Los transistores los hay de muy diversas formas y capacidades técnicas ( no todos los

transistores valen para todo, algunos son más apropiados para señales de audio y otros
para controlar motores ), todos ellos tienen en común una serie de parámetros básicos,
los cuales debemos tener en cuenta a la hora de usar el transistor, ya que si son muy
distintos uno de otro puede quemarse o no funcionar apropiadamente.
Los datos básicos vienen definidos en un documento que nos da el fabricante y que se
encuentra muy fácilmente por Internet, el Datasheet ( algunos le dicen Dataset )

Explicación de cada punto:

 Vcbo: Máxima tensión que soporta entre el Colector y la base, se aprecia que el
modeo que hemos escogido el BC 547 solo soporta 50 Voltios de diferencia entre
el Colector y la Base, así que no podemos usar una fuente de alimentación de
más de 50 Voltios, sino se quema.
 Vceo: Máximo voltaje entre Colector y Emisor, como en el caso anterior nos
limita el voltaje de alimentación del circuito.
 Vebo: Máxima tensión entre Base y Emisor, si cuando polarizas el
transistor excedes los 6 voltios se quemara la base y nunca más funcionara,
el no exceder los 6 voltios tampoco es garantía de que no se queme, si superas la
intensidad máxima de base se quema también.
 Ic: Corriente que es capaz de soportar el transistor en su parte de fuerza, esto
es entre Colector y Emisor.
 Pc: Potencia nominal que disipa el transistor, aquí dice 500 mW, se calcula de la
siguiente manera:

Potencia disipada = Voltaje entre Colector-Emisor * Intensidad de Colector.

 Tj: Temperatura que soporta el núcleo del transistor,

Los transistores tienen tres estados de trabajo, saturación, corte y región activa
“lineal”, depende de para que queramos usar el transistor usaremos alguna de las tres
opciones:

1. Estado de corte: Es el estado normal en el que el transistor se encuentra si no le

aplicamos nada a la base, en este estado es como un cable suelto, un interruptor
abierto o un botón sin presionar, en la mayoría de los casos podemos
 simplificarlo como eso, un simple interruptor abierto, continuando con el
ejemplo del potenciometro sería como ponerlo al máximo de resistencia
(seria miles de mega Ohm).
2. Estado de saturación: En este estado el transistor simula a un interruptor
cerrado, y para saber como llevar al transistor a este estado hay que leer el
Datasheet (o usar el método del tío vago, que veremos más adelante), usando el
ejemplo del potenciometro sería como ponerlo al mínimo, donde la
resistencia sería casi 0, o muy cercana a 0 ohmios.
3. Estado de “región activa lineal”: Es un estado en el que la corriente que circula
el transistor es equivalente a la que circulara a la base, es cuando se comporta
como un “potenciometro” controlado y en este estado podemos “girar el
palito” a nuestro antojo para subir o bajar la resistencia del potenciometro.
4. Icbo: Es la corriente máxima que va a circular nuestro transistor cuando este en
estado de corte, ya hemos dicho que en corte es como si pusiéramos el
potenciometro al máximo de resistencia (cientos de mega ohmios ) pero aun
así algo de corriente puede circular y este es el parámetro donde te lo indica,
según el fabricante aplicando una tensión de 30 voltios entre colector y base
circularan tan solo 15 nano Amperios, podemos aplicar la ley de ohm y
sabiendo que R=V/I, sabiendo V=30, I= 0,000000015 A nos da un R=2000000000
Ohmios.
5. Hfe ó Beta: En otros manuales y libros puede venir como Beta del transistor, es
el parámetro que relaciona la corriente de colector y la corriente de base, el
fabricante nos da el valor máximo ( 800 )y el mínimo (110), ¿Por qué nos da
valores aproximados y ademas tan lejanos uno de otro?, pues por que por el
proceso de fabricación cada uno puede tener una diferencia con otros de la
misma tirada y tipo, el fabricante nos garantiza el mínimo, y ese es el que
usaremos para los cálculos.
6. Vce (sat): Tensión entre colector y emisor cuando esta en saturación, se
comporta como un potenciometro al mínimo, pero incluso al mínimo
siempre hay algo de resistencia interna, esta resistencia interna te va a
producir una caída de voltaje de como máximo 250 mV, que apenas afecta a
nada, despreciable.
7. Vbe (sat): Tensión de saturación del transistor, es la tensión que hay que
aplicar a la base para que se sature, si aplicamos menos realmente no
estaremos trabajando en saturación sino en la región activa lineal, ademas
el fabricante nos dice que debe circular la base un total de 0.5 mA para que
este en saturación.
8. Vbe (on): tensión a aplicar para que trabaje en la región activa
lineal, seguro que ya lo habéis visto todos, es la tensión para “enceder” el
transistor pero que no llevara a este a la saturación sino que lo dejara en el modo
“potenciometro controlable”, por ahora ni lo miramos ya que no nos interesa.
De todos estos parámetros lo que vamos a usar el siguiente:
Vbe (sat) : Tensión y corriente para saturar el transistor, en nuestro caso 0,7
voltios y 0,5 mA.

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.

VCB....................................60 V (máximo valor en inversa)

VCEo...................................40 V (máximo valor en inversa con la base abierta)
VEB.......................................6 V (máximo valor en inversa)

En realidad en la hoja de características tenemos que diferenciar los transistores

en:

 Transistores de pequeña señal (IC pequeña), por ejemplo: 2N3904.

 Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

Corriente y potencia máximas

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas,
siendo la unión más problemática la unión CB, porque es la que más se calienta.

En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:

 Tj = Temperatura de la unión.
 TC = Temperatura de la capsula.
 TA = Temperatura del ambiente.
 2N4401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de
especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4401

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4401

 Los resultados de selección de transistor o equivalente

Ma Stru Vc Ve C
↓ Type Pc Vcb Ic Tj Ft Hfe Caps
t ct e b c

0. 13 25
2N4401 Si NPN 0.31 60 40 6 7 100 TO92
6 5 0

0.62 0. 15 25 6.
2N4401G Si NPN 60 40 6 100 TO92
5 6 0 0 5

0.62 0. 15 25 6.
2N4401L Si NPN 60 40 6 100 TO92
5 6 0 0 5

0. 15
2SC2475 Si NPN 0.6 60 6 200 TO92
6 0

0. 15
2SC2477 Si NPN 0.6 60 6 150 TO92
6 0

15
2SC4145 Si NPN 1.2 80 2 200 TO92
0

28 0. 15
2SC6136 Si NPN 0.5 600 8 100 TO92
5 7 0

15
2SD1015 Si NPN 0.9 140 50 50 2 150 TO92
0

15
2SD1209 Si NPN 0.9 60 1 4000 TO92
0
 Ma Stru Vc Ve C
↓ Type Pc Vcb Ic Tj Ft Hfe Caps
t ct e b c

15
2SD1388 Si NPN 0.7 60 1 250 TO92
0

0. 15 1000
2SD1698 Si NPN 0.75 100 TO92
8 0 0

170 0. 15 1000
2SD1701 Si NPN 0.75 TO92
0 8 0 0

1. 15
2SD1853 Si NPN 0.7 80 60 6 2000 TO92
5 0

15
2SD1929 Si NPN 1.2 60 2 5000 TO92
0

15
2SD1930 Si NPN 1.2 100 2 5000 TO92
0

15 1000
2SD1931 Si NPN 1.2 60 2 TO92
0 0

1. 15 1000
2SD1978 Si NPN 0.9 120 TO92
5 0 0

15 2400
2SD1981 Si NPN 1 100 80 6 2 TO92
0 0
 Ma Stru Vc Ve C
↓ Type Pc Vcb Ic Tj Ft Hfe Caps
t ct e b c

15 1800
2SD2068 Si NPN 1 60 1 TO92
0 0

2SD2206 12 TO92MO
Si NPN 0.9 2 2000
A 0 D

1. 15 TO92MO
2SD2213 Si NPN 0.9 150 80 8 1000
5 0 D

0.62 0. 15 25
3DG4401 Si NPN 60 40 6 100 TO92
5 6 0 0

0. 13 25
121-477 Si NPN 0.31 60 40 6 7 100 TO92
6 5 0

0. 13 25
121-695 Si NPN 0.31 60 40 6 7 100 TO92
6 5 0

0. 13 25
121-744 Si NPN 0.31 60 40 6 7 100 TO92
6 5 0

15
CE1N2R Si NPN 1 60 60 15 2 1000 TO92
0

15
CE2F3P Si NPN 1 60 60 15 2 1000 TO92
0
 Ma Stru Vc Ve C
↓ Type Pc Vcb Ic Tj Ft Hfe Caps
t ct e b c

ECG123A 0. 17 30
Si NPN 0.5 75 40 200 TO92
P 8 5 0

15
ECG2341 Si NPN 0.8 80 1 2000 TO92
0

HEPS001 0. 13 30
Si NPN 0.31 60 40 200 TO92
5 6 5 0

HEPS002 0. 15 30
Si NPN 0.35 60 40 100 TO92
5 6 0 0

10 15 TO92MO
HIT667 Si NPN 0.9 120 6 1 140
0 0 D

0.62 0.
KN4401 Si NPN 40 100 TO92
5 6

0. 17
KTC1006 Si NPN 1 80 100 TO92
8 5

0. 15 25
MPS4401 Si NPN 0.31 60 40 6 7 100 TO92
6 0 0

0. 15 25
NPS4401 Si NPN 0.31 60 40 6 7 100 TO92
6 0 0

NTE2341 Si NPN 1 100 80 7 1 2000 TO92

 Ma Stru Vc Ve C
↓ Type Pc Vcb Ic Tj Ft Hfe Caps
t ct e b c

2500
NTE48 Si NPN 1 60 50 12 1 TO92
0

P2N2222 0.62 0. 30
Si NPN 40 100 TO92
A 5 6 0

0. 15 25
PN4401 Si NPN 0.31 60 40 6 7 100 TO92
6 0 0

0. 30
SK3854 Si NPN 1.2 75 40 6 200 TO92
8 0
 2N2222 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de
especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2222

Código: 1B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: TO18

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N2222

Los resultados de selección de transistor o equivalente

↓ Type Mat Struct Pc Vcb Vce Veb Ic Tj Ft Cc Hfe Caps

2N2222 Si NPN 0.5 60 30 5 0.8 175 250 8 100 TO18

 ↓ Type Mat Struct Pc Vcb Vce Veb Ic Tj Ft Cc Hfe Caps

2N2222A Si NPN 0.5 75 40 6 0.8 175 300 8 100 TO18

2N2792 Si NPN 0.5 75 35 0.8 175 250 8 100 TO18

BFX95 Si NPN 0.5 60 30 5 0.8 175 250 8 100 TO18

BSW63 Si NPN 0.5 75 40 6 0.8 175 250 8 100 TO18

ECG123A Si NPN 0.5 75 40 0.8 175 300 200 TO18

MM513 Si NPN 0.5 60 30 5 0.8 175 250 8 100 TO18