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LABORATORIO N°7:
CIRCUITO SCHMITT TRIGGER – CONDORMADOR DE PULSOS
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
facultad de ingeniería eléctrica y electrónica

I. OBJETIVO
 Dar a conocer la configuración del circuito Schmitt
como la aplicación de transistores en corte y
saturación.
 Analizar sus aplicaciones como conformador de
pulso y eliminación de ruidos mediante el cambio de
niveles.
 Lograr el lazo de histéresis en las curvas de
transferencia 𝑉0 - 𝑉𝑖𝑛 .
 Adquirir destreza en el manejo de los manuales y
obtención de la data sheet de los dispositivos a usar.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la experiencia.

II. TERORIA

Transistor BJT
El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction
Transistor) fue desarrollado en los Laboratorios Bell
Thelephone en 1948. El nombre Bipolar viene de que
en los procesos de conducción intervienen tanto
huecos como electrones. Su invención marcó la era
de todo el desarrollo tecnológico e informático que
tenemos hoy día.
Durante tres décadas fue el dispositivo utilizado en
todos los diseños de circuitos discretos o integrados.
En los 70 y 80 apareció un competidor muy fuerte: El
transistor de Juntura, que dio origen a otros
componentes, los MOSFETs. Actualmente la
tecnología CMOS es la más utilizada en los diseños
de circuitos integrados. Pero el BJT se sigue usando
en aplicaciones específicas, entre ellas circuitos de 𝐵: 𝐵𝑎𝑠𝑒
muy alta frecuencia. 𝐶: 𝐶𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟
Uno de los dispositivos más utilizados en los sistemas 𝐸: 𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟
de electrónica de potencia es el IGBT, que combina 𝐼𝐵 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑠𝑒
las características de entrada de in MOSFET con las 𝐼𝑐 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟
de salida de un BJT. 𝐼𝐸 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟

Zona Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula
corriente por sus terminales. Concretamente, y a
efectos de cálculo, decimos que el transistor se
encuentra en corte cuando se cumple la condición:
𝐼𝐸 = 0 ó 𝐼𝐸 < 0 (Esta última condición indica que la
corriente por el emisor lleva sentido contrario al que
llevaría en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no
polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es
decir, basta con que 𝑉𝐵𝐸 = 0.
Zona Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y
se cumple que la unión base-emisor se encuentra
polarizada en directa y la colector-base en inversa.
En general, y a efectos de cálculo, se considera que se
verifica lo siguiente:
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉Ύ
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
donde 𝑉Ύ es la tensión de conducción de la unión
base-emisor (en general 0,6 voltios).
Zona Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la
unión base-emisor como la base-colector se encuentran
en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa,
y se verifica sólo lo siguiente:
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)
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donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de
saturación suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2
voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se
encuentra en saturación circula también corriente por
sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación:
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
Polarización de cd: bit
Debido a que los transistores tanto el NPN como el
PNP no son capases de manejar las dos polaridades de
alimentación (NPN regularmente trabaja con voltaje
positivo y el PNP con negativo (se nota en las cuevas
características)), se requiere un método para salvar el
problema, esto se logra con la llamada polarización la
cual consta de sumar a la señal de entrada una
componente constante para así lograr que la señal que
entra al transistor tenga una sola polaridad (la
adecuada según el tipo de transistor). Aunque se
analizan diversas redes, existe una similitud
fundamental en el análisis de cada configuración,
debida al uso recurrente de las siguientes relaciones
básicas importantes para un transistor:
𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
𝐼𝐸 = (𝛽+1) ∗ 𝐼𝐵 ≅ 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
1.Operación en la región activa:
Unión base-emisor con polarización directa. Unión
base-colector con polarización inversa.
2. Operación en la región de corte:
Unión base-emisor con la polarización inversa.
3. Operación en la región de saturación:
Unión base-emisor con polarización directa. Unión
base-colector con polarización directa
III. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
Equipos y materiales
 02 transistores NPN 2N3904
 Resistores: 2x330Ω, 6.2KΩ, 2x1KΩ, 2KΩ, 10KΩ,
510KΩ
 01 Condensador de 470 uF
 02 diodo LED
 01 Osciloscopio
 01 Multímetro
 01 Generador de funciones
 02 Fuente de Alimentación
 01 Cámara fotográfica o similar
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Procedimiento Y: (X=CH1=𝑉𝑖𝑛 ; Y=CH2=𝑉0 ) y dibujar las

curvas de transferencia, indicando los valores
1) Ensamblando el circuito de la figura 1. determinantes de los cambios; Y=CH2=𝑉0 ) y
dibujar las curvas de transferencia, indicando
los valores determinantes de los cambios
8) Armar el circuito generador de pulso de la
figura 2 y anotar el tiempo de duración del
pulso.
9) Capturar la salida del pulso.

2) Polarizar y medir los terminales de los

transistores para determinar la zona de
operación.
𝑽𝑪𝟏 (𝑽)= 𝑽𝑪𝟐 (𝑽)=

𝑽𝑬𝟏 (𝑽)= 𝑽𝑬𝟐 (𝑽)=

IV. RESPUESTAS A PREGUNTAS
𝑽𝑩𝟏 (𝑽)= 𝑽𝑩𝟐 (𝑽)= .
a) Simule los pasos de la guía de laboratorio
y anote las tensiones, corrientes y otros
datos que se piden en el experimento.
3) Colocar en 𝑉𝑖𝑛 una fuente DC y aumentar de Datos del circuito 1
1v en 1v hasta 5, hasta encontrar un cambio en 𝑽𝑪𝟏 (𝑽)= 𝑽𝑪𝟐 (𝑽)=
𝑉0 . Si es necesario repetir el procedimiento
aumentando Vin desde cero hasta 𝑽𝑬𝟏 (𝑽)= 𝑽𝑬𝟐 (𝑽)=
𝑉𝐻 = 𝑉𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸 𝑽𝑩𝟏 (𝑽)= 𝑽𝑩𝟐 (𝑽)=
𝑽𝑬𝑰∗ = 𝑉𝐻 =

b) Obtenga el Data Sheet del CI 555 y del

4) Disminuir 𝑉𝑖𝑛 desde 5v hasta cero de 1v en 1v transistor y determine las características
hasta lograr un nuevo cambio en V0. Si es de corte y saturación, así como el punto de
necesario, ajustar los valores de 𝑉𝑖𝑛 en bajada, operación del 2N 3904.
para determinar el nivel
𝑉𝐿 = 𝑉𝐸𝐼∗ + 𝑉𝐵𝐸 aproximadamente.
𝑉𝐿 = c) Que es un generador de pulsos, como se
determina el ancho del pulso.
5) Los niveles de cambio en subida (𝑉𝐻 ) son
d) Defina lazo de histéresis en las curvas de
distintos para los niveles de cambio en bajada
transferencia (X-Y).
(𝑉𝐿 ).
6) Aplicar una señal 𝑉𝑖𝑛 senoidal de 0 a 5 voltios
a 1KHz y medir con el osciloscopio 𝑉0 .
Capturar la forma de onda. e) Explicar las utilidades de usar histéresis en
7) Colocar el osciloscopio en modo X-Y: la conformación de pulsos. Indicar algunas
(X=CH1=Colocar el osciloscopio en modo X- aplicaciones.
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f) Desarrollar teóricamente la polarización

del circuito de la figura 1 y mostrar
fórmulas para calcular los valores 𝐕𝐇 y 𝐕𝐋
en función de los elementos del circuito.
𝐕𝐇 : Niveles de cambio en subida de un
pulso
𝐕𝐋 : Niveles de cambio en bajada del pulso
3) Colocar en 𝑉𝑖𝑛 una fuente DC y aumentar
de 1v en 1v hasta 5, hasta encontrar un
cambio en 𝑉0 . Si es necesario repetir el
procedimiento aumentando Vin desde cero
hasta
𝑉𝐻 = 𝑉𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸

𝑽𝑬𝑰∗ =1.39V 𝑉𝐻 =1.39V

V. SIMULACIÓN

1) Ensamblando el circuito de la figura1

4) Disminuir 𝑉𝑖𝑛 desde 5v hasta cero de 1v
en 1v hasta lograr un nuevo cambio en V0.
Si es necesario, ajustar los valores de 𝑉𝑖𝑛
en bajada, para determinar el nivel
𝑉𝐿 = 𝑉𝐸𝐼∗ + 𝑉𝐵𝐸 aproximadamente.

𝑉𝐿 =1.39V

5) Aplicar una señal 𝑉𝑖𝑛 senoidal de 0 a 5

voltios a 1KHz y medir con el
osciloscopio 𝑉0 . Capturar la forma de
onda.
Para 𝑉𝑖𝑛 = 2𝑉

2) Polarizar y medir los terminales de los

transistores para determinar la zona de
operación.

𝐕𝐂𝟏 (𝐕)=4.96V 𝐕𝐂𝟐 (𝐕)=2.24V

𝐕𝐄𝟏 (𝐕)=1.39V 𝐕𝐄𝟐 (𝐕)=1.39V

𝐕𝐁𝟏 (𝐕)=0.00V 𝐕𝐁𝟐 (𝐕)=2.07V

Para 𝑉𝑖𝑛 =3V
Estados Q1 = Q 4 = Estados Q 2 = Q 5 =
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 http://ocw.usal.es/eduCommons/ensenanzas-
tecnicas/electronica/contenido/electronica/Te
ma4_Falimentac.pdf

Para 𝑉𝑖𝑛 =4V

Para 𝑉𝑖𝑛 =5V

BIBLIOGRAFÍA

 https://www.acomee.com.mx/clasificaciones/
REGULADORES%20DE%20VOLTAJE.pdf
 http://www.bolanosdj.com.ar/TEORIA/REGUL
ADORES.PDF
 http://www.bolanosdj.com.ar/TEORIA/OPAMP
.PDF
 http://www.sase.com.ar/2011/files/2010/11/S
ASE2011-Fuentes_de_alimentacion.pdf