Favor de contestar las siguientes preguntas:

1. La estructura es:_________________________________

2. La relación Radio Arista es:_____________________________________

3. Defectos Intrínsecos: __________________________________

4. Defectos Extrínsecos: __________________________________.

5. Borde de grano o límite de grano: __________________________

6. Basado en lo explicado en clase, sobre imperfecciones cristalinas durante la

solidificación y utilizando este mapa conceptual como referencia rápida:
Indique por lo menos una imperfección explicada en clase que no aparece
en el mapa conceptual. Solución:_________________________
7. Basado en lo explicado en clase, sobre los diagramas de solidificación:
8. Indique por lo menos una imperfección explicada en clase que no aparece
en el mapa conceptual. Solución:_________________________
9. Identifique la línea de solvus, en alguno de los diagramas que aparecen en
esta sección: Solución:_________________________
10. ¿Cuál de estas reacciones fue explicada en clase?
Solución:_______________________
Base teórica de la práctica:

Enlaces químicos: Un enlace químico es un proceso físico responsable de las

interacciones atractivas entre átomos y moléculas, y que confiere estabilidad a los
compuestos químicos diatómicos y poliatómicos.
Prácticamente todas las sustancias que encontramos en la naturaleza están
formadas por átomos unidos. Las intensas fuerzas que mantienen unidos los
átomos en las sustancias son los denominado enlaces químicos.

Los átomos se unen ya que al estar unidos adquieren una situación más estable que
cuando estaban separados.

Está situación de mayor estabilidad suele darse cuando el número de electrones

que poseen los átomos en su último nivel es igual a 8, estructura que coincide con
la de los gases nobles. Los gases nobles tienen muy poca tendencia a formar
compuestos y suelen encontrarse en la naturaleza como átomos aislados. Sus
átomos, a excepción de helio tienen 8 electrones en su último nivel. Esta
configuración electrónica es extremadamente estable, y a ella se debe su poca
reactividad.

Podemos explicar la unión de los átomos para formar enlaces porque con ella
consiguen que su último nivel tenga 8 electrones, la misma configuración
electrónica que los gases nobles. Este principio recibe el nombre de regla del octeto
y aunque no es general para todos los átomos, es útil en muchos casos.

Distintos tipos de enlaces: Las propiedades de las sustancias dependen en gran

medida de la naturaleza de los enlaces que unen sus átomos.
Existen tres tipos principales de enlaces químicos: Enlace iónico, enlace covalente,
y enlace metálico.

Estos enlaces, al condicionar las propiedades de las sustancias que los presentan,
permiten clasificarlas en: Iónicas, covalentes, y metálicas o metales.

Enlace iónico: Este enlace se produce cuando átomos de elementos metálicos

(especialmente los situados más a la izquierda en la tabla periódica, periodos 1,2 y
3) se encuentran con átomos no metálicos (los elementos situados a la derecha de
la tabla periódica, especialmente los periodos 16 y 17).
En este caso los átomos del metal ceden electrones a los átomos del no metal,
transformándose en iones positivos y negativos respectivamente. Al formarse iones
de carga opuesta éstos se atraen por fuerzas eléctricas intensas, quedando
fuertemente unidos y dando lugar a un compuesto iónico estas fuerzas eléctricas
son las llamadas “enlaces iónicos”.

Ejemplo: La sal común se forma cuando los átomos del gas cloro se ponen en
contacto con los átomos del metal sodio. En la siguiente simulación interactiva
están representados los átomos de sodio y cloro con solo sus capas externas de
electrones.

Hacer click en el enlace y observar la ilustración didáctica

•http://concurso.cnice.mec.es/cnice2005/93_iniciacion_interactiva_materia/curs
o/materiales/enlaces/ionico.htm

Enlace covalente: Los enlaces covalente son las fuerzas que mantienen entre sí
los átomos no metálicos (los elementos situados a la derecha en la tabla periódica).
Estos átomos tienen muchos electrones en su nivel más externo (electrones de
valencia), y tienen tendencia a ganar electrones más que a cederlos, para adquirir la
estabilidad de la estructura electrónica de gas noble. Por lo tanto los átomos no
metálicos no pueden ceder electrones entre sí.

En este caso el enlace se forma al compartir un par de electrones entre los dos
átomos, uno procedente de cada átomo. El par de electrones compartidos es común
a los dos átomos, uno procedente de cada átomo. Ejemplo: El gas cloro está
formado por moléculas de Cl2, en las que dos átomos de cloro se encuentran
unidos por un enlace covalente.

•Hacer click en el enlace y observar la ilustración didáctica:

•http://concurso.cnice.mec.es/cnice2005/93_iniciacion_interactiva_materia/curs
o/materiales/enlaces/covalente.htm

Enlace metálico: Para explicar las propiedades y características de los metales

(su alta conductividad eléctrica y térmica, ductilidad y maleabilidad), es necesario
conocer que los átomos de los metales tienen pocos electrones en su última capa,
por lo general 1,2 o 3. Estos átomos pierden fácilmente esos electrones (electrones
de valencia) y se convierten en iones positivos.
Los iones positivos se ordenan en el espacio formando la red metálica. Los
electrones de valencia desprendidos de los átomos forman una nube de electrones
que puede desplazarse a través de toda la red.

De este modo todo el conjunto de los iones positivos del metal queda unido
mediante la nube de electrones con carga negativa que los envuelve.

 Hacer click en el link, y observar la ilustración didáctica

http://concurso.cnice.mec.es/cnice2005/93_iniciacion_interactiva_materia/curso
/materiales/enlaces/metalico.htm
Redes tridimensionales:
Para las redes de Bravais tridimensionales existen solamente siete grupos
puntuales posibles y 14 grupos espaciales. Obviamente, varios grupos espaciales
comportan el mismo grupo puntual. Esto permite clasificar todos los cristales en
siete sistemas cristalinos (según el grupo puntual) y en 14 redes de Bravais (según
el grupo espacial).
Las redes tridimensionales están formadas por la repetición de celdas unidad
tridimensionales. Estas celdas vienen definidas por tres traslaciones: a, b y c,
siendo a y b las traslaciones de la red plana, y c la traslación de dicha red plana en
una dirección diferente (generalmente correspondiente al plano vertical).
Debido a la dificultad en el estudio de todas de estas redes vamos a indicar primero
los 7 tipos diferentes que tenemos, y luego veremos algunas de las redes de Bravais
más simples que son aquellas procedentes del sistema cúbico.
El sistema cúbico, como se puede ver en la figura 3.21 posee tres redes diferentes.
Son las más sencillas de observar y son las que trataremos a continuación:

3.22 Sistemas cúbicos cristalinos.

Viendo las figuras arriba presentadas favor indicar el tipo de estructura mostrada en esta figura,
además calcule la relación entre la arista a y el radio de esta estructura cristalina.
 IMPERFECCIONES CRISTALINAS.

En el arreglo de los átomos o iones de los materiales diseñados existen

imperfecciones o defectos. Con frecuencia, estos defectos tienen un impacto directo
sobre las propiedades mecánicas y físicas de los materiales. Estas, afectan de cierta
manera algunas propiedades de materiales que son relevantes en ingeniería, como
por ejemplo, la conductividad eléctrica en algunos semiconductores, la corrosión
de los metales, y la capacidad de formarse aleaciones en frio, etc. En esta parte
hablaremos de:
 Defectos puntuales.
 Defectos de línea (dislocaciones).
 Defectos superficiales y límites de grano internos.
 Defectos tridimensionales macroscópicos.(volumétricos).

3.5.1. Imperfecciones o defectos puntuales:

Un defecto puntual implica en general a uno o un par de átomos o iones y, en
consecuencia es distinto de los defectos extendidos, como dislocaciones, límites de
grano, etc. Un “punto” importante acerca de los defectos es que, aunque se
presentan en uno o dos sitios, su presencia es en distancias mucho mayores en el
material cristalino. Son de 3 tipos:
1. Átomos intersticiales.
2. Vacancias.
3. Átomos sustitucionales.

3.5.1.1. Átomos intersticiales:

Se forman cuando se inserta un átomo o ion adicional en la estructura cristalina en
una posición normalmente desocupada, este defecto no ocurre de manera natural
debido a la distorsión estructural que se genera, pero se puede realizar por medio
de irradiación.
Los átomos o los iones intersticiales, aunque son mucho menores que los átomos o
los iones que están en los puntos de red, son mayores que los sitios intersticiales
que ocupan; en consecuencia, la región cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.
Los átomos intersticiales como los de hidrogeno están presentes, con frecuencia,
como impurezas, mientras que los átomos de carbono se agregan en forma
intersticial al hierro para producir acero. Para concentraciones pequeñas, los
átomos de carbono ocupan sitios intersticiales en la estructura cristalina del hierro
e introducen un esfuerzo en la región del cristal en su cercanía.
Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover esos tipos de defectos, se
encuentran con resistencia a su movimiento, con lo que se vuelve difícil crear
deformación permanente en metales y aleaciones. Esta es una forma importante de
aumentar la resistencia de los materiales metálicos. A diferencia de las vacancias,
una vez introducidos, la cantidad de átomos o iones intersticiales en la estructura
permanece casi constante, aun cuando se cambie la temperatura.

Figura 3.52 Átomos intersticiales. [2]

3.5.1.2. Vacancias:
Constituye el defecto puntual más simple, además es un hueco creado por la
pérdida de un átomo. Puede producirse durante la solidificación por
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales, también pueden
deberse a los reordenamientos atómicos de estos cristales ya formados, como
consecuencia de la movilidad de los átomos.
Las vacantes en los metales pueden ser generadas por:
 Deformación plástica del metal
 Enfriamiento rápido de mayores a menores temperaturas
 Por la acción energética de algunas partículas como los neutrones.
NOTA: Los clusters son los que están formadas por vacantes no equilibradas que
tiene a agruparse entre sí.

Figura 3.53 Vacancias.

3.5.1.3. Átomos sustitucionales:
En este defecto se sustituye un átomo de la estructura cristalina por otro, este
átomo permanece en la posición original. Se debe tomar en cuenta que el radio del
átomo no debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor proporción ya que
podrían ocurrir perturbaciones en el material. Un átomo de mayor radio hará que
los átomos vecinos sufran una compresión, y un átomo sustituido de menor radio
hará que los átomos vecinos sufran una tensión.
 Figura 3.54 Átomo sustitucional.
3.5.1.4. Defecto Frenkel:
Es una imperfección cristalina combinada de la vacancia y de la intersticial, ocurre
cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a uno intersticial dejando
entonces una vacancia. Es el conjunto formado por un átomo intersticial y el
hueco que ha dejado tras el salto.
En el caso de un cristal iónico, los cationes son más pequeños que los aniones; son
predominantes los defectos Frenkel de los cationes. Este tipo de defectos son los
que confieren movilidad iónica al sólido. Ejemplo: el más simple y conocido el
cloruro de sodio.
Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio; los diagramas son una
representación en 2 dimensiones de lo que ocurre realmente en 3:

Figura 3.55. Defecto Frenkel. [4]

3.5.1.5. Defecto Schottky:
Es un par de vacancias en un material con enlaces iónicos. Para mantener la
neutralidad deben perderse de la red tanto un catión como un anión.
El defecto es típico de los materiales cerámicos, pues es un defecto que aparece
para mantener la electroneutralidad del material. Se generan vacantes de iones de
signo contrario para anularse de forma estequiometria; con el fin de mantener una
carga total neutra. Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.
Es exclusivo de los materiales iónicos y suele encontrarse en muchos materiales
cerámicos. En este defecto, las vacancias se presentan en un material con enlaces
iónicos; donde debe faltar un número estequiométrico de aniones y cationes en el
cristal si se quiere conservar en el la neutralidad eléctrica. Por ejemplo, un Mg+2 y
un O-2 iones faltantes en Mg constituyen un par de Schottky. En el Zr+4 faltante,
habrá 2 iones O-2 faltantes.
 Figura 3.56 Defecto Schottky. [5]
3.5.2. Imperfecciones o defectos lineales:
Se dan en dirección de los planos de Miller; debido a la ausencia conjunta de
átomos alineados en súplanos, la existencia de dislocaciones en los materiales
metálicos justifica la plasticidad y fluencia que los caracterizan y diferencian frente
a los cerámicos. Estos aun teniendo también estructura cristalina no permiten los
procesos de plastificación.
Las dislocaciones son defectos de línea que se mueven al aplicar una fuerza al
material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crítico es el
esfuerzo requerido para que se mueva la dislocación. La dislocación se mueve en un
sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una dirección
de deslizamiento. La dirección de deslizamiento, típicamente es una dirección
compacta. El plano de deslizamiento normalmente también es compacto o casi
compacto.
En los cristales metálicos, el número y tipo de direcciones de deslizamiento y
planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales de
estructura cristalina FCC, el esfuerzo cortante resultante crítico es bajo y existe un
número óptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales FCC
tienden a ser dúctiles. En el caso de los metales BCC, no hay planos compactos
disponibles y el esfuerzo cortante resultante crítico es alto; por lo que los metales
BCC tienden a ser resistentes. El número de sistemas de deslizamiento en los
metales HCP es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera
frágil.
Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, átomos intersticiales y átomos
sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresión o de tensión que
alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en
las cercanías de defectos puntuales, incrementándose la resistencia del material. El
número de vacancias, o de puntos de red vacíos, depende de la temperatura del
material; los átomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre átomos
normales) y los átomos sustitucionales (que remplazan al átomo normal en puntos
de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su
número no se altera por los cambios de temperatura del material.
Estas imperfecciones se pueden clasificar en:
1. Dislocaciones de cuña.
2. Dislocaciones helicoidales o de tornillo.
3. Dislocaciones mixtas.
3.5.2.1 Dislocaciones de cuña:
Deslizamiento de los planos cristalinos por acción de una fuerza generada por la
inserción de una semiplano adicional de átomos, generando que las dos nuevas
superficies sean desplazadas transnacionalmente en dirección normal a la línea de
dislocación.
Una dislocación de borde o de cuña se puede ilustrar haciendo un corte parcial en
un cristal perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano
adicional de átomos. La orilla inferior de este plano insertado representa la
dislocación de borde.

Figura 3.57 Dislocaciones de cuña. [6]

3.5.2.2 Dislocaciones helicoidales o de tornillo:
Se llama así debido a la superficie espiral formada por los planos atómicos
alrededor de la línea de dislocación y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. La
parte superior de la región frontal del cristal desliza una unidad atómica a la
derecha respecto a la parte inferior. En este caso, el vector de Burgers es paralelo al
plano que contiene la dislocación y perpendicular al plano de deslizamiento.
La región de distorsión no está bien definida pero alcanza el ancho del diámetro de
unos cuantos átomos.
 Figura
3.58 Dislocaciones de tornillo.
3.5.2.3 Dislocaciones mixtas:
Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. Su
vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la línea de dislocación, pero
mantiene una orientación fija en el espacio.
La estructura atómica local en torno a la dislocación mixta es difícil de visualizar,
pero el vector de Burgers proporciona una descripción conveniente y sencilla. Las
dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y tornillo, con una región de
transición entre ellas. Sin embargo, el vector de Burgers queda igual para todas las
porciones de la dislocación mixta.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de Burgers a un
cristal que contenga una dislocación, esta se puede mover, rompiendo los enlaces
de los átomos en un plano. El plano de corte se desplaza un poco para establecer
enlaces con el plano parcial de átomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocación se mueva una distancia atómica hacia el
lado. Si continua este proceso, la dislocación se mueve a través del cristal hasta que
se produce un escalón en el exterior del mismo; el cristal se ha deformado
plásticamente.
Otra analogía es el movimiento de avance de una oruga. Levanta alguna de sus
patas en determinado momento, y usa el movimiento para ir de un lado a otro, sin
levantar todas las patas al mismo tiempo. Una gran diferencia entre el movimiento
de una oruga y el de una dislocación es la velocidad con que se mueven. La
velocidad con la que se propagan las dislocaciones en los materiales es cercana o
mayor que la velocidad del sonido.
Otra forma de visualizar esto es imaginar cómo se movería una onda en una
alfombra si tratáramos de eliminarla aplanándola en lugar de levantar la alfombra.
Si se pudieran introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal,
moviéndose a través del cristal por la misma trayectoria, el cristal terminaría por
quedar cortado a la mitad.

Figura 3.59 Dislocación

mixta.
3.5.3. Imperfecciones o defectos superficiales y límites de grano
internos:
estos defectos superficiales son límites pueden ser bordes o planos que dividen un
material en porciones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina,
características y propiedades pero en distintas orientaciones cristalográficas. Las
dimensiones exteriores del material representan superficies en donde termina el
cristal en forma súbita. Cada átomo en la superficie ya no tiene el número adecuado
de coordinación y se interrumpe el enlazamiento atómico. Esto es un factor muy
importante en la fabricación de dispositivos micro electrónico a base de Si. La
superficie exterior también puede ser muy áspera, contener muescas diminutas y
ser mucho más reactiva en el interior del material.
Estas imperfecciones se clasifican en:
1. Borde de grano o límite de grano.
2. Defectos de apilamiento.

3.5.3.1. Borde de grano o límite de grano:

La estructura de muchos materiales cerámicos y metálicos consiste en muchos
granos. Un grano es una porción del material dentro de la cual el arreglo de los
átomos es casi idéntico. Sin embargo, la orientación del arreglo de átomos, o
estructura cristalina, es distinta en cada grano vecino, es decir, en algunas regiones
del material existe un desorden estructural, o sea, ocurre un cambio en la
orientación cristalográfica como anteriormente se mencionaba; como consecuencia
de ello, algunos átomos de la estructura se encuentran más comprimidos y otros
más alejados.
Límites de grano de ángulo pequeño: Un límite de grano de ángulo pequeño es un
conjunto de dislocaciones que produce una pequeña desorientación entre cristales
vecinos. Como la superficie de la energía es menor que la de un límite de grano
normal, los límites de grano con ángulo pequeño no son tan eficientes para
bloquear los deslizamientos. Los límites de grano con tamaño pequeño que se
forman por dislocaciones de borde se llaman límites inclinados los que se forman
por dislocaciones de tornillo (véase defectos lineales) se llaman límites de giro.

Figura
3.60 Límite de grano. [7]
3.5.3.2. Defectos de apilamiento:
Se puede observar como la interrupción de la secuencia de apilamiento ordenado
de las estructuras cristalinas, es decir, son irregularidades en la frecuencia de los
planos cristalinos del material. Estos defectos a su vez se dividen en
 Maclas
 Defectos intrínsecos.
 Defectos extrínsecos.
Maclas: Un límite de macla (o de gemelación) es un plano a través del cual hay
una desorientación especial de imagen especular de la estructura cristalina.
Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que actúa a lo largo de
límite de macla, que hace que los átomos se desplace de su posición. El maclado
sucede durante la deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales. Los
límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento y aumentan la
resistencia del metal. El movimiento de los límites de macla también puede causar
la deformación del metal.

Figura 3.61 Límite macla. [8]

Defectos Intrínsecos: naturales, propios del material, salto de los propios átomos.
Defectos Extrínsecos: impurezas, precipitados. [12]

NOTA: Por otra parte existe otra caracterización de algunos materiales en lo que
respecta sus propiedades, una de esta son los límites de dominio; los materiales
ferro eléctricos son los que desarrollan polarización dieléctrica espontánea y
reversible. A los materiales que desarrollan una magnetización en forma parecida
se les llama ferromagnéticos o ferromagnéticos. Estos materiales electrónicos y
magnéticos contienen dominios. Un dominio es una pequeña región del material
cuya dirección de magnetización o polarización dieléctrica permanece igual. En
esos materiales se forman muchos dominios pequeños de tal manera que se
minimiza la energía libre total del material. En la figura se muestra un ejemplo de
dominios en el titanio de bario tetragonal forro eléctrico. La presencia de dominios
influye sobre las propiedades dieléctricas y magnéticas de muchos materiales
electrónicos y magnéticos. [3]

3.5.4. Defectos tridimensionales macroscópicos. (Volumétricos):

Los defectos volumétricos se forman cuando un grupo de átomos o de defectos
puntuales se unen para formar un vacío tridimensional o poro. De manera inversa,
un grupo de átomos de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado
tridimensional. El tamaño de un defecto volumétrico puede variar desde unos
cuantos nanómetros hasta centímetros o, en ocasiones, puede ser mayor. Los
defectos tienen un efecto o influencia considerable en el comportamiento y
desempeño de un material. Finalmente el concepto de un defecto tridimensional o
volumétrico puede ampliarse a una región amorfa dentro de un material poli
cristalino. Ejemplo, a continuación se muestra un ejemplo de este tipo de defecto
volumétrico.

Figura 3.62 Porosidad [10]

 Figura 3.63 Rocas con porosidades. [11]

Por último, se mostrará un mapa conceptual (Figura 3.64) en la cual se darán a

conocer las distintas imperfecciones posibles presentadas en un material cristalino:

Figura 3.64. Imperfecciones en un material cristalino. [13]

 Solución Sólida

Diagrama de Fase Binarios: forma del diagrama de fases en el cual solo hay dos
componentes. Su mayor aplicabilidad es en las áreas de la metalurgia, química y
física. Como ejemplo se -tiene el diagrama Cu-Ni y el diagrama Ag-Cu:

Figura 5. Diagrama de Fase binario Cu-Ni.

 Figura 6. Diagrama de fase binario Ag-Cu.

Cuando aparecen varias sustancias, la representación de los cambios de fase puede

ser más compleja.

Un caso particular -el más sencillo-, corresponde a los diagramas de fase binarios.
Ahora las variables a tener en cuenta son la temperatura y la concentración,
normalmente en masa. En un diagrama binario pueden aparecer las siguientes
regiones:
• Sólido puro o disolución sólida.
• Mezcla de disoluciones sólidas (eutéctica, eutectoide, peritéctica, peritectoide).
• Mezcla Sólido – Líquido.
• Únicamente líquido, ya sea mezcla de líquidos inmiscibles (emulsión) o sea un
líquido completamente homogéneo.

Hay puntos y líneas en estos diagramas importantes para su caracterización:

• Línea de líquidus, por encima de la cual solo existen fases líquidas.
• Línea de sólidus, por debajo de la cual solo existen fases sólidas.
• Línea eutéctica y eutectoide. Son líneas horizontales (isotermas) en las que
tienen lugar transformaciones eutécticas y eutectoides, respectivamente.
• Línea de solvus, que indica las temperaturas para las cuales una disolución
sólida (α) de A y B deja de ser soluble para transformarse en (α)+ sustancia pura (A
ó B).