UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE

QUERÉTARO

FACULTAD DE INGENIERÍA

Campus Aeropuerto

“Exercises: Group 14 (The Carbon

Family)”.

Alumna:

Monserrath Perales Espinoza

Segundo Semestre

Ingeniería en Nanotecnología

Asignatura: Química Inorgánica II

Catedrático: Dr. Rufino Nava Mendoza.

Exercises: Group 14 (The Carbon Family)

1. Describe the sources of silicon and write balanced equations for the three steps in the industrial
preparation of silicon.

El silicio es uno de los componentes principales de los aerolitos, una clase de meteoroides. Medido
en peso el silicio representa más de la cuarta parte de la corteza terestre y es el segundo elemento
más abundante por detrás del oxígeno. El silicio no se encuentra en estado nativo; arena, cuarzo,
amatista, ágata, pedernal, ópalo y jaspe son algunas de los minerales en los que aparece el óxido,
mientras que formando silicatos se encuentra, entre otros, en el granito, feldespato, arcilla,
hornblenda y mica.

El Silicio comercial se obtiene a partir de sílice puro en horno de arco eléctrico reduciendo el óxido
con electródos de carbono a temperatura superior a 1900 ºC: SiO2 + C → Si + CO2

El silicio líquido se acumula en el fondo del horno de donde se extrae y se enfría. El silicio producido
por este proceso se denomina metalúrgico y tiene una pureza superior al 99%. Este proceso puede
repetirse cuantas veces sea necesario hasta lograr la pureza deseada, los métodos químicos usados
atualmente emplean comunmente el triclorosilano (HSiCl3), el tetracloruro de silicio (SiCl4) y el
silano (SiH4).
Otro proceso para obtener el Silicio es por medio del proceso Siemens, donde barras de silicio de
alta pureza se exponen a 1150 ºC al triclorosilano, gas que se descompone depositando silicio
adicional en la barra según la siguiente reacción: 2HSiCl3 → Si + 2HCl + SiCl4; el silicio producido por
éste y otros métodos similares se denomina silicio policristalino y típicamente tiene una fracción de
impurezas de 0,001 ppm o menor.

Y por último está el método Dupont que consiste en hacer reaccionar tetracloruro de silicio a 950
ºC con vapores de Zinc muy puros: SiCl4 + 2Zn → Si + 2ZnCl2

Este método, sin embargo, está plagado de dificultades (el cloruro de zinc, subproducto de la
reacción, solidifica y obstruye las líneas) por lo que eventualmente se ha abandonado en favor del
proceso Siemens. Y una vez obtenido el silicio ultrapuro es necesario obtener un monocristal, para
lo que se utiliza el proceso Czochralski.

Preparación Industrial del Silicio

El silicio se encuentra en la naturaleza combinado con oxígeno en forma de cuarcita que es en un

90% óxido de silicio, SiO2. Su preparación industrial es a través del proceso de extracción de éste de
la cuarcita para su posterior purificación.

 El primer paso consiste en la obtención de silicio metalúrgico, para ello, se separa del oxígeno
mediante una reacción con carbono calentándolo a 1500-2000 ° C en un horno de arco eléctrico.
Allí se somete a campos eléctricos muy elevados que rompen los enlaces químicos que unen al
silicio con el oxígeno.
  La primera reacción química que se produce es: SiO2 + C → Si + CO2

El silicio resultante se denomina de grado metalúrgico y tiene una pureza del orden del 99%,
con una importante contaminación de metales tales como Fe, Al, C, B, etc.

 El Segundo paso trata de la obtención de silicio electrónico o de silicio solar. Para el cual se
realizan dos nuevos pasos: en el primero, el silicio metalúrgico se convierte en gas en un proceso
químico. Para ello, el silicio metalúrgico sólido se hace reaccionar con HCl a 300 °C en un reactor
para formar SiHCl3.

 La segunda reacción química que se produce es: Si + 3HCl → SiHCl3 + H2

La clave del proceso es que durante la reacción, las impurezas del silicio tales como Fe, Al, y B
reaccionan con el ClH formando haluros (FeCl3, AlCl3, y BCl3). Y éstas se pueden separar del
silicio realizando un proceso de destilación fraccionada, que consiste en la separación sucesiva
de los líquidos de la mezcla del SiHCl3 y los diversos haluros de impurezas, aprovechando la
diferencia entre sus puntos de ebullición.

 Finalmente, el tercer paso consiste en que al SiHCl3 ya purificado se le hace reaccionar con
hidrógeno a 1100 °C durante ~ 200 – 300 horas.

 La tercera reacción química que se produce es: SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl

Este proceso tiene lugar en el interior de grandes cámaras de vacío, en las que el silicio se
condensa y se deposita sobre barras de polisilicio para obtener sobre ellas el silicio ya purificado.
Esta técnica se conoce como el proceso Siemens, desarrollada por el científico Siemens, por el
que se le atribuyó su nombre, en la década de los 60; desafortunadamente este método es muy
costoso en términos energéticos, ya que se consumen más de 100 kWh/kg Si, por lo que se han
desarrollado procesos alternativos que requieren menos energía para obtenerlo.

Al final de la destilación, el SiHCl3 sigue teniendo impurezas, pero en una proporción bajísima,
por debajo de 0.001 p.p.m.
Este silicio resultante ya es adecuado para la ImE y la IFV y las barras obtenidas de silicio se
muelen para obtener la materia prima del proceso de fabricación de obleas.

Y después de la obtención del Silicio a través del proceso industrial, se recurre a la obtención
del cristal del mismo, para el cual una vez purificado el Silicio, lo que prosigue es “ordenar” sus
átomos formando una oblea (wafer) en la que los átomos de silicio se colocan en una estructura
regular, formando un bloque con propiedades adecuadas para hacer sobre él los pasos
necesarios para fabricar un circuito integrado o una célula solar. Esto se lleva a cabo mediante
un procedimiento ideado en 1916 por un científico polaco, Jan Czorchalski.
2. Explain why the size of the silicon atom does not permit a silicon analog of the graphite
structure.

El Silicio no puede formar una estructura como la del grafito debido a su forma “arrugada” y esto
es esencialmente debido a que este elemento elemento rara vez forma enlaces dobles debido al
gran tamaño de sus átomos.

En la siguiente figura, los orbitales P se superponen en un grado significativo, lo que significa que
sus enlaces 𝜋 pueden formarse fácilmente.

Y con los átomos de Silicio, se puede ver (en la imagen de acontinuación) que debido a que su radio
atómico es más grande, los orbitales P no se superponen tanto, lo que quiere decir que los enlaces
dobles generalmente no son favorables en el Silicio.

Y esto explica por qué los compuestos como los Silenos son relativamente inestables.

Por lo que se podría decir que los sistemas de enlaces 𝜋 (enlaces dobles) son cruciales para la
química del Carbono, pues permiten que éste forme múltiples enlaces, para poder formar por
ejemplo, anillos planos (como en el grafeno), además de que gracias a ellos una gran cantidad de
configuraciones son estables. Por lo que la falta de enlaces 𝜋 en el Silicio se toma a veces como
razón del por qué formas de vida basadas en el Silencio no podrían existir, además de explicar el
porqué es tan difícil conseguir Silicio en las hojas planas que forman siliceno.

El silicio, al igual que el carbono, es capaz de formar enlaces consigo mismo: incluso tiene la misma
valencia (cuatro) por lo que el tipo de estructuras que puede formar son las mismas que las del
carbon, y esto es debido a que su posición es inferior a la del carbono en la tabla periódica y eso
quiere decir que comparte muchas de sus propiedades químicas. Por ejemplo, al igual que el
carbono, el silicio puede formar cuatro enlaces con sendos átomos de hidrógeno, formando así el
silano (SiH4).

Otras propiedades químicas, en cambio, precisamente por estar en la fila inmediatamente inferior
de la table periódica, son muy diferentes. Una de ellas es el tamaño. El átomo de silicio tiene ocho
electrones más que el de carbono y su radio atómico mide 0.118 nanómetros (nm) en comparación
con el del átomo de carbono que es de 0.077 nm. Esa diferencia de radio atómico se traduce en una
mayor distancia de enlace químico entre átomos de silicio (0.250 nm) que entre átomos de carbono
(0.154 nm) y, por ello, el enlace silicio-silicio es sólo la mitad de fuerte (energía de enlace: 327
kJ/mol) que el enlace carbono-carbono (energía de enlace: 607 kJ/mol), así que las cadenas
complejas de silicio no tendrían la estabilidad suficiente para formar estructuras complejas
compatibles con la vida.

Mientras el Carbono se encuentra presente en todas las formas de vida de la Tierra, el Silicio sólo
forma rocas, esto significa que el Silicio no es, en absoluto, comparable al carbon, pues los enlaces
que el carbono puede formar consigo mismo pueden ser sencillos o múltiples (dobles y triples), que
en términos químicos eso es fundamental para la reactividad de los compuestos que, siendo muy
estables, pueden reaccionar químicamente con otras moléculas para transformarse en compuestos
diferentes siempre y cuando se den las condiciones adecuadas, muentras que el Silicio, por el
contrario, sólo forma enlaces sencillos consigo mismo y ni siquiera son suficientemente estables
para mantener la integridad de moléculas grandes.

3. Identify the oxidation number of germanium in the following compounds and ions:

(a) GeO44-
𝑥 −2
→ 𝑥 + 4(−2) = −4
𝐺𝑒 𝑂4 4−
𝑥 = −4 + 8 = +4

𝑅 = 𝐺𝑒: + 4

(b) K4Ge4Te10
+1 +4 −2
→ 4(+1) + 4(+4) + 10(−2) = 0
𝐾4 𝐺𝑒4 𝑇𝑒10

𝑅 = 𝐺𝑒: + 4
(c) Ca3GeO5

+2 +4 −2
→ 3(+2) + 1(+4) + 5(−2) = 0
𝐶𝑎3 𝐺𝑒 𝑂5

𝑅 = 𝐺𝑒: + 4

4. Identify the oxidation number of tin in the following compounds and ions:

(a) Sn(OH)62-
𝑥 −1
→ 𝑥 + 6(−1) = −2
𝑆𝑛 (𝑂𝐻)6 2−
𝑥 = −2 + 6 = +4

𝑅 = 𝑆𝑛: + 4

(b) SnHPO3

+2 +1 +3 −2
→ 1(+2) + 1(+1) + 1(+3) + 3(−2) = 0
𝑆𝑛 𝐻 𝑃 𝑂3

𝑅 = 𝑆𝑛: + 2

(c) NaSn2F5.

+1 +2 −1
→ 1(+1) + 2(+2) + 5(−1) = 0
𝑁𝑎 𝑆𝑛2 𝐹5

𝑅 = 𝑆𝑛: + 2
5. Balance the following skeletal equations and classify them as acid–base or redox:

(a) MgC2(s) + H2O(l) → C2H2(g) + Mg(OH)2(s)

+2 −1 +1 −2 −1 +1 +2 −2 +1
+ → +
𝑀𝑔 𝐶2 (𝑠) 2𝐻2 𝑂 (𝑙) 𝐶2 𝐻2 (𝑔) 𝑀𝑔 (𝑂 𝐻)2 (𝑠)

𝑅 = 𝐸𝑠 𝑢𝑛𝑎 𝒓𝒆𝒂𝒄𝒄𝒊ó𝒏 Á𝒄𝒊𝒅𝒐

− 𝑩𝒂𝒔𝒆, 𝑦𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑛𝑜 ℎ𝑎𝑦 𝑐𝑎𝑚𝑏𝑖𝑜 𝑒𝑛 𝑙𝑜𝑠 𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑜𝑥𝑖𝑑𝑎𝑐𝑖ó𝑛.

(b) Pb(NO)2(s) → PbO(s) + NO2(g) + O2(g)

+2 +1 −2 +2 −2 +4 −2 0
→ + −
2𝑃𝑏 (𝑁 𝑂)2 (𝑠) 2𝑃𝑏 𝑂 (𝑠) 4 𝑁 𝑂2 (𝑠) 3𝑂2 (𝑔)

𝑁: + 1𝑒 → +4 𝑒 → 𝑆𝑒 𝑂𝑥𝑖𝑑𝑎 (𝐴𝑔𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑅𝑒𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟)

𝑂: 0𝑒 → −2 𝑒 → 𝑆𝑒 𝑅𝑒𝑑𝑢𝑐𝑒 (𝐴𝑔𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑂𝑥𝑖𝑑𝑎𝑛𝑡𝑒)

𝑅 = 𝐸𝑠 𝑢𝑛𝑎 𝒓𝒆𝒂𝒄𝒄𝒊ó𝒏 𝑹𝒆𝒅𝒐𝒙.

6. Balance the following skeletal equations and classify them as acid–base or redox:

(a) CH4(g) + S8(s) → CS2(l) + H2S(g)

−4 +1 0 +4 −2 +1 −2
+ → +
2𝐶 𝐻4 (𝑔) 𝑆8 (𝑠) 2𝐶 𝑆 2 (𝑙) 4 𝐻2 𝑆 (𝐺)

𝐶: − 4𝑒 → +4 𝑒 → 𝑆𝑒 𝑂𝑥𝑖𝑑𝑎 (𝐴𝑔𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑅𝑒𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟)

𝑆: 0𝑒 → −2 𝑒 → 𝑆𝑒 𝑅𝑒𝑑𝑢𝑐𝑒 (𝐴𝑔𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑂𝑥𝑖𝑑𝑎𝑛𝑡𝑒)

𝑅 = 𝐸𝑠 𝑢𝑛𝑎 𝒓𝒆𝒂𝒄𝒄𝒊ó𝒏 𝑹𝒆𝒅𝒐𝒙.

(b) Sn(s) + KOH(aq) + H2O(l) → K2Sn(OH)6(aq) + H2(g)

0 +1 −2 +1 +1 −2 +1 +4 −2 +1 0
+ + → +
𝑆𝑛 (𝑠) 2𝐾 𝑂 𝐻 (𝑎𝑞) 4𝐻2 𝑂 (𝑙) 𝐾2 𝑆𝑛 (𝑂 𝐻)6 (𝑎𝑞) 2𝐻2 (𝑔)

𝑁: 0𝑒 → +4 𝑒 → 𝑆𝑒 𝑂𝑥𝑖𝑑𝑎 (𝐴𝑔𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑅𝑒𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟)

𝑂: + 1𝑒 → 0 𝑒 → 𝑆𝑒 𝑅𝑒𝑑𝑢𝑐𝑒 (𝐴𝑔𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑂𝑥𝑖𝑑𝑎𝑛𝑡𝑒)

𝑅 = 𝐸𝑠 𝑢𝑛𝑎 𝒓𝒆𝒂𝒄𝒄𝒊ó𝒏 𝑹𝒆𝒅𝒐𝒙.

7. Determine the values of ∆Hro, ∆Sro, and ∆Gro for the production of high-purity silicon by the
reaction SiO2(s) + 2 C(s, graphite) → Si(s) + 2 CO(g) at 25 °C and estimate the temperature at which the
equilibrium constant becomes greater than 1.

∆Hro = S n(∆Hfo PRODUCTOS) - S n(∆Hfo REACTIVOS)

∆Sro = S n(Som PRODUCTOS) - S n(Som REACTIVOS)
∆Gro = S n(Gom PRODUCTOS) - S n(Gom REACTIVOS)

∆G = ∆H - T∆S

∆G° = ∆H° - T∆S°

∆Gtotal = 0.0 (EN EL EQUILIBRIO)

∆Stotal = 0.0 (EN EL EQUILIBRIO)
∆G° = -RTlnK, ln es el logaritmo natural.

∆Hfo Si = 0.0
∆Hfo CO = -110.53 kJ/mol
∆Hfo SiO2 = -856.64 kJ/mol
∆Hfo C (s, grafito) = 0.0
Som Si = 18.83 kJ/mol

Som CO = 197.67 kJ/mol

Som SiO2 = 41.81 kJ/mol

Som C (s, grafito) = 5.74 kJ/mol

𝑆𝑖𝑂2 (𝑠) + 2𝐶 (𝑠,𝑔𝑟𝑎𝑓𝑖𝑡𝑜) → 𝑆𝑖 (𝑠) + 2𝐶𝑂 (𝑔)

𝑹𝒆𝒂𝒄𝒕𝒊𝒗𝒐𝒔 𝑷𝒓𝒐𝒅𝒖𝒄𝒕𝒐𝒔

∆𝐻𝑟 ° = (∆𝐻𝑓 ° 𝑆𝑖 + 2∆𝐻𝑓 ° 𝐶𝑂) − (∆𝐻𝑓 ° 𝑆𝑖𝑂2 + 2∆𝐻𝑓 ° 𝐶)

∆𝐻𝑟 ° = (0.0 + 2(−110.53 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)) − (−856.64 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 + 2(0.0))

∆𝐻𝑟 ° = 635.58 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙

∆𝑆𝑟 ° = (∆𝑆 ° 𝑚 𝑆𝑖 + 2∆𝑆 ° 𝑚 𝐶𝑂) − (∆𝑆 ° 𝑚 𝑆𝑖𝑂2 + 2∆𝑆 ° 𝑚 𝐶)

∆𝑆𝑟 ° = (18.83 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 + 2(197.67 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)) − (41.81 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 + 2(5.74 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙))

∆𝑆𝑟 ° = 360.88 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙

∗ 𝑁𝑜𝑡𝑎: ∆𝐺𝑟 ° 𝑛𝑜 𝑠𝑒 𝑝𝑢𝑑𝑜 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑟 𝑑𝑒𝑏𝑖𝑑𝑜 𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑓𝑎𝑙𝑡𝑎𝑟𝑜𝑛 𝑑𝑎𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 ∆𝐺 ° 𝑚 𝑃𝑅𝑂𝐷𝑈𝐶𝑇𝑂𝑆
𝑦 𝑙𝑜𝑠 ∆𝐺 ° 𝑚 𝑅𝐸𝐴𝐶𝑇𝐼𝑉𝑂𝑆.

∆𝐺 ° = ∆𝐻 ° − 𝑇∆𝑆 °

∆𝐺 ° = 635.58 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 − (25 + 273)°𝐾(360.88 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)

∆𝐺 ° = −106,906.66 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙

∆𝐺 ° < 0 → 𝑘 > 1

𝑇𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑙𝑖𝑏𝑟𝑖𝑜 (𝑘) 𝑒𝑠 𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟 𝑎 1:

∆𝐺 ° = −𝑅𝑇 ln 𝑘1 , 𝑅 = 8.3145 𝐾−1 𝐽/𝑚𝑜𝑙

 ∆𝐺 ° 106,906.66 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙
ln 𝑘1 (298 °𝐾) = − = = 43.1471
𝑅𝑇1 (8.3145 𝐾 −1 𝐽/𝑚𝑜𝑙)(298 °𝐾)

𝑘1 = 𝑒 43.1471 = 5.4774 𝑥 1018

𝑘2 = 1

𝑘2 ∆𝐻° 1 1
ln =− ( − )
𝑘1 𝑅 𝑇2 𝑇1

1 635.58 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 1 1
ln 18
=− −1
( − )
5.4774 𝑥 10 8.3145 𝐾 𝐽/𝑚𝑜𝑙 𝑇2 298 °𝐾

1 635.58 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 1 1
ln + + =
5.4774 𝑥 1018 8.3145 𝐾 −1 𝐽/𝑚𝑜𝑙 298 °𝐾 𝑇2

𝑇2 = 0.030 °𝐾 = −272.96 ℃

8. Determine the values of ∆Hro, ∆Sro, and ∆Gro for the reaction 2 CO(g) + O2(g) → 2 CO2(g) at 25 °C
and estimate the temperature at which the equilibrium constant becomes less than 1.

∆Hro = S n(∆Hfo PRODUCTOS) - S n(∆Hfo REACTIVOS)

∆Sro = S n(Som PRODUCTOS) - S n(Som REACTIVOS)
∆Gro = S n(Gom PRODUCTOS) - S n(Gom REACTIVOS)
∆G = ∆H - T∆S

∆G° = ∆H° - T∆S°

∆Gtotal = 0.0 (EN EL EQUILIBRIO)

∆Stotal = 0.0 (EN EL EQUILIBRIO)
∆G° = -RTlnK, ln es el logaritmo natural.
∆Hfo CO2 = -393.51 kJ/mol
∆Hfo CO = -110.53 kJ/mol
∆Hfo O2 = 0.0

Som CO = 197.67 kJ/mol

Som O2 = 205.14 kJ/mol

Som CO2 = 213.74 kJ/mol

2𝐶𝑂 (𝑔) + 𝑂 2 (𝑔) → 2𝐶𝑂2 (𝑔)

𝑹𝒆𝒂𝒄𝒕𝒊𝒗𝒐𝒔 𝑷𝒓𝒐𝒅𝒖𝒄𝒕𝒐𝒔

∆𝐻𝑟 ° = (2∆𝐻𝑓 ° 𝐶𝑂2 ) − (2∆𝐻𝑓 ° 𝐶𝑂 + ∆𝐻𝑓 ° 𝑂2 )

∆𝐻𝑟 ° = (2(−393.51 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)) − (2(−110.53 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙) + 0.0)

∆𝐻𝑟 ° = −565.96 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙

∆𝑆𝑟 ° = (2∆𝑆 ° 𝑚 𝐶𝑂2 ) − (2∆𝑆 ° 𝑚 𝐶𝑂 + ∆𝑆 ° 𝑚 𝑂2 )

∆𝑆𝑟 ° = (2(213.74 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)) − (2(197.67 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙) + 205.14 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)

∆𝑆𝑟 ° = −173 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙

∗ 𝑁𝑜𝑡𝑎: 𝑁𝑜 𝑒𝑟𝑎 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑏𝑙𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑟 𝑒𝑙 ∆𝐺𝑟 ° 𝑑𝑒𝑏𝑖𝑑𝑜 𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑓𝑎𝑙𝑡𝑎𝑟𝑜𝑛 𝑑𝑎𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 ∆𝐺 ° 𝑚 𝑃𝑅𝑂𝐷𝑈𝐶𝑇𝑂𝑆
𝑦 𝑙𝑜𝑠 ∆𝐺 ° 𝑚 𝑅𝐸𝐴𝐶𝑇𝐼𝑉𝑂𝑆.

𝑃𝑒𝑟𝑜 𝑠𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑎𝑟𝑜𝑛 𝑙𝑜𝑠 𝑠𝑖𝑔𝑢𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑑𝑎𝑡𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑛𝑒𝑡 𝑐𝑜𝑛 𝑙𝑜𝑠 𝑐𝑢𝑎𝑙𝑒𝑠 𝑠𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙ó:

∆𝐺𝑟 ° = (2∆𝐺 ° 𝑚 𝐶𝑂2 ) − (2∆𝐺 ° 𝑚 𝐶𝑂 + ∆𝐺 ° 𝑚 𝑂2 )

∆𝐺𝑟 ° = (2(−394 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)) − (2(137 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙) + 0.0)

∆𝐺𝑟 ° = −514 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙

 ∆𝐺 ° = ∆𝐻 ° − 𝑇∆𝑆 °

∆𝐺 ° = −565.96 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 − (25 + 273)°𝐾(−173 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙)

∆𝐺 ° = 50,988.04 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙

∆𝐺 ° > 0 → 𝑘 < 1

𝑇𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑙𝑖𝑏𝑟𝑖𝑜 (𝑘) 𝑒𝑠 𝑚𝑒𝑛𝑜𝑟 𝑎 1:

∆𝐺 ° = −𝑅𝑇 ln 𝑘1 , 𝑅 = 8.3145 𝐾−1 𝐽/𝑚𝑜𝑙

∆𝐺 ° 50,988.04 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙
ln 𝑘1 (298 °𝐾) = − = = 20.5786
𝑅𝑇1 (8.3145 𝐾 −1 𝐽/𝑚𝑜𝑙)(298 °𝐾)

𝑘1 = 𝑒 20.5786 = 865,315,112.1
𝑘2 = −1

𝑘2 ∆𝐻° 1 1
ln =− ( − )
𝑘1 𝑅 𝑇2 𝑇1

−1 565.96 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 1 1
ln = ( − )
865,315,112.1 8.3145 𝐾 −1 𝐽/𝑚𝑜𝑙 𝑇2 298 °𝐾

−1 565.96 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙 1 1
ln + −1
+ =
865,315,112.1 8.3145 𝐾 𝐽/𝑚𝑜𝑙 298 °𝐾 𝑇2

𝑇2 = 𝑁𝑜 𝑠𝑒 𝑝𝑢𝑒𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑟.

∆𝐺 ° = 0

∆𝐻 ° −565.96 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙
𝑇2 = = = 3.2714 °𝐾 = −294.7286 ℃
∆𝑆 ° −173 𝐾𝐽/𝑚𝑜𝑙
Bibliografía

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https://www.ecured.cu/Silicio
 Mártil, I. (2016). Silicio, la materia prima de dos revoluciones: la
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https://blogs.publico.es/ignacio-martil/2016/11/18/silicio-la-materia-
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 Merino, P. ¿Por qué no es probable una vida basada en el Silicio?
[Versión Electrónica], Departamento de Química Orgánica, Universidad
de Zaragoza. Recuperado de:
https://www.escepticos.es/repositorio/elesceptico/articulos_pdf/ee_2
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 Imagen: Hibridación del Carbono. Recuperada de:
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arbono&oq=dobles+del+carbono&gs_l=img.3.0.0i5i30j0i8i30.29461.31
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ilicio&oq=enlaces+s++del+silicio&gs_l=img.3...37207.37207..37768...0.
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