Ruido en amplificadores operacionales

EAN: Ruido en amplificadores operacionales

1. Introducción

La relación señal/ruido (SNR) en un punto de un circuito analógico se define como

el 20*log10 del cociente entre el nivel de la señal procesada y el del ruido presentes en
ese punto. El margen dinámico (dynamic range) se define como el SNR máximo, es
decir el que corresponde a la presencia de la señal de mayor amplitud que se puede
procesar (con un nivel de distorsión aceptable, etc.)

La tendencia actual en el diseño de circuitos analógicos es la de reducir las tensiones

de alimentación, lo que lleva en general a una reducción de la amplitud máxima de la
señal. Esto implica que para mantener el margen dinámico se hace necesario reducir el
nivel de ruido.

En los apartados siguientes se estudian las diferentes fuentes de ruido aleatorio, y su

incidencia sobre los circuitos que emplean amplificadores operacionales.

2. Fuentes de ruido

Generalmente se consideran cuatro fuentes principales de ruido aleatorio que se

denominan: ruido térmico (thermal noise o Johnson noise), ruido schottky, ruido rosa
(pink noise o flicker noise), y ruido de fritura (popcorn noise).

2.1 Ruido térmico

Este tipo de ruido está presente en cualquier resistencia (sin importar su proceso
de fabricación ni la corriente que circula por ella) y se puede expresar como una tensión
entre sus terminales de valor eficaz (RMS):

Vn = sqrt(4kTRB)

Siendo:

k= 1.38*10-23 J/K (constate de Boltzmann)

T= temperatura en ºK
R= resistencia en Ω
B= ancho de banda de ruido en Hz (noise bandwidth) (es el ancho de banda en que se
mide el ruido)

Por ejemplo, con un ancho de banda de 1 MHz, la tensión eficaz es de 129 µV para una
resistencia de 1 MΩ que se encuentra a 300ºK.
El ruido térmico presenta una distribución gaussiana, y su espectro es plano (ruido
blanco)

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2.2 Ruido schottky (shot noise)

Este tipo de ruido se genera cuando circula corriente por una unión PN, y se
debe a la existencia de fluctuaciones en esa corriente. Se expresa como una corriente:

In= sqrt(2qIoB)

Siendo,
q= carga del electrón (1.6*10-19 C)
Io= corriente que circula por la unión (generalmente se considera la de polarización)
B= ancho de banda en Hz.

Es un ruido gaussiano con espectro plano (ruido blanco)

In es mayor cuanto mayor sea Io. Sin embargo, el cociente entre ambas corrientes In/Io
es mayor cuando Io es menor. Esto concuerda con el hecho de que las fluctuaciones
aleatorias se deberían cancelar con mayor probabilidad si la corriente es mayor
(población mayor en el estudio estadístico)

2.3 Ruido rosa

El nivel de ruido real que se observa en una resistencia o en un semiconductor a
frecuencias bajas es mucho mayor que el obtenido mediante el cálculo del ruido
térmico. En esta zona de bajas frecuencias, la potencia del ruido crece con el inverso de
la frecuencia de forma que el valor eficaz de la tensión del ruido es aproximadamente
igual en cualquier década (hay el mismo nivel de ruido entre 0,01 Hz y 0,1 Hz que entre
0,1 y 1 Hz) A este tipo de ruido de baja frecuencia se le llama también flicker o 1/f noise
(leer one over f) Es mayor en las resistencias de carbón que en las de película metálica.

A frecuencias bajas predomina el ruido rosa mientras que para anchos de banda grandes
predomina el ruido térmico. Se denomina frecuencia de codo (corner frequency) a
aquella para la cual ambas contribuciones son similares.

Más información sobre el ruido rosa en diferentes campos de la ciencia en:

www.nslij-genetics.org/wli/1fnoise/index.html

2.4 Ruido de fritura (popcorn noise)

El nivel de este tipo de ruido no se mantiene estable en el tiempo, y se supone
que es debido principalmente a procesos de fabricación inadecuados que dejan restos de
suciedad en el semiconductor. No debería ser apreciable en operacionales que siguen un
proceso de fabricación correcto.

2.5 Ruido de avalancha

Se genera cuando una unión PN se encuentra polarizada en avalancha (por
ejemplo un diodo de avalancha) El nivel de este tipo de ruido es elevado. En el diseño
de operacionales se evita el uso de diodos de avalancha en el camino de la señal (signal
path)

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3. Medida del nivel de ruido en operacionales

Los fabricantes de operacionales expresan el nivel de ruido como densidad

espectral de ruido, y según se refiera a tensión o a corriente se mide en nV/sqrt(Hz) o
pA/sqrt(Hz) respectivamente. La tensión o corriente eficaz del ruido se obtiene
multiplicando la densidad espectral correspondiente por la raíz cuadrada del ancho de
banda.
Otra característica que se suele facilitar es la frecuencia de codo. Por debajo de
esta frecuencia es preciso tener en cuenta que la densidad de ruido crece con el inverso
de la frecuencia.

3.1 Ruido de tensión (input voltage noise)

Se denomina ruido de tensión (referido a la entrada de un operacional) a aquella

fracción del ruido total presente en la entrada que no se ve afectada por el valor de la
resistencia equivalente del circuito que se conecte a la entrada (p. ej. generador real).
Se denomina ruido de corriente (referido a la entrada de un operacional) a
aquella fracción del ruido total presente en la entrada que es proporcional al valor de la
resistencia equivalente del circuito que se conecte a la entrada (p. ej. generador real).

3.1.1. Operacionales bipolares

El ruido de tensión presente a la entrada de un operacional con transistores

bipolares se debe a tres componentes. La primera es el ruido térmico que se genera en la
resistencia de dispersión de base de estos transistores (rbb’ del modelo en pi). La
segunda se genera al circular la corriente de ruido schottky que se genera en la unión
colector-base de los transistores por la carga del colector. La tercera se genera al
circular el flicker de la corriente de base por las resistencias correspondientes. A
frecuencias bajas predomina el efecto del flicker, y a frecuencias altas el térmico.

3.1.2. Operacionales BIFET

En los operacionales que emplean transistores JFET en la etapa de entrada,

predomina el ruido térmico que se genera en los canales de estos transistores. El nivel
del ruido de tensión es bastante mayor que el de los bipolares. La frecuencia de codo es
también claramente mayor en los BIFET que en los bipolares.

3.1.3. Operacionales CMOS

Son, en general, los que presentan un nivel más alto de ruido flicker. Sin
embargo, el nivel de ruido se ha visto reducido con la utilización de tecnologías
“limpias” (específicas para la fabricación de circuitos integrados analógicos)

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3.2 Ruido de corriente (input current noise)

El ruido de corriente se convierte en ruido de tensión cuando circula por la resistencia

equivalente del generador. Por lo tanto, su incidencia es mayor si la resistencia del
generador es alta.

3.2.1. Operacionales bipolares

El ruido de corriente presente a la entrada de un operacional bipolar se debe al

ruido schottky en la corriente de base de los transistores de entrada y al ruido flicker en
rbb .

3.2.2. Operacionales BIFET y CMOS

En los operacionales que emplean transistores JFET ó MOS en la etapa de

entrada, el ruido de corriente se debe al ruido schottky de la corriente de puerta. El nivel
de ruido es mucho menor que el de un bipolar.

3.3 Cálculo del ruido total

Si se supone que no existe correlación entre los diferentes tipos de ruido, el ruido total
se puede obtener calculando la raíz cuadrada de la suma de los cuadrados de las
componentes parciales del ruido (suma RMS).

Vnt = sqrt(B*(Vn2 + Rs2*In2 + 4kTRs))

Siendo:
Vn la densidad espectral de ruido de tensión del operacional
In la densidad espectral de ruido de corriente del operacional
B el ancho de banda de ruido
Rs la resistencia del generador de entrada (la que “ve” la entrada del operacional).
sqrt(4kTRS) la densidad espectral del ruido térmico en la resistencia del generador.

Se denomina resistencia equivalente de ruido a aquel valor de Rs que hace iguales las
componentes debidas al ruido de tensión y al de corriente. Rn= Vn / In.