UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI

UNIDAD ACADÉMICA DE CIENCIA DE LA INGENIERÍA Y APLICADA

CARRERA INGENIERÍA ELÉCTRICA

TRABAJO DE INVESTIGACIÓN

TEMA:

INVESTIGACION SOBRE LOS TRANSISTORES.

Autores:

Gualpa Quilo Kevin Alejandro.

Sangotasig Tucumbi Wilson Fabian.

Yanchapaxi Lloacana Alex Mecias.

Docente:

Ing. Franklin Medina

Latacunga – Ecuador

Abril - Agosto 201

TEMA: Investigación sobre los transistores.

OBJETIVOS:

OBJETIVO GENERAL:

Consultar las características y aspectos generales de los amplificadores operacionales , mediante

una investigación bibliográfica y científica para conocer los diferente funcionamientos que tiene
cada uno de estos elementos electrónicos y de esta forma adquirir nuevos conocimiento y
ponerlos en practica en clases.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS:

▪ Identificar el amplificador operacional y el tipo de encapsulado a partir del número de

identificación de parte.
▪ Conocer las ventajas e inconvenientes del Amplificador Operacional
▪ Conocer el funcionamiento y características de los amplificadores operacionales
mencionados en el tema.

MARCO TEÓRICO:

Transistor BJT.-

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí,
que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. (Malvino, 2007)
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de
carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común en su funcionamiento normal, la unión base-emisor está

polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos
por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores,
y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte,
estado de saturación y estado de actividad.

Estructura de un transistor BJT.-

El transistor es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una

corriente grande mediante una señal muy pequeña, tiene tres capas que consta de dos capas de
material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n.
El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 1.
(Robert, 2009)
 Figura 1: Tipos de transistores npn y pnp.

Transistor de efecto de campo FET.-

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que usa

el campo eléctrico para controlar la forma, por lo tanto, la conductividad de un canal que
transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido
como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta
(gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base
del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en
el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el
drenaje. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos
Canal-N y Canal-P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del
dispositivo. (Jhon, 2003)

Figura 2: Simbología del transistor FET.

Transistor de efecto de campo MOSFET.-

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-

semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya
sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET, es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S,
Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales. (Paul, 2013)

El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que fue el
material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio policristalino debido a
su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las puertas metálicas están volviendo a ganar
popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin
utilizar componentes metálicos en la puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante
en la puerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales
fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.

Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect

transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es
más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una puerta que no es metálica, y un
aislante de puerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un
transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-
effect transistor).

Figura 3: Simbología del transistor MOSFET.

Transistor de efecto de campo JFET.-

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o

unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como
interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee
tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un
voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un
canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una
tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece
resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando
la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando
esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D
y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite cuando deja de conducir y
entra en corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal
contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva característica y propia
de cada JFET.

Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden
de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o
circuitos externos conectados a su terminal de puerta

Figura 4: Simbología del transistor JFET.

Transistor tipo VMOS.-

Un transistor VMOS es un tipo de transistor semiconductor de óxido metálico . VMOS también
se utiliza para describir la forma de ranura en V cortada verticalmente en el material del
sustrato. VMOS / v i m ɒ s / es un acrónimo de "semiconductor de óxido metálico vertical", o
"ranura en V MOS". La "V" forma del MOSFET 's puerta permite que el dispositivo para
suministrar una mayor cantidad de corriente de la fuente al drenaje del dispositivo. La forma de
la región de agotamiento crea un canal más ancho, permitiendo que más corriente fluya a través
de él. Esta estructura tiene una ranura en V en la región de la puerta y se utilizó para los primeros
dispositivos comerciales. (Rashit, 2010)

El uso del dispositivo era un dispositivo de potencia hasta que se introdujeron geometrías más
adecuadas, como el UMOS (o Trench-Gate MOS) para reducir el campo eléctrico máximo en la
parte superior de la forma de V y así conducir a voltajes máximos más altos que en el caso del
VMOS.

Figura 5: Grafica de un transistor VMOST.

Figura 6: Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y
curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo

Operación y configuración de un transistor.-

A continuación describiremos la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la

figura. La operación del transistor npn es exactamente la misma con los roles de los electrones y
huecos intercambiados. En la figura se volvió a dibujar el transistor pnp sin polarización entre la
base y el emisor. Observe las semejanzas entre esta situación y la del diodo polarizado en directa.

Figura 7: Unión en directa y unión en inversa de un transistor tipo pnp

Funciones de un transistor.-

1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una pequeña señal de mando.
2. Funciona como un elemento amplificador de señales

Configuración del transistor.-

Configuración del transistor en base común.-

La configuración de transistor que más frecuentemente se encuentra aparece en la siguiente figura

para los transistores pnp y npn. Se llama configuración en emisor común porque el emisor es
común o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para
las terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de características
para describir plenamente el comportamiento de la configuración en emisor común: uno para el
circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor. Ambos
se muestran en la figura. (Robert, 2009)

Figura 8: Configuración base común.

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección convencional real. Aun
cuando la configuración del transistor cambió, las relaciones de corriente previamente
desarrolladas para la configuración en base común siguen siendo válidas. Es decir IE IC + IB e
IC a IE. Para la configuración en emisor común, las características de salida son una gráfica de la
corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un intervalo de valores de la corriente
de entrada (IB). Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (IB)
contra el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE).
Observe que en las características de la figura 3.14 la magnitud de IB está en microamperes en
comparación con los miliamperes de IC. Consideremos también que las curvas de IB no son tan
horizontales como las obtenidas para IE en la configuración en base común, lo que indica que el
voltaje colector a emisor influye en la magnitud de la corriente del colector. La región activa para
la configuración en emisor común es esa parte del cuadrante superior derecho de mayor
linealidad, es decir, la región de las curvas de IB son casi rectas o y equidistantes. En la figura
3.14a esta región existe a la derecha de las líneas de rayas vertical en VCEsat y arriba de la curva
de IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se llama región de saturación. (Robert,
2009)

Configuración del transistor en emisor común.-

La configuración de transistor que más frecuentemente se encuentra aparece en la figura para los
transistores pnp y npn. Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o
sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de características para
describir plenamente el comportamiento de la configuración en emisor común: uno para el
circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor. Ambos
se muestran en la figura.
 Figura 9: Representaciones de la configuración emisor común.

Configuración del transistor en colector común.-

La tercera y última configuración del transistor es la configuración en colector común, mostrada

en la figura 3.20 con las direcciones de la corriente y notación de voltaje correctas. La
configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene
una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las
configuraciones en base común y en emisor común.

Figura 10: Representaciones de la configuración colector común.

Una configuración de circuito en colector común aparece en la figura 3.21 con el resistor de carga
conectado desde el emisor a tierra. Observe que el colector está unido a tierra aun cuando el
transistor esté conectado del mismo modo que en la configuración en emisor común.

Esta configuración se la puede diseñar utilizando las características en emisor común de la

sección anterior, las características de salida de la configuración en colector común son las
mismas de la configuración en emisor común. Para la configuración en colector común las
características de salida son una gráfica de IE contra VCE con un rango de valores de IB. La
corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con las características en emisor común
como en colector común. Por último, ocurre un cambio casi imperceptible en la escala vertical de
IC de las características en emisor común si IC se reemplaza con IE para las características en
colector común (puesto que). Para el circuito de entrada de la configuración en colector común
bastan las características básicas en emisor común para obtener la información requerida.

Aplicaciones del transistor.-

El transistor como interruptor:

1. El transistor funciona como interruptor CERRADO cuando aplicamos una corriente a la

base.
2. El transistor funciona como interruptor ABIERTO cuando NO aplicamos una corriente a
la base

El transistor como amplificador:

1. Por medio de una pequeña corriente aplicada a la base se pueden gobernar otra mucho
más intensa entre colector y emisor.
2. Esto significa que pequeñas corrientes se pueden transformar en otras más fuertes
Amplificación.

Ecuaciones definidas para transistores.-

Figura 11: Ecuaciones donde podemos observar las corrientes de emisor, colector. Voltajes base
emisor. Beta, Alfa, Potenciales, de las cuales se derivan las ecuaciones secundarias.

PROBLEMÁTICA:

El transistor se creó con la necesidad de dejar pasar o corta señales eléctricas a partir de una
pequeña señal de entrada, el estudio del tema es complejo por lo que nos incita a profundizar
sobre las características y su funcionamiento, de acuerdo a las configuraciones que vamos a
utilizar como (base común, colector común, emisor común), al poder desarrollar practicas
podremos observar desde todos los puntos de vista el tratamiento que debemos dar al transistor en
la practico y teórico.

ANALISIS:
Después de haber realizado la investigación de los diferentes temas propuestos pudimos observar
que no hay una gran diferencia en características, funcionamientos y simbología entre un
transistor y otro ya que su funcionamiento es el mismo la finalidad de crear una variedad de
transistores se basan en sus aplicaciones por lo que algunos sirven para disminuir voltaje,
corriente, o aumentar señales de audio en si un sinfín de cosas.

Según lo investigado conocemos el caso de los transistores BJT su simbología es parecida a los
JFET las cuales tienen un colector, base, emisor, la diferencia recae en que se los llama de otra
forma como puerta, drenado, fuente, son las partes que dejan pasar o corta señales eléctricas a
partir de una pequeña señal de mando en cada una de sus configuraciones, para poder entender
las configuraciones en las que se les puede encontrar a un transistor nos basamos en el estudio de
los BJT ya que creemos que son los más utilizados en las practicas, hay tres tipos de
configuración las cuales son de emisor común, base común, colector común, según el circuito a
estudiar se los puede encontrar. Tenemos que tomar en cuenta que la realización de circuitos
electrónicos con transistores se los tiene que analizar de parte práctica como en la parte teórica, el
estudio de sus ecuaciones se basa en el principio de mallas y despeje de ecuaciones.

La utilización de la configuración base común es muy utilizada en la acoplacion de circuitos que

emita una señal de baja impedancia de salida y eso lo podemos encontrar en los micrófonos
inalámbricos, pero esta configuración no es apta para realizar circuitos de baja frecuencia debido
a la baja impedancia de entrada.

La configuración colector emisor es la más utilizada puesto que amplifica tanto corriente como
voltaje, y es apta para trabajar en circuitos de baja frecuencia debido a la alta impedancia de
entrada, esta configuración la podemos encontrar en amplificadores de audio y de altas
frecuencias de radio.

CONCLUSIONES:
1. Los transistores son dispositivos compuestos internamente por dos diodos obteniendo
una base, colector y emisor.

2. Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras que
tienen una base o capa central mucho más delgada que las otras dos, las dos capas
externas son de materiales tipo n o p.

3. Las configuraciones realizadas en base común y colector común tienen la semejanza de

estar conectada al punto tierra.

4. Los transistores tienen ventajas sobre los antiguos elementos electrónicos ya que son más
pequeños, livianos, eficientes.

RECOMENDACIONES.

6. Al comenzar a realizar la investigación se debe indagar en varias fuentes ya que se puede

obtener información que no sea verídica y esto lleve a la confusión de términos y un mal
entendimiento en la materia.
7. Al trabajar en circuitos con transistores debemos trabajar con un simulador ya que este
será de mucha ayuda en la obtención de datos verídicos ya se trabajara en lo práctico y
teórico.

8. Al trabajar con transistores debemos conocer que para la aplicación en circuitos los datos
para lo que está diseñado el mismo vienen dados por el fabricante.

9. Al trabajar en circuitos electrónicos hay ecuaciones ya definidas, por lo que hay que
basarse en ellas para obtener los datos requeridos, una de las grandes ayudas que podemos
optar es el despeje de las mismas.

BIBLIOGRAFÍA.

Robert, B. y. (2009). Teoría de circuitos y dispositivos electronicos. Mexico: Pearson educacion .

Malvino, A P. (2007). Principios De Electrónica. (7th ed.): McGraw Hill

Rashid, M, (2010). Electrónica de potencia (3°.Ed).Pictures rdp. Mexico.

Jhon, V. (2003). Electronica basica. España.

Paul, R. (2013). The National Academies Pres.