Fundamento de los semiconductores

Un semiconductor es un elemento que se comporta como conductor o como

aislante dependiendo del campo eléctrico en el que se encuentre. Los elementos
químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla siguiente.

El elemento semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico

comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III
con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y
SCd). Desde hace algún tiempo se ha comenzado a emplear también el azufre. La
característica común de todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio
una configuración electrónica s²p².

Bandas de energía

Supongamos una red cristalina formada por átomos de silicio (o cualquier mezcla
de las mencionadas). Cuando los átomos están aislados, el orbital s (2 estados
con dos electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes)
tendrán una cierta energía Es y Ep respectivamente (punto A). A medida que
disminuye la distancia interatómica comienza a observarse la interacción mutua
entre los átomos, hasta que ambos orbítales llegan a formar, por la distorsión
creada, un sistema electrónico único. En este momento tenemos 8 orbítales
híbridos sp³ con cuatro electrones y cuatro vacantes (punto B). Si se continúa
disminuyendo la distancia interatómica hasta la configuración del cristal,
comienzan a interferir los electrones de las capas internas de los átomos,
formándose bandas de energía (punto C). Las tres bandas de valores que se
pueden distinguir son:

1. Banda de Valencia. 4 estados, con 4 electrones.

2. Banda Prohibida. No puede haber electrones con esos valores de energía en el

cristal.

3. Banda de Conducción. 4 estados, sin electrones.

Conductividad eléctrica del cristal

Para que la conducción de la electricidad sea posible es necesario que haya

electrones en la capa de conducción, así podemos considerar tres situaciones:

· Los metales, en los que ambas bandas de energía se superponen, son

conductores.

· Los aislantes, en los que la diferencia existente entre las bandas de energía, del
orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones.

· Los semiconductores, en los que el salto de energía es pequeño, del orden de 1

eV, por lo que suministrando energía pueden conducir la electricidad; pero
además, su conductividad puede regularse, puesto que bastará disminuir la
energía aportada para que sea menor el número de electrones que salte a la
banda de conducción; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o más propiamente, poco variable con la temperatura.

Tipos de semiconductores

Semiconductores intrínsecos

Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono

mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente,
algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de
conducción, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las
energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,1 y 0,72 eV para el silicio y
el germanio respectivamente.

Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones

pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda de
conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este
fenómeno, se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece
invariable. Siendo n la concentración de electrones (cargas negativas) y p la
concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p

Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la

temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos
corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos
(2), originando una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico
cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

Semiconductores extrínsecos

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño

porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado.
Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.

Semiconductor extrínseco tipo n

Es el que se ha dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb).

Al tener éstos elementos 5 electrones en la última capa, resultará que al formarse,

como antes, la estructura cristalina, el quinto electrón no estará ligado en ningún
enlace covalente, encontrándose, aún sin estar libre, en un nivel energético
superior a los cuatro restantes. Si como antes, consideramos el efecto de la
temperatura, observaremos que ahora, además de la formación de pares e-h, se
liberarán también los electrones no enlazados, ya que la energía necesaria para
liberar el electrón excedente es del orden de la centésima parte de la
correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

Así, en el semiconductor aparecerá una mayor cantidad de electrones que de

huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la
energía eléctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las
impurezas pentavalentes, a éstas se las llama donadoras. Aún siendo mayor n
que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente
sólo se aumente el número de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la
probabilidad de recombinación, lo que resulta en un disminución del número de
huecos p, es decir: n > ni = pi > p, tal que: n.p = ni² Por lo que respecta a la
conductividad del material, ésta aumenta enormemente, así, por ejemplo,
introduciendo sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

Semiconductor extrínseco tipo p

Es el que se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In).

En este caso, las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina
receptoras de electrones. Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el
formado antes con el salto de un electrón, si no que tiene un nivel energético
ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).

En este caso, los electrones saltarán a las vacantes con facilidad dejando huecos
en la banda de valencia en mayor número que electrones en la banda de
conducción, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios.

Al igual que en el caso anterior, el incremento del número de huecos se ve

compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinación, de
modo que la ley de masas también se cumple en este caso:

p > pi = ni > n, tal que: n·p = ni²

 Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica

en una
única dirección. De forma simplificada, la curva característica de un di
odo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta
como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
circuito cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya

que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente
continua.

Aplicaciones de Diodos

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p

y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar
que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que, en
cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p

(Je).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carg
a espacial, de agotamiento, de deflexión, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial v
a
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de
la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga
espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero
cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.

Formación de la zona de carga espacial

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito,

tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se
dice que no está polarizado. Al extremo p, se le denomina ánodo,
representándose por la letra A, mientras que la zona n, el cátodo, se representa
por la letra C (o K).

A (p) C ó K (n)

El transistor Bipolar (BJT)

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólidoconsistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante
baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.