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ELECTRÓNICA DE POTENCIA – PRACTICA 1
(WILSON JHOAN BELTRAN DUARTE 1090719)
(LEONARDO FABIO PATIÑO CARRILLO 1090733
(MADELYN FOSSI GALVIS 1090875)
Practica con el
modulo de
transistores lab-volt
RESUMEN este documento investigativo contiene el
análisis preliminar respectivo que debe ejecutarse a
la hora de implementar transistores de potencia
como interruptores siendo estos activados por la
misma señal cuadrada, se analiza como son los
modos de operación correspondientes a cada tra
nsistor(MOSFET, IGBT, BJT ) los cuales son usados
hoy en día en una gran parte de la industria por su
rapidez de conmutación y manejo de corriente,
desplazando así a los antiguos interruptores
electromecánicos los cuales carecen de rapidez de
respuesta y requieren mayor área para su
instalación. se enfatizó en el hecho de que
dependiendo de la tecnología y la misma estructura
con la que son construidos dichos transistores la
velocidad de respuesta es diferente de un dispositivo
a otro así como sus otras capacidades con
conducción y disipación de energía.
Abstract—Summary This research document
contains the respective preliminary analysis that must
be executed when implementing power transistors as
switches being activated by the same square signal,
analyzing how are the corresponding operating modes
for each transistor (MOSFET, IGBT, BJT) which are used
today in a large part of the industry for its speed of
switching and current management, thus displacing
the old electromechanical switches which lack speed of
response and require more area for installation. it was
emphasized in the fact that depending on the
technology and the same structure with which said
transistors are built, the speed of response is different
from one device to another as well as its other
capacities with conduction and dissipation of energy.
INTRODUCCIÓN
L
OS transistores de potencia que se usaron fueron los
siguientes: MOSFET(IRF530), IGBT ULTRARAPIDO
(GBC20U) Y EL BJT (TIP33C).
el avance tan rápido y vertiginoso que ha
experimentado la electrónica de potencia en cuanto
al desarrollo de nuevos dispositivos cada vez de
menor tamaño y perdidas, de mayor velocidad de
respuesta, manejo de corriente, etc. A ocasionado
que la ingeniería en materiales voltee la mirada
hacia el estudio de nuevas combinaciones entre
materiales buscando mejorar superar las
características anteriormente mencionadas.
En este documento se analiza el comportamiento de
estos tres dispositivos a una frecuencia de
conmutación de 10 khz, en pro de servir de guía a
futuros ingenieros en cuanto al conocimiento
cuántico-empírico que debe poseer el estudiante
acerca de estos comportamientos internos que dan
lugar a fenómenos de suma rareza para la
comprensión del hombre común a demás servirá
como punto de partida para iniciarse en el estudio
de la electrónica de potencia.
CIRCUITO DE MANDO DR
El circuito de mando para activar los transistores
está compuesto por 2 resistencias una de 100 ohm y
otra de 760 ohm el capacitor que tiene es de 6,8 nF y
está conectado en serie con el resistor de 100 ohm
esta red RC proporciona una derivación de la
corriente es decir suministre una corriente
impulsiva y extremadamente rápida que es más o
menos 8 veces la corriente que se calcula una vez el
capacitor se ha cargado se abre permitiéndole
estabilizar la corriente. El dispositivo encargado de
recibir este impulso es un opto driver (HCPL 3101)el
cual cumple dos funciones, la primera es aislar
eléctricamente la conducción de corriente desde la
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ELECTRÓNICA DE POTENCIA – PRACTICA 1
etapa de control hasta la etapa de potencia, y la otra
función es adecuar los niveles de corriente o de
voltaje para activar los transistores dependiendo de .
el circuito acondicionador de esta señal el cual está
conectado a la compuerta de cada transistor se
anexa tabla de características eléctricas y tabla comparativa entre los tres
esquemático del opto driver utilizado. transistores según datos del fabricante
estos datos fueron extraídos de la datasheet del
fabricante de estos dispositivos y se usara como
punto de referencia para analizar a continuación el
comportamiento de cada uno de los transistores al
aplicar los pulsos.

VALORES IRF 530 GBC20U TIP 33C

NOMINAL
ES
VOLTAJE 100 600 100
La corriente impulsiva entra por el ánodo (V)
generando un rápido encendió del led interno del CORRIENT 14 13 10
dispositivo el cual cuenta con un sensor fotosensible E (A)
que capta los fotones y casi inmediatamente inicia FRECUENC 1 1 3
su conducción para proporcionar el pulso de IA (MHZ)
corriente que activara el transistor este dispositivo TIEMPO 30 60 600
entrega niveles de corriente a la salida bastante ON (NS)
grandes suficientes para activar cualquier transistor TIEMPO 40 210 1000
de los tres mencionados. OFF (NS)
CAPACITA 670 330 -
NCIAS(PF)
RESISTEN 80 80 35.7
CIA
TERMICA
(°C/W)
VOLTAJE 2 20 5
UMBRAL
(V)

Primero se explica como calcular la variación de

corriente y la corriente promedio en la carga para
una relación de trabajo de D = 0,5

(G. Gallego 2018)

R = 12 ohm L = 577 µH E = 15 V
Frecuencia de conmutación = 20 khz
1
Tc = 10khz = 50 µs
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ELECTRÓNICA DE POTENCIA – PRACTICA 1

Lo cual significa que el tiempo que dura encendido

será muy similar al tiempo que dura a pagado y será
alrededor de 25µs
il = corriente promedio

DE (15)(0.5)
il = R
= 12
= 0.625 A

E(1-D)(DTc) (15)(1-0.5)(0.5)( 50 µS)

▲ il = corriente promedio = =
L 577µH
Fuente autor
▲ il = 0.324 A La onda amarilla representa el voltaje aplicado a la
El comportamiento de esta carga será compuerta del MOSFET y la azul representa el
aproximadamente como se muestra en la siguiente voltaje en R2 el cual es análogo a la corriente que
grafica circula por el transistor como se puede observar la
corriente dura muy poco tiempo debido a
imperfecciones en el mismo circuito de mando DR

(G. Gallego
1018)

Para la activación de estos transistores se seleccionó

una señal de 5 voltios de pico a pico y una Fuente autor
frecuencia de 10 khz con una forma de onda
En esta grafica observamos el tiempo de activación
cuadrada ya que la alta frecuencia se considera
en el MOSFET que es de aproximadamente 520 nS.
después de los 5 khz se selecciona la frecuencia el
voltaje se selecciona por la datasheet del elemento
que debe soportar no más de 25 mA esto es:

2.5v/ 100ohm = 25mA

activación del mosfet irf 530

El mosfet será activado una vez el voltaje que
aparece entre compuerta y fuente Vgs supere el
valor del diodo zener que en primera instancia
regula y establece un valor fijo de voltaje para que
este se active lo mas simétricamente posible esto en
operación directa pero en inversa la función del
diodo zener es consumir la corriente de fuga inversa
para evitar que esta tenga activación indeseada en el
transistor (por efecto avalancha).
Fuente autor
En esta grafica observamos dos ondas la azul hace
referencia a los pulsos de activación y la amarilla
hace referencia al voltaje del MOSFET se observa
como aumenta conforme el MOSFET se apaga y
disminuye cuando el MOSFET se enciende
presentando una caída de potencial entre sus
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ELECTRÓNICA DE POTENCIA – PRACTICA 1
terminales alejándolo del comportamiento ideal. circuito RC que genere adicionalmente del nivel de
corriente que trae el pulso un nivel extra de
corriente el cual tiene como función acelerar el
activación del igbt ultra rápido proceso de encendido del BJT ya que al ser este un
(GBC20U) dispositivo bipolar requiere de un tiempo de
este dispositivo cuenta con un circuito de acomodación de los portadores en la zona de
activación muy similar al anterior con una deflexión de las cargas juntura (p-n)
Resistencia limitadora de corriente y un diodo zener
regulador. El comportamiento se describe mediante
las siguientes imágenes

Fuente autor
La siguiente grafica muestra la variación de
voltaje entre el emisor y el colector del IGBT
(amarilla) se observa una caída de potencial
significativa entre sus terminales.
Fuente autor
La onda azul corresponde al voltaje en la
resistencia R4 la cual es análoga a la corriente que
atraviesa la carga en ese momento allí podemos
visualizar el proceso de carga y descarga que ocurre
en el inductor presentándose asi una variación
constante del nivel de corriente que circula.

Fuente autor
Como se observa en la gráfica azul el encendido
del IGBT ocurre extremadamente rápido pero
presenta un pequeño estado transitorio antes de
alcanzar el régimen estable.
Fuente autor
En la gráfica azul se observa la onda que
representa el tiempo de encendido del BJT el cual es
bastante grande repercutiendo en los valores de
corriente que se miden en la carga.

activación de bjt tip 33c

La operación del circuito de activación en el BJT es
un poco diferente a la de los dos transistores
mencionados a continuación ya que requiere de un
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ELECTRÓNICA DE POTENCIA – PRACTICA 1
gradualmente ya que si no estuviera daría lugar a
un sobre voltaje producido por el inductor. su uso es
para evitar explosiones por sobre voltaje.

como segunda conclusión cabe aclarar el mal estado

Fuente autor
En esta grafica la de color azul representa el
aumento y la caída de voltaje en los terminales
colector y emisor del BJT.
del lab-volt ya que solo servía uno de los tres
disponibles en el laboratorio y aparte de eso se
midió por varios delos grupos de trabajo allí
presentes que el tiempo que dura el ancho de pulso
que sale del circuito de mando DR era a penas de
2,78µs se procede a hacer los cálculos en base a la
recomendación que hace el ingeniero encargado de
realizar los cálculos con una relación de trabajo de
D= 0.5.

tabla comparativa de los resultados el dispositivo que tuvo el menor tiempo de

encendido fue el IGBT y el mayor tiempo de
medidos en el laboratorio encendido lo tuvo el BJT

Pregunta a
VALORES MEDIDOS R/ su función es proteger y aislar el circuito de
control del circuito de potencia siendo un
IGBT(240ns) MOSFET(520ns) BJT(2.6µs) dispositivo de emisión y recepción que funciona
GBC2 IR932 R2=1.14 VR2=0. R4=1. Vter como un interruptor activado mediante la luz
05 8 51v 18 =7.52 emitida por un diodo LED que satura un
v componente opto electrónico, normalmente en
R2=1. VTER R1=217. Vz R3=1 VR2= forma de fototransistor o fototriac.
14 =7,94 2 =6.76v 0.4 0.52v Pregunta b
v R/ La red paralela R-C en el circuito de mando tiene
R1=21 VRz Vterm R2=0. Vz como función mandar un pulso de corriente para
7.2 =0.48 =7.7v 5K =6.70
disminuir el tiempo de activación del transistor.
v v
VZ=6. R1=5
Pregunta c
34v 0
R/ El circuito de mando cumple la función de
aislamiento de los circuitos de control y el circuito
Donde,
de potencia con el fin de protegerlos ante cualquier
Vz= Voltaje promedio de la carga
fenómeno ya sea sobre corrientes o sobre voltajes,
VRz= Voltaje promedio de la resistencia
además que ser quien envía pulsos para efectuar la
Vter= voltaje promedio del dispositivo
activación de cada transistor

conclusiones
a pesar de que no se menciona el uso y la
importancia de la presencia del diodo conectado en
paralelo con la carga es de vital importancia su uso
ya que por este circula la corriente de descarga del
inductor esta corriente debe ser disminuida
Pregunta d
R/ La función del diodo Zener es la establecer un
valor fijo de voltaje y evitar sobretensiones inversas
entre compuerta y drenaje del transistor
Pregunta e
R/ Para evitar la contra corriente o corriente
parasitas provenientes de la bobina, conocido como
diodo de rueda libre, También provee continuidad
en la corriente al abrir el dispositivo que actúa como
interruptor en régimen permanente la conmutación
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ELECTRÓNICA DE POTENCIA – PRACTICA 1
periódica del interruptor, hace que las variables
corriente y voltaje sean periódicas.

Cabe aclarar que la corriente de activación la

suministran fuentes de dc las cuales deben estar
aisladas a diferencia de los tiristores que pueden
sacar esta corriente de la misma red eléctrica a la
cual van a conectarse

DISPOSITIVOS

BJT MOSFE IGBT

T

CARACTERISTICA Corrien Tensión Tensi

S DE DISPARO te ón

POTENCIA DEL Media- Muy Muy

CIRCUITO DE alta baja baja
MANDO

COMPLEJIDAD Alta Muy Muy

DEL CIRCUITO DE baja baja
MANDO

DENSIDAD DE Media Alta- Alta

CORRIENTE baja

MAXIMA TENSION Baja-m Media-b Media

INVERSA edia aja - baja

PERDIDAS EN Media- Muy Media

CONMUTACION alta baja - alta

referencias
1- G. Gallego, dispositivos de electrónica de
potencia editorial ufps. 2018.