 12 KΩ // 127 KΩ = 1,08 KΩ
4,49mS ⋅ 1,08 KΩ
Av = = 2,44
1 + 4,49mS ⋅ 220Ω
2,2 MΩ
At = = 0,91
2,2 MΩ + 200 KΩ
Avs = 2,44 ⋅ 0,91 = 2,22

Excursión
Debido a las similitudes existentes desde el punto de vista de salida entre los circuitos
con JFET y los que utilizan bipolares, se puede demostrar que las ecuaciones que se
utilizan para la excursión son muy parecidas, es decir:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd
Vˆo − = Vdsq − Vds *
Aquí, Vds* cumple la misma función que la Vcesat del transistor bipolar, solo que en los
bipolares la tensión de saturación es casi constante cuando las corrientes son pequeñas,
mientras que en los JFET dicha tensión varía mucho más con la corriente. Sin embargo,
admitiendo un cierto porcentaje de error es posible simplificar los cálculos si se toma la
peor condición, esto es, Vds* = |Vp|, y entonces nos quedan las siguientes ecuaciones:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd
Vˆo − ≅ Vdsq − Vp

Cálculos
Vˆo + = 4,5mA ⋅ 1,08 KΩ = 4,86V
Vˆo − ≅ 8,52V − 3V = 5,52V
VˆoMAX = 4,86V

Gabriel Esquivel
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Simulación
Figura 18. Niveles de tensión y corriente de polarización.

Figura 19. Ancho de Banda y Ganancia

Gabriel Esquivel
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Figura 20. Resistencia de entrada

Figura 21. Excursión

Tabla comparativa de valores

Parámetro Calculado Simulado
Idq 4,5mA 4,89mA
Vdsq 8,52V 8,06V
Avs 2,22 2,38
Ria 2,2MΩ 2,2MΩ
+
Vo 4,86V 5,25V
-
Vo 5,52V 5,53V

Gabriel Esquivel
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20-50
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Ej. 3. Simulación
Figura 22. Niveles de tensión y corriente de polarización.

Figura 23. Ganancia y Ancho de Banda

Gabriel Esquivel
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21-50
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Figura 24. Resistencia de entrada.

Figura 25. Excursión

Gabriel Esquivel
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Ej. 4. Resolución
Análisis Estático
Para realizar el análisis estático deberemos plantear las ecuaciones del siguiente circuito:
Figura 26. Circuito Estático De la malla de polarización de entrada tenemos:
VRg = Vgsq + VRa
Pero como VRg es prácticamente 0V, nos queda:
Vdsq Vgsq
Idq = −
Ra
VRg Observe que la resistencia Rb no interviene en la
Vgsq
ecuación de Idq.
Para hallar Idq deberemos proceder como en los
casos anteriores, es decir, debemos resolver el
sistema de 2 ecuaciones con dos incógnitas. Las
VRa ecuaciones son:
Vgsq = − Idq ⋅ Ra
Idq 
  
Vgsq = Vp ⋅ 1 − Idq 
  Idss 
VRb  
Si utilizamos como parámetros característicos
una Vp = -3V e Idss = 15mA, y le damos valores
a Idq tenemos:

Idq Vgsq (1) Vgsq (2)

10mA 2,2V 0,55V
5mA 1,1V 1,27V
5,4mA 1,188V 1,2V
Adoptamos al último valor como el correcto.
En cuanto a Vdsq, planteamos la ecuación de la malla de salida, y de ésta despejamos:
Vdd = Vdsq + Idq ⋅ ( Ra + Rb)
Vdsq = Vdd − Idq ⋅ ( Ra + Rb)
Vdsq = 18V − 5,4mA ⋅ (220Ω + 1,5 KΩ)
Vdsq = 8,71V
El punto Q queda determinado como:
 Idq = 5,4mA
Q:
Vdsq = 8,71V

Gabriel Esquivel
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Análisis Dinámico
El circuito dinámico es el siguiente:
Figura 27. El circuito dinámico es similar
al del ejercicio 1-b, donde se
analiza al amplificador y se
despejan todas las ecuaciones
principales. Debido a ello, solo
nos limitaremos a utilizar dichas
ecuaciones.

Cálculos
rd ≅ 66 KΩ
Rd = 66 KΩ //( 220Ω + 1,5 KΩ) // 20 KΩ = 1,55 KΩ
2 ⋅ Idss
gm0 =
Vp
2 ⋅ 15mA
gm0 = = 10mS
3V
Idq
gm = gm0 ⋅
Idss
5,4mA
gm = 10mS ⋅ = 6mS
15mA
6mS ⋅ 1,55 KΩ
Av = = 0,9
1 + 6mS ⋅ 1,55 KΩ
1,5 KΩ
K= = 0,87
1,5 KΩ + 220Ω
1
Ria = 3,3MΩ ⋅ = 15,37 MΩ
1 − 0,9 ⋅ 0,87
15,22 MΩ
At = = 0,987
15,22 MΩ + 200 KΩ
Avs = 0,987 ⋅ 0,9 = 0,89
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Ingeniero en Electrónica
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Excursión
Como en los demás casos, las ecuaciones para la excursión son:
Vˆo + = Vdsq − Vp
Vˆo − = Idq ⋅ Rd
Si reemplazamos por los valores conocidos nos queda:
Vˆo + = 8,71V − 3V
Vˆo + = 5,71V
Vˆo − = 5,4mA ⋅ 1,47 KΩ
Vˆo − = 7,9V
Por lo tanto:
VˆoMAX = 5,7V

Simulación
Figura 28. Niveles de tensión y corriente de polarización

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Figura 29. Ganancia para Rb = 1K2, 1K5 y 1K8.

Figura 30. resistencia de entrada para Rb = 1K2, 1K5 y 1K8.

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Figura 31. Señales de salida para Resistencias Rb diferentes.

Tabla comparativa de valores

Parámetro Calculado Simulado
Idq 5,4mA 4,9mA
Vdsq 8,7V 9,6V
Avs 0,888 0,876
Ria 15,37MΩ 14,62MΩ
+
Vo 5,7V 8,153V
-
Vo 7,9V 7,76V

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Ej. 5. Simulación
Figura 32. Niveles de tensión y corriente de polarización.

Figura 33. Ganancia y ancho de banda.

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Figura 34. resistencia de entrada

Figura 35. Excursión

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Ej. 6. Simulación
Figura 36. Niveles de tensión y corriente de polarización.

Figura 37. Ganancia de tensión

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Figura 38. Resistencia de entrada.

Figura 39. Excursión para diferentes tensiones de entrada.

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Ej. 7. Resolución
Análisis Estático
Para hallar el punto de polarización debemos estudiar el siguiente circuito:
Figura 40. Circuito Estático

VRD
IRg

VRg1 VRg3

Vgsq
Idq

VRs
VRg2

Si planteamos la ecuación de la malla que incluye a Vdd y a las resistencias Rg nos

queda:
Vdd − Idq ⋅ RD − I Rg ⋅ ( Rg1 + Rg 2 + Rg 3 ) = 0 (1)
Y en la malla de entrada tenemos:
I Rg ⋅ Rg 2 + Vgsq = Idq ⋅ Rs (2)

Si de la ecuación (1) despejamos I Rg y reemplazamos ésta en la ecuación (2):

Vdd − Idq ⋅ RD
I Rg =
Rg1 + Rg 2 + Rg3
Vdd − Idq ⋅ RD
⋅ Rg 2 + Vgsq = Idq ⋅ Rs
Rg1 + Rg 2 + Rg3
Luego, Idq queda:
Vdd ⋅ K + Vgsq Rg 2
Idq = donde K=
Rs + RD ⋅ K Rg1 + Rg 2 + Rg3

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Esta es la primera ecuación de un sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas. La

segunda ecuación es la característica del transistor, es decir:
  Vgsq 
2

 Idq = Idss ⋅ 1 − 

  Vp 

 Idq = Vdd ⋅ K + Vgsq
 Rs + RD ⋅ K

Si reemplazamos los valores obtenemos:
3,3MΩ
K= = 0,43
3,3MΩ + 3,3MΩ + 1MΩ
18V ⋅ 0,43 Vgsq
Idq = +
3,3KΩ + 4,7 KΩ ⋅ 0,43 3,3KΩ + 4,7 KΩ ⋅ 0,43
Y así:
  Vgsq 
2

 Idq = 18mA ⋅ 1 − 
  1,5V 

  1 
 Idq = 1,45mA + 0,19 ⋅ Vgsq ⋅  KΩ 

Como se puede observar, Vp = -1,5V e Idss = 18mA en éste transistor.
Con éstas ecuaciones empezamos a iterar, entonces:
Vgsq Idq (1) Idq (2)
1V 2mA 1,64mA
1,2V 0,72mA 1,68mA
1,05V 1,62mA 1,65mA
1,045V 1,656mA 1,648mA
En base a las iteraciones adoptamos como valores correctos de polarización:
Vgsq ≅ 1,046V
Idq ≅ 1,65mA
Ahora, de la malla de salida planteamos la ecuación de la cual despejamos la Vdsq,
entonces:
Vdsq = Vdd − Idq ⋅ ( RD + Rs)
Al reemplazar obtenemos:
Vdsq = 18V − 1,65mA ⋅ (4,7 KΩ + 3,3KΩ)
Vdsq = 4,8V
El punto Q queda:
 Idq = 1,65mA
Q:
Vdsq = 4,8V

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Análisis Dinámico
El circuito ha analizar es el siguiente:
Figura 41.

Luego de reemplazar el transistor por su equivalente para señal nos queda:

Figura 42.

Como se puede apreciar, el circuito es un Rs sin puentear, por lo tanto, las ecuaciones
para éste caso son:
Ri → ∞
Ria = Ri // Rg1 // Rg 2 = Rg1 // Rg 2
Rd = RD // Rg3 // RL // Ro
Donde:
Ro = rd ⋅ (1 + gm ⋅ Rs )
Y la ganancia es:
gm ⋅ Rd
Av = −
1 + gm ⋅ Rs

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Ria
At =
Ria + Rgg
Avs = At ⋅ Av
Reemplazando valores obtenemos:
Ria = 3,3MΩ // 3,3MΩ = 1,65MΩ
2 ⋅ 18mA
gm0 = = −24mS
− 1,5V
1,68mA
gm = 24mS ⋅ = 7,33mS
18mA
Ro = 40 KΩ ⋅ (1 + 7,33mS ⋅ 3,3KΩ ) ≅ 1MΩ
Rd = 4,7 KΩ // 1MΩ // 50 KΩ // 1MΩ = 4,26 KΩ
7,33mS ⋅ 4,26 KΩ
Av = − = 1,29
1 + 7,33mS ⋅ 3,3KΩ
1,65MΩ
At = = 0,97
1,65MΩ + 50 KΩ
Avs = 0,97 ⋅ 1,29 = 1,25
Excursión
De la misma forma que antes:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd = 1,68mA ⋅ 4,26 KΩ = 7,16V
Vˆo − ≥ Vdsq − Vp = 4,8V − 3V = 1,8V

Tabla comparativa de valores

Parámetro Calculado Simulado
Idq 1,68mA 1,65mA
Vdsq 4,8V 4,79V
Avs 1,25 1,21
Ria 1,65MΩ 1,65MΩ
+
Vo 7,16V 7V
-
Vo 1,8V 2,5V

Cuestionario
1. Indique porqué el valor de la máxima excursión negativa calculada es tan
diferente a la simulada.
2. Observe el oscilograma donde aparece la excursión, y en base a éste explique
porqué razón las tensiones de fuente y drenaje llegan a solaparse.
3. ¿Puede haber consecuencias por lo sucedido en la excursión?
4. Observe la tabla comparativa de los parámetros de cada circuito, e indique que
conclusiones se pueden sacar de éstos.
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Simulación del circuito a)

Figura 43. Niveles de tensión y corrientes de polarización.

Figura 44. Ganancia de tensión (sin Cs).

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Figura 45. Resistencia de entrada (sin Cs).

Figura 46. Excursión.

Figura 47. Corriente de Drenaje y de Compuerta

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Simulación del circuito b)

Figura 48. Ganancia de tensión para Cs = 470 µF.

Figura 49. Resistencia de entrada para Cs = 470 µF.

Figura 50. Excursión

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Simulación del circuito c)

Figura 51. Niveles de tensión para el circuito con Cs = 470µF y J1 = 2N3819.

Figura 52. Ganancia de tensión

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Figura 53. Resistencia de entrada.

Figura 54. Excursión.

Tabla comparativa de las características de cada circuito

Parámetro Sin Cs y 2N4393 Con Cs y 2N4393 Con Cs y 2N3819
Idq 1,65mA 1,65mA 1,805mA
Vdsq 4,79V 4,79V 3,55V
Avs 1,21 31,12 12,5
Ria 1,65MΩ 1,65MΩ 1,65MΩ
+
Vo 7V 7V 7,5V
-
Vo 2,5V 2,55V 3,04V

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Ej. 8. Resolución del circuito a)

Análisis Estático
El circuito estático aparece debajo.
Figura 55. Circuito Estático Analizando el circuito podemos
plantear:
Vg = 2 ⋅ VD
VRD Vgsq = Vg − VRs
Vgsq = 2 ⋅ VD − Idq ⋅ Rs
VR1 La otra ecuación a utilizar es la
Vdsq característica del dispositivo, entonces
IR1 nos queda:
Vgsq = 2 ⋅ VD − Idq ⋅ Rs

  Idq 
 
Vgsq = Vp ⋅ 1 − Idss 
Vgsq   
Idq
Si le damos algunos valores a Idq, y
teniendo en cuenta que Vgsq debe ser
2VD negativo en la primer expresión, nos
VRs queda:
2 ⋅ VD 2 ⋅ 0,6V
IdqMIN = = = 3,7 mA
Rs 330

Idsq Vgsq (1) Vgsq (2)

5mA -0,45V -1,26V
6mA -0,78V -1,1V
7mA -1,11V -0,95V
6,5mA -0,945V -1,02V
6,7mA -1,011V -0,995V
Con el último valor de Idq y con la ecuación de la malla de salida hallamos Vdsq,
entonces:
Vdd − Idq ⋅ ( RD + Rs ) − Vdsq = 0 ∴
Vdsq = Vdd − Idq ⋅ ( RD + Rs )
En nuestro caso:
Vdsq = 15V − 6,7 mA ⋅ (1KΩ + 330Ω) ≅ 6,1V
El punto Q queda definido como:
 Idq = 6,7 mA
Q:
Vdsq = 6,1V
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Análisis Dinámico
El circuito dinámico a estudiar aparece debajo:
Figura 56. Circuito Dinámico

Vi
Vo

Ria

Reemplazando al transistor y a los diodos por sus equivalentes de señales débiles

obtenemos éste circuito:
Figura 57. Circuito equivalente para señales débiles

Vgs Vo
Vi

Ria

Las resistencias equivalentes de los diodos se obtienen a partir de:

1
rd =
gd
1
gd = 40 ⋅ I D ⋅  
V 

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Si se reemplaza por el valor de Idq se obtiene una resistencia del orden de las decenas de
ohms.
Más allá del pequeño valor de las resistencias dinámicas de los diodos, observe que nada
de señal llega a éstos, y por lo tanto la tensión en el gate es la de tierra. Bajo éstas
circunstancias, el circuito se comportará entonces como un Fuente Común.
Haciendo:
Rd = RD // Ro // RL
Ro = rd ⋅ [1 + gm ⋅ (Rgg // Rs )]
Las ganancias serán:
Vo gm ⋅ Vgs ⋅ Rd
Av = = = gm ⋅ Rd
Vgs Vgs
Vi Vgs Ria
At = = =
Vgg Vgg Rgg + Ria
Y la resistencia de entrada es:
Ria = Rs // Ri
Vi Vgs
Ri = =
Id gm ⋅ Vgs
1
Ri =
gm
Cálculos
2 ⋅ Idss 2 ⋅ 15mA
gm0 = = = −10mS
Vp − 3V
Idq 6,7 mA
gm = gm0 ⋅ = 10mS ⋅ = 6,68mS
Idss 15mA
1
Ri = = 149,7Ω
6,68mS
Ria = 330Ω // 149,7Ω = 103Ω
rd ≈ 64 KΩ
Ro = 64 KΩ ⋅ [1 + 6,68mS ⋅ (330Ω // 100Ω )]
Ro = 97 KΩ
Rd = 97 KΩ // 10 KΩ // 1KΩ = 900Ω
Av = 6,68mS ⋅ 0,9 KΩ = 6
103Ω
At = = 0,507
100Ω + 103Ω
Avs = 0,507 ⋅ 5,84 = 3,05

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Excursión
Como en los casos anteriores, tenemos:
Vˆo + = Idq ⋅ Rd = 6,7 mA ⋅ 900Ω = 6,03V
Sin embargo, la excursión del semiciclo negativo no es tan fácil de hallar. Como la
ganancia de tensión es demasiado baja (menor que 10), la tensión de entrada tendrá una
amplitud del mismo orden que la tensión de salida, haciendo que la Vds varíe no solo
por la excursión en la salida, sino también por la excursión en la entrada. Para hallar la
respuesta analicemos el siguiente oscilograma:
Figura 58.

Vdd

+
Vo

Vd
-
Vo

Vds*

Vs
-
Vs

Zona de
recorte
Gnd

Como se puede observar, la señal en la fuente está en fase con la señal de salida, y por
ello la excursión en el semiciclo negativo se incrementa respecto a la excursión del
fuente común. En la gráfica se puede ver como la zona de recorte determinada por la
región de resistencia variable del FET (en trazo punteado) acompaña a la tensión de
fuente, y como ésta se hace más cercana a cero volt en el semiciclo negativo, entonces la
excursión aumenta en dicho semiciclo.
Debido a ello el cálculo de la excursión se ve modificado de la siguiente forma:
Vdsq = Vˆo − + Vds * −Vˆs −

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Podemos reemplazar Vs por su relación con Vo y la ganancia, entonces:

Vˆo − − Vˆs − = Vdsq − Vds *
Vˆo −
Vˆo − − = Vdsq − Vds *
Av
 1 
Vˆo − ⋅ 1 −  = Vdsq − Vds *
 Av 
 Av − 1 
Vˆo − ⋅   = Vdsq − Vds* ∴
 Av 
Vˆo − = (Vdsq − Vds *) ⋅
Av
Av − 1
Al igual que en los casos anteriores, utilizamos el peor valor de Vds* (equivalente en el
JFET a VceSAT del bipolar para el recorte), es decir:

Vˆo − = (Vdsq − | Vp |) ⋅
Av
Av − 1
Observe que cuando Av es mucho mayor que 1 (10 veces o más), la excursión se reduce
a la del fuente común. Ahora, si reemplazamos los valores tendremos:

Vˆo − ≥ (Vdsq − Vp ) ⋅ = (6,1V − 3V ) ⋅

Av 5,84
Av − 1 5,84 − 1
Vˆo − ≥ 3,74V

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Simulación
Figura 59. Niveles de tensión y corriente de polarización para el circuito a).

Figura 60. Ganancia de tensión para diferentes Vcc.

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Figura 61. Resistencia de entrada para diferentes Vcc.

Figura 62. Excursión para diferentes tensiones de entrada.

Tabla comparativa de valores

Parámetro Calculado Simulado
Idq 6,7mA 6,25mA
Vdsq 6,1V 6,7V
Avs 3,05 2,75
Ria 103Ω 114,5Ω
+
Vo 5,8V 5,5V
-
Vo 3,74V 6,4V

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Simulación del Circuito b)

Figura 63. Circuito b)

Figura 64. Variación de la ganancia para diferentes fuentes de alimentación

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Figura 65. Resistencia de entrada para diferentes fuentes de alimentación

Rechazo del Ripple

Se utilizó una señal senoidal de 1V pico y 1KHz proveniente de la alimentación para
simular el Ripple, y se obtuvieron éstos resultados.
Con referencia fija en gate utilizando Con Divisor Resistivo de tensión
diodos.
Figura 66. Tensión de Drenaje Tensión de Drenaje

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Figura 67. Tensión de Gate Tensión de Gate

Figura 68. Corriente de Drenaje Corriente de Drenaje

Cuestionario
1. En base a las últimas gráficas mostradas, ¿qué ventajas y desventajas tiene el uso
de los diodos en lugar de las resistencias para la polarización del Gate del
transistor?.
2. ¿Qué parámetros del circuito se modifican al variar la tensión de la fuente de
alimentación?
3. Con referencia a los mismos gráficos, ¿cuál es el camino principal tomado por la
señal de Ripple?, a través de la resistencia Rd o por el divisor de tensión de
polarización del gate?
4. De que otra forma se puede obtener una tensión de referencia fija que cumpla el
mismo propósito que los diodos.

Ing. Gabriel Esquivel

07 de Abril de 2002
Gabriel Esquivel
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