ConferenciasElectronica

INTRODUCCION 1
INTRODUCCION
Quien por primera vez se encuentra con el computador queda impresionado con su
capacidad intelectual. Aquellos cálculos o aquella información difícil de procesar
son obtenidos en forma rápida, eficiente y automática.
Tal vez nos hayamos preguntado más de una vez: “¿ Cómo es posible que un
aparato carente de vida logre realizar labores que hasta hace poco eran pertenencia
única y exclusiva del lento y poco confiable cerebro humano ?”
Aquellos, que han tenido la oportunidad de observar internamente el computador,

quizás queden sorprendidos al ver solamente unos cuantos cables y otras tantas
tarjetas impresas sobre las cuales se encuentran condensadores, resistencias,
circuitos integrados y otros elementos.
El avance de la Técnica de Computación (Hardware) ha sido tan vertiginoso, que de

los antiguos Centros de Cómputo atestados de grandes cajones en amplias áreas,
se ha pasado a la diminuta oficina donde se atienden más problemas y en forma
más eficiente.
Los computadores han ingresado a todas las esferas de la labor humana, hoy es
común verlos en las empresas en todas sus áreas: desde las de producción
controlando procesos tecnológicos, hasta las administrativas procesando todo tipo
de información y presentando informes oportunos, exactos y confiables.
Estudiadas las operaciones llevadas a cabo por el cerebro humano para procesar
información, se llegó a la conclusión que estas se reducían a un número muy
limitado de funciones lógicas. Partiendo de este principio, Charles Babbage 1, diseñó
la primera máquina automática capaz de realizar las mismas funciones desarrolladas
por el cerebro humano y conocida en nuestros días como computador.
Este cerebro artificial, igual que el humano, está compuesto de células que tienen
todas la misma estructura, sin importar el tipo de computador o su generación.
Cualquiera que sea la parte del computador que tomemos, ya sea la memoria o su
unidad central de procesamiento o sus puertos de entrada/salida todos están
compuestos por estas células artificiales que en la mayoría de los casos realizan la
función lógica AND-NOT o OR-NOT.
Es interesante anotar que al intercambiar células de diferentes partes del

computador, su funcionamiento no es alterado y el cambio pasa inadvertido. Esta
operación era posible en las primeras generaciones, ya que cada compuerta lógica
se realizaba en forma discreta (tubos al vacío) y permitían su intercambio. Lo
anterior indica que la función de cada parte del computador está dada por la forma
1
(1792 - 1871) Profesor de Matemáticas de la Universidad de Cambridge(Gran Bretaña).
LIGR
2 INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES
como se interconectan sus células, y no por la composición de éstas o su principio

de funcionamiento.
El objetivo de éste curso es estudiar la célula artificial desde su aparición y

metamorfosis hasta su estado actual: Consumo de energía, composición, principio
de trabajo, velocidad de respuesta, tamaño, etc.
Introducción a los Sistemas Digitales dará las bases necesarias para futuras
materias del Area como: Diseño lógico, Teoría y Construcción de Autómatas,
Microprocesadores, Diseño de Interfaces.
Este conjunto de materias proporcionará las bases para interconectar células y

lleguar a formar cerebros completos, dotados de inteligencia por los algoritmos que
les enseñemos.
Sin embargo, no es nuestro objetivo trabajar con el computador de Designación

General, fabricado a muy bajos costos y en una gran variedad de marcas.
Más aplicable es diseñar tanto el hardware, como el software para aquel que se
dedica a resolver algún tipo de problema en particular, ya sea en los procesos
industriales, en la química, en la física, etc. y conocido como de Designación
Especial.
Esto no quiere decir que los conocimientos expuestos no aclaren las dudas sobre
los de Designación General. Los métodos de diseño son los mismos para los dos
tipo de computadores, como también se emplea la misma base tecnológica para su
realización.
LIGR
HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION 3
HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION

“Todo mi tiempo, salud y posición económica he sacrificado al deseo de realizar la creación de
estas máquinas para los cálculos. Yo dejé a un lado incluso propuestas, que me darían grandes
ganancias personales. Sin embargo, y a pesar de mi negativa a estas propuestas para poder
perfeccionar la Máquina con casi potencial intelectual, y después de haber gastado de mis
propias pertenencias más dinero que el asignado por el gobierno Inglés para esta Máquina (y
solo en el comienzo del trabajo), no he recibido ni las gracias por mi esfuerzo, ni incluso aquellos
honores o premios, con los que por lo general, se reconoce la labor a aquellas personas
dedicadas a las investigaciones científicas...
Si el trabajo, en el cual he gastado tanto tiempo y esfuerzo moral, fuera solamente el triunfo
sobre las dificultades técnicas comunes o simplemente una curiosidad, o si hubiesen dudas en
la conveniencia o utilidad de estas máquinas, entonces se podría hasta cierto punto entender y
justificar este proceder; pero yo me permito afirmar, que ni un solo Matemático de reconocido
respeto nunca se atrevería públicamente a dar su opinión, que una Máquina de estas si fuera
realizada sería inútil, y que ni una sola persona, reconocida como Ingeniero talentoso, se
atrevería a declarar estas máquinas no convenientes e irrealizables.
Yo entiendo, que cuando los grandes volúmenes de trabajo intelectual y manual se convierten en
una dificultad seria para el subsiguiente avance, la Máquina Analítica está destinada a facilitar
esta labor, el uso de las máquinas como ayudantes en la ejecución de los más complejos y
tediosos cálculos no se puede tomar como un problema que no merece la atención del País. Y
realmente, no existe ninguna razón por la cual no se deba ahorrar esfuerzo intelectual, igual que
se ahorra el físico, gracias al empleo de las máquinas.” CHARLES BABBAGE
Fragmento del libro “La vida del Filósofo” [

La historia de la aparición de los computadores está dividida en dos periodos

claramente demarcados por la aparición de la electrónica.
El primer periodo se prolonga hasta 1946. Su inicio no puede definirse

exactamente, así como es imposible hacerlo para la rueda o el molino. A pesar de
esto, se podría decir que los ábacos y demás instrumentos antiguos, así como los
primeros tratados de lógica fueron los primeros pasos del desarrollo de la
computación.
En 1642, Pascal construyó una máquina con capacidad para sumar y restar. Fue
empleada para el cálculos de los impuestos en Francia. Más tarde Leibnitz mejoró
la máquina de Pascal pudiendo realizar las cuatro operaciones básicas, elevar a una
potencia y sacar raíz cuadrada.
El hecho más importante, no solo del primer periodo de desarrollo, sino en general
de la computación, ocurrió en 1833 cuando el Matemático y Filósofo Charles
Babbage llegó a la conclusión que se podía construir una máquina capaz de ejecutar
cualquier operación dada por el operador y no una sola como sucedía con las
anteriores.
A esta máquina Babbage la llamó “Máquina Analítica” y se componía de dos partes:

“El Molino y “El Depósito”, que no son más que el prototipo de lo que hoy
conocemos, en los modernos computadores digitales, como el Procesador y la
Memoria.
“El Molino” era el encargado de realizar las operaciones aritméticas sobre los
números (las cuatro operaciones básicas). “El Depósito” servía para guardar los
LIGR
números y según el proyecto de Babbage contenía 50000 ruedas digitales, es decir,

ruedas que podían estar en dos posiciones: Una de las cuales representaba el uno
y otra, con algún giro, el cero lógicos.
Para la entrada de los números y el control de la operaciones se suponía utilizar una

tira larga con la información codificada con perforaciones. Algo parecido a las
tarjetas perforadas. [ ]
El gran avance de la Máquina Analítica, fue el de ser una máquina de propósito

general; leía las instrucciones de las tarjetas perforadas y las ejecutaba. Con la
Máquina Analítica, era posible realizar diferentes cálculos, perforando distintos
programas en las tarjetas de entrada, algo que las Máquinas anteriores no podían
realizar. Babbage contrató a Ada Augusta Lovelace para producir este software,
haciendo de Ella la Primera Programadora de Computadores y en cuyo honor recibió
el nombre el moderno lenguaje de programación Ada. [ ]
Vale la pena anotar que a pesar de que Babbage dedicó toda su vida, esfuerzo y
bienestar económico a esta máquina, nunca encontró apoyo en el gobierno Inglés, ni
de sus contemporáneos pues no veían en la máquina de Babbage sino el exotismo
de un proyecto irrealizable.
Tal vez algunas de las causas objetivas del fracaso del proyecto de Babbage son:
 La complejidad técnica para realizar la máquina y la lentitud de procesamiento

mostrada por aquellas partes que fueron montadas. Esto era debido al principio
mecánico con el que trabajaban sus células: Compuertas AND-NOT realizadas
con ruedas dentada. La posibilidad de realización la aportaría los avances en los
conocimientos de los fenómenos eléctricos y la velocidad la daría la electrónica
cien años después.
 La poca dinámica y poca cantidad de datos de los rudimentarios Sistemas de

Información existentes en esa época, así como el lento desarrollo de las Ciencias
Naturales. Condiciones dadas también en los años cincuenta de éste siglo.
A pesar de que durante su vida nunca fue realizada la Máquina, Babbage dejó
sentado los principios de diseño de los procesadores y memorias de los
computadores modernos. Los métodos empleados por Babbage, basados en las
matemáticas lógicas, se emplearían cien años más tarde cuando apareció la
electrónica, que realmente lo único que ha aportado es dotar de gran velocidad la
máquina diseñada en 1833.
Para terminar no está de más agregar que la Ciencia Moderna hizo justicia y le dió el
título póstumo y muy merecido de “Padre del Control Programable” que
prácticamente equivale a Padre de los autómatas, computadores, robots y, en
general, del “revolcón” (palabra muy de moda en nuestros días) en el desarrollo del
mundo moderno. Y no cabe duda de que si a alguien debemos nuestro sueldo los
Ingenieros de Sistemas y Computadores es a este personaje, que se adelantó en
cien años con su invento.
LIGR
HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION 5
A comienzos de nuestro siglo, fue llevado a cabo parte del “Molino” diseñado por
Babbage. Se empleó para un cálculo más exacto del número Pi (  ). Pero
solamente hasta 1944 Aiken construyó en Hardvar un computador totalmente
automático basado en la máquina de Babbage y que utilizó como principio de
funcionamiento de sus células al relevador (relé - fenómeno electromecánico). [ ]
Este computador recibió el nombre de MARC 1.
El segundo periodo de la técnica de computación comienza a partir de 1946 cuando

fue diseñado el computador ENIAC en Pensilvania por Mauchly y Eckert. Su base
era una compuerta AND-NOT realizada con tubos electrónicos.
Contenía 6000 interruptores y 18000 tubos, consumía grandes cantidades de

energía y su volumen era inmenso. Sin embargo, su velocidad de procesamiento
superó miles de veces la de MARC 1. Desde éste momento la técnica de
computación se ha desarrollado ligadamente a los avances en la electrónica.
El segundo periodo se ha dividido en generaciones, que se siguen unas a otras con

intervalos de 8 a 10 años, y que van acompañadas de considerables disminuciones
del tamaño de sus elementos y del consumo de energía.
A la Primera Generación (1950 - 1958) pertenecen los computadores construidos

con tubos electrónicos y elementos discretos tales como resistencias,
condensadores, etc. que eran montados superficialmente sobre las tarjetas.
En las máquinas de Segunda Generación (1959 - 1967) los tubos fueron

reemplazados por los transistores y las interconexiones entre los elementos se
hacían utilizando el montaje impreso sobre las tarjetas.
En la Tercera Generación (1968 - 1978), con la aparición de la microelectrónica, los

computadores se construyeron en base a los circuitos de baja y media escala de
integración, que reemplazaron casi en su totalidad los elementos discretos. Los
circuitos de baja escala son aquellos que contienen menos de 13 compuertas en la
lámina de silicio, los de media contienen entre 14 y 100. Todas la interconexiones se
realizaron utilizando el montaje impreso sobre tarjetas de varias capas.
A partir de 1979 se inició la Cuarta Generación que tiene como característica

especial la utilización de circuitos de alta escala de integración (entre 100 y 1000
compuertas en cada pastilla). Esta generación se prolonga hasta finales de los años
80. A partir de esta fecha se inició la Quinta Generación, que utiliza muy alta escala
de integración (más de 1000 compuertas en la pastilla).
No se descarta que en un futuro no muy lejano la célula artificial funcione bajo un

principio diferente al del electrón (electrónica) pues la velocidad de respuesta de las
compuertas actuales se está acercando a la velocidad del electrón, punto a partir del
cual será imposible aumentar la rapidez de procesamiento de los computadores.
Este nuevo principio tal vez puede emplear la velocidad de la luz (fotón) o
probablemente la superconductividad lograda a bajas temperaturas. [ ]
LIGR
PARTE I CONCEPTOS BASICOS
1. INTRODUCCION
1.1. CARGA, CORRIENTE, TENSIÓN Y POTENCIA
Carga: Normalmente, cada cuerpo contiene igual número de electrones y protones,

pero es posible separar electrones de un cuerpo o agregárselos. De un cuerpo que
contiene números distintos de electrones y protones se dice que está cargado
eléctricamente.
El electrón es el portador mínimo de carga eléctrica negativa y ésta es igual a
1.6021x 10-19 Culombios. Se representa a través de la letra “q”.
Corriente: Generalmente se conoce la corriente eléctrica como el movimiento de

carga a través de un material. Un flujo de electrones móviles constituye una
corriente eléctrica.
La corriente se representa a través de i, y es igual:
dq
i =
dt
La unidad de corriente es el amperio.
Cul
1 Amp = 1
Seg
Potencia: Es la razón de variación a la cual se realiza un trabajo o se consume

energía. La potencia es proporcional al número de Culombios transferidos por
segundos (corriente) y a la energía necesaria para transferir un culombio a través
del elemento (tensión). [ ] [ ]
La potencia se representa con la letra P y es igual:
P=Vxi
La unidad de potencia es el vatio:
J Cul J
1 W = 1 V xA= 1 x = 1
Cul Seg Seg
1.2. TIPOS DE CORRIENTES Y DE ELEMENTOS DE CIRCUITOS
LIGR
CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION 7
Continua: Corriente cuyo valor es siempre constante (no varía con el tiempo). Se
denota como c.c.
0 t
Alterna: Corriente que varía sinusoidalmente en el tiempo. Se denota como c.a.
0
t
Otros tipos son la corriente exponencial y la sinusoidal amortiguadas.
Elementos de circuito: En general un elemento de circuito es aquel que posee dos

terminales con los cuales pueden hacerse conexiones con otros elementos.
Existen dos tipos de elementos: Pasivos y activos.
Elementos pasivos: Son aquellos que solo están en capacidad de disipar energía,
o bien, en capacidad de almacenarla temporalmente. Ellos son las resistencias, las
bobinas y los condensadores.
 Resistencias: Cuando la tensión entre los terminales de un elemento es

directamente proporcional a la corriente que pasa por él, se dice que este
elemento es una resistencia.
+
+ i V =R x i
V R
Donde: R  es la constante de resistencia.
La unidad de resistencia es el ohmio. Se representa mediante la letra .
1  = 1 V/A
LIGR
 Bobinas: Cuando la tensión entre los terminales del elemento es proporcional a

la derivada con respecto al tiempo de la corriente, entonces este elemento se
llama bobina.
V(t) L i(t) di
V(t) = L x
dt
Donde: L  es la constante de autoinductancia.
 Condensadores: Cuando la tensión entre los terminales del elemento es

proporcional a la integral con respecto al tiempo de la corriente, este elemento
recibe el nombre de condensador.
V(t) C i(t) 1
V(t) =
C
x  i dt
Donde: C  es la constante de capacidad.
Elementos activos: Son aquellos que están en capacidad de entregar energía a

otros elementos. Se les conoce como fuentes. Existen dos tipos de fuentes:
 Fuente ideal de tensión: Es aquella que tiene una tensión entre sus terminales
completamente independiente de la corriente a través de la carga.
V +
V
 Fuente ideal de corriente: En este caso la corriente que genera a través suyo
es independiente a la tensión entre los terminales de la carga.
1.3. LEYES DE KIRCHHOFF
LIGR
Las leyes enunciadas por Kirchhoff serán las más empleadas en el análisis de los
circuitos que realizan las funciones lógicas, ellas son: [ ] [ ]
 Ley de las corrientes: Establece que la suma algebraica de todas las corrientes
que llegan a un nudo es cero. Nudo es el punto en el cual dos o más elementos
tienen una conexión común. Ejemplo:
i1
i2
i3 i1  i2  i3  i 4  0
i4
i
n1
n 0
 Ley de la tensiones: Establece que la suma algebraica de la tensiones

alrededor de cualquier camino cerrado de un circuito es igual a cero. Ejemplo:
V2
1 V1 V3 3 V1-V2+V3=0
V
n1
n 0
1.4. RESISTORES
Las dos principales características de un resistor son su resistencia dada en ohmios

y su disipación nominal de potencia en vatios. En el mercado se encuentran en una
gran variedad, desde unos cuantos ohmios hasta varios megaohmios. [ ]
La disipación nominal de potencia indica la máxima cantidad de potencia que un

resistor puede disipar sin un calentamiento excesivo, que pueda llegar a dañarlo o a
alterar sus parámetros.
Existen dos tipos de resistores:
 De alambre devanado, que se emplean cuando la potencia a disipar es de 5

vatios o más.
 De carbón, cuando la potencia a disipar es menor o igual a 2 vatios. Para
potencias entre 2 y 5 vatios se emplean redes de resistencias de carbón.
LIGR
El tamaño de los resistores depende de su valor nominal de potencia, a mayor valor

más tamaño.
Los resistores empleados en la electrónica digital son los de carbón con disipación
de 1 W y menos. Estos resistores se encuentran en el mercado con valores de
resistencia desde 1 hasta 20 M y con disipación nominal de potencia de 1/10, 1/8,
1/4, 1/2, 1 y 2 vatios.
El costo comercial de estos resistores depende de su tolerancia, a menor tolerancia
más alto es su precio.
Debido a su reducido tamaño el valor de R se da utilizando el código de colores:
A B C D
A  primera cifra.
B  segunda cifra. R = AB x 10C  D%
C  potencia decimal.
D  tolerancia.
La codificación de colores es como sigue: [ ]
Color Cifra Multiplicador Tolerancia %

Negro 0 100 20
Café 1 101 1
Rojo 2 102 2
Naranja 3 103 3
Amarillo 4 104 4
Verde 5 105 5
Azul 6 106 6
Violeta 7 107 7
Gris 8 108 8
Blanco 9 109 9
Oro 0.1 5
Plata 0.01 10
Sin color 20
Ejemplo:
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Rojo Verde Oro

Rojo
R = 25 x 102  5%
R = 2.5 K  5%
Resistores variables: Existen dos tipos de resistores variables: Los reóstatos y

los potenciómetros.
El reóstato tiene dos terminales que se conectan en serie con la carga, su función es
regular la cantidad de corriente a través de ella. Ejemplo:
RC 2
V +
1
R
Los potenciómetros tienen tres terminales. La resistencia fija máxima se conecta

entre los terminales de la fuente de voltajes. El brazo se utiliza para variar el voltaje
entre el terminal central y los de los extremos. Ejemplos:
3
+
V
2
1
El potenciómetro se puede implementar como reóstato.
1.5. CAPACITANCIAS
Los materiales dieléctricos, tales como el aire o el papel, están en capacidad de

almacenar carga debido a que los electrones en sus superficies no pueden fluir a
través de ellos. Esta carga debe ser aplicada por una fuente. [ ]
A
A Placa metálica
V Dieléctrico Concentración
+ B de electrones
Placa metálica +
B
LIGR
En este caso los electrones se acumularán en la placa A del capacitor que está
conectada al terminal negativo de la fuente. Como resultado de la concentración de
electrones en la placa A, aparece una carga negativa que genera líneas de fuerza
eléctrica. Estas repelen los electrones de la placa B y harán que se cargue con un
valor de igual magnitud pero de signo contrario a la placa A.
El proceso de acumulación de electrones se le conoce como carga y al caso

contrario descarga.
La carga (o descarga) se prolonga hasta que la tensión entre los terminales del
condensador sea igual al voltaje aplicado.
Si no existe ninguna resistencia en serie con el condensador el proceso de carga o

descarga es instantáneo. En la práctica siempre existe una resistencia en serie que
da origen a una corriente temporal de carga (o de descarga), y que desaparecerá
solo hasta que el capacitor este totalmente cargado (o descargado) al valor del
voltaje aplicado.
F igura A F igura B F igura C
S i INI S i =0 S
R R R
V + V V
+ + +
V =0 V V
+ + +
I INIC . INST = V/ R I FINAL =0

V
IINIC. INST = IFINAL = 0
R
Suponiendo que cerramos el interruptor S y que el condensador se encuentra

totalmente descargado, figura A, entonces aparece una diferencia de potencial entre
los terminales de R igual al valor del voltaje aplicado, es decir, V.
Debido a que el capacitor se encuentra descargado aparece una corriente máxima

instantánea igual a V/R. En la medida en que los electrones fluyen a través de R y
que se van concentrando en la placa del condensador, la tensión entre los
terminales de éste aumenta y la diferencia de potencial en R se hace menor. Esto
trae como consecuencia que la corriente de carga vaya disminuyendo con el tiempo
y que sea igual a cero al cabo de cierto tiempo, figura B, cuando el condensador
está cargado al valor de la fuente V.
Si después de esto abrimos el interruptor S, los electrones, acumulados en el

capacitor, no encontrarán por donde fluir y esta energía se conservará.
Las corrientes mostradas en las figuras anteriores corresponden al flujo de

electrones, las convencionales (que son del positivo al negativo) tienen las mismas
magnitudes en los mismos instantes de tiempo pero con sentido contrario.
LIGR
El capacitor se descarga cuando existe una trayectoria de conducción entre sus

placas o cuando el voltaje aplicado es inferior al del capacitor. Y se carga cuando el
aplicado es superior al de este.[ ]
i carga i descarga i descarga
5V + 3V +
+ + +
3V 3V 5V
Físicamente una capacitancia solo consta de dos conductores separados por un

aislador. Este aislador puede ser aire, papel, cerámica o mica.
Capacitancia C: Es la medida de la cantidad de carga almacenada. Entre más

carga se almacene para determinado valor de voltaje, mayor será la capacitancia.
Un voltaje mayor entre los terminales de una capacitancia almacena más carga. [ ]
V Q Q = C xV
Donde:
Q  carga que almacena la capacitancia.

V  voltaje aplicado entre los terminales de la capacitancia.
C  constante física que indica la capacitancia en términos de la cantidad de carga
que puede almacenarse para un determinado valor de voltaje aplicado.
La unidad de capacitancia es el Farad. Una capacitancia es de un Farad si

almacena una carga de un Culombio para un voltaje aplicado de un Voltio.
1V 1 Cul 1 F =1 Cul / V
1F
El Farad es un valor muy alto de capacitancia, por eso en la práctica se emplean el

F, nF y pF.
Circuitos RC en c.c.: El comportamiento de la corriente y la tensión lo

observaremos en el siguiente ejemplo: [ ]
LIGR
i
S1
R 200 
10 V S2
+
Vc
+
S1 cerrado S1 y S2 S1 abierto
i S2 abierto abiertos S2 cerrado
1/20 A
0
t
-1/20 A
Vc
10 V
0 t1 t2 t3 t
t1  tiempo de carga
t3  tiempo de descarga
Suponiendo que el condensador está descargado inicialmente, entonces durante t1,

estando S1 cerrado y S2 abierto, circulará una corriente de carga cuyo valor inicial
será de 1/20 A. Esta corriente disminuirá exponencialmente hasta que se hace igual
a cero, en el instante en que la diferencia de potencial entre los terminales del
condensador sea igual a 10 V.
Durante t2, S1 y S2 permanecen abiertos y el condensador continuará cargado a 10

V.
En t3, S1 está abierto y S2 cerrado, se establece una trayectoria de descarga entre

las placas y aparece una corriente de descarga igual inicialmente a V/R, o sea, 1/20
A. Esta corriente por ser de sentido contrario a la de carga se considera negativa y
disminuirá exponencialmente, hasta que al cabo de cierto tiempo sea igual a cero.
Constante de tiempo: En circuitos no sinusoidales, por ejemplo de c.c., la

respuesta transitoria de un circuito RC se mide en términos del producto RC. [ ]
T= RxC
LIGR
Donde: T  es la constante de tiempo. Si R está en Ohmios y C en Farads,

entonces T estará en segundos.
Esto es debido a:
Q  Ixt
C = , Q = Ixt , V = IxR  T = R x
 I x R
 T= t
V
La constante de tiempo indica la rapidez de carga o descarga. Durante el proceso

de carga, RC indica el tiempo necesario para que la capacitancia se cargue en un
63.2% de la variación de voltaje ocurrida entre sus terminales. Durante el proceso
de descarga, RC indica el tiempo necesario para que la capacitancia se descargue
en un 63.2% de la variación de voltaje ocurrida entre sus terminales. Ejemplo:
3M 
S1
R
100 V S2
+
Vc C =1 F
+
S1 cerrado. S1 ab. S1 abierto.

RC S2 abierto. S2 ab. S2 cerrado.
100
63,2 V
80
60
40 36,8 V
20
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33
t, seg.
T = 3 x 106 x 1 x 106 = 3 seg.
Durante los tres primeros segundos (1 T) el condensador se carga a 63.2 V y

después de 5 T, para un total de 15 segundos, estará cargado a 100 V. En t=15 los
interruptores se encuentran abiertos y teóricamente el condensador estará cargado
indefinidamente.
En t = 18 el condensador se comienza a descargar, al cabo de una constante de

tiempo T se encontrará a 36.8 V y en 12 segundos más quedará totalmente
descargado.
LIGR
Una de las características más importantes de las capacitancias es su oposición a

los cambios de voltaje entre los terminales de ellas mismas. Esto debido a que su
diferencia de potencial no puede variar sino hasta que la corriente de carga no haya
depositado una carga suficiente en el capacitor, o bien, la de descarga se haya
llevado la cantidad de carga necesaria.
Parámetros y nomenclatura:
Se utilizan esencialmente dos parámetros para definir una capacitancia en concreto:

 Su capacidad en pF o F.
 Su voltaje nominal en Voltios.
El voltaje nominal es aquel que se le puede aplicar a un condensador sin dañar o

alterar el dieléctrico. Este valor es válido para temperaturas hasta de 60  C. [ ]
Un voltaje nominal mayor que el aplicado realmente es un factor de seguridad, que
le permite a los condensadores una vida útil prolongada.
Los capacitores comerciales se clasifican según el dieléctrico que utilizan:
Aire: Con capacitancias entre 10 y 400 pF y voltajes de ruptura (nominal) de 400

V.
Cerámica: Con voltaje nominal entre 500 y 20000 V. Existen dos tipos:
 De cilindro: Entre 0.5 y 1600 pF y con tolerancias entre  2% y

 20%.
 De disco: Entre 0.002 y 0.1 F con tolerancia del 20%.
Ejemplos:
33 10 4
10% 02 104
10 0000 pF
33 F + 10% 2 F
Electrolíticos: Tienen polaridad. El terminal negativo se identifica con un “ - “.

Para este tipo de condensadores se recomienda que el voltaje aplicado esté cercano
al nominal.
Presentan una pequeña corriente en fuga entre sus placas de 0.1 a 0.5 mA por F.
Existen dos tipos:

 De aluminio: Entre 5 y 10000 F y con un voltaje de ruptura entre 10 y 450 V.
 De tantalio: C entre 0.01 y 300 F y voltaje nominal entre 6 y 50 V.
Mica: Con C entre 10 y 5000 pF. Voltaje nominal de 500 a 20000 V. Tolerancias
hasta del  1%. Su valor viene dado por el código de colores para capacitancias.
LIGR
Papel: Con capacitancias entre 0.001 y 1 F. Voltaje de ruptura entre 200 y 1600
V. Tolerancia de  10%.
0,068 F
600 VDC
1.6. EL PROTOBOARD
Es un tablero plástico con una serie de orificios o puntos metálicos de contacto
alineados horizontal o verticalmente. En cada orificio se aloja un terminal de un
componente, un pin de un circuito integrado o el extremo de un cable. [ ]
Buses
Fila Canal
Central
Laminas
Metálicas
Las ocho filas horizontales se denominan buses y se utilizan para distribuir el voltaje
de alimentación a lo largo del circuito que se va a ensamblar. Todos los puntos de
un bus o de una fila vertical están conectados eléctricamente entre si, pero aislados
de todos los demás.
En el área central se insertan y conectan los componentes del circuito como

integrados, resistencias, condensadores, transistores, LEDs, puentes, etc. A lo largo
del canal central se instalan circuitos integrados, reles miniatura y otros
componentes que vienen en presentación tipo DIP o doble hilera.
Las pestañas, situadas en los cuatro costados del protoboard permiten acoplar
mecánicamente entre sí varias unidades similares, esto se hace cuando un solo
protoboard es insuficiente para soportar los componentes de un determinado
proyecto.
LIGR
2. CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS LOGICAS
2.1. FUNCIONES Y COMPUERTAS LOGICAS
Se ha denominado compuerta lógica a aquel dispositivo que bajo algún principio, ya

sea eléctrico, mecánico, hidráulico, neumático, electrónico o cualquier otro, permite
realizar las funciones lógicas del Algebra de Boolean.
Las funciones lógicas más importantes y su representación simbólica son: [ ]
FUNCION AND: F toma el valor de uno solamente cuando A, B Y C están en uno.
A B C F
0 0 0 0
& F =ABC =A.B.C =A B C
0 0 1 0 A
. . . . B
. . . . C
1 1 0 0
1 1 1 1
FUNCION OR: F toma el valor de uno cuando por lo menos una de las entradas A,
B O C toman el valor de uno.
A B C F
0 0 0 0
A 1 F = A+B+C = AVBVC
0 0 1 1
. . . . B
. . . . C
1 1 0 1
1 1 1 1
FUNCION NOT: F toma el valor inverso de A.
1
A F A F =A
0 1
1 0
FUNCION YES: F toma el mismo valor de A.
1
A F A F =A
0 0
1 1
FUNCION AND-NOT:
LIGR
CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS LOGICAS 19
A B C F
0 0 0 1
A &
0 0 1 1 F =A B C
. . . . B
1 1 0 1 C
1 1 1 0
FUNCION OR-NOT:
A B C F
0 0 0 1
A 1
0 0 1 0 F = A +B + C
. . . . B
1 1 0 0 C
1 1 1 0
FUNCION OR-EXCLUSIVO: F toma el valor de uno solamente cuando una de las

entradas está en uno.
A B F
0 0 0
A =1
0 1 1 F =B A +B A
1 0 1
1 1 0 B
FUNCION DE EQUIVALENCIA: F toma el valor de uno solamente cuando A, B Y C

son iguales.
A B C F
0 0 0 1
A = F = ABC + ABC
0 0 1 0
. . . . B
1 1 0 0 C
1 1 1 1
FUNCION UMBRAL LOGICO: F toma el valor de uno cuando dos o más señales de
entrada toman el valor de uno.
El “ 2 ” se tomó como ejemplo.
A B C F
0 0 0 0
2 F =ABC + ABC +ABC +ABC
0 0 1 0 A
0 1 0 0 B
0 1 1 1 C
. . . .
. . . .
1 1 1 1
LIGR
FUNCION PAR: F toma el valor de uno solamente cuando un número par de

entradas están en uno.
2K
A
F
B
C
D
FUNCION IMPAR: F toma el valor de uno solamente cuando un número impar de

entradas está en uno.
2K +1
A
F
B
C
D
FUNCION MAYORIA: F toma el valor de uno solamente cuando más de la mitad de

las señales de entrada están en uno.
A N /2
B F
C
D
E
FUNCION “ 3 DE 4 ”: F toma el valor de uno solamente cuando tres señales de

entrada son iguales a uno.
“ 3 de 4 ” se tomó como ejemplo.
=3
A
F
B
C
D
De todas las funciones anteriores solamente una tiene un número fijo de entradas:
Esta función es la NOT, las demás pueden tener cualquier número de entradas.
Solamente las compuertas AND-NOT y OR-NOT son sencillas, las demás funciones
se obtienen combinando estas últimas.
2.2 CIRCUITOS DIGITALES
La Electrónica Digital representa el liderazgo tecnológico de la vida moderna. Su

aparición hizo posible la realización de las compuertas lógicas que dieron paso a la
LIGR
fabricación de calculadores, relojes, computadores, autómatas de uso doméstico,

comercial, industrial, científico, médico, etc.
Los circuitos de la electrónica digital trabajan solamente con señales que pueden
tomar uno de dos valores de voltaje. Estos valores son conocidos como Nivel Alto y
Nivel Bajo, en lo sucesivo los llamaremos “ NA ” o “ H“ y “ NB “ o “ L “. A cada nivel
corresponde un rango de voltaje que varía de acuerdo a la familia a la cual
pertenece el dispositivo.
Los circuitos análogos, en cambio, pueden adoptar una amplia gama de valores de
voltaje que por lo general varían en forma continua. Encuentran su mayor aplicación
en la radio, televisión, sonido y comunicaciones.
V
V
NA NA NA
10 V 5V
5V
NB NB NB
t t
Señal Análoga Señal Digital
Según la interpretación que se de en el diseño a los dispositivos digitales existen

dos tipos de lógica:
Positiva o aquella que codifica el nivel más positivo de voltaje como el uno lógico y
el nivel menos positivo como el cero lógico; y negativa en el caso contrario.
2.3. CIRCUITOS DIGITALES INTEGRADOS
Antiguamente los circuitos digitales se implementaban utilizando tubos al vacío y

elementos discretos tales como resistencias y condensadores, entonces los
computadores eran grandes conjuntos de tubos que consumían demasiada energía,
ocupaban grandes espacios y su confiabilidad era mínima. Con la aparición,
inicialmente de los transistores, y después de la microelectrónica los circuitos (tanto
análogos como digitales) fueron reducidos a pequeños encapsulados llamados
chips, que son cada vez más pequeños, más rápidos, más económicos y consumen
menos energía.
El estudio de los circuitos actuales usados en los computadores digitales, desde los
PC hasta los grandes mainframe, está centrado en la tecnología de realización de
los circuitos integrados (tecnologías de integración). Actualmente en un solo chip
pueden ser ensamblados desde unas cuantas compuertas sencillas hasta todo un
microcomputador.
Los circuitos integrados ( CI ) están provistos de terminales o conectores de

entrada/salida llamados pines o patas, que luego se interconectan en las tarjetas
impresas usando cintas conductoras, alambres, caminos impresos sobre las tarjetas
u otros medios.
LIGR
En la medida que avanzan las tecnologías de integración se hizo necesario emplear

chips de 8, 14, 16, 20, 28, 40, 50, 64 y más pines.
El cuerpo (cápsula) que recubre los CI tiene diferentes formas y su composición

también varía. Los cuerpos más empleados son: Planos, DIP, chip-carrier y
metálicos.
Planos: Los primeros CI tenían ésta forma y ya eran totalmente herméticos. Se

realizaban de cerámica o de metal. Los pines se ubican en forma paralela al cuerpo
y esto hacía difícil su montaje.
To
.
.. . .
.
Metálicos Planos DIP Chip-Carrier
DIP: (Dual In-Line Package). Paquete de doble hilera. Pueden ser de plástico o de
cerámica. El cuerpo de cerámica se utiliza para montajes donde existe considerable
consumo de potencia. Son conocidos también como cerDIP. El de plástico es más
económico.
Los DIPs fueron diseñados para soldarse por la parte inversa de la tarjeta sobre la
cual se encuentran.
Chip-carrier: Se diferencia de los DIPs en que su montaje es superficial.
DIP Chip-Carrier
.... ....
Soldadura Tarjeta Impresa
Metálicos: La cápsula metálica TO se emplea sobre todo en aplicaciones militares.
Sobre las cápsulas se encuentra información concerniente al fabricante y a las

características del integrado. [ ]
Ejemplo:
LIGR
14 13 12 11 10 9 8
M8228
Señal
SN74LS08N
1 2 3 4 5 6 7
82  Año de fabricación.
28  Semana o día del año.
SN  Siglas del fabricante en este caso Texas Instruments.
74LS  Familia TTL Shottky de baja potencia.
08  Función. En este caso 4 compuertas de 2 entradas AND.
N  Indica que la cápsula es de plástico. J o F se emplean para cerámica. T
y W se emplean en los CI planos:
T-metálico, W-de cerámica.
Por estas normas se rige la firma Texas Instruments y gran parte de los fabricantes
con ciertas modificaciones.
Por conveniencia se ha decidido numerar los pines en el sentido contrario a las

manecillas del reloj a partir de una señal hecha sobre el encapsulado.
14 13 12 11 10 9 8
Tabla de Verdad
Vcc 13 12 11
& &
L L L
Señal & L H L
&
GND H L L
H H H
1 2 3 4 5 6 7
La función exacta de los CI está dada por la tabla de verdad que se encuentra en los
manuales de circuitos integrados digitales del fabricante.
2.4. FAMILIAS DE CI DIGITALES
Los CI se clasifican en dos grandes grupos de acuerdo al tipo de transistor que

utilicen en su realización:[ ]
Bipolares conocidos como PNP o NPN.

De efecto de campo o conocidos como FET-MOS.
LIGR
Dentro de cada grupo se han desarrollado diferentes familias de CI, cada una de las
cuales tiene su propio diseño que varía de fabricante a fabricante.
BIPOLARES FETMOS
RTL DTL ECL 2

I L TTL NMOS PMOS CMOS MOS
SOS
RTL  Lógica de Resistencia a Transistor.

DTL  Lógica de Diodo a Transistor.
ECL  Lógica Acoplada por Emisor.
I2L  Lógica de Inyección Integrada.
TTL  Lógica de Transistor a Transistor.
NMOS  Lógica de Metal-Oxido Semiconductor canal N.
PMOS  Lógica de Metal-Oxido Semiconductor canal P.
CMOS  Lógica de Metal-Oxido Semiconductor Complementaria.
MOS SOS  Lógica de Metal-Oxido Semiconductor sobre
substrato de Zafiro.
2.5. CARACTERISTICAS DE LOS CI DIGITALES
Entre los parámetros más importantes están: Disipación de potencia, niveles lógicos
de voltajes de salida y de entrada, tiempo de retardo en la propagación de señales
(máxima frecuencia de conmutación), corrientes de entrada y de salida, inmunidad al
ruido, fan-out o abanico de salida y confiabilidad. [ ]
Por lo general los parámetros básicos dependen entre sí funcionalmente, y las

variaciones en uno trae consigo cambios en otros. Por ejemplo, al disminuir los
tiempos de conmutación (retardo de propagación) aumenta la disipación de
potencia.
Disipación de potencia: Se toma el promedio de la potencia media disipada

durante un intervalo de tiempo largo. En los CI realizados con transistores bipolares
el tiempo de conmutación es solo una pequeña parte del total de tiempo de trabajo,
por esto la potencia media para estos circuitos se define teniendo en cuenta solo las
disipaciones en régimen estático (es decir, cuando la salida de la compuerta esta en
NA o en NB,pero no conmutando). Sin embargo la disipación aumenta con la
frecuencia de conmutación.
P = 0.5 ( PH + PL)
Donde:
PH  Disipación de potencia cuando la compuerta está en NA.
LIGR
PL  Disipación cuando está en NB.
En los CI, realizados con transistores FETMOS, la disipación de potencia en

régimen estático es diez o más veces menor que en régimen dinámico (o sea, la
disipación se presenta en los tiempos de conmutación). Por esto para ellos se toma
la potencia media para la máxima frecuencia de conmutación.
Niveles de voltaje de salida y de entrada: Define los rangos de voltaje para los
dos estados lógicos. Ellos son:
VMINO H  Voltaje mínimo de salida para NA.

VMAXO L  Voltaje máximo de salida para NB.
VMINI H  Voltaje mínimo de entrada para NA.
VMAXI L  Voltaje máximo de entrada para NB.
Tiempo de retardo de propagación: Determina la velocidad del CI y se define

como el intervalo de tiempo necesario para que la salida refleje los cambios
sucedidos en las señales de entrada.
Corrientes de entrada y de salida: Este parámetro define la capacidad de carga

de las salidas de los CI. En determinados momentos las entradas o salidas de los
CI reciben corrientes, en otros ellas suministran.
Estas corrientes se conocen como:

IOH  Corriente de salida para el NA.
IOL  Corriente de salida para el NB.
II H  Corriente de entrada para el NA.
II L  Corriente de entrada para el NB.
Protección contra el ruido: Mide el grado de inmunidad de un CI contra el ruido

electromagnético ambiental. En concreto es el intervalo de voltajes que puede tomar
una salida en un nivel lógico y dentro del cual puede variar, sin que las entradas
conectadas a ella lo tomen como un cambio de estado lógico.
Fan-out: Es la capacidad que tiene una salida para conectarse a un determinado

número de entradas de circuitos de un mismo tipo. El fan-out es un parámetro más
comparativo que práctico.
Confiabilidad: Por lo general se da como la frecuencia de daño, según la siguiente

fórmula:
 = n / (NT)
Donde: T  Tiempo de prueba.

N  Número total de CI.
n  Número de CI dañados durante la prueba.
Las posibilidades de trabajo sin daños de CI en el tiempo t se calcula así:

LIGR
P(t) = exp  - t 
Criterios de comparación entre CI: Los parámetros más empleados para comparar
CI son el retardo de propagación y la disipación de potencia.
A menor retardo más velocidad de conmutación y por esto a mayor frecuencia

podrán procesar información las compuertas.
Menor disipación de potencia conlleva a un mayor coeficiente de integración y

menor consumo de energía.
Pero toda disminución en el tiempo de retardo conlleva un aumento de la disipación

de potencia.
Por esto se ha tomado el producto P x t como valor comparativo. Se conoce como

el Trabajo Medio de Conmutación y sus unidades son el Julio.
A= Px t
Donde: A  Trabajo Medio de Conmutación.

P  Disipación media de potencia.
t  Tiempo medio de retardo de propagación.
Un valor bajo de A indica un muy corto tiempo de propagación con una baja
disipación de potencia. Un valor de cero indicaría tiempos de propagación igual a
cero (cualquier programa correría en tiempo cero) sin consumo de energía, que
sería lo ideal.
2.6. ESCALAS DE INTEGRACION
De acuerdo a la cantidad de elementos que contenga un chip, los CI se clasifican en

la siguiente forma: [ ]
 S.S.I. Baja Escala de Integración. Chips que contienen menos de 13

compuertas, se realizan con tecnologías TTL, CMOS Y ECL. Ejemplos:
Compuertas y Flips-Flops.
 M.S.I. Media Escala de Integración. Contienen entre 13 y 100 compuertas, se

realizan con tecnologías CMOS, TTL Y ECL. Ejemplos: Codificadores, registros,
multiplexores, contadores, etc.
 L.S.I. Larga Escala de Integración. Contienen entre 100 y 1000 compuertas,

se realizan con tecnologías I 2L, NMOS Y CMOS. Ejemplos: Memorias, ALUs,
micro-procesadores de 8 y 16 bits.
LIGR
 V.L.S.I. Muy Larga Escala de Integración. Contienen más de 1000

compuertas, se realizan con tecnologías I L, NMOS Y CMOS. Ejemplos:
2
Microprocesadores de 32 bits, microcontroladores, memorias de gran capacidad,

etc.
LIGR
PARTE II TECNOLOGIAS DE INTEGRACION
3. LOGICA DE DIODOS
3.1. EL DIODO SEMI-CONDUCTOR
De acuerdo a su capacidad para conducir corriente los elementos se dividen en

conductores, aisladores y semi-conductores. Los conductores son aquellos que
tienen valencias de +1 y +2 o -7 y -6, es decir, el número de electrones que tiene
en su capa más externa o que le hacen falta para completar ocho. Ejemplo: El oro,
plata y cobre tienen una valencia de +1 o -7. [ ]
Los elementos aisladores son aquellos que tienen ocho electrones en su capa
externa. Ellos son los gases inertes como el helio y el neón.
Los semi-conductores son aquellos que tienen valencia +4 o -4. Ejemplo: Carbono,
silicio, germanio. Por lo general ellos comparten de a un electrón con sus vecinos
formando enlaces covalentes que conllevan a estructuras monocristalinas y
aisladoras cuando se encuentran en alto estado de pureza. Para lograr que un semi-
conductor conduzca, por ejemplo el silicio, se le agrega al Si impurezas de fósforo
que tiene una valencia de +5. De esta manera, los enlaces covalentes de las
moléculas de silicio tienen ahora un electrón de más por cada átomo de impureza de
fósforo. El resultado es un semi-conductor que tiene electrones libres o Tipo N.
Cuando el Si se contamina con aluminio, que tiene una valencia de +3, la molécula
de Si queda con siete electrones en su capa más externa. El electrón faltante se
conoce como “ hueco “ y el semi-conductor recibe el nombre de Tipo P o con
huecos.
Un diodo está formado por la unión de dos piezas de diferente tipo de materiales
semi-conductores: Uno tipo P y otro Tipo N. Los materiales Tipo N tienen exceso de
portadores de corriente negativa (electrones), mientras que los materiales Tipo P
tienen exceso de portadores de corriente positiva (huecos). [ ] [ ] [ ]
El material tipo P recibe el nombre de ánodo y el tipo N de cátodo del diodo.
LIGR
LOGICA DE DIODOS 29
EL DIODO SEMICONDUCTOR
Figura A
Figura B
Anodo
Si con impurezas de
Anodo
aluminio
Cátodo Si con impurezas de Cátodo

fósforo
Figura A : Estructura interna

Figura B : Símbolo esquemático
Supongamos que aplicamos un voltaje, posiblemente a través de una resistencia, de

tal forma que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo, se dice que el diodo está
polarizado directamente ( PD ).
R R
I I
V +
+ +
p
n
En este caso el positivo de la fuente atraerá los electrones del conductor y de la

resistencia creando una gran cantidad de huecos. Estos se concentrarán en el
ánodo del diodo y repelerán los huecos del material Tipo P hacia la unión, debido a
que son cargas iguales.
R I
+
V
Así mismo, los electrones provenientes del negativo de la fuente se agruparán en el

cátodo del diodo y repelerán los electrones del material Tipo N hacia la unión.
De esta forma, los electrones pasarán prácticamente sin ninguna resistencia a los
huecos del material Tipo P y luego al conductor generándose una corriente eléctrica.
Un diodo polarizado directamente conducirá corriente sin dificultad.
LIGR
I
Germanio
2 mA
Silicio
Silicio 1 mA
Polarización directa
PD
0,3 0,7 V
1 mA V V
Germanio
Polarización inversa 2 mA
PI
Obsérvese que cuando el diodo de silicio está polarizado directamente ( PD ) la

caída de tensión es 0,7 Voltios (siempre y cuando haya una corriente superior a un
miliamperio 1mA).
Cuando el cátodo del diodo es positivo con respecto al ánodo, se dice que el diodo
está polarizado inversamente ( PI).
R R
V
+ IINV IINV p
n
+
Los electrones provenientes del negativo de la fuente se agrupan en el ánodo

atrayendo los huecos del semi-conductor Tipo P. Estos huecos son ocupados por
los electrones y el material se convertirá en aislador debido a que sus moléculas
habrán alcanzado ocho electrones en su enlace covalente.
R
V
+
p
n
El positivo de la fuente atraerá los electrones del conductor formando así una
concentración de huecos en el cátodo. Los huecos atraerán los electrones del
material N y serán ocupados por estos. De esta forma el material N pierde los
portadores negativos y se convierte en aislador.
Un diodo polarizado inversamente ( PI ) presentará una muy alta resistencia al flujo

de corriente, esta resistencia va desde diez hasta cientos de Megahomios.
A la corriente que fluye cuando el diodo está PI se conoce como corriente inversa y
está en términos de nanoamperios ( nA ).
LIGR
LOGICA DE DIODOS 31
Un diodo real PD no presenta una resistencia igual a cero ohmios, así como PI una
resistencia infinita.
CONCLUSION: El diodo puede ser empleado como un tipo de interruptor

electrónico, es decir, que está cerrado (paso libre de electrones) cuando se PD y
abierto (no hay paso de corriente) cuando se PI.
Si consideramos el diodo como un elemento ideal podemos decir que:

 Un diodo PD equivale a un corto circuito.
PD
 Un diodo PI equivale a un circuito abierto.
PI
NOMENCLATURA Y PARAMETROS DE DIODOS: Las especificaciones de los

diodos se dan, en ocasiones, de acuerdo con su uso. Algunos diodos, por ejemplo,
reciben nombre de rectificadores debido a que se emplean con frecuencia para
convertir voltajes de c.a. en voltajes de c.d. Otros diodos más pequeños reciben el
nombre de diodos para señal, ya que se utilizan para procesar señales, como las de
radio AM. [ ]
Las características más importantes de un diodo rectificador o de potencia son su

PIV y su I f . El PIV es el máximo voltaje que el diodo puede tolerar cuando se
polariza inversamente. La If es la máxima corriente que puede circular por el diodo
sin dañarlo o alterar sus parámetros cuando éste está polarizado directamente.
Según las normas de Electronics Industries Association (EIA), la letra N indica un

semiconductor con un prefijo numérico que señala el número de uniones que tiene el
dispositivo. Los diodos se numeran como 1N, los transistores bipolares como 2N y
los FET como 3N. Los dígitos que siguen indican tipos específicos. Ejemplo, el
1N004, que corresponde a un diodo de Silicio.
3.2. COMPUERTA AND CON DIODOS [ ]
La LD utiliza dos niveles de voltaje para codificar los estados lógicos: 3 V y 0 V.
CASOS X Y Z
1. NB NB NB
2. NB NA NB
3. NA NB NB
4. NA NA NA
LIGR
D1 R +5 V
X
E ntradas 15 k 
Y Z
D2 Salida
Analicemos cada caso:
1. En este caso D1 y D2 estarán en PD y la salida se mantendrá en NB por medio

de D1 y D2. La caída de voltaje en PD del diodo de silicio es realmente de 0,7
V, según lo visto en el tema anterior, esto indica que la caída de voltaje entre los
terminales de la resistencia de 4,3 V y la salida entonces estará a 0,7 V.
D1 4,3 V + +5 V
0.7
+ 15 k  X y Y en NB
Z
0.7 V Salida
D2
0.7 +
2. D1 estará PD y mantendrá la salida a 0,7 V, o sea, NB. Obsérvese que el

voltaje de 0,7 V impuesto por la PD de D1 forza a D2 a pasar a PI. Para el
análisis debemos suponer un momento inicial (instante en el cual se energiza el
circuito) cuando aun no circulan corrientes a través de los diodos. La salida se
encontrará a +5V, ya que la caída de potencial en R será igual a cero (I = 0). Entre
los terminales de D1 habrá 5V y de D2 2V en este instante. Juntos diodos
empiezan a conducir por estar PD. El potencial en Z comienza a decaer (I  0), y
al cabo de unos instantes estará, por ejemplo, en 3V. En este momento en D2 no
habrá diferencia de potencial y por esto ya no podrá circular corriente a través de
él. En D1 habrá aun 3V indicando que D1 puede continuar el proceso de PD.
Cuando D1 se PD totalmente (en realidad este proceso tarda nanosegundos), Z
se encontrará a 0.7V, y entonces en D2 aparecerá un voltaje de 2.3V en PI.
3. En este caso sucede lo contrario D2 estará en PD y forzará a D1 a pasar a PI.

La salida es NB.
4. D1 y D2 estarán en PD. Debido a la caída de potencial en los diodos PD, la

salida estará a 3,7 V, o sea, NA.
Compuerta AND para la lógica positiva.
X Y Z
0 0 0 X &
Z
0 1 0 Y
1 0 0
1 1 1
LIGR
LOGICA DE DIODOS 33
Compuerta OR para la lógica negativa.
X Y Z
1 1 1 X 1
Z
1 0 1 Y
0 1 1
0 0 0
3.3. COMPUERTA OR CON DIODOS
CASOS X Y Z
1. NB NB NB
2. NB NA NA
3. NA NB NA
4. NA NA NA
D1 R 5V
X
E ntrada 15 k 
s
Y Z
D2 Salida
Analicemos cada caso:
1. En este caso D1 y D2 estarán PD y la salida se mantendrá en NB. La caída de

voltaje entre los terminales de los diodos es de 0,7 V, entonces la salida estará a
-0,7 V.
2. D2 está en PD y mantendrá la salida en NA. Obsérvese que el voltaje impuesto

por la entrada Y ( 3 V ) forza a D1 a pasar a PI. La salida estará entonces a
2,3 V.
3. D1 estará en PD y D2 en PI. La salida estará nuevamente en NA es decir 2,3

V.
4. En este caso D1 y D2 están en PD. La salida estará a 2,3 V.
Compuerta OR para la lógica positiva.
LIGR
X Y Z
0 0 0 X 1
Z
0 1 1 Y
1 0 1
1 1 1
Compuerta AND para la lógica negativa.
X Y Z
1 1 1 X &
Z
1 0 0 Y
0 1 0
0 0 0
LIGR
LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR 35
4. LOGICA DE RESISTENCIA A TRANSISTOR
4.1. EL TRANSISTOR BIPOLAR
Es un elemento que se compone de un semiconductor tipo P entre dos tipo N

( NPN ) o de un tipo N entre dos tipo P ( PNP ). [ ] [ ] [ ]
BASE BASE
P N P N P N
COLECTOR EMISOR COLECTOR EMISOR
c c
b b
e e
PNP NPN
Las características de operación del transistor se estudian generalmente

conectándolo a un circuito donde se varían las corrientes y los voltajes de entrada, y
representando gráficamente los voltajes y corrientes de salida.
La tecnología bipolar ha dado una mayor aplicación a los transistores NPN en el

diseño de los circuitos que realizan las compuertas lógicas. Estos transistores
pueden trabajar en tres configuraciones : De emisor común, colector común y base
común. Siendo la primera aquella que se adapta mejor para hacer del transistor un
interruptor electrónico con muy buenas características.
CONFIGURACION DE EMISOR COMUN
Ic
Ib
Vce
Vbe
Ie
El circuito tiene un transistor NPN con el emisor a tierra.

LIGR
Ib : Corriente en la base
Ic : Corriente en el colector
Ie : Corriente en el emisor
Vce : Voltaje en el colector
Vbe : Voltaje en la base
En esta configuración el transistor puede operarse en tres modos:
1. ACTIVO: Cuando la corriente I b fluye hacia la base, es decir, I b es positivo y Vce

es más positivo que Vbe.
Ib  0 y Vce  Vbe
2. SATURADO: Ib es positiva y Vce es igual o menor que Vbe.
Ib  0 y Vce  Vbe
3. CORTE:
Ib = 0o negativa.
REGION ACTIVA : Cuando los transistores NPN se usan en los circuitos de radio
y televisión, ellos se operan comúnmente en la región activa, ya que a variaciones
pequeñas de Ib se suceden grandes variaciones en la corriente de colector haciendo
posible amplificar la entrada. [ ]
Examinemos el transistor 2N706
Ib
Ic Vce
Vbe
LIGR
60
1.5
Ib =1,4 mA
1,3
1,2
40
1,0 0,8
5
0,7 0,45 0,3
20
Ib=0.25 mA
0 mA
0 8 16 24
Vc , V
e
Si observamos para Vce = 8 V y
Ib = 0,45 mA  Ic = 15 mA
Ib = 0,85 mA  Ic = 30 mA.
O sea, que a una variación de corriente I b igual a 0,4 mA corresponderá un cambio

de corriente Ic igual a 15 mA.
En la región activa la unión base-emisor está PD y la unión base colector PI. Esto
quiere decir que la corriente circulará libremente de base a emisor y que no lo hará
de colector a base. Sin embargo, el comportamiento real es diferente.
No es nuestro objetivo investigar los fenómenos físicos que ocurren dentro del
transistor, sino que estudiaremos su comportamiento como un elemento electrónico.[
]
Supongamos que el transistor se encuentra en la región activa y que circula una

corriente Ib pequeña. Esta corriente pasará de base a emisor libremente ( PD ) y
estimula el flujo de electrones a través de la base de el colector a el emisor I ce ( Ice
es la misma Ic ). La magnitud de Ice puede superar muchas veces la de Ib.
Si empezamos a aumentar Ib ( aumentando Vbe ), la corriente Ice se estimulará aún

más y se aumenta en un valor proporcional a I b. De lo anterior deducimos que Ibe
( Ibe es la misma Ib ) controla a Ice.
En la región activa se cumple:
Ice = K x Ibe
Donde K = coeficiente de amplificación.
SATURADO: Ib  0 y Vce  Vbe. Las uniones base-emisor y base-

colector están polarizadas directamente. Sin embargo las corrientes que fluyen
libremente son Ibe y Ice. En saturación se considera que la resistencia de colector a
emisor es igual a cero, en la realidad hay una caída cercana a 0,4 V.
LIGR
CORTE: Ib = 0 o menor que cero. En este caso las uniones estarán polarizadas
inversamente y Ice = 0. En esta región se considera que la resistencia de colector
a emisor es infinita, en la realidad va de decenas de M hasta cientos de ellos.
CONCLUSIONES: Podemos considerar el transistor como un interruptor electrónico

que:
1. Está cerrado cuando se encuentra en saturación.

2. Está abierto cuando se encuentra en corte.
c c
b Saturación b Corte
e e
Examinemos el siguiente circuito:
5V
500  R2
Salida
Entrada R1
2K 
5V
E ntrada
t
5V
Salida
t
V b=0.7 V
t
Corte Saturación Corte
A B C D
La entrada parte de cero voltios, o sea, no fluye corriente de base hacia el emisor y
el transistor está en corte. Dado que no hay corriente de colector a emisor la caída
LIGR
de potencial entre los terminales de R2 es igual a cero ( R x I = 0V ) y el voltaje

aplicado a R2 se reflejará en la salida. Es decir estará a 5 V.
+5 V
I =0
+
V =RI =0
Ib =0
c
b
e
A medida que la entrada se hace positiva, en el instante A, comenzará a fluir

corriente hacia la base y el transistor empieza a cruzar la región activa. Esto hace
que circule corriente del colector al emisor por R2. En la medida que esta aumenta
( Ice ) caerá aún más el voltaje en la salida. En algún punto el voltaje en el colector
caerá por debajo del voltaje de la base ( 0.7V en el instante B ) y el transistor se
saturará, entonces la salida quedará prácticamente a tierra. [ ]
En el instante C, I b comienza a decaer debido a que el voltaje en la entrada está

disminuyendo, esto hace que la corriente de colector a emisor también disminuya y
el potencial en la salida comienza a aumentar debido a que la caída entre los
terminales de R2 ( RI ) se hace menor. Una vez más el transistor cruzará la región
activa y cuando la entrada este a cero voltios ( D ) desaparecerá la corriente de
base, entonces el transistor pasará a corte y la salida estará en nivel alto.
TIEMPOS DE CONMUTACION
Ya habíamos dicho que la corriente de base controla el paso de electrones de

colector a emisor y por lo tanto podía bloquear ( llevar a corte ) o disparar ( llevar
a saturación ) al transistor. Idealmente el transistor debe conducir en el mismo
instante en que aparece la corriente de base o pasar a circuito abierto en el mismo
instante en que esta desaparece. Pero en la realidad la tensión en el colector tarda
un determinado tiempo en cambiar su valor. [ ]
LIGR
+Vcc
+
Ventr.
Vce
Ventr
Corte Saturación
t
Vce
Vcc 90 % 90 %
10 % 10 %
t
tf ts tr
td
ton tof
td retardo de conmutación: ( delay time ). Es el intervalo de tiempo entre la

tensión de entrada en t y el instante en que la tensión de colector Vce disminuye al
90% de VCC. Este retardo se debe a:
 Al tiempo que necesitan los portadores de carga para viajar del colector al emisor.
 Al tiempo necesario para cargar la capacidad base-emisor del transistor.
 Al tiempo que necesita la tensión del colector para disminuir un 10 %.
tf retardo de bajada: ( fall time ). Es el tiempo que necesita la tensión de

colector para bajar de 90 al 10 % de V CC. Refleja el tiempo que necesita la corriente
de colector para atravesar la región activa y es debida a la capacidad del colector.
El retardo total a la conducción es: t on = td + tf
ts retardo de almacenamiento: Es el tiempo que transcurre entre la bajada a

cero de la tensión de entrada y el instante en que la tensión de colector sube al 10
% de su valor final VCC. Este retardo se debe al tiempo necesario para eliminar el
exceso de carga almacenado en la unión de base cuando el transistor estaba
saturado.
tr retardo de subida: Es el tiempo necesario para que la tensión de colector

suba del 10 al 90 % de su valor final V CC. Refleja el tiempo que necesita la corriente
de colector para atravesar la región activa.
LIGR
El retardo total al bloqueo es : toff = ts + tr
PARAMETROS Y NOMENCLATURA DE TRANSISTORES:
A los transistores bipolares por tener dos uniones semiconductoras se les ha

asignado en su nomenclatura el prefijo 2N seguido de un número que determina un
transistor en concreto. Ejemplo el 2N3904 que corresponde a un transistor de silicio
NPN. No todos los fabricantes utilizan estas convenciones. [ ]
Las características eléctricas de los transistores se encuentran en los manuales

editados por los fabricantes. Las más importantes son:
 Voltaje de colector-emisor Vceo: Valor del máximo voltaje que puede aplicarse
entre las terminales colector-emisor cuando la base esta en circuito abierto.
 Voltaje de colector-base Vcbo: Valor del máximo voltaje que puede

aplicarse entre las terminales colector-base cuando el emisor está en circuito
abierto.
 Ganancia de corriente hfe: o coeficiente de amplificación. Es el valor del

cociente de la corriente de colector y la corriente de base par un determinado
voltaje colector-emisor.
 Producto corriente-ganancia-ancho de banda ft: Indica la frecuencia máxima

a la que un transistor puede operar como amplificador.
Otras características son: Material ( silicio o germanio ), aplicación ( propósito

general, conmutación, amplificador de potencia ), disipación nominal de potencia,
máxima corriente de colector, etc.
4.2. CARACTERISTICAS DE LA FAMILIA RTL
Se caracterizaban por tener una resistencia en la entrada seguida de un transistor.

Fue la primera lógica empleada para realizar C.I. El tiempo de conmutación por
compuerta era superior a 40 nS, considerándosele como lógica de velocidad media.
La potencia que consumían por compuerta era superior a 20 mW, lo cual los hacía
difíciles de enfriar. [ ] [ ]
Estos circuitos eran sencillos y fáciles de fabricar, por esto económicos, pero eran
sensibles al ruido, su capacidad de salida ( fan-out ) y su densidad de componentes
baja.
El NB se representaba con señales entre 0 y 0,5 V y el NA por señales entre
0,8 y 3,5 V.
LIGR
4.3. COMPUERTA NOT
3,5 V
640 
Y =X
1 Y =X X Y
X NB NA
X NA NB
450 
Si en la entrada hay un NB ( entre 0 y 0,5 V ) el transistor se encontrará en corte,

entonces la salida estará a 3,5 V ( NA ). Un NA ( entre 0,8 y 3,5 V ) en la
entrada satura el transistor y la salida estará cercana a tierra ( 0,4 V debido a la
caída real de voltaje de colector a emisor ).
4.4. DETERMINACION DE FAN-OUT PARA RTL
Analizaremos la salida, inicialmente en NB, de un inversor RTL cuando está

conectada a una sola entrada:
1 1
V2
En términos eléctricos esto equivaldría a:

3,5 V
3,5 V
640 
640 
Ice R1
V2
T 2 Corte
450  450 
NA T 1 Sat
Ib
V2  0,4 V
LIGR
En este caso, el transistor T1 se encontrará en saturación y toda la corriente de

colector tomará hacia el emisor debido a la resistencia R1. La salida estará
aproximadamente a 0,4 V.
Cuando hay un NA, la corriente de colector de T1 tomará hacia la base de T2

debido a que T1 está en corte. En este caso:
3,5 V
3,5 V 640 
Ice
640  I
R1
V2 T 2 Sat.
450  450 
NB T 1 Corte
Ib =0
3,5 - 640I - 450I - 0,5 = 0

I = 2,752 mA
V2 = 3,5 - 640I = 1,73 V

La salida estará a 1,73 V, o sea, un NA.
Analicemos una salida conectada a dos inversores, inicialmente en NB:
V2
1
LIGR
3,5 V
3,5 V 640 
640  I
R1
V2 3,5 V
T2
450  450 
NA T 1 Sat 640 
Ib
R2
T3
450 
Estando la salida en NB, T1 se encontrará en saturación y por esto la resistencia

de colector a emisor será prácticamente igual a cero. La corriente de colector T1
fluirá al emisor y la salida está a 0,4 V.
Para un NA ( ver figura siguiente ) T1 estará en corte y la corriente tomará hacia

T2 y T3 saturándolos. En este caso la salida será:
3,5 V
3,5 V 640  Ice
640 
I R1
V2 3,5 V
T 2 Sat.
450  450 
NB T 1 Corte 640 
Ice
Ib =0
R2
T 3 Sat.
450 
LIGR
3,5 V
640  I 450 
+ Vbe
V2
0,5 V
450 
3.5 - 640I - 225I - 0.5 = 0

I = 3.46 mA
V2 = 1.3 V, o sea, un NA.
Para tres inversores V2 = 1.1 V.
De los anteriores cálculos deducimos:
1. Que un NB en una salida de un circuito RTL no se ve afectada por la conexión

de este a otras entradas.
2. Que a medida que conectamos entradas a la salida en NA de un RTL, este nivel

si será afectado y pasará de 3.5 a 1.7, 1.3, 1.1 V y así sucesivamente.
Como el NA en RTL está representado por valores entre 0.8 y 3.5 V, no

podemos permitir que en un momento dado éste nivel esté por debajo de 0.8 V,
dado que es el voltaje mínimo suficiente para saturar el transistor de las entradas
conectadas. Si este voltaje al conectar varias entradas queda por debajo, entonces
los transistores ( algunos ) no se saturarán ( se encontrarán en región activa ) y
darán valores erróneos en sus salidas (no estarían ni en NB, ni en NA).
4.5. COMPUERTA BASE RTL
3,5 V
640 
Z = X+Y
450 
X T1 Y 450 
T2
LIGR
X Y Z
NB NB NA X 1 X &
NB NA NB Z Z
Y Y
NA NB NB
NA NA NB Lógica positiva Lógica negativa
X Y Z X Y Z
0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 0 1
1 0 0 0 1 1
1 1 0 0 0 1
Lógica positiva Lógica negativa

Compuerta OR-NOT Compuerta AND-NOT
Si alguna de la entradas X o Y está en NA, el transistor conectado a esta entrada

se saturará. Esto significa que el colector quedará a tierra y sin importar el estado
del segundo transistor la salida estará en NB.
Si las dos entradas están en NB entonces tanto T1 como T2 estarán en corte y

Ice = 0, luego tenemos un NA en la salida.
5. LOGICA DE DIODO A TRANSISTOR DTL
5.1. CARACTERISTICAS
Se caracterizan por las entradas con diodos ( realizando una compuerta AND )
seguidos por un inversor con transistores. Esta interconexión lleva a formar
compuertas AND-NOT ( Circuito Base ). [ ]
Su tiempo de conmutación y disipación de potencia por compuerta son de 20 nS y

8.5 mW respectivamente.
VENTAJAS: Económicos, con buena protección contra el ruido, fácil de usar e

interconectar.
PROBLEMAS: Relativa baja velocidad, baja densidad de componentes.
Debido a su buena protección contra el ruido existe una lógica llamada HLDTL
( DTL de alto nivel). [ ]
Se utiliza donde hay maquinaria que causa grandes transitorios ( fluctuaciones ) en
las líneas de conducción y ruido electromagnético.
LIGR
5.2. PROTECCION CONTRA EL RUIDO
DTL ha sido diseñada para funcionar con una fuente regulada de 5 V. Utiliza los
siguientes rangos de voltaje para los niveles lógicos.
Para una salida NA entre: 4,0 y 5,0 V

NB entre: 0 y 0,4 V
Para una entrada NA entre: 3,6 y 5,0 V

NB entre: 0 y 0,8 V
Es decir:
 Que el valor mínimo para un NA de salida es 4 V, pero que bastan 3,6 V para
que una entrada lo tome como NA.
 Que el valor máximo para un NB de salida es de 0,4 V, pero que hasta 0,8 V
será tomado como un NB por una entrada.
Estas diferencias son conocidas como la protección contra el ruido, producto de los
fenómenos electromagnéticos en los cables de conducción de alta potencia.
V
SALIDA ENTRADA
5V
Campo VOH MIN

V Campo VIH
4V OH
Prot. contra ruido
3,6 V
MIN
Campo no V
IH Campo no
Definido MAX Definido
V IL
0,8 V
Prot. contra ruido MAX
0,4 V V
OL
Campo VOL Campo VIL
v MIN
OH  Voltaje mínimo de salida para el NA.
v OL 
MAX
Voltaje máximo de salida para el NB.
v MIN
IH  Voltaje mínimo de entrada para el NA.
v MAX
IL  Voltaje máximo de entrada para el NB.
5.3. CIRCUITO INVERSOR
LIGR
Vcc
Vcc
R4
R1 Salida
Y A Y
D2 D3
A NA NB
T2 NB NA
D1
R2 R3
Si en la entrada A hay un NA (3.6V en el peor de los casos) y suponiendo que la

corriente tome de VCC, R1 y hacia A, entonces entre los diodos de D1 y D2 aparece
un voltaje de 4.3V (debido a la caída de 0.7V en D1). Si la corriente toma de V CC, R1,
D2, D3, base-emisor T2 a tierra, entonces entre los diodos D1 y D2 aparece un
voltaje de 2,1V (caídas de 0.7V en D2, D3 y base-emisor T2).
De aquí deducimos que la corriente realmente toma hacía el transistor (circuito de

menor resistencia) y que T2 se satura colocando un NB en la salida. D1 queda PI ya
que entre sus terminales habrá 3.6V en A y 2.1V en el extremo contrario.
Si en A hay un NB (0.8V en el peor de los casos) y si la corriente toma hacía A ,

entonces entre los diodos de D1 y D2 aparece un voltaje de 1.5V (debido a la caída
de 0.7V en D1). Ahora, si toma hacía T2, entonces aparecen 2.1V como se explicó
en el párrafo anterior. De esto deducimos que D1 se PD y que la corriente circulará
de Vcc a través de R1, D1 y hacia fuera del circuito.
En la base de T2 aparecerá un potencial cercano a tierra fijado a través de R3 (ya

que no circula ninguna corriente), que mantendrá a T2 en corte y colocando, de esta
forma, un NA en la salida.
5.4. FAN - OUT
LIGR
5V 5V
R4 R1
I IL
NB I OL
A
I IL
I SINK
T1
I IL
Si conectamos la salida de un DTL en NB ( T1 saturado ) a una entrada, entonces

la corriente pasará de Vcc a través de R1, del diodo de entrada y de la unión
colector-emisor T1 a tierra. Esta corriente es conocida como I si n k.
La caída de potencial a través del colector emisor de T1 es realmente cercana a

0,4 V, es decir NB = 0,4 V. Si conectamos más entrada a esta salida, cada una
aportará una corriente conocida como I IL. La salida entonces recibirá una corriente
IOL igual a:
IOL =  IIL ( Según Kirchhoff para el nudo A )
IOL  Corriente de salida NB.

IIL  Corriente de entrada NB.
Debido a que T1 no puede permitir el paso de una corriente infinita I ce, los
fabricantes determinan un valor máximo I OL, por encima del cual el circuito se
puede dañar, según esto, el fan-out para el NB se determina:
 IIL  IOL
Tanto IOL como IIL son especificados por los fabricantes en los manuales de CI.
Cuando se conecta una salida en NA ( T1 en corte ), este valor se verá disminuido

por las corrientes inversas a través de los diodos de entrada. Esta corriente se
conoce como Iso u r c e.
Si conectamos más entrada a esta salida, cada entrada permitirá el paso de una
corriente inversa igual a 10 A, esta corriente es conocida como I IH. La corriente a
través de la salida se conoce como I OH.
LIGR
5V 5V
I source R1
R4
NA I IH
A
I OH I IH
Corte
I IH
Entonces:
IOH =  IIH ( Según Kirchhoff para el nudo A )
IOH  Corriente de salida NA

IIH  Corriente de entrada NA
Si el menor valor de voltaje para el NA de salida es de 4V y R4 = 10 K 

entonces podemos hallar el máximo de corriente permitida I OH :
4 = 5 - IOH x R4
1
I OH = = 0.1 mA
10 x 10 3
Los valores de IOH y IIH los especifican los fabricantes en los manuales de circuitos
integrados. Para el NA se debe cumplir:
 IIH  IOH
Suponiendo que IIH = 10 A y IOH = 0,1 mA, entonces:
I OH 0.1 X 10 -3
FAN-OUTNA = = = 10
II L 10 X 10 -6
El fan-out final será el menor de cualquiera de los niveles.
5.5. CIRCUITO BASE DTL
Si alguna(s) de las entrada A, B o C está(n) en NB, entonces el diodo conectado

a ella(s) se polariza directamente, permitiendo así el paso de la corriente a través de
él (ellos). En la base de T2 aparece un voltaje cercano a tierra y hará que este se
bloquee ( Ib = 0 ), teniendo un NA de salida.
LIGR
V cc
V cc
R4
R1 4K  Salida
Y
D1 D2
A T2
B
20 K  R3
C
A B C F
NB NB NB NA
NB NB NA NA &
A Y
NB NA NB NA
B
. . . .
C
. . . .
NA NA NB NA
NA NA NA NB Compuerta AND-NOT Lógica positiva
Si todas las entradas A, B Y C están en NA, entonces los diodos se polarizan

inversamente y pasará una corriente de Vc c a través de R1, D1, D2, unión base
emisor a tierra. Esto hará que T2 se sature y tendremos un NB en la salida. El
circuito realiza una compuerta NAND de 3 entradas para la lógica positiva.
6. LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR
6.1. SERIES Y SUBFAMILIAS
Se caracterizan por tener en las entradas un transistor de emisor múltiple formando

una compuerta AND, seguido de transistores conectados en cascada, que realizan
un inversor. [ ]
La mayor parte de los circuitos SSI y MSI se realizan utilizando esta tecnología.
En la actualidad son fabricados por: Texas Instruments, National Semiconductor,
NEC, Signetics, Siemens, etc.
TTL esta disponible en dos versiones:
1. Serie 54: Para aplicaciones militares. Tienen rangos de operación entre -55
hasta 125 oC.
LIGR
2. Serie 74: De propósito general. Rango de operación entre 0 y 70 oC.
TTL se subdivide en las siguientes subfamilias lógicas
1. TTL estándar: Comprende principalmente los dispositivos que se designan

como 74xx, 74xxx, 8xxx y 96xx. Los 74xx y 74xxx son los más utilizados en
los circuitos modernos. Ejemplos: 7402, 7486, 74138, 74157, 8370, 8552,
9601, 9615, etc.
2. TTL de baja potencia: Comprende los dispositivos designados como 74Lxx y

74Lxxx. Por ejemplo 74L08, 74L83, etc. Consumen diez veces menos potencia
que los dispositivos TTL estándares correspondientes, pero son cuatro veces
más lentos.
3. TTL de alta velocidad: Comprende los dispositivos designados como 74Hxx y

74Hxxx. Por ejemplo 74H05, 74H123, etc. Consumen 2,5 veces más potencia
que los TTL estándares correspondientes pero son dos veces más rápidos.
4. TTL Shottky: Comprende los dispositivos designados como 74Sxx y 74Sxxx.

Por ejemplo 74S181, 74S11, etc. Consumen 1,8 veces más potencia que los
TTL estándares correspondientes pero son 4 veces más rápidos.
5. TTL Shottky de baja potencia: Comprende los dispositivos designados como

74LSxx y 74LSxxx. Por ejemplo 74LS83, 74LS221, etc. Consumen 5 veces
menos potencia y son igual de rápidos a los TTL estándares correspondientes.
Esta es la subfamilia más empleada entre los TTL.
6. TTL Shottky avanzada: Comprende los dispositivos designados como 74ASxx

y 74ASxxx. Por ejemplo 74AS00, 74AS73, etc. Tiene los tiempos de
conmutación más cortos de todas las subfamilias TTL y su consumo de potencia
es intermedio entre TTL estándar y LS.
7. TTL Shottky avanzada de baja velocidad: Comprende los dispositivos

designados como 74ALSxx y 74ALSxxx. Por ejemplo 74ALS00, 74ALS73, etc.
Consumen la mitad de la potencia requerida por los LS correspondientes y son
el doble de rápidas.
6.2. NIVELES LOGICOS Y PROTECCION CONTRA RUIDO TTL ESTANDAR
Para TTL estándar los rangos de voltaje para el NA y el NB son los siguientes:
LIGR
V
SALIDA ENTRADA
5V
Campo VOH MIN

V Campo VIH
2,4 V OH
Prot. contra ruido
2V
MIN
Campo no V
IH Campo no
Definido MAX Definido
V IL
0,8 V
Prot. contra ruido MAX
0,4 V V
OL
Campo VOL Campo VIL
v MIN
OH  Voltaje mínimo de salida para el NA.
v MAX
OL  Voltaje máximo de salida para el NB.
MIN
v IH  Voltaje mínimo de entrada para el NA.
v MAX
IL  Voltaje máximo de entrada para el NB.
Es decir, existe un rango de 0,4 V de inmunidad al ruido tanto para el NA, como
para el NB. [ ]
6.3. CIRCUITO BASE TTL ESTANDAR
En la figura siguiente se muestra el circuito base de los dispositivos TTL estándar.
Tiene dos entradas lógicas A y B y una salida lógica Y. El circuito puede

subdividirse en tres etapas: de entrada, excitador y de salida. [ ]
Para las tensiones normales de entradas ( NA y NB ), positivas, los diodos de

fijación D1 y D2 tienen polarización inversa y presentan una impedancia muy
elevada, por lo que puede considerar como circuito abierto. Las conmutaciones de
NB a NA o de NA a NB a altas frecuencias, pueden conducir a la aparición de
voltajes negativos en las entradas que serían anuladas por la PD de los diodos de
fijación D1 y D2.
Todas las compuertas TTL con más de una entrada lógica utilizan un transistor de
emisor múltiple, como el de entrada en el circuito base. Este transistor con dos
emisores es equivalente a dos transistores con las bases y los colectores,
respectivamente unidos y funcionan de la siguiente forma:
LIGR
Vcc
130  R4
1,6 K R2
4K R1
T4
T1 D3
T2 Y
A
T3
D1 D2
1K R3
GND
Si A está en NB, B en NA y la base a 5 V a través de una resistencia ( observar

la siguiente figura ), entonces la unión base-emisor de T12 esta en PI ( en esta
caso T12 estará en corte ). La unión base-emisor de T11 esta en PD, por lo que
T11 se comporta como un interruptor cerrado. El colector del transistor con emisor
múltiple estará más o menos a 0,1 V.
Los transistores multi-emisor tienen 2, 3, 4, 8 y 13 emisores.
5V
I
4K R
T1 en saturación
NB
T 11
A
-- 0,1 V +
0,1 V con respecto
... al NB de A
NA
B T12
Corte
LIGR
Los elementos TTL están diseñados con salida en cascada, o también conocida
como de totem pole, que consiste en conectar la salida de un transistor a la base del
siguiente, en la forma como se encuentran los transistores T4 y T3 con respecto a
T2. La salida en cascada tiene como característica especial que conmuta a altas
velocidades, obteniendo señales digitales casi perfectas ( ondas cuadradas ) y
permitiendo el uso en aplicaciones de alta frecuencia.
Después de explicar el funcionamiento de los transistores multi-emisor y las salidas

en cascada ya estamos en capacidad de explicar el funcionamiento del circuito
base:
1. Suponiendo que A está en NB y B en NA, el diodo base-emisor de A estará

PD. R1 esta calculada de tal forma que fluya por T1 una corriente de base
suficiente para saturar el transistor cuando por lo menos una de las entradas este en
NB. Esta corriente será aproximadamente (en R1):
(Vcc -  VbeA + VILTIP  ) 5 - 0.7 - 0.4

IIL = =
R1 4K
IIL = 0,97 mA
IIL circula por R1, el emisor, terminal de entrada A y hacia fuera del circuito a la salida
que controla esta entrada.
La entrada B se encontrará mínimo a 2 V ( V IH ). La tensión en la base de T1

será igual al voltaje de NB en A ( VIL ) más la caída del diodo base-emisor.
VB1 = v MAX
IL + VBE1  0,8 + 0,7 = 1,5 V
Puesto que B está mínimo a 2 V y la base del transistor esta máximo a 1,5 V,
entonces la unión base-emisor de la entrada B está en PI.
Si T2 estuviera en saturación, entonces T3 también lo estaría y en la base de T2

aparecería una tensión:
VB2 = VBE3 + VBE2 = 0,7 + 0,7 = 1,4 V
1,4 V es el voltaje mínimo que necesita en la base el transistor T2 para pasar a

saturación. Pero la tensión en la base de T2 es la misma de colector T1. Estando
T1 saturado esta tensión será igual:
VB2 = VC1 = v MAX

IL + VCE1 = 0,8 + 0,1 = 0,9 V
Como en la base de T2 solo hay 0,9 V, entonces T2 se encuentra en corte.

Estando T2 en corte el flujo de corriente hacia T3 será prácticamente nula y a
través de R3 se fijará en la base un potencial de tierra, que mantendrá a T3 en
corte. R2 esta calculado de tal forma que cuando T2 este en corte, circule hacia
T4 la corriente suficiente para saturarlo.
LIGR
Con T3 en corte la salida quedará en circuito abierto con el potencial de tierra. T4

estará saturado y conectará la salida a la fuente de alimentación. La corriente fluirá
de Vcc a R4, colector-emisor T4, D3 y hacia la(s) entrada(s) conectada(s). Esta
corriente se denomina IOH.
2. Suponiendo que A y B estén en NA, juntas uniones se encontrarán en PI (ya

que para que se PD se requiere un potencial mínimo en la base T1 de 2.7V, mientras
que para que la corriente circule hacia la base de T2 se necesitan solo de 2.1V.
Circularán las corrientes inversas I IH por cada emisor. La unión base-colector T1
esta en PD por lo que circula una corriente:
IR1 =
 VCC  VBC1  VBE2  VBE3 =
5 - 2.1
R1 4000
IR1 = 0,72 mA
Esta corriente pasa por R1, base-colector T1, base-emisor T2 que lo hace
conducir y base-emisor T3 que lo forza también a conducir. La salida estará en
NB:
VOL ( TI P ) = VCE( s a t) 3 = 0,2 V
Como T3 está conduciendo, su base se encontrará 0,7 V por encima del emisor.
T2 también esta saturado por lo que su colector esta a 0,1 V con respecto al
emisor. Según esto la tensión en la base de T4 será igual a:
VB4  VB3 + VCE2 = 0,7 + 0,1 = 0,8 V
La tensión en el emisor de T4 será:
VE4  VOL M I N + VD3 = 0,2 + 0,7 = 0,9 V
Debido a que el emisor se encuentra a mínimo 0,1 V por encima de la base en T4

este se encontrará en corte. D 3 permite asegurar el bloqueo de T4 produciendo
una caída de 0,7 V.
Como T4 está en corte, entonces la salida quedará en circuito abierto con la fuente
de alimentación. En este caso la(s) corriente(s) de carga fluirán de la(s) entrada(s)
conectada(s) a través del colector-emisor T3 y a tierra. La máxima corriente
admisible sin que la tensión de salida suba por encima de V OL( M A X ) = 0,4 V es
IOL = 16 mA. Las corrientes superiores a este nivel pueden sacar a T3 de
saturación y elevar a VOL por encima de la máxima tensión baja.
La tabla de verdad así obtenida es la siguiente:
LIGR
A B Y
NB NB NA A &
NB NA NA Y
NA NB NA B
NA NA NB
que corresponde a una compuerta AND-NOT para la lógica positiva.
6.4. CARACTERISTICAS DE LOS TTL ESTANDAR
A. Corriente de corto circuito de salida: Es la corriente I OS que circula hacia

afuera de una salida en NA, cuando esta última esta conectada directamente a
tierra. Este parámetro se utiliza para conocer la rapidez con que carga en NA
los condensadores externos conectados a la salida. Para la compuerta 7400
IOS = 55 mA.
La conexión a tierra acarrearía el recalentamiento del integrado y su posterior, a

corto plazo, daño total. Esto debido a la relativa alta disipación de potencia.
B. Fuente de alimentación y picos de corriente: Los dispositivos TTL

vienen diseñados para trabajar con una alimentación de 5 V con variaciones no
superiores al 5 %, es decir entre 4,75 y 5,25 V.
Por esto es necesario emplear fuentes reguladas de voltaje de 5 V con

capacidad de manejar corriente de acuerdo al número de integrados. El diseño
de fuentes de alimentación se tratará en el capítulo final de esta conferencia.
Los circuitos TTL presentan problemas al conmutar, ya que generan grandes

picos de corriente debido a la organización en cascada de sus salidas, como se
puede ver en la siguiente gráfica:
V SAL
NA NA
V OH
NB NB NB
V OL
t
I CC, mA Picos
15 I CCL
10
5
I CCH
LIGR
Cuando la salida está en NA el integrado consume una corriente de

alimentación constante ICCH. Similarmente, cuando está en NB fluye una
corriente constante IC C L. Para el 7400 estos valores son: I C C H = 4 m A y
IC C L = 12 mA por circuito integrado.
Cuando la salida de la compuerta cambia de estado pasa por un instante en que

ambos transistores T3 y T4 conducen simultáneamente, debido a que juntos
pasan por la región activa antes de llegar a saturación o corte. Durante estos
pequeños intervalos de tiempo fluye una corriente relativamente alta, debido a la
trayectoria de baja resistencia entre la tensión de alimentación y tierra.
El resultado es la presencia de picos de corriente en la línea de alimentación,

como lo muestra la figura. El fenómeno es más perjudicial cuando la compuerta
pasa de NB a NA, debido a que T4 no se satura normalmente y entra en
conducción mucho antes de que T3 se bloquee. Además al pasar de NB a NA
hay que cargar las capacidades externas lo que provoca corrientes de hasta I OS
por la salida.
Para evitar que estos picos se propaguen por la alimentación y la tierra, además
del corto circuito a la fuente, se deben conectar condensadores con
capacitancias entre 0,01 y 0,1 F por cada 5 a 10 circuitos integrados. Ellos
deben conectarse entre el positivo y la tierra. En la práctica por cada C.I. se
conecta uno lo más cerca posible a los pines GND y V C C.
C. Disipación de potencia: La disipación de potencia se mide en régimen estático

(no conmutaciones ) y se obtiene del promedio para el NA y NB. La disipación
estática es el producto del voltaje de alimentación V CC y la corriente de
alimentación estática ICC.
PD = VCC x ICC
La corriente de alimentación no incluye aquellas que son drenadas por circuitos

externos.
Si la salida de determinado elemento se encuentra en NB la mitad del tiempo y
en NA durante la otra mitad de tiempo, entonces la corriente de alimentación
será:
(ICCH + ICCL)
IPROM =
2
Para el 7400, por ejemplo, la disipación de potencia promedio será:
Pd p r o m ( t i p ) = 5 V 
 4 mA + 12 mA 
2
Pd p r o m ( t i p ) = 40 mW por integrado
Para cada compuerta este valor será igual a 10 mW.
LIGR
La disipación de potencia varía con la frecuencia de las conmutaciones en unos

0,3 mW / MHz. Es prácticamente constante para cargas capacitivas hasta de
20 pF con frecuencias inferiores a 1 MHz.
D. Impedancia: La impedancia de salida de las compuertas TTL son bajas debido

a la configuración en cascada de los transistores T2, T3 y T4. En NA el
transistor T4 esta saturado y prácticamente no ofrece ninguna resistencia al
flujo de corriente.
En NB T3 esta en saturación y permite el flujo casi libre de electrones.
ZOL = 10  ZOH = 70 
Las impedancias aproximadas de entrada son:
ZIH = 400 K ZIL = 4 K
Una alta impedancia de entrada solicita menos corriente a la salida que

controla, mientras que una baja impedancia de salida permite mayor velocidad
de conmutación debido a la relativa alta magnitud de corriente, que hace menor
el producto RC.
E.Retardos de propagación: Los retardos en las conmutaciones se miden para un

voltaje de referencia, que para el caso de los TTL estándar es de 1,5 V.
Considerando una vez más el 7400 tenemos:
&
V entr V sal
V entr
V ref
V sal t PHL t PHL
V ref
Cuando las entradas pasan a NA la salida pasa a NB en un tiempo determinado

llamado retardo de activación t P H L, o también conocido como retarde de bajada.
LIGR
Cuando las entradas pasan a NB la salida tardará un tiempo determinado llamado

retardo de desactivación o de subida t P L H.
Para los 7400 estos valores son:
t P H L = 7 nS t P L H = 11 nS
La diferencia se debe a que el transistor T4 no se satura completamente y su

tiempo de recuperación inverso es inferior al T3, que si se satura completamente.
El retardo promedio es de 9 nS, sin embargo para los TTL estándar se ha tomado
de 10 nS.
La frecuencia máxima a la cual puede conmutar una compuerta TTL estándar será:
1
fmax =
tPLH + tPHL
Los dispositivos TTL Estandar pueden operar a 55 MHz.
6.5. CURVAS DE TRANSFERENCIAS
La curva de transferencia es un gráfico que muestra la forma que varía la tensión de

salida con respecto a la de entrada. Su ventaja consiste en que muestra
simultáneamente VOH y VOL y la región de transición cuando el dispositivo
conmuta.
Uniendo las entradas de una compuerta AND-NOT de un 7400, como se muestra

en la figura anterior, entonces la curva de transferencia para este dispositivo será:
Transición
V sal T1 y T4 sat. T2 T3 sat.
T2 T4 T2 T3 T4
4 T2 y T3 corte conducen T4 corte
conducen
3 Alto
2 V T = 1,4 V
1
Bajo
0
0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 V entr
VT se conoce como la tensión promedio de umbral de un determinado dispositivo y

es aquella para la cual la tensión de entrada es igual a la de salida. Para el 7400
este valor es más o menos de 1,4 V. Sin embargo en la práctica V T varía
considerablemente de elemento a elemento e incluso con la temperatura y la fuente
de alimentación.
LIGR
6.6. COMPUERTAS Y ENTRADAS NO UTILIZADAS
En el diseño de algún proyecto puede sucederse que la cantidad de entradas de

alguna compuerta supere el número de ellas requerido, o bien, que sobren algunas
compuertas de algún circuito integrado.
En el primer caso, y aunque una “entrada flotando” se comporta como un NA, es

necesario conectar la(s) entrada(s) a algún nivel lógico ya que bastan algunos
milivoltios negativos de ruido en el medio ambiente para hacer que la entrada pase a
NB. [ ] [ ]
Para las compuertas AND y AND-NOT las entradas libres deben conectarse al
resto de las entradas, siempre y cuando no se exceda la capacidad de manejo
máximo de la(s) entrada(s). Si esto no se puede, entonces se debe conectar bien a
la salida de una compuerta no utilizada y que este constantemente en NA, o bien al
positivo de la fuente de alimentación a través de una resistencia de 1 K.
5V
A &
Y 1K
A &
B Y
Las entradas no utilizadas de las compuertas OR y OR-NOT deben ser

conectadas al resto de las entradas si esto no recarga las salidas, en caso contrario
deben ser conectadas a tierra ( GND ).
Las salidas de las compuertas no utilizadas deben ser forzadas a NA mediante la

adecuada conexión de sus entradas, con el fin de reducir la disipación de
potencia ya que IC C H es menor que IC C L.
6.7. CIRCUITOS OR-NOT Y AND-OR-NOT
LIGR
+5 V
R5
R2 R4
R1
T5
F1
T1
T 11 B
A T2 T 12
D1
D2 D3 F =A +B
F2 T6
R3
GND
Si en A hay un NB, entonces el diodo base-emisor T1 se PD y aparecerá un NB

en la base de T2, lo cual hará que T2 quede en corte. Sin embargo los valores de
los voltajes tanto en F1 como en F2 no se pueden definir debido a que también
dependen de T12. Si además en la entrada B también hay un NB, entonces T12
tampoco conducirá y de esta forma la corriente circulará a través de R2 a la base
de T5 saturándolo. [ ]
Debido a que T2 y T12 están en corte en la base de T6 aparece el potencial de

tierra, que hará que T6 se encuentre en corte. Con T5 saturado y T6 en corte la
salida se encontrará en NA.
Si por lo menos una de las entradas está en NA bien T2 o T12 o ambos se

saturan y la corriente fluirá de R2 a través de la unión colector-emisor de T2 o
T12 o de ambos y a la base de T6 saturándolo. En F1 aparecerá un voltaje bajo
no suficiente para llevar a región activa a T5 y este se encontrará en corte. Con
T6 saturado y T5 en corte la salida estará en NB.
La tabla de verdad así obtenida será como sigue:
A B F
NB NB NA A 1 F =A +B
NB NA NB
NA NB NB B
NA NA NB
LIGR
Para la lógica positiva es una compuerta OR-NOT.
Si a el anterior circuito en lugar de un transistor convencional de entrada colocamos

uno de emisor múltiple, entonces para la lógica positiva obtendremos una compuerta
AND-OR-NOT.
6.8. FAN-OUT Y EFECTO DE CARGA
Analizaremos el fan-out inicialmente para una salida en NA:
+5 V
+
VR4 = R x IOH R4
T 4 Saturado
IOH IIH
D3 IIH
A
NA
IIH
T 3 Corte . . .
. . .
GND
IOH  Corriente de salida para el NA.

IIH  Corriente de entrada para el NA.
Cada diodo base-emisor de entrada en PI permite el paso de una corriente inversa

máxima llamada IIH. Así mismo la salida aporta una corriente llamada I OH. Si
aplicamos la Ley de las Corrientes en el nudo A, entonces obtenemos:
IOH =  IIH
Cada nueva entrada conectada consumirá una determinada corriente I IH, que
aumentará en ese mismo valor a I OH. Pero al aumentar I OH aumentará la caída de
potencial entre los terminales de R4 y en la medida que conectemos más entradas
caerá el NA en la salida. Sin embargo, según lo estudiado anteriormente, un NA
de salida no puede estar por debajo de 2,4 V por eso los fabricantes de C.I.
determinan una corriente máxima de salida para el NA I OH.
LIGR
Para el NA de salida se debe cumplir:
 IIH  IOH
Si todas las entradas son del mismo tipo, entonces:
IOH
Fan-out NA =
IIH
Para el NB tendremos:
+5 V
R4
T 4 Corte
IIL
D3 IIL
A
NB
IIL
IOL
T 3 Saturado . . .
. . .
GND
IOL  Corriente de salida para el NB.

IIL  Corriente de entrada para el NB.
Cuando en la salida hay un NB todas las uniones base-emisor de las entradas

estarán en PD y por cada una de ellas fluirá una corriente máxima denominada I IL
hacia el transistor T3. La corriente que circula por T3 se conoce como I OL.
Aplicando la Ley de la Corrientes para el nudo A tenemos:
IOL =  IIL
Cada entrada conectada aportará una corriente I IL que aumentará en ese mismo
valor a IOL. Pero al hacerse demasiado grande I OL el voltaje en el colector de T3
puede elevarse y sacarlo de saturación, aumentando así la tensión de NB en la
LIGR
salida (que no puede ser superior a 0.4V). Por esto los fabricantes de C.I.
determinan una corriente máxima de salida para el NB I OL con la cual se garantiza
que la salida estará máximo a 0,4 V (es decir V OL ).
Para el NB de salida se debe cumplir:
IOL   IIL
Si todas las entradas son del mismo tipo, entonces:
IOL
Fan-out NB =
IIL
El fan-out final será el menor obtenido para cualquiera de los niveles.
Ahora analizaremos el comportamiento de una salida cuando es conectada

inicialmente a una carga capacitiva y después a una resistiva.
Carga capacitiva: Si la carga conectada tiene una componente capacitiva ( por

ejemplo el mismo cableado, ciertos elementos lógicos, un osciloscopio, etc. ) o es
netamente capacitiva ( un condensador ) el tiempo de conmutación de salida puede
verse seriamente afectado, y que se requerirá ciertos tiempos para que la
capacitancia cargue y descargue ( RC ).
Los retardos de propagación dados en los manuales de C.I. se deben a los

retardos en la conmutación de los transistores y para una carga capacitiva externa
de CL = 15 pF y una carga resistiva también dada R L = 400 , que es la
resistencia total de salida en estado alto más la resistencia de la carga (condiciones
de Laboratorio).
Supongamos que una salida esta conectada a una carga de 47 F con RL de

400, además que se encuentra inicialmente en NB.
LIGR
+5 V
R4
T4
D3
IOH = Icarga
IOL = Idescarga
C1
T3
GND
Como T3 esta conduciendo, es prácticamente un corto circuito a el potencial de

tierra. Por esta razón C1 se encontrará completamente descargado. Cuando pasa
a NA aparece la corriente de carga a través de R4, T4, y D3, en este caso el
tiempo de conmutación total será igual:
t t o t a l = t PLH + t RC
t RC = 47 x 106 x 400 =
t t o t a l = 11 nS + 18,8 mS = 18,8 mS.
En realidad no es exactamente una constante de tiempo el que se requiere para

llegar al NA.
En conclusión podemos decir que el efecto de una carga capacitiva es aumentar los
retardos y reducir la frecuencia máxima a la cual puede trabajar el dispositivo.
Carga resistiva:
Si la salida está en NA, el dispositivo puede dar una corriente I OH máxima por
encima de la cual el voltaje de salida sería inferior a el NA. Si la resistencia es de
bajo valor la corriente puede ser bastante intensa y provocar un error lógico (caída
del potencial por debajo del nivel permitido), o también, un recalentamiento del
dispositivo.
LIGR
+5 V
R4
T 4 Saturado
D3
IOH
NA
T 3 Corte R
GND
En este caso para el NB no se presentará ningún problema.
6.9 DISPOSITIVOS TTL DE COLECTOR ABIERTO
En la técnica digital es muy común el uso de las funciones “ OR alambrada “ o “

AND alambrada “ gracias a la ventajas que ellas proporcionan y a la sencillez de su
realización. [ ] [ ]
Esta función consiste en unir las salidas de varias compuertas sobre la tarjeta
impresa con el fin de:
 Aumentar la cargabilidad de salida.

 Realizar cierta función lógica.
 Crear una línea común de salida ( bus ).
Supongamos que se unen las salidas de varias compuertas con terminación en

cascada (como las estudiadas hasta el momento) para realizar una función lógica en
forma implícita sobre una tarjeta impresa, entonces tendremos lo siguiente si una de
ellas se encuentra en NB y las demás en NA, observar la siguiente figura:
Si por lo menos una de las compuertas está en NB, esta salida presentaría una muy
baja resistencia a tierra y aparecerían corrientes I OS con valores cercanos 55 mA
provenientes de las salidas en NA.
LIGR
+5 V +5 V
R4 R4
T 41 Corte T 42 Saturado
D31 D32
I
NB NA
T 31 Saturado
T 32 Corte
.
.
.
GND GND
La suma de las corrientes fluirá a través de T31, que solo está en capacidad de
manejar 16 mA como máximo. Como este valor es muy inferior la compuerta en
NB no soportará largo tiempo la sobrecarga y saldrá de funcionamiento (además de
colocar prácticamente en corto circuito la fuente de alimentacón), trayendo consigo
la operación errática del sistema.
Para la realización de las funciones alambradas la familia TTL cuenta con los
dispositivos de colector abierto, a los cuales se debe conectar una resistencia
externa. El circuito y su representación simbólica se presentan en la siguiente
figura:
Como se podrá observar estos dispositivos carecen del transistor T4, en cuyo
reemplazo se debe conectar una resistencia externa en la salida. En todo lo demás
son similares a los circuitos vistos con anterioridad.
RP se denomina comúnmente resistencia de arrastre o de pull-up y su función es

permitir que la salida quede en NA o NB en un momento dado.
El valor de RP debe elegirse de tal forma que la corriente de colector a emisor en

T3 no exceda la máxima admisible cuando está en saturación, es decir 16 mA.
Fluctúa entre 150 y 1 K. Cuanto menor sea su valor mayor será la velocidad
de conmutación y la disipación de potencia.
Las anteriores anotaciones son para el caso de que se deseen conectar cargas
entre la alimentación y la salida, pero si a la función alambrada se desean conectar
LIGR
Vcc
&
R2 1,6 K  A Y
R1 4K  B
Símbolo Lógico
T1
T2 Y
A
B
Rp
T3
D1 D2
Vcc
R3 1K 
GND
+5 V
Rp
& &
A Y =ABC V DEF
B
C
&
D
E
F
entradas de otras compuertas, entonces R P se debe calcular según las siguientes

fórmulas:
 VCC(MIN) - VOH(MIN)
RP(MAX) =
 NH  IOH(MAX) + NL  IIH(MAX)
LIGR
RP(MIN) =
 VCC(MAX) - VOL(MAX)
 IOL(MAX) - NL  IIL(MAX) 
Donde: NH  Es el número total de salidas colector

abierto interconectadas.
NL  Número de entradas conectadas.
Las desventajas de los componentes de colector abierto con respecto a los de salida
en cascada son:
 La necesidad de un resistor discreto externo.

 Mayor lentitud.
 Menor inmunidad al ruido.
 Menor aptitud para cargas capacitivas.
Ejemplos de dispositivos de colector abierto son: 7403, 7407, 7412, 7406, etc.
Algunos de estos dispositivos aceptan corrientes de salida de 40 mA y tensiones
altas de hasta 30 V como el 7406.
6.10.LOGICA DE TRES ESTADOS
Se utiliza en aquellos sistemas destinados al procesamiento de datos, donde existe

un constante intercambio de información entre sus módulos. Por lo general se
emplean para formar líneas comunes de comunicación a través de las cuales viaja la
información en cualquier sentido. Estas líneas reciben el nombre de bus, y en este
caso concreto de bus de datos. [ ]
CPU MEMORIA PRINCIPAL PUERTOS E/S
.... .... ....

. . .
BUS DE DATOS
En un momento dado solo puede haber intercambio entre dos módulos y no es

permitido que las salidas, de los módulos que no intervienen, conecten el bus a
tierra, o sea, que estén en NB o a la alimentación, o sea, que estén en NA.
Para estas aplicaciones se han desarrollado circuitos especiales que aparte de

poder estar en NA y NB ( estados de baja impedancia ), tienen un estado más,
llamado de alta impedancia. En éste estado se encontrarán todos aquellos módulos
que no han sido escogidos para transmitir o recibir datos por el bus.
El circuito base se muestra en la siguiente figura:
LIGR
Si la entrada de control G está en NB, T6 y T7 se encontrarán en corte y no

conducirán. A través del emisor de T1 y del diodo D2 no podrán circular corrientes
y la salida Y dependerá del estado de la entrada A.
+5 V
1,6 K 
R2
R1 4K 
T 41
T4
D2
T1 R5
T2 Y
A
T3
D1
1K  R3
GND
+5 V
T5
G T6
T7
Si G está en NA, T6 y T7 se saturan conectando una de las entradas a tierra

( NB ). La corriente circulará a través de este emisor, la unión colector-emisor de T7
a tierra y hará que T2 pase a corte, sin importar el estado de A.
LIGR
El voltaje en la base de T41 aumentará y hará que D2 se PD, de esta forma la

corriente fluirá de VCC a través de R2, D2 y de colector-emisor T7 a tierra;
fijando un voltaje bajo en la base de T41 que lo mantendrá en corte. Como no
existen corrientes en la base de T4, aparecerá un potencial de tierra a través de R5
que mantendrá en corte a T4.
Como T2 no conduce, en la base de T3 se fija un potencial de tierra, que coloca

en corte a T3.
De esta forma tanto T3 como T4 se encuentran en corte y en la salida tenemos el

tercer estado o estado de alta impedancia, en el cual la salida simplemente se
comporta como un circuito abierto.
La tabla de verdad para este circuito es como sigue:
G A Y
NB NB NA A 1 Y
NB NA NB
NA NB XX G
NA NA XX
Simbolo Lógico
Ejemplos de compuertas con tercer estado son: 74125, 74126, 74134, 74240,
74241, etc.
6.11. BUFFERES
Los bufferes son compuertas con una alta capacidad de corriente de salida. Esto les
permite manejar directamente LEDs, relés de estado sólido, relés electromecánicos
y otras cargas que no pueden ser impulsadas por compuertas comunes. [ ]
Los transistores de salida están diseñados de tal forma que permiten corrientes de
IOL y IOH altas, pudiendo conectarsen a una cantidad mayor de entradas.
Pueden ser inversores ( NOT ), o no inversores ( YES ), y pueden tener o no tercer

estado:
LIGR
YES NOT
1 Y 1 Y
A A
A 1 Y A 1 Y
G G
Ejemplos de compuertas bufferes son: 7428, 7437, 7440, 74125, 74126, etc.
También existen bufferes de colector abierto.
6.12.COMPUERTAS SCHMITT TRIGGER
Son compuertas realizadas para obtener en la salida señales digitales perfectas, por
esto se emplean para convertir señales imperfectas, de conmutación lenta o con
ruido, en señales digitales bien definidas y de conmutación rápida. [ ]
Se representan con el siguiente símbolo lógico:
1 &
Las compuertas Schmitt operan como compuertas convencionales, con excepción

solo que poseen dos valores límite de voltaje en sus entradas llamadas umbrales.
Para TTL estándar el umbral para ir al NA es de 1,6 V y para ir al NB es de 0,8

V. Ejemplos de compuertas Schmitt son: 7414, 7413, 74132, etc.
Un ejemplo de aplicación con una compuerta YES tipo Schmitt trigger es el

siguiente:
LIGR
Entrada
1,6 V
0,8 V
t
Salida
Como se podrá observar el dispositivo acepta en su entrada voltajes analógicos,

pero solo reacciona a dos valores. Cuando la entrada se hace igual o superior a
1.6V la salida de la compuerta cambia de estado y pasa a NA. Cuando se hace igual
o inferior a 0.8V conmuta y pasa a NB.
6.13. SUBFAMILIAS TTL
A. Baja potencia: Los valores de las resistencias son aumentados

considerablemente, disminuyendo el flujo de corrientes. Esto trae consigo las
reacciones más lentas de los transistores y por esto un aumento de los retardos.
B. Alta velocidad: Los nominales de las resistencias son disminuidos aumentando

el flujo de corrientes dentro de las compuertas y haciendo, con esto, más rápidas
las conmutaciones. Se incrementa considerablemente la disipación de potencia.
C. Schottky: El retardo en la conmutación está directamente relacionado con el

tiempo para llevar los transistores de saturación a corte. Por eso, con el fin de
evitar la saturación completa y a sí hacer más rápidas las conmutaciones se
utiliza un diodo para fijar el voltaje entre la base y el colector. [ ] [ ]
Pero el diodo utilizado con este fin no es convencional, sino que está compuesto
por la unión de un metal y un semiconductor, que lo hace mucho más rápido que
los diodos de silicio.
Los tiempos de recuperación inverso y directo para los diodos Schottky están en
el orden de los pico y nanosegundos. Entran en conducción ( en PD ) cuando
entre sus terminales hay una diferencia de solamente 0,4 V, a diferencia de los
de silicio que necesitan 0,7 V.
El transistor Schottky se representa de la siguiente forma:
LIGR
Diodo Schottky
Transistor Schottky
Cuando el transistor se acerca a saturación, es decir, el voltaje en la base

comienza a superar al del colector, el diodo Schottky se PD y la corriente tomará
a través de él y no de la unión base-emisor, evitando así la saturación completa
(concentración de portadores negativos en la base ).
El circuito base de la serie Schottky es como sigue (observar en la figura que

sigue):
Todos los transistores que se saturan normalmente han sido reemplazados por
Schottkys ( a excepción de T4 ), disminuyendo de ésta forma los tiempos de
conmutación.
+5V
50 
R2 900 
R1 2,8 K 
T5
T4
T1
T2
3,5 K  R5 Y
B
T3
D1 D2 250 
500 
T6
GND
LIGR
D1 y D2 han sido reemplazados también, haciendo más eficaz la supresión de

tensiones negativas de entrada.
R3 ha sido reemplazado por una carga activa, el transistor T6. Esto permite a
T3 bloquearse más rápidamente gracias a la baja resistencia colector-emisor de
T6.
El transistor superior de salida es ahora un Darlington conformado por T4 y T5.

La configuración Darlington se logra de modo que el emisor del primer transistor
esté unido a la base del segundo y los dos colectores unidos entre sí. El montaje
Darlington tienen una elevada ganancia de corriente lo que permite alcanzar
velocidades de conmutación más altas.
Estas son algunas de las características del C.I. 74S00:

 IOH = 1 mA, IOL = 20 mA, IIH = 50 A, IIL = 2 mA, IOS = 100 mA.
 Margen de inmunidad al ruido NA: 0,7 V
 Margen de inmunidad al ruido NB: 0,3 V
 Retardo promedio de 3 nS y disipación de 19 mW por compuerta.
La interconexión de elementos TTL Schottky requiere de mayores cuidados

debido a que tienen tiempos de subida y bajada muy cortos que redundan en
ruidos inducidos.
D. Schottky de baja potencia: El circuito base es el siguiente:
LIGR
+5V
200 
R2 8K 
R1 25 K 
T5
T4
D3
A
D4 T2 R5
B 4K  Y
T3
D2 D1
3K 
1,5 K 
T6
GND
Las compuertas Schottky de baja potencia tienen una disipación de 2 mW y un

retardo promedio de 5 nS por compuerta.
El transistor de entrada ha sido reemplazado por dos diodos Schottky que hacen
que el circuito en realidad pertenezca a la DTL.
Algunas características del C.I. 74LS00:

IOH = 400 A, IOL = 8 mA, IIH = 20 A, IIL = 0,36 mA, IOS = 42 mA.
Margen de inmunidad al ruido NA: 0,7V.
Margen de inmunidad al ruido NB: 0,3 V.
La baja disipación de potencia implica menor costo de la fuente de alimentación,

alta densidad de componentes sobre la tarjeta impresa, eliminación de ventilador
de refrigeración.
La serie LS conmuta con picos de corriente un 25 % menores que los

estándares, lo cual redunda en menor generación de ruido. Se necesitan menos
condensadores y con menores capacitancias para suprimir los picos de
conmutación.
Las entradas no utilizadas pueden ser conectadas directamente al positivo de la

fuente.
LIGR
7. LOGICA METAL-OXIDO SEMI-CONDUCTOR CANAL N
7.1. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO FETMOS
La relativa alta disipación de potencia de los transistores bipolares hacía imposible

aumentar el coeficiente de integración, por esto los fabricantes de C.I. recurrieron a
los Transistores de Efecto de Campo FET para lograr arreglos LSI y VLSI. [ ] [ ]
Aunque algunas características de los FETs no se consideran deseables para

ciertas aplicaciones ( a causa de su poca velocidad, delicadez y su falta de
capacidad de manejo de corriente ), su facilidad de fabricación, reducido tamaño y
baja disipación de potencia han desplazado los factores negativos y han colocado a
los FETs, realizados con metal oxido semiconductor MOS, como la tecnología
principal para usar en grandes arreglos.
Existen dos tipos de FETs:
1. FETs de enriquecimiento Canal P y Canal N.

2. FETs de empobrecimiento Canal P y Canal N.
El transistor de empobrecimiento conduce cuando no existe ningún voltaje aplicado

al graduador ( el graduador corresponde a la base de los transistores bipolares ), en
cambio, el de enriquecimiento solo lo hace hasta que la tensión en el graduador no
alcance cierto valor.
El FET de enriquecimiento por su funcionamiento tienen mayor inmunidad al ruido,

y por esto es el que se emplea para la realización de las compuertas lógicas.
Existen dos tipos de estructuras de los MOS FET: De enriquecimiento Canal N y

de enriquecimiento Canal P. Para juntos tipos de transistores existe una tensión
definida graduador surtidor V GS ( el surtidor corresponde al emisor ) para el cual el
FET comienza a conducir, este voltaje es conocido como tensión de umbral V T.
FET Canal N: Para su fabricación primero se forma un sustrato tipo P, figura A, y

se difunden en este sustrato dos regiones separadas de baja resistencia ( alta
contaminación ) tipo N, figura B.
Surtidor Drenador
S D
n n
Sustrato P Sustrato P
Figura A Figura B
Luego, la superficie se cubre con una capa aislante de óxido SiO 2 que tiene un
espesor aproximado de 10-15 cm, figura C.
LIGR
LOGICA METAL - OXIDO - SEMICONDUCTOR CANAL N 79
Se realizan orificios sobre el óxido y se hacen dos contactos de metal ( aluminio )

sobre las zonas de material tipo N, se coloca una pieza delgada de metal llamada la
compuerta o graduador sobre lo que será el canal, figura D. [ ] [ ]
Graduador
S D
Si O2 Al
Si O2
n n n n
Sustrato P B Sustrato P B
Figura C Figura D
Sin voltaje aplicado, la anterior estructura forma dos diodos, en oposición y si

tratamos de forzar el paso de corriente de drenaje al surtidor, la unión np seguida
por una unión pn no permitirá el flujo de electrones en ninguna dirección.
n p p n
S D
El símbolo esquemático de esta estructura es:
D
B Canal N
G S
El graduador se utiliza para originar el paso de corriente de drenador a surtidor de la

siguiente manera:
El área de metal del graduador, en unión con la capa aislante de óxido y el

semiconductor forman un condensador; donde el graduador sería la placa superior,
el sustrato tipo P la placa inferior y el óxido sería el dieléctrico.
Si se aplica una tensión positiva al graduador se inducen cargas negativas en el

lado del semiconductor, ya que al cargarse positivamente el metal, se generan líneas
de fuerza que forman una carga de signo contrario en el semiconductor.
A medida que aumenta la carga positiva en el graduador, aumenta también la carga

negativa inducida en el semiconductor, hasta que se alcanza la tensión de umbral y
la región cercana al graduador se convierte en un semiconductor tipo N.
LIGR
Graduador
S D
Al
++++
Si O2
n n
Sustrato P B
Canal N
Si se aplica una tensión positiva al drenador D con respecto al surtidor S circulará

una corriente de drenador a surtidor a través de este canal inducido.
El FET MOS se encuentra en saturación cuando circula por el canal toda la

corriente de drenador que éste es capaz de conducir para una tensión de graduador
dada. La curva característica de los MOSFET Canal N es:
No
ID, mA saturado saturado
25 VGS =15 V
20
15
10 V
10
5 5V
VDS,V
0 2,5 5 7,5 10 12,5 15
Donde: ID  Corriente de Drenador

VGS  Tensión Graduador-Surtidor
VDS  Tensión Drenador-Surtidor
Obsérvese, por ejemplo, para VGS = 10 V, la corriente de drenador aumenta casi

linealmente al aumentar la tensión de drenador surtidor V DS. A los 12 mA de
corriente de drenador, el canal se satura y la curva se hace plana. El sustrato B
debe conectarse al potencial más negativo del circuito.
FET Canal P: La estructura y el símbolo esquemático del MOSFET Canal P es

como sigue:
LIGR
G
S D
Al
Si O2 D
p p B Canal P
p p
Sustrato P B G S
Sustrato N
Canal P
El Canal P se induce aplicando un voltaje negativo al graduador, es decir,

enriqueciendo el canal con cargas positivas inducidas.
La curva del Canal P se muestra en la siguiente figura:
ID, mA
- 15 - 10 -5 0
VDS,V
-5V - 2,5
-5
- 10 V - 7,5
VGS =- 15 V - 10
- 12,5
saturado No
saturado
Obsérvese, que para una VGS = - 10 V y ID = -7 mA el transistor se satura.
El sustrato del FET Canal P debe conectarse al potencial más positivo del circuito.
Características de los FETMOS: En la zona de saturación los FETMOS, tanto

Canal N como P, se comportan como fuentes de corriente constante ya que la
corriente de drenador es constante e independiente de la tensión V DS.
Cuando no están saturados, se comportan como resistores debido a que la curva

característica V - I es una línea recta. Por esto, conectando el graduador a una
tensión fija puede usarse como resistencia de carga.
La impedancia de salida ( drenador-surtidor ) es del orden de los K. La

impedancia de entrada, por ser capacitiva es muy alta aproximadamente 10 14  .
Los FET Canal N pueden operar 2,5 veces más rápido debido a que los
electrones se desplazan más rápido que las cargas positivas ( huecos ).
LIGR
La tensión de umbral VT de un Canal P es alrededor de 2 V, mientras que en los

N es aproximadamente de 1 V. El Canal N comienza a conducir cuando:
VG  VS + VT
El canal P conduce cuando:
VG  VS - VT
La tensión de umbral disminuye 2 mW por cada grado centígrado de aumento, por

esto VT, se dice, es poco sensible a los cambios de temperatura.
Las ventajas de utilizar FETMOS son:

Menor tamaño, menor consumo de energía, facilidad y economía de fabricación y
elevada impedancia de entrada.
Sus desventajas son:

Menor velocidad y susceptibilidad a la rotura del óxido por efecto de campos
eléctricos fuertes.
7.2. COMPUERTA NOT CON NMOS:
+12 V
D
B
T1 NOT
S
1 X Y
Y X Y
NB NA
D NA NB
X
B
T1 trabaja como una resistencia debido a que su graduador está conectado aun
voltaje constante, siendo esta una de las ventajas de utilizar FETs, ya que no es
necesario la realización de resistencias en forma integrada.
Si en la entrada X tenemos un NB ( entre 0 y 1 V ), entonces T2 no conducirá y

la salida estará a través de T1 a un NA ( aproximadamente 12 V ).
T2 ha sido diseñado de tal forma que cuando en la entrada haya un NA ( entre 1,5
V y 12 V ), entonces se induzca el canal N en el transistor T2 y éste comience a
LIGR
conducir colocando la salida a tierra, o sea, a NB. La compuerta así obtenida es

una NOT.
7.3. COMPUERTA OR-NOT CON NMOS
+12 V
D A B C Y
B NB NB NB NA
T4
S NB NB NA NB
Y
NB NA NB NB
. . . .
D D D . . . .
A T1 B T2 C T3
B . . . .
B B
S S S NA NA NA NB
Si cualquiera de las entradas A, B o C está(n) en NA, el (los) transistor(es)

correspondiente(s) conducirá(n) y la salida estará prácticamente a tierra NB
(máximo a 0,8 V ).
Solamente cuando las tres entradas estén en NB, T1, T2 y T3 no conducirán y la

salida estará mínimo a +10 V, o sea, un NA.
7.4. COMPUERTA AND-NOT CON NMOS
En la siguiente figura se muestra el circuito de la compuerta AND-NOT lógica

positiva realizada con NMOS:
LIGR
+12 V
D
B
T4
S
Y
D
A T1 B
D
B T2 B
D
C T3 B
En la actualidad NMOS se emplea para realizar C.I. LSI y VLSI como: Memorias
RAM, microprocesadores, microcontroladores, etc.
LIGR
LOGICA METAL - OXIDO - SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARIA 85
8. LOGICA METAL-OXIDO SEMI-CONDUCTOR COMPLEMENTARIA CMOS
8.1. SERIES Y SUBFAMILIAS CMOS
Los C.I. fabricados con tecnologías CMOS se agrupan en las siguientes

subfamilias: [ ] [ ]
 CMOS estándar.
 CMOS de Alta Velocidad HC.
 CMOS Alta Velocidad compatible con TTL HCT.
 CMOS equivalente a TTL C.
CMOS estándar: Comprende principalmente los dispositivos que se designan

como 40xx ( 4012, 4029, etc. ) y 45xx ( 4528, 4553, etc. ). Existen dos series
dentro de los dispositivos estándar designados como la serie A y la serie B.
No todos los dispositivos de la serie A traen el sufijo en su denominación, por

ejemplo: 4011A, 4020, 4028A, etc. Los de la serie B siempre llevan el sufijo, por
ejemplo: 4029B, 4069B, etc.
La diferencia entre las series radica en que los CMOS B contienen una circuitería
interna de protección que reduce el riesgo de daño del dispositivo por el fenómeno
de descarga electroestática. Además los B tienen frecuencias de operación más
altas, tiempos de propagación mas cortos y mayor capacidad de salida ( fan-out ).
Las características generales más importantes de los CMOS son:
 Baja velocidad de operación. Pueden operar a frecuencias hasta de 10 MHz con

tiempos de propagación hasta de 60 nS por compuerta.
 Amplias márgenes de tensión de alimentación. Los de la serie A trabajan con

tensiones de alimentación entre +3 y +15 V y los de la serie B entre +3 y
+18 V. Debido a estos amplios rangos se pueden usar fuentes de alimentación
no reguladas.
 Niveles de voltaje desde 0 V hasta 0,3 V DD para el NB, y de 0,7 V DD a VDD

para el NA. Por ejemplo, para un V DD de 10 V, el NA estaría entre 7 y 10V y el
NB entre 0 y 3V.
 Alta inmunidad al ruido.
CMOS equivalente a TTL: Comprende los dispositivos designados como 74Cxx

y 74Cxxx. Son pin por pin y función por función equivalentes a los dispositivos TTL
correspondientes, en especial a los 74L. Conservan todas las características
LIGR
comunes a los CMOS estándares: Baja disipación de potencia, amplios márgenes

de voltaje ( como la serie B ), alta inmunidad al ruido, etc.
Es un 50% mas rápido que las series 40 y 45, pero disipan un 50% más de
potencia.
CMOS alta velocidad: Comprende los dispositivos designados como 74HCxx y

74HCxxx. Tienen las mismas características de entrada de los CMOS estándares y
son pin por pin compatibles con los dispositivos TTL LS correspondientes.
Emplea fuente de alimentación entre 2 y 6 V.
La serie HC ofrece velocidades de operación comparables a los de la serie 74LS
y superiores a los de las series 40, 45 y 74C. En los demás aspectos siguen siendo
similares a los 40 y 45, igual que sensibles al daño por electricidad estática.
CMOS de alta velocidad compatible con TTL: Comprende los dispositivos

designados como 74HCTxx y 74HCTxxx. Poseen las mismas características de
los HC, excepto que sus entradas son compatibles con los niveles lógicos de TTL.
Tienen la misma configuración de pines de los 74LS. Operan a partir de una fuente
de 5 V.
8.2. NIVELES LOGICOS Y PROTECCION CONTRA EL RUIDO
VOH = VDD - 0,01 VDD  VDD

VOL = 0,01 V  0 V
VIH = 0,7 x VDD
VIL = 0,3 x VDD
Donde VDD es el valor de la fuente de alimentación conectada entre los pines V DD y

VSS. Este último correspondería al pin GND de los TTL.
Obsérvese que el voltaje mínimo del nivel alto de salida es prácticamente igual al
valor de la fuente. De la misma forma el voltaje máximo de nivel bajo de salida es
casi igual a 0 V.
En el siguiente gráfico se ilustra la inmunidad al ruido: [ ]
Como se puede observar del gráfico, para un voltaje de alimentación V DD de 10V

CMOS estándar tiene una inmunidad cercana a los 3 V tanto para el NA como
para el NB.
La protección contra el ruido de los CMOS es muy superior a la de los TTL, esto
los hace excelentes para aplicaciones industriales donde son comunes los altos
niveles de ruido. Al hacer mas alto V DD, también aumenta la zona de inmunidad al
ruido.
LIGR
VDD
15 V VDD -- 0.01 = VOH
Protección contra Ruido NA
70% VDD = VIH
10 V
7V
30% VDD = VIL

3V
Protección contra Ruido NB
0V 0.01 V = VOL
3V 5V 10 V 15 V
8.3. COMPUERTA NOT
Los circuitos CMOS utilizan los dos tipos de FETs para realizar las compuertas
lógicas. Los graduadores de los FETs se unen para formar la entrada y los dos
drenajes forman la salida: [ ]
VDD = 10 V
B P NOT
D
1 X Y
X Y X Y
NB NA
G D NA NB
B
N
S
VSS = 0 V
Si aplicamos un NB (0 V ) a X , el transistor canal N estará bloqueado porque

VGS es inferior a VT. En cambio el canal P está conduciendo porque su graduador
es más negativo que VT. La salida estará unida a V DD a través del canal P. Un
FET MOS en conducción presenta una caída aproximada de 0,01 V entre drenador
y surtidor, es decir la salida estará prácticamente a 10 V.
Canal N: 0 V  0 V + 1 V No conduce.
Canal P: 0V  10 V - 2 V Conduce.
Cuando la entrada está en NA (10 V ) el canal N conduce porque V GS es mayor

que VT. El canal P estará bloqueado porque V GS es menor que VT. Por tanto la
LIGR
salida se encuentra a tierra ( V SS ) y estará en NB. Este NB debido de a la caída

de drenador a surtidor será de 0,01 V.
Canal N: 10 V  0 V + 1 V Conduce.
Canal P: 10V  10 V - 2 V No conduce
8.4. COMPUERTA OR-NOT
Si hay por lo menos un NA en las entradas, entonces el canal P conectado a ésta(s)

se bloqueará y el N conducirá, de ésta forma la salida quedará conectada a tierra y
tendremos un NB (Observar la figura siguiente). [ ]
Solamente si las dos entradas están en NB los transistores canal N se bloquearán y

los canal P conducirán conectando la salida a V DD.
El anterior circuito pertenece al 4001B de Motorola (14001) y realiza para la lógica
positiva una compuerta NOR.
Los diodos D1 y D2 constituyen uno de los métodos usados para proteger a los
CMOS de las descargas eléctricas.
VDD
S
B
T1
D2 D1
D
A
S
B
A B Y
T2 NB NB NA
D
Y NB NA NB
B NA NB NB
D D NA NA NB
T4 B B
T3
S S
VSS = 0 V
8.5. COMPUERTA AND-NOT
LIGR
VDD
A D2
S T1 S
B B A B Y
T2
NB NB NA
D1 NB NA NA
D D Y
NA NB NA
B
D NA NA NB
B
T3
S
D
B
T4
S
VSS = 0 V
8.6. CARACTERISTICAS DE LOS CMOS [ ] [ ]
A. Corriente de corto circuito de salida: El corto circuito de salida de un MOS a

VDD o a VSS puede hacer que la disipación exceda el límite de seguridad de 200
mW en algunos elementos de alta corriente como el 4007.
Las salidas de los dispositivos pueden conectarsen directamente a V DD o VSS
siempre y cuando:
VDD - VSS  5 V
B. Fuentes de alimentación y picos de corriente: Ya habíamos dicho que los

CMOS estándar podían funcionar con fuentes de alimentación para la serie A
entre 3 y 15 V y para la serie B entre 3 y 18 V, conectada entre los pines
VDD y VSS.
En realidad no importa los valores de voltajes que empleemos, siempre y cuando

VDD sea mas positivo que VSS y que la diferencia de potencial esté entre 3 y
15 o 3 y 18 V según sea la serie.
Debido a éstas amplias márgenes y a la baja disipación de potencia los CMOS

pueden utilizar fuentes de voltajes no reguladas y baterías. Por esto es la
tecnología empleada para la realización de calculadores, relojes, y demás
instrumentos portátiles.
Los picos de corriente se producen durante la conmutación debido a que juntos

transistores, el N y el P se encuentran conduciendo durante un breve instante
en la transición entre los niveles lógicos.
LIGR
Para frecuencias altas de conmutación hay que emplear condensadores de

desacoplo. En la práctica se instala uno por cada C.I. de 0,01 F lo más
cerca posible a los pines de alimentación.
C. Disipación de potencia: En régimen estático ( no conmutación ) la disipación

de potencia es muy baja debido a que las entradas CMOS son en realidad un
condensador. Una vez cargado o descargado las entradas solo permiten una
mínima corriente de fuga. [ ]
Para el caso del 14001 esta corriente es igual a 5 nA con V DD = 5 V. La

disipación de potencia del 14001 en éstas condiciones ( régimen estático )
solo es de 25 nW por C.I.
En la medida que aumenta la frecuencia, la disipación dinámica P D ( en

conmutación ) va predominando como se muestra en el siguiente gráfico:
Temperatura Ambiente (T A ) =25 ºC
6
10
VDD =15 V
5
10 10 V
5V
4
10 5V
3,5 V
3
10
2
10
10 Capacitancia de carga
CL =50 pF
1 CL =15 pF
2 3 4 5 6 7 8
10 10 10 10 10 10 10
Frecuencia de entrada ( f ) , Hz
Cuando la frecuencia se hace superior a 1 MHz predomina la disipación

dinámica.
Esta disipación es debida a la carga y descarga de la capacidad externa de
carga CL ( entradas CMOS por ejemplo ) y de la capacidad interna del
circuito.
La disipación en régimen dinámico se calcula de la siguiente forma:
PD = V x I = V x Q/T, pero Q = V x CL y f = 1/T
entonces: PD = CL x V2 x f por integrado. Donde:

CL - número total de Entradas conectadas al integrado.
LIGR
Por ejemplo, si VDD = 5 V, CL = 10 pF y f = 10 MHz, entonces PD = 2,5 mW.
D. Impedancias: La impedancia de entrada en cualquier estado es

aproximadamente de 1012  en valor típico. La capacidad de cada entrada es
de 5 pF. Las impedancias de salida varían de un dispositivo a otro,
normalmente son iguales en juntos estados y de 1 K o menos.
E. Tiempos de propagación: Debido a la alta impedancia de salida éstos tiempos

son largos. Para el 14001 t PLH = tPHL = 60 nS con VDD = 5 V y 15 nS con VDD
= 10 V y una carga de 15 pF para juntos casos.
Al aumentar la tensión de alimentación aumenta la velocidad de conmutación,

debido a que las salidas cargarán más rápido los condensadores de las
entradas haciendo más rápidas las conmutaciones.
La aparición de dispositivos CMOS sobre sustrato de zafiro SOS ha

aumentado la frecuencia de funcionamiento hasta 30 MHz. La frecuencia de
operación máxima se haya de la misma forma que para los dispositivos TTL.
8.7. CURVAS DE TRANSFERENCIA
Temperatura Ambiente, T A
16 VDD =15 V
14 b
a
12
VDD =10 V
10
b
8 a
VDD =5 V a T A = +125 ºC
6 b T A = - 55 ºC
b
4 a
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VENTR, V
Nótese que en la región de transición las curvas son prácticamente verticales, esto
redunda en una alta inmunidad al ruido debido a que no se pierde un rango largo de
valores de voltaje para la conmutación.
8.8. COMPUERTAS Y ENTRADAS NO UTILIZADAS
LIGR
Todas las entradas no utilizadas, incluyendo las de las compuertas sobrantes, deben
ser llevadas a VDD o VSS según convenga desde el punto de vista lógico.
Debido a la alta impedancia de las entradas no se garantiza ningún nivel lógico en
aquellas que se dejen “ flotando “ ( sin conexión eléctrica ). En ellas pueden
aparecer voltajes altos que inducen ruido y no permitirán el funcionamiento normal
del dispositivo.
8.9. EFECTO DE CARGA Y FAN-OUT
Debido a que las entradas CMOS son en realidad un condensador, en régimen

estático ( no conmutaciones ) ellas solo permiten una pequeña corriente de fuga
igual a 0,01 nA tanto para el NA, como para el NB. Para efectos prácticos se toma
1 A. [ ] [ ]
Por esto el fan-out de los CMOS no está limitado por la capacidad de corriente de
salida, sino por el deterioro de los tiempos de conmutación.
VDD
IOH =0
S IIH =0
D
NA IIL =0
X
Y
G D
NB
IOL =0 IIH =0
S
VSS
IIL =0
Régimen Estático
En régimen dinámico ( en conmutación ) la carga y descarga de los condensadores

de entrada requiere de tiempos relativamente largos debido a la alta impedancia de
salida que reduce las corrientes de carga y descarga. Observar la siguiente gráfica.
Cada entrada CMOS representa una capacitancia típica de 5 pF que al

conectarsen a una salida quedan en paralelo (por esto el valor de C L final para una
Salida es la suma de la capacitancia de cada Entrada conectada a Ella),
aumentando de ésta forma los tiempos de conmutación. Esto se debe a que el
producto RC se hace mayor.
Por ejemplo, para el 14001 los retardos de propagación se hallan según la siguiente
fórmula tomada del Manual de C.I. CMOS de Motorola:
con VDD = 5 V: tPLH = tPHL = 1.8 nS/pF x CL + 33 nS
LIGR
Donde: CL  Valor de la capacitancia de carga.
VDD
S
NB NA
D
X ICARGA
Y
G D
IDESCARGA
S
NA NB
VSS
Régimen Dinámico
Teóricamente se ha tomado un fan-out de 50, que tiene carácter más comparativo

que práctico. En la realidad la cargabilidad de salida se determina de acuerdo a la
frecuencia a la cual vaya a trabajar el diseño.
En general, los CMOS son 10 veces más sensibles a las cargas capacitivas que
los elementos TTL por cuanto su impedancia de salida es aproximadamente 10
veces mayor.
8.10. COMPUERTAS CON TERCER ESTADO
Si en G tenemos un NB (observar el siguiente gráfico), entonces se crea el canal

P en T1 y éste conducirá. El nivel aplicado a G se invierte y llega al graduador
de T4 un NA, que crea el canal N necesario para que éste conduzca.
Como T1 y T4 conducen, el valor de voltaje en la salida depende de la entrada X.
Si en G tenemos un NA tanto T1 como T4 se bloquearán y sin importar el

estado de la entrada A en la salida tenemos un tercer estado o estado de alta
impedancia.
La compuerta NOT utilizada en el circuito también es realizada con CMOS.
LIGR
VDD
S
B
T1 G X Y
D
NB NB NA
S NB NA NB
B NA NB XX
T2
D
NA NA XX
X Y
D
B
T3
X 1 Y
S
G
D
G 1
B Simbolo Lógico
T4
S
VSS
8.11. BUFFERES Y COMPUERTAS SCHMITT TRIGGERS
Schmitt Triggers: Para las series 40, 45 y 74C con una tensión de alimentación
de 9 V los umbrales de conmutación tienen los siguientes valores:
 Umbral para ir al NA VTH : 5,8 V

 Umbral para ir al NB VTL : 3,8 V
Ejemplos de compuertas Schmitt Triggers son: 4093B, 40106, 74C14, etc.
Los bufferes son compuertas con mayor manejo de corriente. Ejemplos son :
4049B, 4050B, ..... estos dispositivos presentan las siguientes características:
VDD 5V 15 V
IOH, mA 2,5 10
IOL, mA 6 40
8.12. CARACTERISTICAS DE LAS SUBFAMILIAS CMOS
Los valores de voltaje para los niveles lógicos se muestran en el siguiente gráfico.
Los dispositivos de la serie 74HC operan con tensiones de 2 a 6 V y los rangos de
voltaje para el NA y el NB se definen en forma similar a las series 40 y 74C. Las
series 40 tipo B y 74C operan con fuente de alimentación entre 3 y 18V.
LIGR
SUBFAM. VDD VIH VIL VOH VOL

40B, 74C 10 7,0 3,0 9,95 0,05
74HC 5 3,5 1,0 4,9 0,1
74HCT 5 2,0 0,8 4,3 0,3
Todos los valores se encuentran en voltios.
Los dispositivos de la serie 74HCT operan a partir de una fuente de 5 V. Los NA

y NB de entrada de esta subfamilia se definen de la misma manera que para TTL,
y los NA y NB de salida son similares a los de las demás dispositivos CMOS.
La aplicación más importante de los HCT es proporcionar una interface directa entre
los TTL y los CMOS.
Las características de corriente con VDD = 5 V son:
SUBFAM. IOH IIH IOL IIL

40, 74C 400 A 1 A 400 A 1 A
74HC 4 mA 1 A 4 mA 1 A
Descargas electromagnéticas: La serie B contiene circuitería de protección

contra las descargas electromagnéticas. Esta circuitería está compuesta
esencialmente por redes de diodos.
El fenómeno de las descargas electromagnéticas consiste en la creación de altos

voltajes en las superficies de los materiales aislantes por efecto de fricción o
frotamiento.
La sensibilidad de los MOS a este fenómeno se debe a la alta impedancia de

entrada que los caracteriza.
Esta alta impedancia permite que se desarrollen voltajes elevado, capaces de
destruir la delgada capa de óxido aislante de los graduadores.
La idea básica para proteger éstos dispositivos es mantener los pines a un mismo
potencial y evitar la manipulación más de lo necesario. Los MOS vienen,
generalmente, en espumas y fundas antiestáticas o espumas recubiertas de papel
aluminio.
LIGR
9. LOGICA ACOPLADA POR EMISOR Y DE INYECCION INTEGRADA
9.1. LOGICA ACOPLADA POR EMISOR
Posee otros nombres tales como Lógica en Modo de Corriente ( CML ), Lógica de
Control de Corriente ( CSL ) y Lógica no saturada.
Emplea para su realización transistores bipolares que trabajan solamente en región

activa y de corte, evitando la saturación y haciendo, de ésta forma, más rápidas las
conmutaciones debido a que no se presentan los retardos por almacenamiento de
carga.
La lógica ECL es la más rápida de las disponibles actualmente, alcanzando

tiempos de conmutación de menos de 1 nS por compuerta, sin embargo la ECL no
se ha acreditado popularmente como la TTL o la CMOS debido a que es más
costosa, más difícil de enfriar e interconectar, además siempre se ha considerado
que tiene menos inmunidad al ruido.
Se han desarrollado varias generaciones de ECL, llegando a ser más rápidos con
cada generación, pero aumentando el consumo de energía. La primeras
generaciones requerían de tres voltajes para su funcionamiento.
Esta lógica utiliza una fuente de alimentación típica de:
VEE - VCC = -5,25 V
Siendo normalmente VCC el terminal a tierra ( 0 V ).
Los niveles lógicos son aproximadamente:
VH = -0,9 V VL = -1,75 V
En contraste con los TTL y los CMOS estos dispositivos utilizan tensiones
negativas.
El principal productor de ECL es Motorola, aunque existen otros fabricantes

importantes como Fairchild. La siguiente tabla hace un resumen general, con las
características más importantes de las series 10000, 100000, MECL III.
10 K 100 K MECL III

Tiempos de propagación
por compuerta, nS. 2 0,75 1
Velocidad de conm. para el flip-
flop D, MHz. 125 500 500
Disipación de potencia por
compuerta, mW. 25 65 60
LIGR
LOGICA ACOPLADA POR EMISOR Y DE INYECCION INTEGRADA 97
Actualmente se utilizan para realizar dispositivos LSI y MSI de alta velocidad. El

diseño y la interconexión de ellos es bastante complejo y requiere de un estudio muy
detallado, ya que tan solo la longitud del cableado puede provocar problemas de
sincronismo entre los dispositivos, sin hablar de la baja inmunidad al ruido.
9.2. LOGICA DE INYECCION INTEGRADA
La I2L representa un esfuerzo en la utilización de la tecnología bipolar para

mantener los niveles de integración y consumo de potencia de los MOS
conservando la alta velocidad de los transistores bipolares.
Comparados con los MOS, la tecnología bipolar permite mayor velocidad, pero
requiere de resistencias, el tamaño del transistor es mayor y ocupa más espacio en
el semiconductor para su realización, además su disipación de potencia es alta.
Para solucionar éste problema se han realizado varios diseños tendientes a usar el
mismo espacio de un transistor para dos o más elementos.
La I2L no está concebida para realizar interconexiones entre compuertas como por
ejemplo TTL, pero se utiliza en grandes arreglos LSI y VLSI.
LIGR
PARTE III SINCRONIZACION E INTERFACES
10. CIRCUITOS DE PULSOS
10.1. PULSOS
Existen dos tipos de dispositivos lógicos:
Aquellos en los cuales los estados lógicos de las salidas dependen exclusivamente
de los estados en las entradas, es decir, ante determinada combinación en las
entradas siempre habrá los mismos valores en las salidas. La lógica de este tipo de
dispositivos no varía con el tiempo y recibe el nombre de lógica combinacional.
Ejemplos de dispositivos combinacionales son: Los codificadores, decodificadores,
multiplexores, etc., que serán estudiados en cursos más avanzados.
Y aquellos donde el estado de las salidas no solo dependen del estado de sus
entradas, sino que además dependen de los estados anteriores. La lógica de este
tipo de dispositivos varía con el tiempo y por esto recibe el nombre de lógica
secuencial. Ejemplos de este tipo de dispositivos son: Flip-flops, contadores,
registros, autómatas, microprocesadores, etc., que también serán estudiados más
adelante.
Los dispositivos secuenciales para su funcionamiento necesitan de una señal que

les permita la sincronización y cambio de estado a su debido tiempo en las salidas.
Esta señal recibe el nombre de señal de pulsos.
Un pulso es una señal que realiza una transición de un estado al otro y regresa al
estado inicial después de cierto tiempo.
V Flanco de
NA bajada NA NA
NB NB NB
Pulso activo en alto Pulso activo en bajo
Si los cambios se producen en forma continua entonces recibe el nombre de tren de

pulsos. Al instante en que la señal pasa de NA a NB se le conoce como flanco de
bajada y al caso contrario ( NB a NA ) como flanco de subida.
A los dispositivos generadores de pulsos se le llama multivibradores. Existen cuatro

tipos: Los semi-monoestables o multivibradores de flancos, los monoestables o one-
shot, los astables o relojes y los osciladores controlados por voltaje. En este curso
solo estudiaremos los monoestables y los astables. Información concerniente a los
LIGR
CIRCUITOS DE PULSOS 99
semi-monoestables y a los osciladores controlados por voltaje se puede obtener de

las revistas de electrónica digital de la CEKIT.
10.2. CARACTERISTICAS DE LOS PULSOS
Debido a que los dispositivos digitales reales no cambian de estado en tiempo igual
a cero, se hace imposible obtener señales lógicas ideales. Por esto los pulsos
tienen en realidad la siguiente forma:
90 %
10 %
t
ts tb
Donde: tS  tiempo de subida

tb  tiempo de bajada
Las características de los pulsos son:
A. Frecuencia, f: Indica la cantidad de veces que se repite la onda básica en la

unidad de tiempo.
B. Periodo, T: Es el tiempo que dura un ciclo de la onda.
C. Ciclo útil, D: Se expresa en porcentaje y es la relación entre el ancho del pulso y
el periodo.
Ancho de pulso
D =  100
T
D. Amplitud, V: Es el valor de voltaje que toma la onda en NA.
10.3. MULTIVIBRADORES ASTABLES
Es un dispositivo que tiene dos estados en la salida ( NA y NB ) no estables. La

salida oscila contantemente de nivel a nivel a una determinada frecuencia,
produciendo aproximadamente una onda cuadrada ( ciclo útil de 50% ).
Los astables en C.I. están disponibles en ECL, CMOS y TTL. Ejemplos de ellos
son el 555, 7555, 4047, 4060, etc.
El símbolo lógico es:
LIGR
Los multivibradores astables reciben también el nombre de relojes. Ellos pueden ser
realizados además con compuertas lógicas, con cristales de cuarzo, o
implementados con otros métodos.
El C.I. 555 se emplea muy frecuentemente en los diseños debido a su alta

estabilidad, bajo costo y facilidad de adquisición en el mercado, por esto lo
estudiaremos detenidamente cuando funciona como astable y como monoestable.
Las características eléctricas del LM555 de National Semiconductor son:
 Rango de voltaje de alimentación: entre 4,5 a 18 V

 Máxima disipación de potencia: 760 mW
 Consumo de corriente sin carga y V = 5 V: 3 a 5 mA
 VOL = 0,25 V con V = 5 V
 VOH = 3 V con V = 5 V
 Máxima corriente de salida. 200 mA
La distribución de pines y bloques del 555 es la siguiente:
LIGR
+V
8
Ra
6 RS
THR
C1 3
5 R Q B1 OUT
CNT
Rb
S Q
C2
2 RST
TRG
Rc
4
7 RST
DSC
T1
1
GND
Internamente el 555 se compone de los siguientes elementos: Dos comparadores

C1 y C2, un flip-flop RS, un buffer B1, un transistor T1 y tres resistencias Ra, Rb
y Rc.
Para que el 555 trabaje como astable es necesario agregar un RC externo que
permita este funcionamiento, como se muestra en el siguiente esquema:
LIGR
+V
R1 Ra
6 RS
C1 3
5 R Q B1 OUT
R2 Rb
S Q
C2
2 RST
Rc
4
7 +V
C
T1
El tiempo de carga se evalúa según:
Tc = 0,693 ( R1 + R2 ) C
El proceso de descarga se realiza a través solo de R2 y durante este tiempo la

salida Q permanece en NB.
Td = 0,693 x R2 x C
Tc
VSALIDA
Vc
2/3 de +V
1/3 de +V
T = Tc + Td f = 1 / T
LIGR
10.4. MULTIVIBRADORES MONOESTABLES
Un monoestable o one-shot genera un pulso de salida de corta duración en

respuesta al flanco de subida o de bajada de una señal de disparo aplicada a la
entrada. Los multivibradores monoestables también son conocidos como
temporizadores.
Igual que los astables, necesitan un circuito RC para su funcionamiento. Existen

dos tipos de monoestables: No redisparables y redisparables.
El funcionamiento de ellos es el mismo, fu diferencia consiste en la forma en que se

comportan ante un nuevo flanco de disparo en su entrada.
Los no redisparables una vez activados, y mientras estén en ese estado, no

reaccionan a nuevos flancos de disparo en su entrada. Los redisparables inician un
nuevo ciclo cada vez que aparece una nueva señal de activación, sin importar el
estado en que se encuentre.
Pueden ser realizados con compuertas lógicas y con C.I. especializados. Entre los
C.I. más utilizados están:
No redisparables: 74121, 74221, 74C221.

Redisparables: 74122, 74123, 9601, 4098, 4047, 4528.
Para que el 555 trabaje en régimen monoestable se requiere adicionar un RC

externo que se muestra en la siguiente figura:
LIGR
+V
R2 R1
Ra
6 RS
C1 3
5 R Q B1 OUT
Rb
S Q
C2
2 RST
Rc
4
+V
7
S C T1
El tiempo que tarda el monoestable en regresar a su estado inicial se calcula según

la siguiente fórmula:
T = 1,1 x R1 x C
LIGR
INTERFACES 105
11. INTERFACES
Se entiende por interface la conexión correcta de dos dispositivos no compatibles

entre sí. Si estos dispositivos tienen naturaleza electrónica, entonces una interface
entre ellos hará compatibles sus voltajes y corrientes de entrada y de salida.
En general las interfaces se dividen en lógicas y reales. Las primeras se refieren a

aquellos circuitos necesarios para poder hacer conexiones entre C.I. con
dispositivos tipo interruptores, LEDs, displays, relevadores, zumbadores, sensores,
etc.
11.1. INTERFACES ENTRE FAMILIAS LOGICAS
A. TTL a CMOS con fuente de 5 V: En este caso deben hacerse compatibles

solo los niveles lógicos, esto se logra conectando una resistencia entre +5 V y
la salida TTL. Ejemplo:
5V
Vcc R 1K  VDD
1 1 CMOS
TTL 40B, 74C
estándar
GND, V
R = 330  ... 15 K
Para interfasar TTL LS con CMOS la resistencia R varía entre 1,2 K  y 15

K, siendo típicamente igual a 2,2 K.
Otra forma es utilizando una compuerta de alta velocidad 74HCT, que han sido
diseñadas con este fin. Las entradas de los dispositivos HCT tienen los
mismos niveles de voltaje de salida de los TTL y los mismos de salida de los
CMOS. Ejemplo:
5V
Vcc VDD VDD
1 1 1 CMOS
40B, 74C
TTL
74, 74LS
74HCT34
LIGR
B. TTL a CMOS con voltaje de alimentación diferente: Se puede emplear un

dispositivo TTL de colector abierto de alto voltaje, o también, puede ser un
transistor en configuración de emisor común.
5V 9V
Vcc VDD 10 K  VDD

1 1 1 CMOS
40B, 74C
TTL
74, 74LS
7406
Con transistor:
9V
5V 10 K  R2
R1 CMOS
1
2N3904 40B, 74C
1K 
TTL
74, 74LS
El transistor y las resistencias R1 y R2 desplazan los niveles de voltaje de la

salida TTL a los necesarios para la entrada CMOS.
C. CMOS a TTL con fuente de 5 V: Una salida CMOS ( 40, 74C ) puede operar
directamente una entrada 74LS o 74L, ya que las corrientes requeridas son
suministradas o recibidas por los CMOS.
Sin embargo se pueden emplear otros métodos más confiables para organizar
estas interfaces. Debido a su bajo manejo de corriente las salidas CMOS no
son capaces de manejar entradas TTL estándar 74S, 74H.
Un método más eficiente consiste en utilizar los C.I. 4001B y 4002B controlan
una entrada TTL estándar, esto quiere decir que la conexión se puede hacer en
forma directa.
Los bufferes 4049 y 4050 pueden manejar en forma directa mínimo una
entrada 74, una 74H, 14 74L, 7 74LS, 1 74S.
LIGR
INTERFACES 107
Es necesario aclarar que en la práctica la capacidad de manejo de las salidas de

los C.I. anteriores se debe determinar por las corrientes de salida y de entrada
para los NA y NB de los dispositivos que se deseen interfasar.
D. CMOS a TTL con voltaje de alimentación diferente: Se puede realizar

empleando un diodo:
5V
9V
68 K 
1 1 TTL
74LS
CMOS 1N270
40, 74C
El diodo bloquea el voltaje de la salida CMOS cuando este está en NA y R

coloca la entrada TTL en NA.
La forma más empleada por su sencillez consiste en emplear los bufferes 4049
o 4050. Un ejemplo con el 4050 se puede observar en la siguiente figura:
Estos dispositivos en sus entradas pueden aceptar voltajes superiores a los de

la alimentación. Como se puede ver e en el circuito el 4050 recibe voltajes de
entrada hasta de 9 V y suministra entre 0 y 5 V en su salida.
9V
5V
1 1 1 TTL
74, 74LS
CMOS
40, 74C
4050
11.2. INTERFACES REALES
- Con diodos LEDs: Los diodos emisores de luz, LEDs, se utilizan ante todo con
el fin de monitorear señales digitales o para transmitir información.
LED
LIGR
Cátodo Anodo
Símbolo Lógico
Para su conexión se deben tener en cuenta los siguientes parámetros suministrados

por los fabricantes: VF Y IF.
VF es la caída de voltaje entre los terminales del LED en PD y I F es la máxima
corriente que puede circular por él en PD, conocida también como corriente
nominal.
La cantidad de luz es proporcional a la corriente circulante, pero esta no puede

exceder IF, por esto casi siempre se hace necesario conectarlos en serie con una
resistencia limitadora. El valor de esta resistencia se halla según la siguiente
fórmula:
 VCC - VF
RS =
IF
Un valor mínimo de RS es 220  y típico 1 K. Ejemplos:
Figura A Figura B
+5 V +5 V
CMOS
CMOS 1
1
Interface de LED con salidas CMOS y V DD = 5 V. En A el LED enciende cuando

la salida está en NA, en el caso de B sucede lo contrario, es decir enciende cuando
la salida está en NB.
LIGR
INTERFACES 109
Figura A Figura B
+9 V +9 V
1K 
CMOS
1
CMOS
1
1K 
Interface de LED con salida CMOS y fuente de alimentación de 9 V.
Figura A Figura B
+5 V
+5 V
1K 
TTL
1
TTL
1
1K 
Interface de LED con salida TTL. En A el LED enciende cuando la salida está
en NA, y en B cuando está en NB.
Si aparte de monitorear la salida se hace necesaria la conexión de esta a entradas

de compuertas, entonces se debe aumentar el valor de R para limitar el consumo
de corriente, o bien si no es posible, entonces emplear un transistor como
amplificador. Ejemplo:
LIGR
Figura A
+5 V
220 
Salida
CMOS
o
TTL
1
Entr 2N3904
33 K 
Figura A
+5 V
220 
Salida
CMOS
o
TTL
1
Entr 2N3906
33 K 
En A el transistor NPN conduce cuando la entrada ( Entr ) está en NB. En este

caso la salida estará en NB y la corriente circula de +5 V, por R, LED, base-emisor
y a tierra. El LED encenderá. Cuando la entrada está en NA el transistor pasa a
corte, por la salida circula una corriente de poca magnitud y el LED permanece
apagado. En este momento habrá un NA en la salida.
En B el transistor PNP conduce cuando la entrada está en NA. En la salida

tenemos entonces un NB y el LED encenderá.
- Displays 7 segmentos: Uno de los códigos más empleados para la

visualización de cantidades numéricas es el BCD ( Binary Coded Decimal -
Codificación Binaria de Decimales ). Este código asigna a cada dígito decimal una
combinación binaria de 4 cifras.
LIGR
INTERFACES 111
Binario Decimal
0000 0
0001 1
0010 2
. .
. .
1001 9
Para la entrada de este tipo de información se emplea generalmente un codificador

de 10/4, también conocido como DEC/BCD, debido a que convierte de decimal a
BCD.
+5 V
5K 
0 DEC / BCD
D
...1 C
...2 B
...3 A
...4
.
.
.
...9
Para la visualización se emplean displays 7 segmentos controlados por

decodificadores BCD/7-segmentos.
BCD / 7 d
D a
C b f b
B c Display
A d g 7- segmentos
e
f e c
g d
Existen dos tipos de displays 7-segmentos: Los realizados con diodos LEDs y los
realizados con cristal líquido LCD.
Los fabricados con LEDs pueden ser de dos tipos: ánodo común o de cátodo
común, como se muestra en la siguiente figura. Los displays de ánodo común
requieren un decodificador con salidas en lógica inversa, es decir, un NB enciende
el segmento conectado a ella.
LIGR
a a
a a
b b
b b
. . .
.
. . .
.
. . .
.
g g
g g
Cátodo Común Anodo Común
Para interfasar este tipo de displays se deben tener en cuenta los mismos cuidados
explicados para la conexión con LEDs.
Los displays LCD operan bajo un principio diferente al de los de LEDs. Cada
segmento está construido de un fluido viscoso, que normalmente es transparente e
invisible a la vista humana, pero que se opaca cuando se energiza mediante un
voltaje de corriente alterna de poca magnitud y de baja frecuencia.
El voltaje es, generalmente, una onda cuadrada de 3 a 15 V de amplitud y de 25 a
60 Hz. Se aplica entre el pin de acceso al segmento y el llamado backplane, que es
el común a todos lo segmentos. Ejemplo:
30 HZ
+9V
1 =1 BP
a
1 =1
b
1 =1
c 10 K 
1 =1
d
0 =1
e
0 =1
f
1 =1
g
Existen otros tipos de presentadores visuales como las matrices de puntos, que
también pueden ser realizados con LEDs o con cristal líquido LCD.
LIGR
INTERFACES 113
- Interruptores electromecánicos: Se encuentran en el mercado diferentes tipos

de interruptores: Pulsadores, de 3 posiciones, deslizantes, de codillo, dipswitch, etc.
Ejemplos:
+5 V +5 V
S
1 R1 R1 R2
1 CMOS
R2
TTL 100 K  100 K 
S
10 K  330 
Se pueden emplear tanto para CMOS como TTL.
Estos ejemplos son sencillos, pero son sensibles al fenómeno conocido como
rebote. Debido a su funcionamiento mecánico los contactos de un interruptor
rebotan varias veces antes de cerrarsen definitivamente, provocando una serie de
pulsos que hacen que los circuitos oscilen durante un tiempo determinado.
Dispositivos tales como flip-flops, contadores, registros, etc. susceptibles a pulsos

resultan afectados y su funcionamiento será errado debido al fenómeno de rebote.
Para este tipo de dispositivos se deben organizar interruptores antirebote, como los
expuestos a continuación:
+9 V
+5 V
10 K  4,7 K 
100 K  1
& Salida
S S
0,1 uF 4093
&
10 K  7400
+5 V
En el caso que el interruptor a conectar sea un pulsador, entonces se puede emplear

un 555 en configuración de monoestable. Existen una gran variedad de
conexiones antirebote de interruptores de todos los tipos, para mayor información se
pueden consultar el curso de Electrónica Digital de la Cekit.
- Lámparas y zumbadores de baja potencia: Las lámparas se emplean como

elementos de iluminación y monitoreo en muchas aplicaciones como linternas,
iluminación de mensajes en vehículos, aviones, electrodomésticos, etc. Para
conectar este tipo de dispositivos se pueden emplear transistores de amplificación.
LIGR
+5 V
5V 50 mA
TTL 1
o 2N3904
CMOS 1 K
Los zumbadores se utilizan como anunciadores sonoros de bajo consumo. Tienen

aplicación en relojes, alarmas, buscapersonas, etc. Absorben entre 3 y 5 mA
cuando suena. Una salida TTL estándar puede manejar directamente un
zumbador.
Tienen polaridad, que debe respetarse para su normal funcionamiento.
+5 V
1N4004
TTL 1
o 2N3904
CMOS 2,2 K 
El diodo evita que los picos de voltaje generados por el zumbador se rieguen en
forma de ruido y afecten la operación de los demás C.I. conectados a la misma
fuente.
- Relevadores: Son dispositivos electromecánicos muy utilizados en control para

activar o desactivar cargas. Los constituyen una bobina y varios contactos, unos
normalmente abiertos NA y otros normalmente cerrados NC.
NC
Común
NA
Bobina
LIGR
INTERFACES 115
Cuando se hace circular corriente por la bobina los contactos NA se cierran y los
NC se abren. En el siguiente ejemplo se expone una forma de interfasar
relevadores a salidas lógicas TTL o CMOS.
+5 V NC
Común
1N4004
NA
Relé 5 V 500 
TTL 1
o 2N3904
CMOS 2,2 K 
Este circuito se puede emplear para relevadores que necesiten menos de 30 mA

para energizar la bobina.
- Par optoacoplador y tiristor: El par optoacoplador y tiristor se utiliza para

interfasar señales de baja potencia en circuitos de alta, ofreciendo un completo
aislamiento eléctrico entre los dispositivos.
Los tiristores pueden considerarse interruptores de estado sólido con tres o más
uniones PN. Los más empleados en control son los SCR y los triacs.
Los CSR, rectificador controlado de silicio, es un dispositivo de tres uniones

semiconductoras.
Cátodo
Cátodo
N
Compuerta G
P G
P Anodo
La función de la compuerta es controlar el inicio de la conducción en el SCR. Una

vez aparece la corriente de ánodo a cátodo puede desactivarse la compuerta y el
SCR continuará conduciendo. Los SCR se utilizan para controlar circuitos de
corriente continua.
LIGR
Los triacs permiten conducir sin importar la polaridad del voltaje de carga en el
circuito principal, y se mantienen en este estado mientras exista la corriente de
graduador.
La corriente de graduador puede ser positiva o negativa para activar el triac. Se
emplean para controlar circuitos de corriente alterna.
Term. 1 Compuerta
MT1
G
N N
Compuerta
P
P
MT2
P
N
Term. 2
Un ejemplo de triac es el TIC263 para 25 A con tensiones entre 200 y 600 V ca.
de Texas. Sus datos técnicos son:
VDR M: TIC263B = 200 V

TIC263D = 400 V
TIC 263E = 500 V
TIC263M = 600 V
ITS M = 25 A
IGTN = 50 mA corriente mínima para activar el triac.
MT1
TIC
MT2
263
G
Los optoacopladores también son conocidos como optoaisladores o

fotoacopladores. Se utilizan para acoplar señales de un circuito a otro por medio de
un rayo de luz, proporcionando un completo aislamiento eléctrico entre ambos.
Son compatibles con las compuertas lógicas, poseen el mismo tamaño de estas y
son muy confiables. Ejemplos de optoacopladores son:
LIGR
INTERFACES 117
Colector
Anodo
5
1
2N26
Salida con fototransistor

Cátodo 2 4 Emisor
6
Base
Anodo
5 Colector
1
2N26
Salida con fotodarlington

Cátodo 2
6 4 Emisor
Base
Anodo MT1
6
1 MOC3010
Salida con fototriac
Cátodo 2 4
MT2
Los parámetros eléctricos de voltaje y corrientes se encuentran en las fichas

técnicas de los manuales de elementos ópticos.
A continuación veremos algunos ejemplos de empleo del par optoacoplador tiristor.
+5 V
10 K 
2,2 K 
4N26 5
24 V 1 1
CC
TTL o CMOS
2 4
6
LIGR
El optoacoplador convierte un voltaje de 0 V en un NA de 5 V, y un voltaje de 24

V cc en un NB de 0 V.
56 K  +5 V
4N33
1
115 V
TTL o CMOS
35 uF
1N4004
470 
Base
Este circuito convierte 115 V ca a un NA de 5 V, y 0 V en un NB de 0 V. Se

pueden utilizar para monitorear una línea de 115 V corriente alterna.
5V
1K 
220  Rcarga
2N6154 39 
TRIAC 115 V
TTL
o 0.01 uF
CMOS 1 G 60 HZ
fusible
MOC3010
Rcarga puede ser una lámpara de 100 W, o cualquier otro artefacto que trabaje con
115 V ca, 60 Hz y que consuma menos de 100 W.
Un NA TTL o CMOS activan el circuito de 115 V ca, y un NB hará que el triac
funcione como un interruptor abierto.
LIGR
DISEÑO FUENTE DE ALIMENTACION 119
PARTE IV FUENTE DE ALIMENTACION
12. DISEÑO FUENTE DE ALIMENTACION
Debido a que los dispositivos TTL y algunas subfamilias CMOS trabajan

únicamente con 5 V  5 %, se hace necesario el empleo de fuentes reguladas de
este valor.
Una fuente regulada de 5 V y 1 A será suficiente para llevar a cabo los

laboratorios y proyectos de este curso y los subsiguientes de la línea de hardware.
12.1. ESTRUCTURA INTERNA
En la siguiente figura se ilustra el diagrama de bloques de la fuente de alimentación

a diseñar:
120 V 5V
60 HZ
Transformación Filtrado Protección

Rectificación Regulación
Transformación: En esta fase la señal de 120 V ca utilizando un transformador

es disminuida a un valor cercano al voltaje requerido. La frecuencia sigue siendo de
60 Hz.
Para la fuente tratada aquí en concreto la señal de salida del transformador es de
10 V ca 60 Hz.
V V
120 V
110 V
170 V
0 t 0 t
Entrada al transformador Salida
Rectificación: La tensión de ca se convierte en un ondulado compuesto solo por

las ondas positivas de la señal de salida del transformador.
LIGR
10 V
t
Salida del rectificador
Filtrado: Suaviza las “ protuberancias “ en la onda rectificada, quedando solamente

un rizado en la salida.
VRIZADO
VPICO
VC
t
0
VPICO =VRIZADO +VC SALIDA DEL FILTRO
Regulación: Entrega en su salida un voltaje constante, sin importar las variaciones

en la tensión de alimentación ( 120 V ca ), las variaciones en la carga para un valor
máximo de corriente de salida, la frecuencia, temperatura, etc. En nuestro caso el
regulador será de 5 V y 1 A de corriente.
+V
0 t
Protección contra sobrecarga: Protege la fuente cuando el circuito, al cual

alimenta, requiere más corriente que aquella para la cual ella fue diseñada. La
protección contra sobrecarga también evitará el daño de la fuente por corto circuito.
Esta parte no se tendrá en cuenta en el diseño, mayor información se encuentra en
el libro “ Construya un computador en base al Z-80 “
12.2. DISEÑO
Las primeras consideraciones a tener en cuenta son el voltaje y la corriente máxima

de salida. Como se aclaró anteriormente una fuente regulada de 5 V y 1 A son las
características de la fuente a diseñar.
LIGR
Regulador: Como reguladores emplearemos las series 78xx y 79xx. Los 78xx
regulan voltajes positivos, por ejemplo, el 7805 y 7812 que regulan +5 V y +12 V
respectivamente para corrientes hasta de 1 A.
Los 79xx se utilizan para voltajes negativos, por ejemplo, 7905 y 7912 que
regulan -5 V y -12 V respectivamente para corrientes hasta de 1 A.
Este tipo de reguladores tiene tres terminales:
7805
IN(1) OUT(3)
El 7805 reúne los requisitos necesarios, para la fuente. Sus características

técnicas son:
VOUT = 5 V
IOUT = 1 A
VIN = 7 a 20 V
Voltaje de caída entre los terminales del regulador = 2 V.
El 7805 necesita un voltaje de entrada mínimo de 7 V y máximo de 20 V, para

regular los 5 V de salida.
Escogemos un valor seguro, no muy alto que aumente la disipación de potencia y no

muy bajo que altere el funcionamiento del regulador. Tomamos un V IN = 10 V,
aunque 9 V también podrían ser suficientes.
Filtro: Ya habíamos dicho que el filtro entrega un V PICO, VRI ZA DO y VC. Observar
gráfico en 12.1 filtrado.
Debido a que el VIN escogido para el 7805 es de 10 V, entonces el filtro debe
abastecer un VC igual a este valor.
Hallamos VPICO según la siguiente fórmula.
VPICO = 1,25 x VC 0 12,5 V

VRI ZA DO = 2,5 V
La capacitancia del filtro la calculamos según la siguiente fórmula:
C = I x dt/dv
Donde: I  corriente máxima de descarga. En este

caso 1 A.
LIGR
dt  tiempo de carga del condensador. Como

el rectificador es de onda completa la
frecuencia de carga es el doble de la de ca,
es decir, 120 Hz. Entonces: dt = 8,3 mS.
dv  tensión de rizado admisible. dv = 2,5 V.
C = 1 x 8,3 x 10-3 / 2,5 = 3320 F
Un valor superior de C aportará un mejor filtrado ( con menos rizado ) en la señal

de salida.
Vin Vout
7805
330 uF Común 5V , 1A
Rectificador: En general se emplean dos formas de rectificación de media onda y

de onda completa.
Los de media onda se realizan de la siguiente forma:
Fase D
Vout
Vout
t
0
Media Onda
Común
Los rectificadores de onda completa pueden utilizar dos fases. Se pueden realizar
en la siguiente forma:
LIGR
Figura A
Fase1 D1
Vout
Común Vout
t
0
Onda Completa
Fase2 D2
Figura B
D1
Fase1 ca
Vout
D4 D2
Vout
t
0
ca Onda Completa
D3
Común
En A D1 y D2 se PD en forma consecutiva cuando llega la onda positiva de cada

fase. Ya sabemos que la caída de potencial entre los terminales de cada diodo PD
es de 0,7 V. Este valor debe ser considerado para realizar los cálculos del
transformador.
Observe que se utiliza un total de tres líneas de salida en el secundario del

transformador: Dos fases y el común. Cuando en la fase1 se encuentra la onda
positiva D1 se PD y la corriente fluye por D1, carga el filtro, por el 7805, a la
carga y regresa por el común. En estos instantes D2 se encuentra en PI debido a
que en la fase2 se encuentra la onda negativa de ca. Cuando a la fase2 llega la
onda positiva, entonces D2 se PD y D1 se PI. La corriente fluye por D2 y
regresa por el común.
Si se utiliza un puente, como en B, solo se necesita una fase y el común, haciendo

el transformador más sencillo. Cuando en la fase1 se encuentra la onda positiva de
ca, entonces D1 y D3 se PD y permiten el flujo de corriente.
La corriente circulará de la fase1, D1, cargará el filtro, por el 7805, a la resistencia
de carga y regresa por D3 al común.
Cuando en la fase1 se encuentra la onda negativa, entonces D2 y D4 se PD.
Debido a que la corriente circula por dos diodos, el voltaje en la salida del
rectificador realmente es inferior en 1,4 V, que deben ser considerados en el
momento de elegir el transformador.
Utilizaremos un puente para la fuente:
LIGR
Fase1 ca Vin Vout

7805
D4 D2 Común
5 V cc , 1 A
330 uF
ca
D3
Común
Los parámetros a tener en cuenta son:

ISOB  Corriente de sobrecarga. Al encender la fuente el filtro se encuentra
totalmente descargado y como la única resistencia en serie con él es la
del devanado del transformador R S, entonces aparece una corriente de
carga bastante alta. Si consideramos el valor de R S igual a 0,1  ,
entonces:
ISOS = VPICO / RS = 12,5 / 0,1 = 125 A
La constante de tiempo será igual a:
T = RS x C = 0,1 x 3300 x 10-6 = 330 S
Si ISOS del diodo es mayor que ISOS del circuito y T es menor que 8,3
mS, entonces la sobrecarga de corriente no producirá ningún daño en los
diodos rectificadores.
IF  Máxima corriente continua en PD. Esta debe ser superior mínimo a 2 A,

que es la máxima abastecida por el 7805 en instantes de picos.
PIV  Voltaje máximo aplicable al diodo en PI. Son normales en las líneas de
120 V ca transitorios con picos de 400 V. Esto hace que V PICO se eleve
a 43 V. Se recomienda utilizar diodos con PIV no inferiores a 50 V.
Los puentes pueden ser realizados con diodos discretos, o se pueden adquirir en
forma monolítica. Las características de un puente pueden ser:
IF = 12 A, ISOS = 300 A, PIV = 100 V
Transformador: La tensión ( Valor cuadrático medio ) se calcula según la

siguiente fórmula:
V = ( VC + VRI ZA DO + VRECT ) / 2 = ( 10 + 2,5 + 1,4 ) / 1,41
V = 9,82 V
LIGR
El secundario del transformador debe tener una fase de 10 V ca y abastecer

mínimo 2 A de corriente. El diagrama eléctrico de la fuente es:
Fase1 Vin
7805 Vout
D4 D2 Común
120 V
60 HZ 5 V cc , 1 A
330 uF
D3
Común
LIGR

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INTRODUCCION 1

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En las máquinas de Segunda Generación (1959 - 1967) los tubos fueron

En la Tercera Generación (1968 - 1978), con la aparición de la microelectrónica, los

A partir de 1979 se inició la Cuarta Generación que tiene como característica

No se descarta que en un futuro no muy lejano la célula artificial funcione bajo un

PARTE I CONCEPTOS BASICOS

1.1. CARGA, CORRIENTE, TENSIÓN Y POTENCIA

Carga: Normalmente, cada cuerpo contiene igual número de electrones y protones,

Corriente: Generalmente se conoce la corriente eléctrica como el movimiento de

La corriente se representa a través de i, y es igual:

La unidad de corriente es el amperio.

Potencia: Es la razón de variación a la cual se realiza un trabajo o se consume

La potencia se representa con la letra P y es igual:

La unidad de potencia es el vatio:

1.2. TIPOS DE CORRIENTES Y DE ELEMENTOS DE CIRCUITOS

Alterna: Corriente que varía sinusoidalmente en el tiempo. Se denota como c.a.

Otros tipos son la corriente exponencial y la sinusoidal amortiguadas.

Elementos de circuito: En general un elemento de circuito es aquel que posee dos

Existen dos tipos de elementos: Pasivos y activos.

 Resistencias: Cuando la tensión entre los terminales de un elemento es

Donde: R  es la constante de resistencia.

La unidad de resistencia es el ohmio. Se representa mediante la letra .

 Bobinas: Cuando la tensión entre los terminales del elemento es proporcional a

Donde: L  es la constante de autoinductancia.

 Condensadores: Cuando la tensión entre los terminales del elemento es

Donde: C  es la constante de capacidad.

Elementos activos: Son aquellos que están en capacidad de entregar energía a

1.3. LEYES DE KIRCHHOFF

 Ley de la tensiones: Establece que la suma algebraica de la tensiones

Las dos principales características de un resistor son su resistencia dada en ohmios

La disipación nominal de potencia indica la máxima cantidad de potencia que un

Existen dos tipos de resistores:

 De alambre devanado, que se emplean cuando la potencia a disipar es de 5

El tamaño de los resistores depende de su valor nominal de potencia, a mayor valor

Debido a su reducido tamaño el valor de R se da utilizando el código de colores:

Color Cifra Multiplicador Tolerancia %

Rojo Verde Oro

Resistores variables: Existen dos tipos de resistores variables: Los reóstatos y

Los potenciómetros tienen tres terminales. La resistencia fija máxima se conecta

El potenciómetro se puede implementar como reóstato.

Los materiales dieléctricos, tales como el aire o el papel, están en capacidad de

El proceso de acumulación de electrones se le conoce como carga y al caso

Si no existe ninguna resistencia en serie con el condensador el proceso de carga o