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1.

Marco Teórico

Uno de los dispositivos de estado sólido que mayor impacto ha causado


en el desarrollo de circuitos electrónicos es quizá el transistor. Fue
descubierto en el año 1947 por un grupo de científicos de la compañía
norteamericana Bell Telephone. Rápidamente fue ocupando mayor parte
del mercado debido a su eficiencia en comparación con los antiguos
dispositivos de vacío, los cuales poseían mayor tamaño y consumo de
potencia.

En la actualidad existe una variada familia de transistores, dentro de la


cual se encuentra el Transistor Bipolar, el cual es el tema central de la
siguiente actividad de laboratorio. En las siguientes páginas se verá con
mayor detenimiento las características de este dispositivo en mención.

1.1. El transistor Bipolar o BJT

El transistor bipolar está constituido por la unión de tres


semiconductores, de carácter p y n alternadamente. El
semiconductor del medio suele ser el de menor espesor y se le
denomina base. Los otros dos semiconductores, de signo opuesto
a la base, se denominan emisor y colector, de acuerdo, a su
respectiva función. Cada uno de estos semiconductores lleva un
contacto metálico con un hilo de salida al exterior.

Entonces, el transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales


(emisor, colector y base) que, atendiendo a su fabricación, puede
ser de dos tipos: NPN y PNP. La forma de distinguir la simbología
de un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha
del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera
del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además,
en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la
corriente que circula por el emisor del transistor. Podemos observar
lo anterior en la siguiente figura:

figura 1. Simbología Transistores tipo NPN y PNP. Fuente: Dominguez.

En general se definen una serie de tensiones e intensidades de


corriente en el transistor, como las que aparecen en las figuras a
continuación:

figura 2. Tensiones en el Transistor BJT. Fuente: Dominguez.

figura 3. Intensidades de Corriente. Fuente: Dominguez.

1.2. Funcionamiento del transistor


2. Datos Obtenidos

2.1. Para IB = 40µA

𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 3.23 7.39 7.45 7.55 7.66 7.77 7.87 7.98 8.08 8.19 8.30 8.40

2.2. Para IB = 80µA

𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 3.93 11.18 14.0 14.2 14.4 14.6 14.8 15.0 15.2 15.4 15.6 15.8

3. Simulación por Asistida por Computadora

Las imágenes obtenidas de la simulación por computadora, se encuentran


adjuntas en la sección de ANEXO, al final del presente archivo.

4. Observaciones y Conclusiones

En la presente sección, trataremos lo que, desde la observación y como


grupo, consideramos lo más resaltante de esta actividad.

4.1. Observaciones

 Se observa que los valores reales de los componentes


tienen una ligera variación con respecto a sus valores
nominales.
 De la misma manera que en la observación anterior, la
fuente de Tensión y los dispositivos de medición, podrían
encontrarse en mal estado, o simplemente entregar o medir
valores ligeramente distorsionados. En nuestro caso, la
fuente de tensión se encontraba con fallos, lo cual afectó la
actividad.

 Evitar el uso excesivo de cables en el Protoboard, puesto


que podría haber algún falso contacto.

 El transistor posee una posición característica, y es


necesario realizar correctamente la conexión. Si no se
conoce dichas características, podemos encontrarlas en el
datasheet.

 Se observa que conforme se regula la perilla del


potenciómetro, la intensidad de corriente varía
inversamente; es decir, si con la perilla aumentamos el valor
de la resistencia del potenciómetro, la intensidad de
corriente disminuye, caso contrario, aumenta.

4.2. Conclusiones

 Es de suma importancia realizar siempre las mediciones


previas de cada uno de los componentes del circuito.

 Asimismo, se requiere corroborar el correcto funcionamiento


de la fuente de tensión y dispositivos de medición.

 Se corrobora que la suma de la corriente de base más la


corriente de colector, es igual a la corriente de emisor. Se
cumple la fórmula proporcionada teóricamente: 𝑖𝐸 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝐵
 Se pudo observar que entre el rango de 0,2 a 1 volts en la
tensión entre CE 𝑉𝐶𝐸 , la operación en un potenciómetro
ejerce influencia en la corriente a la cual se quiere regular
con el otro potenciómetro, y viceversa. Esto probablemente
debido a la cercanía con la tensión de 0,7 volts entre B y E.
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/6%20Transistor
es%20bipolares.pdf

http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf

MADA SHIRANARAI

http://lcr.uns.edu.ar/electronica/Introducc_electr/2011/clases/BJT.pdf

http://cc.ee.ntu.edu.tw/~lhlu/eecourses/Electronics1/Electronics_Ch4.pdf