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ELECTRÓNICOS
Transistores
MsC. Luz Adanaqué Infante
CONTENIDO DEL CURSO
1. Diodos y polarización.
Circuitos de polarización directa e inversa.
Ecuación del diodo, circuitos de funcionamiento.
Transistores, modelamiento de los efectos. 1. Diodos y
polarización
2. Amplificadores.
Amplificadores básicos y multietapa
Análisis en pequeña señal de un amplificador 2. Amplificadores
1. Transistores.
2. Polarización.
3. Funcionamiento.
4. Curvas características.
Microprocesadores celulares
FET y BJT
BJT (PNP)
Electrónica
Robusto y frágil
Muy caro
A finales de los años 40s, un equipo de científicos de “Bell Laboratories”: William Schokley,
Walter Brattain y John Bardeen desarrollaron un dispositivo de estado sólido que reemplazó al
tubo de vacío, conocido como TRANSISTOR. Por este dispositivo, cada investigador recibió el
premio Nobel en 1956.
PNP
BJT NPN
Canal P
JFET Canal N
MESFET
FET Canal N Canal P
Acumulación
MOSFET Canal N
Deplexión Canal P
BJT: Transistores bipolares de unión.
Canal N
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.
Los transistores bipolares tienen una estructura de tres capas de semiconductores extrínsecos.
Las siglas BJT corresponden con su nomenclatura inglesa (bipolar junction transistor).
Las dos posibilidades de unir tres capas, con semiconductores tipo N y tipo P son: PNP y NPN.
La base está situada entre el emisor y el colector, los cuales tienen igual tipo de dopaje,
formando cada uno un diodo con la base, gracias a lo cual se puede encontrar dos tipos
de transistores:
- Uno en el que hay dos capas de tipo n y una capa de tipo p (denominado NPN),
- Y otro donde hay una capa de tipo n y dos capas de tipo p (denominado PNP).
La pequeña región p-n que une la región de la base y la región del emisor se llama “unión base-
emisor” y la que une la región de la base y la región del colector se llama “unión base-colector”
Transistor PNP:
Debido a su estructura,
en cualquier transistor
bipolar se forman
internamente dos
diodos enfrentados,
que tienen en común el
cátodo si el transistor es
PNP, o el ánodo si es
NPN.
IB+IC=IE
Sin embargo la corriente IB es
demasiado pequeña comparada
con las corrientes IC; IE
IE ≈ I C